科技產(chǎn)業(yè)自主可控之半導(dǎo)體設(shè)備：乘自主可控趨勢(shì)-東風(fēng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)進(jìn)程加速

1、材料領(lǐng)域機(jī)遇無限萬潤(rùn)股份濮陽惠成I華特股份江豐電子產(chǎn)業(yè)鏈匯總1.化工器航天電器中航光電材料領(lǐng)域機(jī)遇無限萬潤(rùn)股份濮陽惠成I華特股份江豐電子產(chǎn)業(yè)鏈匯總1.化工器航天電器中航光電維探測(cè)器高德紅外2.軍工領(lǐng)域脖子套格局與國(guó)產(chǎn)化空間股4家公司盈利能力測(cè)算3.半導(dǎo)體設(shè)備醫(yī)療器械行業(yè)現(xiàn)狀加速替代由易入難點(diǎn)角度看器械進(jìn)口替代之路5.醫(yī)療器械海外TMT貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)為“科技 理理通信略，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備自主化勢(shì)在必行恒為科技紫光股份電子厚，上游核心突破大勢(shì)所趨半導(dǎo)體/PCB/面板環(huán)節(jié)核心企業(yè)梳理計(jì)算機(jī)理勢(shì)相關(guān)標(biāo)的及空間測(cè)算4.TMT產(chǎn)業(yè)觀點(diǎn)OLED行業(yè)快速釋放，上游材料領(lǐng)域機(jī)遇無限產(chǎn)業(yè)觀點(diǎn)OLED行業(yè)快速釋放，上游材料領(lǐng)域

2、機(jī)遇無限IC產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體化學(xué)品迎發(fā)展良機(jī)在技術(shù)封鎖下自力更生，軍用核心元器件與原材料獲突破，軍轉(zhuǎn)民空間廣闊連接器行業(yè)特點(diǎn)與發(fā)展趨勢(shì)：國(guó)內(nèi)連接器企業(yè)集中度提升與產(chǎn)業(yè)升級(jí)是大勢(shì)所趨碳纖維行業(yè)特點(diǎn)與發(fā)展趨勢(shì)：高技術(shù)與資本壁壘，政策與禁運(yùn)推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化率提升紅外探測(cè)器行業(yè)特點(diǎn)與發(fā)展趨勢(shì)：軍品滲透率不斷提升，民品拓展依賴成本下降我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供需不匹配，急需國(guó)產(chǎn)替代全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有望觸底回暖上游半導(dǎo)體設(shè)備銷售有望隨之向好我國(guó)政策、資金、市場(chǎng)環(huán)境三面扶持推薦公司萬潤(rùn)股份濮陽惠成華特股份江豐電子航天電器中航光電高德紅外至純科技長(zhǎng)川科技精測(cè)電子化工2軍工領(lǐng)域3通信 信息安全亟需網(wǎng)絡(luò)設(shè)備自主

3、可控，國(guó)內(nèi)已涌現(xiàn)一批世界級(jí)優(yōu)秀企業(yè) 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的自主可控，除設(shè)備本體外，更為關(guān)鍵的是核心芯片 基于自主可控核心芯片的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)展將提速，應(yīng)用將從政府向更多行業(yè)延伸通信 信息安全亟需網(wǎng)絡(luò)設(shè)備自主可控，國(guó)內(nèi)已涌現(xiàn)一批世界級(jí)優(yōu)秀企業(yè) 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的自主可控，除設(shè)備本體外，更為關(guān)鍵的是核心芯片 基于自主可控核心芯片的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)展將提速，應(yīng)用將從政府向更多行業(yè)延伸電子 電子零組件環(huán)節(jié)實(shí)力雄厚，上游核心突破大勢(shì)所趨 國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)下，看好半導(dǎo)體/PCB/面板環(huán)節(jié)計(jì)算機(jī) 產(chǎn)能不是大問題，市場(chǎng)已經(jīng)明確，產(chǎn)能能夠快速提升，今年底之前產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)全力準(zhǔn)備應(yīng)對(duì) 基礎(chǔ)軟硬件不成熟也不是問題，Windows成熟穩(wěn)定也經(jīng)歷了15

4、年迭代， 關(guān)鍵還是售后服務(wù)要跟得上 醫(yī)療器械國(guó)產(chǎn)替代邏輯分析 國(guó)產(chǎn)設(shè)備+高值耗材的進(jìn)口替代之路：先易后難 IVD的國(guó)產(chǎn)替代之路邁瑞醫(yī)療健帆生物安圖生物樂普醫(yī)療魚躍醫(yī)療邁克醫(yī)療艾德生物醫(yī)療器械1.通信2.電子1.通信2.電子3.計(jì)算機(jī)紫光股份恒為科技和而泰生益科技華正新材集團(tuán)卓勝微韋爾股份聞泰科技三安光電中國(guó)軟件金山辦公中國(guó)長(zhǎng)城東方通中孚信息北信源浪潮信息航天信息太極股份浪潮軟件華宇軟件TMT HYPERLINK / 4 HYPERLINK / 4一、為什么當(dāng)前亟需提升國(guó)產(chǎn)化率？二、國(guó)產(chǎn)化的推動(dòng)因素政策、資金、產(chǎn)業(yè)三、半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度四、相關(guān)公司發(fā)展邏輯梳理五、風(fēng)險(xiǎn)提示一方面，

5、終端產(chǎn)品供需不匹配。2018年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模1550億美元，但國(guó)產(chǎn)集成電路規(guī)模僅238億美元，國(guó)產(chǎn)化率僅約15 ；另一方面，制造端的設(shè)備供需不匹配。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約145億美元，但國(guó)產(chǎn)設(shè)備規(guī)模僅14億美元不到，國(guó)產(chǎn)化率僅約10。因此，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的角度，一方面，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域仍有較大發(fā)展空間；另一方面，制造領(lǐng)域的設(shè)備仍有較大的國(guó)產(chǎn)提升空間。/201813 ，但從19年2020年將達(dá)到 HYPERLINK / 以刻蝕5成膜測(cè)、清、測(cè) HYPERLINK / 設(shè)備為例，分析細(xì)分領(lǐng)域設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程及成長(zhǎng)空間。 HYPERLINK / 6 HYPERLINK / 61.1我國(guó)半導(dǎo)體市

6、場(chǎng)規(guī)模和占比不斷提升1.11.2我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供需兩層不匹配1.21.4貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體核心技術(shù)“卡脖子”1.41.1 我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模和占比不斷提升2010（2010（2009-2018年）CARG為7.55%，全球GDP CAGR為3.99%CARG為25.03%GDP增速的2倍左右；與此同時(shí)，在PC場(chǎng)，在全球占比達(dá)到了33%，比第二名的美洲高出11個(gè)百分點(diǎn)，我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)無論是絕對(duì)規(guī)模增速還是占比都不斷提升。圖表：我國(guó)半導(dǎo)體規(guī)模和占比不斷提升全球半導(dǎo)體銷售額（億美元）中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模（億美元占比圖表：2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分布中國(guó)美洲歐洲日本其他5,000.004,50

7、0.004,000.003,500.003,000.002,500.002,000.001,500.001,000.00500.000.002008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 201835%33%30%31%27%27%27%25%25%21%22%23%30%33%30%31%27%27%27%25%25%21%22%23%25%20%15%10%5%0%其他, 27%日本, 8%歐洲, 9%中國(guó), 33%美洲, 22% HYPERLINK / 7數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研究發(fā)展部數(shù)據(jù)來源：WSTS、中信建投證券研究發(fā)展

8、部 HYPERLINK / 720181550238億美元，國(guó)產(chǎn)化率僅約15%；201820181550238億美元，國(guó)產(chǎn)化率僅約15%；2018131.12018109 億元，自給率僅約為12%。LED僅有 5%左右，在全球市場(chǎng)僅占 1-2%份額。半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口依賴長(zhǎng)期看將嚴(yán)重阻礙中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的自主發(fā)展，國(guó)內(nèi)需求與國(guó)內(nèi)供給的缺口昭示著巨大的國(guó)產(chǎn)化空間。中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模（億美元）國(guó)產(chǎn)集成電路市場(chǎng)規(guī)國(guó)產(chǎn)化率中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億元）國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億元自給率015%12%13% 13%10%11%92092015% 13% 128010105109%68049015%12%13%

9、13%10%11%92092015% 13% 128010105109%68049074074082049425879881031171341301932388%6%4%2%0%1,000 02013年2014年2015年2016年2017年2018年16%14%12%10%8%6%4%2%0% HYPERLINK / 8數(shù)據(jù)來源：ICinsights、中信建投證券研究發(fā)展部數(shù)據(jù)來源：SEMI、中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)、中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 8201820181550238億美元，國(guó)產(chǎn)化率僅約15%；2018131.12018109 億元，自給率僅約為12%。LED僅

10、有 5%左右，在全球市場(chǎng)僅占 1-2%份額。半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口依賴長(zhǎng)期看將嚴(yán)重阻礙中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的自主發(fā)展，國(guó)內(nèi)需求與國(guó)內(nèi)供給的缺口昭示著巨大的國(guó)產(chǎn)化空間。 45% 1-2%10%0% 45% 1-2%中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)中國(guó)半導(dǎo)體芯片制中國(guó)半導(dǎo)體裝備中國(guó)半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵零部件 HYPERLINK / 9數(shù)據(jù)來源：SEMI、中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)、中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 9小。技術(shù)限制18年4月16日 七年，7.1318年8月13日FIRRMA法案正式生效，加強(qiáng)對(duì)核心技術(shù)的外國(guó)投資審查范圍18年11月20日BIS根據(jù)出口管制改革法案公布14類關(guān)鍵技術(shù)出口管制框架，涉及AI、芯片、

11、生物技術(shù)等19年5月16日BIS“實(shí)體名單”19年6月中科曙光被列入禁運(yùn)名單，美宣布可以繼續(xù)向華為供貨圖半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)苜Q(mào)易戰(zhàn)影響分化電聲示器件連接器 HYPERLINK / 10PC手機(jī) 消子通備工業(yè) 軍 事 汽 HYPERLINK / 10PC手機(jī) 消子通備工業(yè) 軍 事 汽子終端市場(chǎng)中信建投證券研究發(fā)展部電容電阻電感被動(dòng)元件半導(dǎo)體材料（硅、鍺）磁性材料化工制品金屬材料半導(dǎo)體設(shè)備（）電子材料設(shè)備覆銅板PCB半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造集成電路封測(cè)分立器件 HYPERLINK / 11 HYPERLINK / 118543.70.20，物理氣相沉積（PVD）8543.90.12，物理氣相沉積零部件8543.7

12、0.97，等離子清洗設(shè)備8486.10.00，晶圓制造設(shè)備8486.20.00，半導(dǎo)體器件和集成電路制造設(shè)備8486.30.00，平板顯示制造設(shè)備8486.40.00，光刻掩模板制造設(shè)備8486.90.00，半導(dǎo)體，集成電路，平板顯示制造設(shè)備相關(guān)零部件就目前而言，我國(guó)半導(dǎo)體和面板設(shè)備大部分依靠進(jìn)口，其中北方華創(chuàng)出口產(chǎn)品銷售額占比僅1%，而中微出口的MOCVD設(shè)備不在列表中。）（購大模塊進(jìn)行供應(yīng)鏈拓展、批量采購等方式實(shí)現(xiàn)。圖表：外購大模塊受產(chǎn)業(yè)影響風(fēng)險(xiǎn)較大物資類別質(zhì)量控制交付能力成本控制產(chǎn)業(yè)風(fēng)險(xiǎn)1精密加工件標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)質(zhì)量可控性好批量生產(chǎn)交付能力較好成本影響小物資來源國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)影響風(fēng)險(xiǎn)小2普通加工件

13、非標(biāo)準(zhǔn)單質(zhì)量可控性差非批量生產(chǎn)交付能力較差整機(jī)占比較小成本影響較小物資來源國(guó)內(nèi)3通用外購件標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)質(zhì)量可控性好批量生產(chǎn)交付能力較好整機(jī)占比小成本影響較小進(jìn)口非特殊產(chǎn)品4外購大模塊標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)質(zhì)量可控性好批量生產(chǎn)交付能力不確定整機(jī)占比大成本影響大物資來源進(jìn)口 HYPERLINK / 12數(shù)據(jù)來源：中電科，中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 12設(shè)備企業(yè)前瞻布局非美國(guó)地區(qū)零部件采購設(shè)備企業(yè)前瞻布局非美國(guó)地區(qū)零部件采購EFEM等；圖表：前十大零部件采購需求占比及前十大子系統(tǒng)供應(yīng)商占比十大零部件需求量預(yù)測(cè)/件十大零部件需求價(jià)值預(yù)測(cè)/萬元010001500200025000500010000

14、1500020000前十大子供應(yīng)商占比中國(guó)臺(tái)灣,3.70%韓國(guó), 1.90%歐洲, 11.40%中國(guó), 11.80%美國(guó), 41.30%日本, 29.80% HYPERLINK / 13 HYPERLINK / 13 HYPERLINK / 14 HYPERLINK / 14 HYPERLINK / 圖表：下游客戶評(píng)估國(guó)內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)后貿(mào)易戰(zhàn)時(shí)期，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的一些變化下游客戶評(píng)估國(guó)內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)一旦驗(yàn)證通過成為下游客戶評(píng)估國(guó)內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)一旦驗(yàn)證通過成為baseline。圖表：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備驗(yàn)證流程free demo馬拉松測(cè)試Blanket wafer測(cè)試大量產(chǎn)品驗(yàn)證

15、耗時(shí)3-6個(gè)月Pattern wafer耗時(shí)3-6個(gè)月工藝匹配和優(yōu)化耗時(shí)3-6個(gè)月6.規(guī)模量產(chǎn)一單驗(yàn)證通過成為baseline，或者在minifab 里通過，后續(xù)新建/擴(kuò)產(chǎn)時(shí)就省去了前序工序 HYPERLINK / 15數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 15 HYPERLINK / 16 HYPERLINK / 162.1全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有望觸底回升2.12.2上游半導(dǎo)體設(shè)備銷售有望隨之向好2.22.3我國(guó)政策、資金、市場(chǎng)環(huán)境三面扶持2.3 HYPERLINK / HYPERLINK / 1719982000年，隨著手機(jī)的普及和互聯(lián)網(wǎng)興起，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值不斷上升，尤

16、其在2000年增長(zhǎng)38.3%；隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫的破裂，2001年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)下跌32%；隨后Window XP的發(fā)布，全球開始新一輪PC換機(jī)潮，半導(dǎo)體市場(chǎng)20022004年處于高速增長(zhǎng)階段；2005年半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)了周期性回落，2008年和2009年受金融危機(jī)的影響出現(xiàn)了負(fù)增長(zhǎng)；2010年，隨著全球經(jīng)濟(jì)的好轉(zhuǎn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值增長(zhǎng)34.4%。2011-2012年受歐債危機(jī)、美國(guó)量化寬松貨幣政策、日本0.4%和-2.7%；2013年以來，PC4.8%。2014年全球半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，增速達(dá) 9.9%；2015-2016年，全球半導(dǎo)體銷售疲軟。2017年，隨著AI芯片、5G芯片、汽車電

17、子、物聯(lián)網(wǎng)等下游的興起，全球半導(dǎo)體行業(yè)重回景氣周期。2018年下半年，受到存儲(chǔ)器價(jià)格下降、全球需求疲軟和中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，全球半導(dǎo)體發(fā)展動(dòng)力不足。但展望2019下半年，受益于消費(fèi)領(lǐng)域、智能手機(jī)需求回暖，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨穩(wěn)并有望實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)來源：IC Insights、中信建投證券研究發(fā)展部數(shù)據(jù)來源：IC Insights、中信建投證券研究發(fā)展部數(shù)據(jù)上看，2019數(shù)據(jù)上看，201920202018年，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)64514%響，2019年半導(dǎo)體設(shè)備廠商短期承壓，SEMI預(yù)計(jì)2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售下降18.4%至529億美元。展望2020SEMI2020年的全球銷售額為588

18、億美元，比2019年增長(zhǎng)12。其中，包括外資工廠在內(nèi)的對(duì)中國(guó)大陸銷售將達(dá)到145億美元，預(yù)計(jì)中國(guó)大陸成為半導(dǎo)體制造設(shè)備的最大市場(chǎng)。北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額同比增速30.0010.005.000.00300%250%200%150%100%50%0%-50%1992-011993-051992-011993-051994-091996-011997-051998-092000-012001-052002-092004-012005-052006-092008-012009-052010-092012-012013-052014-092016-012017-052018-09 HYPERLINK

19、 / 18數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 18（DRAM）IC90IC產(chǎn)品，帶 20重點(diǎn)投資每年投資近億美元計(jì)劃投資1500億美元美國(guó)成立半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，并在貿(mào)易領(lǐng)域出臺(tái)了一些列政策，如與日本簽訂半導(dǎo)體協(xié)定重點(diǎn)投資每年投資近億美元計(jì)劃投資1500億美元美國(guó)日本日本韓國(guó)成立韓國(guó)電子技術(shù)學(xué)院，啟動(dòng)長(zhǎng)期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)促進(jìn)計(jì)劃，制定了半導(dǎo)體信息技術(shù)開發(fā)方向的投資計(jì)劃。韓國(guó)中國(guó)大陸出臺(tái)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干偵測(cè)等一些列產(chǎn)業(yè)優(yōu)惠政策和研發(fā)項(xiàng)目等扶持政策。 HYPERLINK / 19 HYPERLINK / 19數(shù)據(jù)來源：Ofweek、中信建投證券研究發(fā) HYP

20、ERLINK / HYPERLINK / 20ICIC重大科技專項(xiàng)”等政策。其中以2014年發(fā)布的綱要最為詳細(xì)，被視為國(guó)家為IC產(chǎn)業(yè)度身定制的一份綱要，明確顯示了政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。2014年9月，國(guó)家IC際大廠。15%2025的目標(biāo)是2020年自給率達(dá)40%，2050年達(dá)到50%2015年政策目標(biāo)2020年政策目標(biāo)晶片IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值3500ICIC重大科技專項(xiàng)”等政策。其中以2014年發(fā)布的綱要最為詳細(xì)，被視為國(guó)家為IC產(chǎn)業(yè)度身定制的一份綱要，明確顯示了政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。2014年9月，國(guó)家IC際大廠。15%2025的目標(biāo)是2020年自給率達(dá)40%，2050年達(dá)到50%2015年

21、政策目標(biāo)2020年政策目標(biāo)晶片IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值3500億元CAGR20% 8710億元IC設(shè)計(jì)行動(dòng)通訊網(wǎng)絡(luò)通訊32/28nm通訊、云計(jì)算物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)封裝測(cè)試建立從晶片至終端產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)線軟體整機(jī)晶圓代工16/14nm制程量產(chǎn)際大廠水平半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金系統(tǒng)設(shè)備材料中高階封測(cè)占比30%65-40nm制程關(guān)鍵設(shè)備12寸晶圓材料資訊服務(wù)信建投證券研究發(fā)展部稅收優(yōu)惠國(guó)際合作兩岸合作重大科技專項(xiàng)政策支持 HYPERLINK / 21封裝測(cè)試（占比約10%） HYPERLINK / 21封裝測(cè)試（占比約10%）長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等（前三）芯片設(shè)計(jì)（占比約17%）紫光展銳、中興微電子、艾派克、兆易創(chuàng)新、

22、國(guó)科微、北斗星通、深圳國(guó)微等集成電路制造（占比約67%）中芯國(guó)際(先進(jìn)工藝制造) 、上海華虹(先進(jìn)工藝制造) 、士蘭微（特色工藝制造）長(zhǎng)江存儲(chǔ)(存儲(chǔ)器制造)、三安光電(化合物半導(dǎo)體制造)、耐威科技等部設(shè)備材料（占比約6%）北方華創(chuàng)(全)、中微半導(dǎo)體(全)、睿勵(lì)、長(zhǎng)川(檢測(cè))、拓荊(薄膜)等2018年2018年57012001387億67%CPU、FPGA。圖表：二期大基金將加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資（二期大基金未來投資布局及規(guī)劃）1.圖表：二期大基金將加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資（二期大基金未來投資布局及規(guī)劃）1.支持龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)，提升成線能力高強(qiáng)度的持續(xù)支持，推動(dòng)龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)，形成系列化、成套化裝備產(chǎn)品2

23、000億左右，加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資北方華創(chuàng)：202000億左右，加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資北方華創(chuàng)：209.1億元一期）；長(zhǎng)川科技：精測(cè)電子5.51億（）。2.產(chǎn)業(yè)聚集，抱團(tuán)發(fā)展，組團(tuán)出海2.產(chǎn)業(yè)聚集，抱團(tuán)發(fā)展，組團(tuán)出海推動(dòng)建立專屬的集成電路裝備產(chǎn)業(yè)園區(qū)，吸引裝備零部件企業(yè)集中投資研發(fā)中心或產(chǎn)業(yè)化基地，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)資源和人才的聚集，加強(qiáng)上下游聯(lián)系交流，提升研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化配套能力，形成產(chǎn)業(yè)聚集的合力積極推動(dòng)國(guó)內(nèi)外資源整合、重組，壯大骨干企業(yè)，培育中國(guó)大陸“應(yīng)用材料”或“東京電子”的企業(yè)苗子3.持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)裝備材料的下游應(yīng)用3.持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)裝備材料的下游應(yīng)用充分發(fā)揮基金在全產(chǎn)業(yè)鏈布局的優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推進(jìn)裝備與集成電路制造

24、、封測(cè)企業(yè)的協(xié)同，加強(qiáng)基金所投企業(yè)間的上下游結(jié)合，加速裝備從“驗(yàn)證”到批量采購的過程，為本土裝備材料企業(yè)爭(zhēng)取更多地市場(chǎng)機(jī)會(huì) HYPERLINK / HYPERLINK / 22展部 HYPERLINK / HYPERLINK / 22展部IC600億美元，而英特爾、臺(tái)積電、三星等巨頭每年的資本開支均在100 億美元左右，只憑大基金的支持仍然投入有限；1400金，總計(jì)規(guī)模達(dá)到了500010000億元水平。圖表：中國(guó)各省市開始密集投資布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)100100億300300億300億100-120300億300億無錫：200億100億上海：500100億1650億昆山：100億南京：500-600

25、1650億0億150億150億深圳：200億 HYPERLINK / 23 HYPERLINK / 23 HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源：電子工程網(wǎng)、中信建投證券1.根據(jù)SEMI2017 -2020年的四年間，全球預(yù)計(jì)新建1.根據(jù)SEMI2017 -2020年的四年間，全球預(yù)計(jì)新建62 條晶圓加工線，其中中國(guó)大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預(yù)計(jì)占全球新建晶圓廠的 42%，為全球之最。14201720182019E2020E66542 22 2221 1000011111 11 11331266542 22 2221 1000011111 11 113310

26、86420中國(guó)美國(guó)臺(tái)灣東南歐洲和中東日本韓國(guó) HYPERLINK / 24數(shù)據(jù)來源：SEMI、中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 24 HYPERLINK / 粵芯半導(dǎo) 廣州12寸廠 HYPERLINK / 粵芯半導(dǎo) 廣州12寸廠 HYPERLINK / 體 HYPERLINK / 25 HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部市場(chǎng)：大陸半導(dǎo)體資本開支持續(xù)增長(zhǎng)，拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展公司地點(diǎn)廠具體產(chǎn)線/主體生產(chǎn)項(xiàng)目技術(shù)節(jié)點(diǎn)投資金額(億元)投資金額(億美元)月產(chǎn)能(萬片)生產(chǎn)狀態(tài)開工時(shí)間投產(chǎn)時(shí)間量產(chǎn)時(shí)間紫光集團(tuán)南京12寸紫光南京集成電路基地項(xiàng)目一期3D N

27、AND Flash/DRAM65910510在建2017/2/122021年12寸紫光南京集成電路基地項(xiàng)目二期1311規(guī)劃武漢12寸國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期)FAB13D NAND Flash4050nm158524030（分三期）在建2016/12/302018年H22020年武漢武漢新芯Fab12bNorflash、邏輯產(chǎn)品芯片130.311.5在建2017年12月成都12寸晶圓廠DRAM1900規(guī)劃待定中芯國(guó)際上海12寸S2廠S2(Fab8)Foundry90-65-45nm18.72.2量產(chǎn)2005年10月2007年12月2009年上海12寸二廠SN1&SN2Foundry14n

28、m-10/7nm6757在建2016年12月2018年2019年6月北京12寸B1廠B1(Fab4)Foundry90-55nm2104.5量產(chǎn)2002年9月2004年#B1(Fab6)Foundry65-28nm2363.5量產(chǎn)2004年2005年北京12寸B2廠B2AFoundry28nm2242量產(chǎn)2013年2016年2017年B2BFoundry28nm2量產(chǎn)2015/10/29北京12寸B3廠B3Foundry55nm2633.5在建2016年10月2018年寧波12寸晶圓廠待定特種工藝集成電路芯片100規(guī)劃待定深圳12寸Fab16廠Fab16Foundry65/55nm664在建2

29、016年11月2017年華力微電子上海12寸HH FAB5廠HH FAB5Foundry50-40-28nm2193.5量產(chǎn)2010/9/82015年2017年上海12寸HH FAB6廠HH FAB6Foundry28-14nm3874在建2016/12/302018年11月2020年華虹宏力無錫12寸晶圓廠Fab 7一期特色工藝集成電路芯片90-65/55nm159254在建2018/4/32019H22022年12寸晶圓廠Fab 7二期邏輯芯片477規(guī)劃合肥長(zhǎng)鑫合肥12寸晶圓廠Rui-LiDRAM19nm4947212.5在建2017年5月2018年福建晉華泉州12寸晶圓廠DRAM32-2

30、0nm37056.56（年產(chǎn)值12億美元）在建2016/7/162018年9月晶合/力晶合肥12寸HF廠一期N1廠LCD驅(qū)動(dòng)芯片65-55nm128.1204量產(chǎn)2015/10/202017/6/292017/12/6聯(lián)電廈門12寸Fab12X廠Fab12XFoundry55-40-28nm400625在建2015年10月2016/11/162017-2018臺(tái)積電南京12寸NJ廠NJFoundry16nm198302（實(shí)際可以擴(kuò)到6）在建2016年7月2018年5月Intel大連12寸Fab68廠Fab68 原本處理器晶片65nm176255.2被改造2007/9/82010年2010年Fa

31、b68 改造3D NAND Flash55預(yù)計(jì)3-4萬量產(chǎn)2015年2016/7/252016年7月Fab68 擴(kuò)建3D NAND Flash20預(yù)計(jì)2-3萬在建2017/5/102019年3月三星西安12寸F1廠一期F1X13D NAND Flash20-10nm CMOS62010012（年產(chǎn)值200多億元）量產(chǎn)2012/9/122014/5/92016H1二期3D NAND Flash4637010在建2018年3月2019年美國(guó)AOS重慶12寸晶圓廠一期功率半導(dǎo)體芯片66102在建2016/3/302018H1格羅方德成都12寸Fab 11廠 Fab11(一期)Foundry0.13-

32、0.18 umRF-SOI6591002在建2017年3月2018H2Fab 11(二期)邏輯芯片22nm FD-SOI6.5規(guī)劃待定2019Q4德科瑪淮安12寸晶圓廠一期圖像傳感器芯片65nm150252在建2016年3月2019士蘭微廈門12寸晶圓廠MEMS、功率半導(dǎo)體器件90-65nm1708規(guī)劃待定SK海力士無錫12寸HC2廠HC2一期DRAM90nmm 80.55 （ 包括轉(zhuǎn)給華潤(rùn)那條）約13（PC DRAM 10萬，Mobile DRAM 3萬）量產(chǎn)2005年4月2006年11月2007年7月 二期 54n 2009年2月2009年 三期 44nm 2010年6月2010年HC2四

33、期30-20nm2011年6月2012年7月HC2五期DRAM25nm254量產(chǎn)2014年2016年2016年無錫12寸廠第二座12寸廠DRAM10nm8620（年產(chǎn)值由19億美元增加至33億美元）規(guī)劃待定2019年703在建2017年12月26日2019年1.1.國(guó)際/華力為代表的代工廠正處于加速擴(kuò)產(chǎn)的階段，預(yù)計(jì)帶來大量的設(shè)備投資需求。第二階購，）第一階段采購，對(duì)應(yīng)5- 8K/月產(chǎn)能18Q117Q417Q3設(shè)備臺(tái)數(shù)招標(biāo)批次量050100150200250300350400 HYPERLINK / HYPERLINK / 圖表：以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為例，本土半導(dǎo)體設(shè)備公司紛紛實(shí)現(xiàn)供應(yīng)三、半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)

34、爭(zhēng)格局與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度3.1IC制造流程復(fù)雜，大多數(shù)設(shè)備被國(guó)外廠商壟斷3.13.2光刻設(shè)備：光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)臺(tái)，ASML全球領(lǐng)先3.3刻蝕設(shè)備：機(jī)臺(tái)國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)15%，北方、中微各有突破3.4成膜設(shè)備：機(jī)臺(tái)國(guó)產(chǎn)化率約10-15%，中微、北方保持領(lǐng)先3.4 HYPERLINK / 283.5檢測(cè)設(shè)備：重點(diǎn)關(guān)注長(zhǎng)川科技、精測(cè)電子 HYPERLINK / 28 HYPERLINK / 清洗清洗設(shè) HYPERLINK / 清洗清洗設(shè) HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展29晶圓制造前道晶圓制造前道,Front-End）生產(chǎn)環(huán)節(jié)工藝具體設(shè)備國(guó)外廠商國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)散（Thermal Pr

35、ocess）氧化氧化爐Thermco、Centrothermthermal 等七星電子、四十八所、四十五所等熱處理RTP設(shè)備TEL、AMAT等七星電子、四十八所等激光退火激光退火設(shè)備光刻（Photo- lithography）（30%投資額）涂膠涂膠/顯影設(shè)備TEL、SUSS、EVG等七星電子、沈陽芯源等測(cè)量CD SEM等KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等睿勵(lì)科學(xué)儀器等光刻光刻機(jī)ASML、Nikon、Canon、Ultratech等上海微裝、四十八所、四十五所等顯影涂膠/顯影設(shè)備TEL（90%）、SUSS、EVG等七星電子、沈陽芯源等干刻干法刻蝕設(shè)備Ap

36、plied Materials、Lam、JuSung、TES等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十八所等刻蝕（Etch）濕刻濕法刻蝕設(shè)備DNS、Applied Materials、Mattson等七星電子、上海盛美、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等去膠等離子去膠機(jī)清洗清洗設(shè)備DNS、Applied Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等離子注入離子注入機(jī)AMAT（70%）、Nissin等四十八所、中科信等離子注入（Ion Implant）去膠等離子去膠機(jī)清洗清洗設(shè)備DNS、Applied Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、

37、蘇州偉仕泰克等CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備Tokki、ASM、日本島津、Lam Research等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十五所等薄膜沉積（Dielectric Deposition）PVD物理氣相沉積設(shè)備Applied Materials、PVD Products、Cemecon等北方微電子、南光實(shí)業(yè)、 四十八所、科睿設(shè)備等RTPRTP設(shè)備清洗清洗設(shè)備DNS、Applied Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等CMPCMP設(shè)備Applied Materials、Rtec等華海清科、盛美、四十五所等拋光（CMP）刷片刷片機(jī)清洗清洗設(shè)備DNS、Appli

38、ed Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等測(cè)量測(cè)量設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等睿勵(lì)科學(xué)儀器等PVD物理氣相沉積設(shè)備Applied Materials、PVD Products、Cemecon等北方微電子、四十八所、科睿設(shè)備等金屬化（Metalization)CVD化學(xué)氣相淀積設(shè)備Tokki、ASM、日本島津、Lam Research等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十五所等電鍍電鍍?cè)O(shè)備DNS、Applied Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等DNS、Appl

39、ied Materials、Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等 HYPERLINK / 切筋成型切筋 HYPERLINK / 切筋成型切筋/成型 HYPERLINK / 光學(xué)檢測(cè) HYPERLINK / 成品測(cè)30 /終測(cè)終測(cè)（finaltest） HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展封裝（后道,Back-End封裝（后道,Back-End）測(cè)試生產(chǎn)環(huán)節(jié)工藝具體設(shè)備國(guó)外廠商國(guó)內(nèi)廠商進(jìn)料檢測(cè)（IQC）檢測(cè)設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等貼膜（wafer tape）貼膜機(jī)背面減薄(Back Grinding

40、)背面研磨（back grinding）切割減薄設(shè)備DISCO、OKAMOTO、Camtek等北京中電科等測(cè)量厚度/粗糙度測(cè)量?jī)xKLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等剝膜（detape）剝膜機(jī)晶圓安裝（wafer mount）晶圓安裝晶圓切割(Wafer Saw)晶圓切割（wafer saw）晶圓切割機(jī)DISCO等四十五所、中電科、大族激光等晶圓清洗（wafer wash）清洗設(shè)備光學(xué)檢測(cè)AOI設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等貼片/裝片(Die Attach )點(diǎn)漿（write epoxy）芯片粘接（die at

41、tach）貼片機(jī)固化（die cure）烤箱引 線 鍵 合 (Wire Bonding ) (最關(guān)鍵工藝之一)引線鍵合（wire bond）鍵合封裝設(shè)備SUSS、EVG等上海微電子等清洗微波/等離子清洗光學(xué)檢測(cè)AOI設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等等離子體清洗等離子體清洗機(jī)注塑（molding）注塑機(jī)模塑激光打標(biāo)（laser mark）激光打標(biāo)機(jī)烘烤（post mold cure）烤爐檢測(cè)X-ray設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等電鍍?nèi)ヒ缌?電鍍（de-flash/plating）電鍍?cè)O(shè)備DNS、App

42、lied Materials、Mattson等盛美、新陽、沈陽芯源、偉仕泰克等電鍍退火（annealing）退火爐切筋成型設(shè)備AOI設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等測(cè)試設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等長(zhǎng)川科技/華峰測(cè)控全球集成電路裝備市場(chǎng)總體高度壟斷80%全球集成電路裝備市場(chǎng)總體高度壟斷80%美國(guó)）、ASML（）、TEL）68%30拿走92%20拿 走87%的份額。2017年全球十大IC設(shè)備供應(yīng)商排名公司名（英文）公司名(中文)主要產(chǎn)品領(lǐng)域2017年?duì)I收（億美元）2017/2016年增長(zhǎng)%1Applie

43、d Materials應(yīng)用材料沉積、刻蝕、離子注入、化學(xué)機(jī)械研磨等10738%2Lam Research泛林刻蝕、沉積、清洗等84.462%3Tokyo Electron東電電子沉積、刻蝕、勻膠顯影設(shè)備72.0348%4ASML阿斯麥光刻設(shè)備71.8641%5KLA-Tencor科天硅片檢測(cè)、測(cè)量設(shè)備28.217%6Screen Semiconductor Solutions迪恩士刻蝕、清洗設(shè)備13.91%7SEMES細(xì)美事清洗、光刻、封裝設(shè)備10.5142%8Hitachi High- Technologies日立高新沉積、刻蝕、檢測(cè)設(shè)備、封裝貼片設(shè)備等10.35%9Hitachi Koku

44、sai日立國(guó)際電氣熱處理設(shè)備9.784%10Daifuku大福無塵室搬運(yùn)等6.946%11ASM International先域沉積、封裝縫合設(shè)備等6.531%光刻設(shè)備6.2-16% HYPERLINK / 12Nikon尼康 HYPERLINK / HYPERLINK / 12Nikon尼康 HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源31IC inight、中信建投證券研究發(fā)全球IC全球IC80-90%40-50%氧化擴(kuò)散光刻刻蝕離子注入成膜/薄膜Thermal ProcessRTPLITHOETCHIon implantPVDCVD日立 43.1%AMAT 50%ASM75.3%LAM52.7%AM

45、AT 73%AMAT 64.9%AMAT 29.6%TEL 37.9%TELNikon 11.3%TEL19.7%Axcelis 17%Evatec 25.9%TEL 20.9%ASM 13.8%SCREENCanon 6.2%AMAT 18.1%Uvac5.4%LAM19.5%Others 5.2%Others 7.2%Others 9.5%Others 3.8%Others30%TOP3 = 95%TOP3=92.8%TOP3 = 90.5%TOP2 = 90%TOP3=96.2%TOP3 = 70% HYPERLINK / 32數(shù)據(jù)來源：IC insights、中信建投證券研究發(fā)展部 H

46、YPERLINK / 322018131.12018131.12018 年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)為109億元；預(yù)計(jì)20201000億。公司16年半導(dǎo)體設(shè)備收入(億)占國(guó)產(chǎn)市場(chǎng)份額主要產(chǎn)品中電科集團(tuán)(包含41/45/48 電科)9.2819.8%IC、光伏、LED：離子注入機(jī)、退火爐等IC裝備；擴(kuò)散爐、刻蝕機(jī)、PECVD、高溫?zé)Y(jié)爐等光伏裝備晶盛機(jī)電6.7514.4%光伏、LED：?jiǎn)尉t等晶體生長(zhǎng)設(shè)備捷佳偉創(chuàng)新能源7.1115.1%光伏：晶硅電池設(shè)備、硅片清洗設(shè)備北方華創(chuàng)8.1317.3%IC、光伏、LED：刻蝕設(shè)備、CVD設(shè)備、晶片清洗、封裝設(shè)備中微半導(dǎo)體4.8510.3%IC、LED：高端

47、刻蝕機(jī)、部分成膜設(shè)備上海微電子2.96.2%IC、其他：光刻機(jī)、晶圓檢測(cè)設(shè)備北京京運(yùn)通2.685.7%光伏：多晶硅鑄錠爐、單晶爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備天通吉成2.144.6%光伏、LED：粉末成形機(jī)盛美半導(dǎo)體1.643.5%IC：晶圓清洗設(shè)備深圳格蘭達(dá)1.53.2%光伏、LED：激光打標(biāo)機(jī)、光檢機(jī)等自動(dòng)化設(shè)備合計(jì)46.98 HYPERLINK / HYPERLINK / 33 HYPERLINK / HYPERLINK / 33 HYPERLINK / 34 HYPERLINK / 34類型廠商技術(shù)節(jié)點(diǎn)主要應(yīng)用工藝當(dāng)前狀態(tài)介質(zhì)刻蝕機(jī)中微半導(dǎo)體65-28nmAIO ETCH、PASS ETCH已采購50

48、硅刻蝕機(jī)類型廠商技術(shù)節(jié)點(diǎn)主要應(yīng)用工藝當(dāng)前狀態(tài)介質(zhì)刻蝕機(jī)中微半導(dǎo)體65-28nmAIO ETCH、PASS ETCH已采購50硅刻蝕機(jī)北方華創(chuàng)65-28nmSTI ETCH已采購20PVD設(shè)備北方華創(chuàng)65-28nmHM DEP、AI DEP已采購20單片退火設(shè)備北方華創(chuàng)65-28nmAnneal已采購20清洗設(shè)備北方華創(chuàng)65-28nmPost-ET clean已采購20清洗機(jī)上海盛美65-28nmWafer recycle已采購20立式爐北方華創(chuàng)65-28nmPoly DEP、AA OX已采購10離子注入機(jī)北京中科信65-28nmWELL IMP已采購10光學(xué)尺寸測(cè)量?jī)x器睿勵(lì)科學(xué)儀器65-28n

49、mFilm Thickness已采購10PECVD設(shè)備沈陽拓荊65-28nmPEOX DEP已采購30光照清洗設(shè)備瑞澤微電子90nmMask Clean已采購10化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備華海清科Wafer reclaim已采購 5序號(hào)類型廠商主要應(yīng)用工藝1硅刻蝕機(jī)北方華創(chuàng)STI ETCH2HM PVD設(shè)備北方華創(chuàng)HM DEP3單片退火設(shè)備北方華創(chuàng)Anneal4LPCVD北方華創(chuàng)SiO2 Film Deposition5AI PVD設(shè)備北方華創(chuàng)AI DEP6ALD北方華創(chuàng)Hi-K insulator7介質(zhì)刻蝕機(jī)中微半導(dǎo)體AIO ETCH、PASS ETCH8光學(xué)尺寸測(cè)量?jī)x器睿勵(lì)科學(xué)儀器Film Thic

50、kness/OCD9清洗機(jī)上海盛美Wafer recycle1.(CMP)電子、上海中微半導(dǎo)體、上海盛美、上海睿勵(lì)科學(xué)儀器；沈陽：沈陽拓荊、沈陽芯源；數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / （ HYPERLINK / （RTP） HYPERLINK / 其他清洗/CDS、Sorter、Scrubber、 至純/新陽 HYPERLINK / 35去膠 HYPERLINK / 數(shù)據(jù)來源：SEMICON、中信建投證券研究發(fā)展部1.(CMP)1.(CMP)電子、上海中微半導(dǎo)體、上海盛美、上海睿勵(lì)科學(xué)儀器；沈陽：沈陽拓荊、沈陽芯源；工藝設(shè)備種類重點(diǎn)企業(yè)所

51、在地區(qū)技術(shù)節(jié)點(diǎn)（nm）情況光刻光刻機(jī)上海微裝上海90/65先進(jìn)封裝光刻機(jī)已出貨40余臺(tái)，占國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝光刻機(jī)的80%市場(chǎng)份額曝光（ Litho勻膠機(jī)(TRACK)沈陽芯源沈陽90/65產(chǎn)品涵蓋2寸、4寸、6寸、8寸和12寸晶圓的勻膠和顯影ETCH介質(zhì)刻蝕機(jī)（CCP）上海中微上海65/45/28/14/77納米設(shè)備進(jìn)入臺(tái)積電全球五大供應(yīng)商之一硅刻蝕機(jī)北方華創(chuàng)北京65/45/28/14薄膜CVDPVD/LPCVD北方華創(chuàng)65/28/14ALD北方華創(chuàng)28/14/7MOCVD上海中微上海17年訂單200臺(tái)，發(fā)貨106臺(tái)，占據(jù)國(guó)內(nèi)60%的份額PECVD沈陽拓荊沈陽65/28/14薄膜PVDHardma

52、sk PVD北方華創(chuàng)北京65/45/28/14AI Pad PVD北方華創(chuàng)北京65/45/28/14PVD上海中微上海65/45/28離 子 注入IMPL離子注入機(jī)北京中科信北京/上海65/45/28濕法WET清洗機(jī)北方/盛美65/45/28CMP華海清科/盛美/45所天津/上海/北京28/14鍍銅/清洗盛美上海28/1412英寸單晶圓片清洗設(shè)備在多個(gè)客戶端45-22納米技術(shù)的產(chǎn)線上大規(guī)模應(yīng)用檢測(cè)光學(xué)檢測(cè)（OCD、膜厚）上海睿勵(lì)/中科飛測(cè)/東方晶源上海/深圳/北京65/28/14目前唯一進(jìn)入三星的國(guó)產(chǎn)集成電路生產(chǎn)設(shè)備測(cè)試（ATE）長(zhǎng)川科技/精測(cè)電子/華峰/御渡杭州/武漢/北京/上海熱 處 理退

53、火爐、合金爐、單片退火北方/Mattson北京65/45/28京儀/Mattson上海/北京75-80%70-80%75-80%70-80%（ALD/CVD53%、PVD 47%）20-25%、25%、20-25%5%510%。圖表：晶圓生產(chǎn)線各類設(shè)備投資占比擴(kuò)散設(shè)備diffusion數(shù)據(jù)來源：電子工程網(wǎng)、中信建投證券研究離子注入設(shè)備環(huán)節(jié)資金分配比例環(huán)節(jié)資金分配比例廠房投資25%凈化系統(tǒng)25%設(shè)備投資中央設(shè)施10%運(yùn)行設(shè)施35%其他10%量測(cè)設(shè)備拋光設(shè)備CMP5%5% 光刻設(shè)備光刻設(shè)備LITHOGRAPHY25%單位：億201620172018單位：億201620172018占比同比增長(zhǎng)晶圓制

54、造設(shè)備327.00450.00508.0081%13%組裝封裝設(shè)備30.2038.0042.007%11%測(cè)試設(shè)備36.9045.0049.008%9%其他17.8026.0028.004%8%總計(jì)411.90559.00627.00100%12%METROLOGY 10%化學(xué)氣相沉積設(shè) 備 CVD 10%物理氣相沉積設(shè)備PVD 15% HYPERLINK / HYPERLINK / 36數(shù)據(jù)來源： HYPERLINK / HYPERLINK / 36刻蝕設(shè)備ETCH 25%1/3；目前的28nm工藝則需要20道以上光刻步驟，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的4060%。光刻工藝決定著整個(gè)IC工藝的特

55、征尺寸，代表著工藝技術(shù)發(fā)展水平；具體流程：()光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到，所以光刻膠會(huì)仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。-/（由1520200300mm的透鏡組成）和定位系統(tǒng)（定位精度小于10nm）。一般來說一條產(chǎn)線需要幾臺(tái)光刻機(jī)，其折舊速度非?？?，大約39萬人民幣/天，所以也稱之為印鈔機(jī)。圖表：光刻設(shè)備使用在刻蝕設(shè)備之前圖形加工圖形曝光Ptioay，占 總成本的圖形轉(zhuǎn)移Ehg） HYPERLINK / 37數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 37ASML占據(jù)70-8

56、0%市場(chǎng)份額，且領(lǐng)先地位無人撼動(dòng)荷蘭ASML占據(jù)超過70%EUV1求。緊隨其后的是Nikon和Canon。光刻機(jī)研發(fā)成本巨大，Intel、臺(tái)積電、三星都主動(dòng)出資入股ASML 支持研發(fā)，并有技術(shù)人員駐廠；格羅方德、聯(lián)電及中芯國(guó)際等的光刻機(jī)主要也是來自ASML；90nm圖表：1970年起，光刻機(jī)價(jià)格每4.4年翻一倍 HYPERLINK / 38 HYPERLINK / 3815%方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進(jìn)行刻蝕。8（40%）（50%）（10%）50%；16nm7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備以達(dá)到世界1100多個(gè)反應(yīng)臺(tái)服務(wù)

57、于國(guó)內(nèi)外4010nm、7nm（），5圖表：國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額有了較快提升國(guó)產(chǎn)IC刻蝕機(jī)出貨量(億美元) 進(jìn)口IC刻蝕機(jī)出貨量(億美元)1484.776.46546342 HYPERLINK / 0 HYPERLINK / 39 HYPERLINK / 0 HYPERLINK / 392011 HYPERLINK / 1.320.9120122013201420152016投證券研究發(fā)展部10-15%10-15%(CVD)理氣相淀積 (PVD705100多臺(tái)PECVD設(shè)備；從全球范圍看，AMAT在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先；PVD28nmhard maskCVDLEDMOCVD成膜/

58、薄膜設(shè)備PVDCVDAMAT 64.9%AMAT 29.6%Evatec 25.9%TEL 20.9%Uvac5.4%LAM19.5%Others 3.8%Others30%TOP3=96.2%TOP3 = 70%數(shù)據(jù)來源：IC insights、中信建投證券研究發(fā)展部圖表：總體看，PVD是國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展較快的一類設(shè)備國(guó)產(chǎn)PVD出貨量(億美元)進(jìn)口PVD出貨量(億美元國(guó)內(nèi)市占率10.410.910.30.2 10.410.910.30.2 210826141200201120122013201420152016 HYPERLINK / 40數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK /

59、40/inspectionATE設(shè)備及探針臺(tái)和分選機(jī)；/inspectionATE設(shè)備及探針臺(tái)和分選機(jī)；造設(shè)備投資占比約108%。封測(cè)設(shè)備8%測(cè)試設(shè)備（終測(cè)成測(cè)）設(shè)備用途設(shè)備名稱投資占比光刻設(shè)備24%薄膜沉積設(shè)備18%刻蝕設(shè)備10%晶圓制造工藝控制設(shè)備10%清洗設(shè)備6%離子注入設(shè)備3%其他晶圓加工設(shè)備11%封裝設(shè)備10% HYPERLINK / 41數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 41圖表：量測(cè)設(shè)備和測(cè)試設(shè)備屬于兩個(gè)不同環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部WWerMetro)fCD-SEM（金屬介電層金屬介電層1薄膜厚度2片電阻3薄膜應(yīng)力4折射率5摻質(zhì)濃度6

60、未圖案化的表面缺陷7圖案化的表面缺陷8臨界尺寸9階梯覆蓋10重迭對(duì)準(zhǔn)11電容-電壓12接觸角度植入擴(kuò)散薄膜研磨蝕刻光學(xué)顯影 HYPERLINK / 42備注：擴(kuò)散區(qū)制程包括氧化、沉積、擴(kuò)散、回火、合金。 HYPERLINK / 42數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / 數(shù)據(jù) HYPERLINK / 43后道中測(cè) HYPERLINK / 數(shù)據(jù) HYPERLINK / 43后道中測(cè)C，ritprobe）（f）CPDiedieWafer（ICTester/ ATE）、探針卡（Probe Card）、探針臺(tái)（Prober）以及測(cè)試機(jī)與探針卡之間的接口等。Fnltest）i）chip