單片后道新設(shè)備工藝參數(shù)固化-技術(shù)創(chuàng)新評(píng)價(jià)表

1、技術(shù)創(chuàng)新評(píng)價(jià)表項(xiàng)目名稱(chēng)單片后道新設(shè)備工藝參數(shù)固化項(xiàng)目名稱(chēng)單片后道新設(shè)備工藝參數(shù)固化項(xiàng)目等級(jí)承接單位一中心 完成日期11.24一、HighMax SHM-200 貼膜機(jī)工藝使用UV膜進(jìn)行貼膜，由于使用6工作臺(tái)，在對(duì)4英寸晶圓貼膜時(shí)。 UV膜粘附在工作臺(tái)上，造成貼膜完成后取件困難，甚至由于UV膜粘連在 工作臺(tái)上使得在取件時(shí)晶圓破裂。故需要在工作臺(tái)上覆蓋UV離型膜，防止 UV膜粘附在工作臺(tái)面。二、DAD322切割機(jī)砷化鎵切割工藝使用4英寸砷化鎵晶圓對(duì)切割機(jī)進(jìn)行試運(yùn)行。劃片道寬度160um，晶圓 厚度100um, UV膜厚度100um。主軸轉(zhuǎn)速3OOOO r/min,刀片高度75um, 進(jìn)刀速度2mm

2、/s，試驗(yàn)結(jié)果如下：技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)刀片型號(hào)技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)刀片型號(hào)ZH05-SD3000-N1-50 BBY方向邊緣寬度Y方向芯片尺寸X方向芯片邊緣寬度X方向芯片尺寸X方向最大劃 痕+崩邊寬度Y方向最大劃 痕+崩邊寬度60922609205842599216492157425092360923664243922609247342529215692160457292160920543860919629226038589205492066486091960919553860919599205337最大值72923649247348平均值57.4920.759.592160.241.2最小值4391954

3、9195337誤差范圍2941052011芯片正面:芯片背面:技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)芯片側(cè)邊:使用此種刀片，刀痕寬度為41um左右，但崩邊較嚴(yán)重，長(zhǎng)行程運(yùn)行后發(fā) 現(xiàn)有數(shù)處裂紋，但芯片尺寸誤差范圍在5um內(nèi)，即芯片尺寸符合要求。X方 向與Y方向崩邊情況不同為晶圓本身晶向所至，故X方向崩邊會(huì)大于Y方 向崩邊。刀片型號(hào)NBC-ZH 226J-SE 27HABBY方向邊緣寬度Y方向芯片尺寸X方向芯片邊緣寬度X方向芯片尺寸X方向最大劃痕+崩邊寬度Y方向最大劃 痕+崩邊寬度599216692336325892265924403154921659234331569226492440316092168924393259

4、92066924383357921659244133559226492439345892165924403458921659254331最大值60922689254334平均值57.4921.265.3923.939.932.2最小值54920649233631誤差范圍624273芯片正面:技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)芯片背面:芯片側(cè)邊:技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)使用此種刀片，刀痕寬度為32um左右，但崩邊大為改善，長(zhǎng)行程運(yùn)行 后沒(méi)有發(fā)現(xiàn)裂紋和背崩的情況。芯片尺寸誤差范圍在2um內(nèi)，即芯片尺寸符 合要求。X方向與Y方向崩邊情況不同為晶圓本身晶向所至，故X方向崩 邊會(huì)大于Y方向崩邊。較前一種刀片崩邊減小了 70%。技術(shù)創(chuàng)新總結(jié)故今后采取NBC-ZH 226J-SE 27HABB刀片，主軸轉(zhuǎn)速30000 r/min,刀 片高度75um,進(jìn)刀速度2mm/s，即可對(duì)砷化鎵晶圓進(jìn)行切割。對(duì)于硅片，則采取100mm/s的進(jìn)刀速度。石英基片，采取5mm/s的進(jìn) 刀速度均可達(dá)到較好的切割效果。DCS1440晶圓清洗機(jī)評(píng)審結(jié)論我們對(duì)切割后的4英寸晶圓進(jìn)行了清洗，噴水時(shí)間設(shè)定為噴淋30