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1、第第 頁(共30頁)式和重要的演算步驟只寫出最后答案的不能得分有數(shù)值計(jì)算的題,答案中必須明確寫出數(shù)值和單位(15分)如圖所示,兩條相距d的平行金屬導(dǎo)軌位于同一水平面內(nèi),其右端接一阻值為R的電阻質(zhì)量為m的金屬桿靜置在導(dǎo)軌上,其左側(cè)的矩形勻強(qiáng)磁場區(qū)域MNPQ的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向豎直向下.當(dāng)該磁場區(qū)域以速度V。勻速地向右掃過金屬桿后,金屬桿的速度變?yōu)閂.導(dǎo)軌和金屬桿的電阻不計(jì),導(dǎo)軌光滑且足夠長,桿在運(yùn)動(dòng)過程中始終與導(dǎo)軌垂直且兩端與導(dǎo)軌保持良好接觸.求:(1)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿中感應(yīng)電流的大小I;(2)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿的加速度大小a;(3)PQ剛要離開金屬桿時(shí),感應(yīng)電流的功率P.rxr
2、-xixXx/|xFf|XXX|1XXX1【解答】解:(1)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿上產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢為:E=Bdv。,感應(yīng)電流為:1=呂聯(lián)立解得:|=琴5_(2)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿受到的安培力為:F=BId由牛頓第二定律有:F=ma(3)PQ剛要離開金屬桿時(shí),金屬桿切割磁感線的速度為:(3)PQ剛要離開金屬桿時(shí),金屬桿切割磁感線的速度為:v=v0-v則感應(yīng)電動(dòng)勢為:E=Bd(v0-v)/2電功率為:P=-解得:p=bW;嚴(yán))2答:(1)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿中感應(yīng)電流的大小I為-;R(2)MN剛掃過金屬桿時(shí),桿的加速度大小a為mRR2d2/(3)PQ剛要離開金屬桿時(shí),感應(yīng)電流的功率P為22
3、(16分)如圖所示,兩個(gè)半圓柱A、B緊靠著靜置于水平地面上,其上有一光滑圓柱C,三者半徑均為R.C的質(zhì)量為m,A、B的質(zhì)量都為衛(wèi),與地面的動(dòng)2摩擦因數(shù)均為小現(xiàn)用水平向右的力拉A,使A緩慢移動(dòng),直至C恰好降到地面.整個(gè)過程中B保持靜止設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,重力加速度為g.求:(1)未拉A時(shí),C受到B作用力的大小F;(2)動(dòng)摩擦因數(shù)的最小值Umin;(3)A移動(dòng)的整個(gè)過程中,拉力做的功W.解答】解:(1)C受力平衡,如圖所示:根據(jù)平衡條件可得:2Fcos30=mg,解得C受到B作用力的大小為:F二口即(2)C恰好降落到地面時(shí),B對(duì)C支持力最大為Fm,如圖所示,mg則根據(jù)力的平衡可得:2Fm
4、cos60=mg,解得:Fm=mg;所以最大靜摩擦力至少為:fm=Fmcos30=#口g,B對(duì)的地面的壓力為:FN=mBg+*叱曠mg,B受地面的摩擦力為:f=ymg.(3)C下降的高度為:h=運(yùn)-A的位移為:x=2(3-摩擦力做功的大小為:Wf=fx=2(;卩mgR,根據(jù)動(dòng)能定理有:W-Wf+mgh=0,解得:W=(2P-1)(:;3T)%R.答:(1)未拉A時(shí),C受到B作用力的大小為|即3(2)動(dòng)摩擦因數(shù)的最小值為宇;(3)A移動(dòng)的整個(gè)過程中,拉力做的功W為/3-l)iDgK23.(16分)一臺(tái)質(zhì)譜儀的工作原理如圖所示.大量的甲、乙兩種離子飄入電壓力為U0的加速電場,其初速度幾乎為0,經(jīng)過
5、加速后,通過寬為L的狹縫MN沿著與磁場垂直的方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中,最后打到照相底片上已知甲、乙兩種離子的電荷量均為+q,質(zhì)量分別為2m和m,圖中虛線為經(jīng)過狹縫左、右邊界M、N的甲種離子的運(yùn)動(dòng)軌跡.不考慮離子間的相互作用.(1)求甲種離子打在底片上的位置到N點(diǎn)的最小距離x;(2)在答題卡的圖中用斜線標(biāo)出磁場中甲種離子經(jīng)過的區(qū)域,并求該區(qū)域最窄處的寬度d;(3)若考慮加速電壓有波動(dòng),在(U-AU)到(U+AU)之間變化,要使甲、乙兩種離子在底片上沒有重疊,求狹縫寬度L滿足的條件【解答】解:(1)設(shè)甲種離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)半徑為r1電場加速qU0=yX2mv2且qvB=2nr解得葉和晉2)在答題卡的圖中用斜線標(biāo)出磁場中甲種離子經(jīng)過的區(qū)域如上圖所示,該區(qū)mUo域最窄處的寬度d為魯4mU2)在答題卡的圖中用斜線標(biāo)出磁場中甲種離子經(jīng)過的區(qū)域如上圖所示,該區(qū)mUo域最窄處的寬度d
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