工程部教育訓(xùn)練

1、BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD工程內(nèi)部教育訓(xùn)練資料弘凱光電BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電一 四元晶片的各種不同制成的比較(AS、TS、OMA、MB)主要是針對亮度做一 些分析和比較以及在壽命和散熱方面1) AS GaAs：吸光基板2) TS GaP: 透明基板3) MB metal金屬反射層+Si sub Good thermal dissipation4) OMA ITO透明導(dǎo)電膜 Al mirror：金屬反射層四元晶片制成的對比BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電傳統(tǒng)

2、-AS MB HP-TS OMA BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電四種制成的各項參數(shù)的比較ASMBHP-TSOMA導(dǎo)熱GaAs： 0.47 Wcm-1K- Si： 1.68 Wcm-1K-1 散熱能力佳 透明絕緣層、缺點(diǎn)會蓄熱 發(fā)光效率GaAs：吸光基板為傳統(tǒng)亮度 Metal mirror：紅黃光反射率達(dá)90%以上 GaP透明基板：可提昇亮度 Al mirror：金屬反射層 抗ESD單線： ESD好 雙線 ESD不好 良率One wire bonding：良品率高、製造週期較短、線材成本較少 良品率不高壽命life 高life 高適合交通號誌 製程複

3、雜，life不高 我司使用晶片012UORWBCRO35S-B01B510,B310SAHR814/E11BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD製程比較BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD發(fā)光效率(Luminous Efficiency)發(fā)展計劃BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD化合物半導(dǎo)體300 400 500 600 700 800 nmGaPGaAs1-XPXAlXGa1-XAs(AlXGa1-X)0.5In0.5PGaXIn1-XNAlXGa1-XAsGaAsGa0.5In0.5PAl0.5

4、In0.5PGaNInN3.4 eV1.94 eV2.28 eV1.91 eVBRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電光電轉(zhuǎn)換效率與視覺感受度目前 LEDs 光電轉(zhuǎn)換效率恰好與人眼感受度呈現(xiàn)相反之趨勢 In 增加Al 增加BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電所有波長之可見光皆可表示成 CIE 色座標(biāo) x , y一般白熾燈之色溫約為 2850 K日光之色溫約為 6500 K白光 LEDs 之色溫落於上述二者之間BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD二 ITO與非ITO壽命之比較、製成之比較、

5、亮度之比較、電性之比較 非ITO: TCL層為NI/AU ITO: TCL層為Indium Tin Oxide ITO與非ITO弘凱光電BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電藍(lán)光晶粒之結(jié)構(gòu)因 Sapphire 為絕緣基板 = PN 同面之水平結(jié)構(gòu)高效率之 InGaN / GaN 多重量子井夾於 p-GaN 與 n-GaN 之間透明電極 ( Ni / Au 或 ITO )為電流均勻散佈之用n- GaNSapphire PNP - GaN量子井發(fā)光層透明電極BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電ITO 產(chǎn)品特質(zhì)ITO di

6、rect contact : 無須特殊 P-GaN 磊晶結(jié)構(gòu) ( 表面反轉(zhuǎn)摻雜 n )ITO 最佳化製程設(shè)計 : Vf 與 Ni / Au 產(chǎn)品無差異 , 故焦耳熱功率之生成亦無差異綜合以上因素 ITO 晶粒之壽命 (穩(wěn)定度) 與 Ni / Au 並無差別BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電覆晶製程覆晶製程 ( flip chip ) : 將 LED 之主發(fā)熱源 p-i-n 磊晶薄膜 , 貼附於優(yōu)良之散熱基板 , 以降低溫度BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電熱傳導(dǎo)率Si 基板之熱傳導(dǎo)率為 Sapphire 的 4

7、 倍覆晶結(jié)構(gòu)之熱傳導(dǎo)由 pn 接面完全藉金屬傳導(dǎo)至 Si 基板 , 熱阻可大幅降低pn 接面溫度較低 , 適合較高功率操作BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電覆晶結(jié)構(gòu) Si 基板LED+-Wire bondingNPbumpingAlSiO2Iv熱流BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電覆晶製程與正常製程覆晶製程之飽和電流明顯高於正常製程 , 此為優(yōu)良散熱機(jī)制的呈現(xiàn)操作電流越大 ,覆晶製程與正常製程之亮度差異就越大覆晶結(jié)構(gòu)之反射鏡附帶提供了較佳之電流散佈效果 , 故可降低 VfBRIGHTEK OPTOELECTRO

8、NICS CO ., LTD弘凱光電針對熒光粉之特性以及熒光粉的種類不同波長對應(yīng)不同熒光粉1) 熒光粉的種類:YAG、TAG2) 熒光粉的粒徑大小、使用時不可以沈澱 熒光粉BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電何謂YAG？早在1960年就已被發(fā)現(xiàn)并使用波長為約550-585nm左右的無機(jī)化合物螢光粉化學(xué)式為何？(Y)3Al5O12:Ce 或 (Y,Gd)3Al5O12:CeYAG螢光粉本體並無專利侵權(quán)的問題。但製程對日亞侵權(quán)BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電TAG特殊螢光粉本體有專利侵權(quán)的問題。專利擁有權(quán)為歐斯朗化

9、學(xué)式為何？(Tb)3Al5O12:Ce不對日亞產(chǎn)生侵權(quán)但必須取得歐斯朗(Osram)授權(quán)BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 影響螢光體特性之關(guān)鍵1.粒徑大小之相關(guān)2.粒徑形狀之相關(guān)3共賦活化劑或活化劑之使用 Gd , CeBRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD何謂D50(平均粒徑)約6mm ? 利用雷射繞射散亂法來測定粒徑分怖.從較小粒徑值開始計算,再以粒徑大小分佈之累進(jìn)值到達(dá)全體數(shù)量(Kg)的50%位置時之粒徑約為6mm即可稱之為D50約6mm.屬高比重易沉澱,粒徑大者更是如此同屬性之產(chǎn)品粒徑大者發(fā)光效率較好1.粒徑大小之相關(guān)弘

10、凱光電BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電2.粒徑形狀之相關(guān)粒徑形狀過度異形狀會減少發(fā)光效率尖刺狀表面有坑狀3共賦活化劑或活化劑之使用 Gd , Ce適量之共賦活化劑或活化劑可改變螢光體x,y值. 例如Gd 或Ce越多, 螢光體色度x值越大y值越小,此時即表示帶有紅色.BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電耐高溫500持續(xù)燒烤測試3小時，良率99.51000持續(xù)燒烤測試3小時，良率83.2耐溼屬於耐溼性良好之螢光粉種類耐酸、耐鹼、耐溶劑抗UV性良好UV(3mW)持續(xù)照射168hr測試，良率100BRIGHTEK OP

11、TOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電螢光粉的保存方法和注意事項 溫度:螢光粉耐熱性極好，保存期間室溫即可。濕度:保存期間請控制在40以下。倘若是以矽膠調(diào)配，亦不可反覆存放冰箱。UV:基本上螢光粉耐光性良好，以UV(3mW)照射168小時後再測試仍毫無變化。但保存期間仍需避免UV紫外光直接照射過久。 期限:交貨後6個月內(nèi)為原廠建議保存期限。 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電波長轉(zhuǎn)換 螢光粉是一種光波長轉(zhuǎn)換媒介 , 將高能量光子置換為低能亮光子460nm ( 2.7eV) 560nm ( 2.2 eV )損失能量換取流明 , 並達(dá)成混色

12、效果BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電Coating膠的種類選擇和優(yōu)缺點(diǎn)。Epoxy(AB膠)優(yōu)點(diǎn)：1.透光性好 2.價格合理缺點(diǎn)：1.應(yīng)力較大 ,易凝固 ，使用時效短 2.不耐UV 3.不耐高溫，130以上易產(chǎn)生龜裂Silicon (矽膠)優(yōu)點(diǎn)：1.應(yīng)力較小 ,不易凝固，使用時效較長 2.耐高溫缺點(diǎn)：1.透光性差 2.價格高 3.易受潮BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電正確的色溫值概念正確的色溫值與波長值的搭配有關(guān)YAG螢光粉較缺乏紅色激素.大量的紅色激素(Gd)會降低發(fā)光效率.但呈現(xiàn)橘黃帶暖色.(暖色系白光

13、)在有效范圍內(nèi)皆稱為二元素(Y+B)非三元素(R+G+B)但暖色系仍可利用長波長螢光粉的紅色激素+短波長晶片的紫光部分帶出暖色BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電 LED未來發(fā)展Flip Chip之DemoTFT-LCD(TV)背光源的展示高亮四元用於車燈展示 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電全球高亮度LED市場HB-LED市場在2003年(27 億美元)相較於2002年成長了47%，與過去8年的複合年增率(CAGR)符合。將來的五年許多應(yīng)用趨近成熟，成長速率將會趨緩並開始減少，但在2008年仍可達(dá)到60億美金

14、。主要的應(yīng)用包括汽車與照明將會在510年內(nèi)開出大量，因此整體市場仍被看好，在2003年有50%的市場（營收）來自於手機(jī)應(yīng)用，而且主要是GaN材料。BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電LED背光大面板背光市場部份，LED仍卡在均勻度問題，人眼需要色彩均勻度至少達(dá)到95%。iSuppli預(yù)估LED背光市場之CAGR約18%，2002年的市場約5億美元， 2003年預(yù)估約7億美元。根據(jù)早先Gartner Dataquest預(yù)測2003年全球手機(jī)販?zhǔn)蹜?yīng)該超過5億1千萬支。 2003年手機(jī)成長率約20%。預(yù)估2004年手機(jī)銷售將會超過5億6千萬支。另外一家分析公司

15、IDC預(yù)估2003年手機(jī)銷售5億3340萬支，較2002年的4億3270萬支增加23.3%。一支彩色手機(jī)按鍵及面板所需白光LED顆數(shù)約14顆。BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電車用LED預(yù)估到2005年LED車用市場的規(guī)模將達(dá)7.8億美元。如果以一臺車的照明設(shè)備全部換成LED為例，內(nèi)、外部的照明大約各需要用掉100顆LED，全球平均一年的新車量達(dá)5,000萬臺，則每年汽車市場的需求量超過110億顆，其市場潛力超過手機(jī)市場內(nèi)裝：儀表板、面板照明燈，或後座閱讀燈等用途外裝:第三煞車燈早已大量應(yīng)用高亮度紅光LED，而尾燈、方向燈、側(cè)燈等，都有機(jī)會轉(zhuǎn)採用LED白光LED應(yīng)用在汽車大燈，包括daytime running lights (DRLs)到full headlamp prototypes ，已經(jīng)應(yīng)用在一些概念車上BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD弘凱光電白光照明LED需要提高效率、降低價格、僅使用75%白熾燈泡消耗