半導(dǎo)體設(shè)備全景分析-光刻工藝課件

1、正文目錄第一部分：半導(dǎo)體設(shè)備是行業(yè)基石，國內(nèi)企業(yè)即將迎來歷史轉(zhuǎn)折期第二部分：芯片制造工藝流程拆分：薄膜工藝介紹及國內(nèi)外龍頭對比分析第三部分：芯片制造工藝流程拆分：刻蝕工藝介紹及國內(nèi)外龍頭對比分析第四部分：芯片制造工藝流程拆分：光刻工藝介紹及國內(nèi)外龍頭對比分析第五部分：芯片制造工藝流程拆分：清洗工藝介紹及國內(nèi)外龍頭對比分析第六部分：國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)介紹64正文目錄第一部分：半導(dǎo)體設(shè)備是行業(yè)基石，國內(nèi)企業(yè)即將迎來歷史4.1集成電路中的光刻工藝簡介硅片化合物光刻膠化合物硅片光刻膠化合物硅片硅片化合物光刻膠硅片化合物光刻膠硅片化合物預(yù)焙（去除溶劑）顯影旋轉(zhuǎn)涂膠刻蝕去膠與清洗氣相成底膜掩模版光刻膠化合物硅片

2、對準(zhǔn)和曝光光刻膠化合物硅片曝光后烘焙光刻膠化合物硅片堅膜烘焙（光刻膠硬化）圖：光刻步驟流程圖光刻的本質(zhì)就是把臨時電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到硅片 上，這些結(jié)構(gòu)首先以圖形形式制作在掩模版 上。光源透過掩模版把圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光敏薄膜上。光刻工藝流程：涂布、預(yù)焙、對準(zhǔn)曝光、顯 影、硬化、刻蝕、去除清洗等一系列步驟。所涉及到的主要設(shè)備有光刻、涂布、曝光顯影、 量測和清洗設(shè)備，其中價值量最大且技術(shù)壁壘 最高的部分是光刻機。目前高端光刻機被荷蘭ASML公司壟斷，中低端光刻機供應(yīng)商有Canon和Nikon。國產(chǎn)光刻機進 展較慢，其余配套設(shè)備目前已經(jīng)達到14/28nm 技術(shù)水平。資料來源：圖解芯6片5 技術(shù)，國元證券

3、研究中心4.1集成電路中的光刻工藝簡介硅片化合物光刻膠化合物光刻膠化4.2光刻機技術(shù)演進表：高端邏輯半導(dǎo)體的技術(shù)節(jié)點和對應(yīng)的EUV曝光技術(shù)的藍圖技術(shù)節(jié)點量產(chǎn)時間解像度 R數(shù)值孔徑 NA工程系數(shù) k1曝光次數(shù)7nm201919nm0.330.4615nm2020-202116nm0.330.3910.4623nm2022-2023202412nm0.330.550.29-0.460.461-312nm2026-?9nm0.550.372資料來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，國元證券研究中心第一代第二代第三代第四代第五代800-250nm180-130nm45-20nm130-65nm20-7nm接觸接近掃描

4、投影浸沒步進 步進投影極紫外g-line 436nmi-line 365nmKrF 248nmArF 193nm極紫外13.5nm最小工藝設(shè)備光源波長光刻核心公式： 解像度(R)=工程系 數(shù)(k1)x光源波長()/數(shù)值孔徑(NA)光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，按照使用光源分別為g-line、i-line、KrF、ArF和EUV。2010年ASML推出第一臺EUV光刻機NXE:3100,目前是全世界唯一一家能夠設(shè)計和制造EUV設(shè)備的廠 商。技術(shù)節(jié)點的發(fā)展推動著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度的發(fā)展，光刻設(shè) 備核心參數(shù)解析度可以通過調(diào)節(jié)數(shù)值孔徑NA或工程系數(shù)k1來優(yōu)化。圖：光刻機技術(shù)迭代路徑圖資料來源：ASML公

5、司公告,國元證券研究中心664.2光刻機技術(shù)演進表：高端邏輯半導(dǎo)體的技術(shù)節(jié)點和對應(yīng)的EU4.2光刻機技術(shù)演進光刻系統(tǒng)中常用的DUV準(zhǔn)分子激光器是248nm波長的KrF和193nm波長的ArF，ASML崛起便是靠性價比極高的浸入式光刻快速打敗當(dāng)時的日系企業(yè)成 為行業(yè)龍頭。使用193nm ArF光源的干法光刻，其工藝節(jié)點可達45/40nm，但是在小于45nm制程ArF光刻機會出現(xiàn)分辨率不足的問題。2003年，ASML 和臺積電合作開發(fā)推出了第一款浸沒式光刻機，浸沒式光刻技術(shù)需要在光刻機投影物鏡最后一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液 體以提高分辨率，浸沒式光刻機是65-45nm節(jié)點

6、最為成熟可靠設(shè)備。2003ASML世界第一臺浸入式 光刻機1150i，NA=0.75型號1250i， NA=0.852004臺積電用1150i制造第一塊90nm芯片型號1400i， NA=0.932005第一臺1250i 進入臺積電2006第一塊65nm芯片型號1700i， NA=1.2液體回收液體供給投影物鏡工作臺掃描運動浸沒液體硅片傳統(tǒng)干法光刻浸沒式光刻光刻膠硅片投影物鏡浸沒液體圖：干法與浸入式光刻機的區(qū)別掩膜 67資料來源：百度文庫,國元證券研究中心4.2光刻機技術(shù)演進光刻系統(tǒng)中常用的DUV準(zhǔn)分子激光器是244.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUVEUV光刻系統(tǒng)有三個不同以往的關(guān)鍵改變

7、EUV光源、反射式光學(xué)系統(tǒng)、真空腔。為了提供波長更短的光源，采用高功率二氧化碳激光器照射錫金屬液 滴激發(fā)出13.5nm的光子作為光源。同時，這種光也無法以玻璃透鏡折射，必須以硅與鉬制成的特殊鍍膜反射鏡，來修正光的前進方向，反射鏡的制造難 度非常大，精度以皮米計（萬億分之一米）。因為每一次反射會有30%的能量損耗，一臺EUV機臺要經(jīng)過十多面反射鏡，將光從光源導(dǎo)到晶圓最后大概 只能剩下不到2%的能量。EUV光刻機規(guī)劃路徑分為四代，目前處于第一代產(chǎn)品，應(yīng)用于7nm邏輯芯片量產(chǎn)線上。EUV尚存在巨大提升空間來維持未來制程的推進。圖：EUV光刻機工作原理圖圖：EUV光刻機發(fā)展規(guī)劃路徑EUV第一代，目前用

8、于7nm邏輯芯片量產(chǎn)設(shè)備。EUV第二代，改良現(xiàn)有技術(shù)，改進光學(xué)和阻焊層 將工程系數(shù)k1降低到0.40以下EUV第三代，通過導(dǎo)入多重圖形工藝、新型掩膜 材料、新型resist材料等把看降到0.30以下第四代EUV，開發(fā)新的光學(xué)系統(tǒng)把數(shù)值孔徑NA提 高到0.55 68資料來源：公開資料整理,國元證券研究中心資料來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，國元證券研究中心4.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUVEUV光刻系統(tǒng)有三4.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUV圖：EUV光刻機核心部件拆分EUV LCC：1997到2003年期間由英特爾，AMD， 摩托羅拉、美國三大國家實驗室、ASML、英 飛凌和Micron組

9、成EUV LLC，集數(shù)百位科學(xué)家 發(fā)表了大量論文證明了EUV光刻機的可行性， 完成初期核心理論積累。光源：2013年ASML收購全球領(lǐng)先的準(zhǔn)分子激 光器廠商Cymer，完成核心元件布局，為光源 技術(shù)提供了保障。Cymer擁有世界領(lǐng)先的光源 技術(shù)，2009年提供首個生產(chǎn)就緒的激光產(chǎn)生 的等離子EUV源。光學(xué)透鏡、反射鏡：2017年，公司以20億美元 入股Carl Zeiss SMT，布局EUV核心元件光學(xué) 鏡頭和反射鏡系統(tǒng)。除最復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)外， 供應(yīng)商還有德國Heidenhain的工作臺，美國MKS Instruments 的真空控制系統(tǒng)，臺灣、日本的材料和零件等。 資料來源：Berkeley

10、 Lab，國元證券研究中心694.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUV圖：EUV光刻機核4.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUV相比于使用EUVLELE工藝SADP工藝SAQP工藝加工步驟X2X4X5成本+10%+3050%+50%循環(huán)時間X2X4X587nm以上制程可以通過工藝改良結(jié)合浸入式193nm光刻機滿足制造需求，7nm以下制程EUV成為無法替代的核心設(shè)備。7nm以上使用多重圖像工藝雖然 可以解決尺寸問題，但是代價是翻倍的加工步驟、驟降的吞吐量和更高的加工成本。7nm以下引入EUV只需要一道光刻，可以大幅降低成本和提高吞吐 量。目前來看，EUV光刻機是7nm以下先進制程的最優(yōu)解，尚

11、存巨大提升空間。目前量產(chǎn)化EUV設(shè)備還處于一代機階段，后續(xù)機臺端改良和加工工藝優(yōu)化結(jié) 合延續(xù)摩爾定律。圖：EUV光刻機可以優(yōu)化現(xiàn)有制造流程圖：EUV光刻機可大幅度降低邏輯和存儲加工步數(shù)不同制邏輯&存儲完整光刻工藝所需加工步數(shù)對比，引入EUV后 只需要單次曝光，各方面得到大幅度改善。后期可以結(jié)合多重 曝光工藝來延續(xù)摩爾定律。 70資料來源：ASML公司公告,國元證券研究中心資料來源：ASML公司公告，國元證券研究中心4.3顛覆性改變：由浸入式光刻機變向EUV相比于使用EUVL4.4全球光刻機市場競爭格局資料來源：ASML、Canon、Nikon公司公告,國元證券研究中心目前全球光刻機被ASML、

12、Canon和Nikon三家供應(yīng)商包攬，其中最先進的EUV機臺只有ASML提供，中低端設(shè)備ASML也占據(jù)大 部分市場。ArF類光刻機市場ASML處于絕對競爭優(yōu)勢，Nikon只提供少量干法設(shè)備供給，KrF與i-line設(shè)備則是與Nikon和Canon相 互競爭。近幾年光刻機市場需求呈上升趨勢，ASML光刻設(shè)備數(shù)量市占率一直保持在60%以上。圖：2019年各類光刻機銷售情況圖：近幾年全球光刻機銷售數(shù)量情況資料來源：ASML、Canon、Nikon公司公告，國元證券研究中心65228226222031173462020406080100120140i-lineKrFArF DryArF ImEUVAS

13、MLCanonNikon1361691571982242295754806470114842140323535304170501001502002503003504002014201520162017201820192020Q1ASMLCanonNikon714.4全球光刻機市場競爭格局資料來源：ASML、Canon、4.4全球光刻機市場競爭格局資料來源：根據(jù)ASML公司公告測算,國元證券研究中心我們根據(jù)ASML公司公告數(shù)據(jù)測算各光刻機價格，EUV設(shè)備平均每臺高達1億歐元，市場需求最多的浸入式ArF設(shè)備平均每臺在0.56-0.58億歐元，光刻機 系統(tǒng)隨著功能的改善以及吞吐量、良率等參數(shù)指標(biāo)的改

14、善，價格也在逐步提高。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和建廠潮的推動，以及全球落后制程的淘汰和產(chǎn)線升級，全球光刻設(shè)備市場將不斷增長。預(yù)計2025年全球光刻機市場規(guī)模將達到4.917億美元， 期間以年化18.5%的復(fù)合增速增長。圖：ASML各類光刻機價格（百萬歐元）圖：全球光刻機市場規(guī)模及預(yù)測（百萬美元）資料來源：中國報告網(wǎng)，國元證券研究中心01002003004005006002017201820192020E2021E2022E2023E2024E2025ECAGR=18.5%57.418.210.53.9107.7020406080100120201420152016201720182019ArF DryArF

15、ImKrFi-lineEUV724.4全球光刻機市場競爭格局資料來源：根據(jù)ASML公司公告測4.5ArF光刻機是市場主流需求，有望成為國產(chǎn)光刻機突破點ArF光刻機是目前市場主流機型，且長期保持穩(wěn)定增長，鑒于我國目前的技術(shù)開發(fā)進度，ArF光刻機是最有望實現(xiàn)國產(chǎn)化的機型。根據(jù)我們測算，ArF浸 入式光刻機市場空間大概50億歐元，因為其泛用性廣、量產(chǎn)技術(shù)成熟、維護保養(yǎng)相對簡單等優(yōu)點，下游需求旺盛。ArF Im機臺可用于生產(chǎn)90-7nm大部分 主流制程產(chǎn)品，覆蓋先進和成熟工藝兩大領(lǐng)域。雖然先進制程前道開始導(dǎo)入EUV設(shè)備，但是同理，中后道也有望升級光刻設(shè)備，使用更多的ArF Im機臺 填補EUV設(shè)備侵占

16、的份額，且需求遠高于前道光刻設(shè)備。目前國內(nèi)在浸入式光刻機領(lǐng)域部分技術(shù)有所突破，中短期有望實現(xiàn)整機國產(chǎn)化。圖：ASML各類光刻機價格（百萬歐元）313111928393738455151466110282931390102030405060708090100201420152016201720182019EUVArF ImArF DryKrF資料來源：ASML、Canon、Nikon公司公告,國元證券研究中心734.5ArF光刻機是市場主流需求，有望成為國產(chǎn)光刻機突破點A4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析圖：ASML營收拆分（百萬歐元）及毛凈利率資料來源：ASML年報，國元證券研究中心回溯刻蝕龍頭

17、拉姆研究往期業(yè)績變化，存儲類設(shè)備業(yè)績彈性最大， 邏輯和代工類設(shè)備長期穩(wěn)定增長。刻蝕設(shè)備絕對龍頭LamResearch全球市占率達50%以上，公司總營收從2013年36億美 元到2019的96.5億美元，其中NVM存儲刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)是業(yè)績高 速增長的主要動能。近五年公司存儲類刻蝕NVM+DRAM營收占比維持在50%以上， 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中以存儲類設(shè)備為絕對核心?？梢哉J為Lam Research 的崛起和存儲刻蝕機的需求息息相關(guān)，參考海外龍頭，國內(nèi)存儲 芯片制造企業(yè)以剛起步加持國產(chǎn)替代，掌握HAR刻蝕核心技術(shù)的 中微公司優(yōu)先受益。46%45%46%45%45%20%22%22%23%24%22%18%0%

18、10%20%30%40%50%400020000140001200010000800060002014201520162017201820192020Q1ArF Dryi-line44%ArF ImEUV45%KrFMetro & InspASMI與飛利浦 合資成立公 司，PAS2000步進式光刻機19841986PAS2500步進式光刻機建立 一定市場名氣1995納斯達克和阿姆斯 特丹交易所上市， 收購飛利浦持有股 份成為獨立公司收購硅谷集團，推出 雙掃描系統(tǒng)及“雙 階”革命性技術(shù)世界第一臺浸入式光刻機TWINSCANAT1150i；世界第一臺193nm浸入式光刻 機TWINSCANAT19

19、00i20012003-2007世界第一臺EUV光刻機 NXE3100收購光源制造 商Cymer加速了 下一代光刻技 術(shù)的發(fā)展2010收購電子束測量工 具HMI增強了整體 光刻產(chǎn)品組合收購競爭對手 Mapper IP資產(chǎn)20191988進入亞洲市場1991PAS5500光刻機 擁有領(lǐng)先的生 產(chǎn)力和分辨率201320162017收購德國光學(xué)系 統(tǒng)供應(yīng)商SMT24.9%間接股 權(quán)，TWINSCANNXE3400B機臺744.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析圖：ASML營收拆分（百萬歐4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱SMEE)主要致力于半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高

20、端智能裝備的開發(fā)、設(shè)計、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。公司設(shè) 備廣泛應(yīng)用于集成電路前道、先進封裝、FPD 面板、MEMS、LED、Power Devices 等制造領(lǐng)域。公司發(fā)展至今，已經(jīng)完全掌握了先進封裝光刻機、高亮度LED 光刻機等高端智能制造領(lǐng)域的先進技術(shù)。公司的光刻機具有超大視場，可實現(xiàn)高產(chǎn)率生產(chǎn)； 支持翹曲片、鍵合片曝光高精度套刻能力；具有高精度溫度控制能力，能夠?qū)崿F(xiàn)高能量曝光條件下的穩(wěn)定生產(chǎn)；同時具備多種雙面對準(zhǔn)裝置，支持可見 光直接測量。2002上海微電子裝備有 限公司成立2009首臺先進封裝光刻機 產(chǎn)品SSB500/10A交付 用戶2016首臺暨國內(nèi)首臺前 道掃描光刻機交付 用戶公司完

21、成股改，正式更名為 上海微電子裝備（集團）股 份有限公司2017中國首臺新型顯示用6 代高分辨率TFT曝光機 發(fā)運。201790nm光刻機項目正 式通過驗收。20182012SSB500系列先進封裝 光刻機首次實現(xiàn)海外 銷售2013國產(chǎn)首臺用于2.5代AMOLEDTFT電路制造的SSB225/10成功 交付用戶SSX600系列光刻機SSB500系列光刻機SSB300系列光刻機SSB200系列光刻機用于IC前道制造用于IC后道先進 封裝用于LED、MEMS、 Power Devices制造用于TFT曝光754.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析上海微電子裝備(集團)股份有4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分

22、析“技術(shù)創(chuàng)新”是ASML核心推動力，ASML采取的“開放式創(chuàng)新”理念是通過與供應(yīng)商、客戶、研究機構(gòu)、學(xué)院等建立開放研究網(wǎng) 絡(luò)，合理共享技術(shù)與成果，大大加快了創(chuàng)新速度，快速形成技術(shù)壁壘。ASML的三大客戶英特爾、三星、臺積電、海力士均是其股東，共同研發(fā)每年可以為ASML分擔(dān)巨額的經(jīng)費，公司則給予股東優(yōu)先 供貨權(quán)。ASML通過一系列戰(zhàn)略并購與入股，快速獲得上游核心電子束、光源、鏡頭技術(shù)及專利，既可以快速彌補自身技術(shù)需求，又可以提 高行業(yè)進入壁壘，保持壟斷地位。憑借著與客戶的合作研發(fā)以及對上游公司并購得到的核心技術(shù)與專利，ASML不斷提高著在光刻 機設(shè)備領(lǐng)域的競爭力。ASML美國 cymer臺灣 漢

23、科威荷蘭 Mapper美國 SVGLASML海力士Intel41億美元臺積電14億美元三星9.75億美元764.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析“技術(shù)創(chuàng)新”是ASML核心推4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析EUV光刻機由于技術(shù)壁壘極高，中短期國產(chǎn)化可能 性非常低。EUV光刻機從1997年EUV LLC組織成立 集全球頂級科研陣容完成可行性理論框架，到2010 年ASML推出第一臺概念機3100，再到2019年臺積 電開始使用EUV N7+工藝量產(chǎn)7nm芯片。20年以上 的開發(fā)周期、匯集全球的研發(fā)團隊使EUV設(shè)備技術(shù) 壁壘極高，中短期國產(chǎn)化難度太高。真正使用最廣泛的、市場空間最大的是浸入式ArF光刻機

24、，它的普適性更廣，制程覆蓋90-7nm工藝。EUV機臺量產(chǎn)化也剛剛起步，目前只有在最先進制 程的前、中段才會用到。浸入式ArF光刻機是技術(shù)最成熟、制程迭代最平滑的機臺，突破難度遠小于EUV。國內(nèi)在這部分已經(jīng)有一定技術(shù)儲備，90nm以下浸入式光刻機是目前最有希望快速實現(xiàn)國產(chǎn)化的 設(shè)備。浸入式光刻機主要分為幾大部分：1）雙工件臺系統(tǒng)： 華卓精科；2）浸液系統(tǒng)：啟爾機電；3）激光源系 統(tǒng)：科益虹源、上海神光激光；4）激光晶體和光學(xué) 元件：福晶科技、奧普光電；5）光學(xué)系統(tǒng)：國望光 學(xué)、國科精密；6）系統(tǒng)集成設(shè)計：上海微電。激光器曝光臺光束矯正器（共3個）能量控制器測量臺光束形狀設(shè)置遮光器能量探測器掩模

25、版掩膜臺物鏡測量設(shè)備硅片內(nèi)部封閉框架減震裝置ASML Twinscan簡易工作原理圖圖：ASML Twinscan簡易工作原理圖資料來源：公開資料整理，國元證券研究中心774.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析EUV光刻機由于技術(shù)壁壘極高4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析光源系統(tǒng)雙工件臺物鏡系統(tǒng)浸沒系統(tǒng)華卓精科激光晶體及光學(xué) 元件整機制造上海微電子啟爾機電奧普光電奧普光電是長春光機所出資 成立的高新技術(shù)企業(yè)。公司 所研制的光學(xué)晶體材料可用 于紫外光刻元件領(lǐng)域。上海神光激光技術(shù)制造裝備研發(fā)有限公司北京科益虹源光電技術(shù)有限公司科益虹源具備高端準(zhǔn)分子激光技術(shù)研究和產(chǎn)品化能力。公司目前承擔(dān)“國家02重大專項”

26、、“浸沒光刻光源研發(fā)”任務(wù)，預(yù)計2020年將與 整機單位共同完成28nm國產(chǎn)光刻機的集成工 作。上海神光激光技術(shù)制造裝備研發(fā)有限公司成立 于2020年4月。致力于攻克超短脈沖激光、準(zhǔn)分 子激光和EUV光刻光源技術(shù)瓶頸。2017年，啟爾機電承擔(dān)國家02科技重大專 項“28nm節(jié)點浸沒式光刻機產(chǎn)品研發(fā)”的 核心部件之一的“浸液系統(tǒng)產(chǎn)品研制與能 力建設(shè)”項目。華卓精科承擔(dān)了國家科技重大專項02專項中“浸沒 式光刻機雙工件臺產(chǎn)品研制與能力建設(shè)”項目和“浸沒雙工件臺平面光柵位置測量系統(tǒng)研發(fā)”項 目。2020年4月，攻克了雙工件臺技術(shù)，這將為國 產(chǎn)光刻機的發(fā)展提供極大幫助，并有希望在未來攻 破7nm技術(shù)。

27、國科精密2018年，國科精密負責(zé)的02專項“高NA浸 沒光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究”項目通過驗 收，標(biāo)志著我國高端光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng) 研制成功。北京國望光學(xué)科技有限公司國望光學(xué)著重推進13.5nm極紫外EUV國產(chǎn) 光刻機的研發(fā)進程。福晶科技是全球非線性光學(xué) 晶體的龍頭。公司的非線性 光學(xué)晶體市占率全球領(lǐng)先。上海微電子為中國光刻機國產(chǎn)化的中堅力量，目前打造 出的光刻機覆蓋90nm至280nm制程。預(yù)計將在2021-2022 年交付第一臺28nm工藝的國產(chǎn)浸沒式光刻機。圖：浸入式光刻機結(jié)構(gòu)拆分及國產(chǎn)核心零件供應(yīng)商資料來源：公開資料整理，國元證券研究中心784.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析光源系統(tǒng)雙工件臺物鏡系統(tǒng)浸沒文之后的免責(zé)條款部分4.6阿斯麥與國產(chǎn)光刻機對比分析EUV分辨率13nm， 0.33NA，吞吐量125WPHNXE3XXX系列NXE3400BNXE3400C吞吐量170WPH7/5nmArF浸入式NXT系列TWINSCAN NXT:1980Di10nmTWINSCAN NXT:2000i7nm吞吐量275WPHArF干式XT系列KrF干式XT系列TWINSCAN XT:1060K分辨率205WPH80nmi-line干式XT系列TWINSCAN NXT:1965Ci分辨率250WPH20nmTWINSCANXT