對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

1、【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】 對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案 電開工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著電開工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。 圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增 但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增也意味著驅(qū)動

2、電機(jī)所需的印刷電路板（pcb）占用面積增加了6倍，那么BLDC設(shè)計(jì)不大可能仍適用于電開工具和園藝工具制造商。電力電子設(shè)備通常位于這些工具的手柄中；因此，為適應(yīng)的手部尺寸，應(yīng)用通常受空間限制的影響極大（參見圖2）。市場需要功率密度更高的解決方案，換言之，就是需要在狹窄空間中處理更多電流的FET。 圖2：在大多數(shù)電開工具中，電子設(shè)備都位于手柄中 傳統(tǒng)意義上講，適用于驅(qū)動大功率電機(jī)的FET其封裝又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。但像TI的小型無引線封裝（SON）5mm6mm FET這類方形扁平無引線（QFN）封裝可在硅片和源極管腳之間提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積

3、的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著電流能力和功率密度更高。因此，隨著FET硅單位面積的電阻（RSP）繼續(xù)降低（大致相當(dāng)于過去每代產(chǎn)品的一半），電開工具、園藝工具和家用電器行業(yè)的QFN解決方案出現(xiàn)快速增長也就缺陷為奇了。這些較小的FET現(xiàn)在通常能夠驅(qū)動高達(dá)30A或更高的直流電機(jī)電流；即使對于功率更高的設(shè)計(jì)，并行采用多個QFN有時(shí)更適用于更大的封裝。畢竟，兩個5mm6mm的器件在60mm2的總pcb面積中仍只相當(dāng)于占用一個D2PAK的一小部分尺寸，D2PAK在總pcb空間上約為10mm15mm，即150mm2（見圖3）。 圖3：半橋所需的pcb空間（未按比例畫出） TI近通過將兩個FET縱向集成到單一封裝中

4、，將這一趨勢歸結(jié)為邏輯結(jié)論，在一個SON 5mm6mm的功率模塊中提供整個半橋。40V CSD88584Q5DC和 60V CSD88599Q5DC采用與*儀器低電壓功率模塊相同的堆疊裸片技術(shù)，用于高頻電源應(yīng)用，同時(shí)采用了優(yōu)化的硅片，以減少大電流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。除減小在pcb上并排兩個FET所帶來的寄生電感外，縱向集成兩個FET可在同一封裝中容納更多的硅，從而實(shí)現(xiàn)比分立QFN器件更高的功率密度。 這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強(qiáng)型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，使得電開工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來表面貼裝FET，因?yàn)檫@些FET可安裝在大型散熱器上以將熱量從pcb排出，但是這些功率模塊采用QFN封裝提供了同樣的好處。例如，即使在理想的熱環(huán)境中，通常也不鼓勵在典型的5mm6mm的QFN中耗散3W以上的功率。但是通過適當(dāng)?shù)厥褂蒙崞?，這些DualCool器件可以應(yīng)對6W或更多的功耗，功率密度翻了一倍，而pcb占用面積減少了一半。 如今，在電開工具、園