提高多晶Si薄膜太陽電池轉(zhuǎn)換效率的途徑

1、本文由【 HYPERLINK 中文word文檔庫】 HYPERLINK 搜集整理。 HYPERLINK 中文word文檔庫免費提供海量教學資料、行業(yè)資料、范文模板、應用文書、考試學習和社會經(jīng)濟等word文檔“微納電子技術(shù)”2008年第4期專家論壇187-提提高多晶晶Si薄膜太太陽電池池轉(zhuǎn)換效效率的途途徑納米器件與與技術(shù)193-小小尺寸超超高頻雙雙極晶體體管工藝藝及特性性模擬198-單單電子晶晶體管的的蒙特卡卡羅模擬擬及宏觀觀建模納米材料與與結(jié)構(gòu)205-腐腐蝕法制制備絨面面ZnOO透明導導電薄膜膜209-BBi2O3/TiiO2納米復復合物的的微波合合成及光光催化性性質(zhì)MEMS器器件與技技術(shù)21

2、4-基基于MEEMS技技術(shù)的微微波濾波波器研究究進展219-新新型三軸軸MEMMS熱對對流加速速度傳感感器的研研究顯微、測量量、微細細加工技技術(shù)與設設備222-納納米光刻刻對準方方法及其其原理231-變變溫腐蝕蝕法制備備納米光光纖探針針235-一一維納米米結(jié)構(gòu)的的拉伸力力學測試試240-SSi 基基GaNN薄膜的的制備方方法及結(jié)結(jié)構(gòu)表征征=專家論壇187-提提高多晶晶Si薄薄膜太陽陽電池轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換效率率的途徑徑彭英才1，2， 姚國曉曉3， 馬 蕾1， 王 俠1（1. 河河北大學學 電子信信息工程程學院，河河北保保定00710002；2. 中國國科學院院 半導體體研究所所 半導體體材料科科學重點點實

3、驗室室，北京京 11000083；3. 中國國天威英英利新能能源有限限公司，河河北保保定00710051）摘要：多晶晶Si薄薄膜對可可見光進進行有效效地吸收收、光照照穩(wěn)定性性好、制制作成本本低，被被公認為為是高效效率和低低成本的的光伏器器件材料料。以提提高多晶晶Si薄薄膜太陽陽電池轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換效率率為主線線，介紹紹了增大大晶粒尺尺寸以增增加載流流子遷移移率、進進行表面面和體內(nèi)內(nèi)鈍化以以減少復復合中心心、設計計p-II-n結(jié)結(jié)構(gòu)以增增加光收收集效率率、制作作絨面結(jié)結(jié)構(gòu)以提提高對入入射光的的吸收效效果、改改進電池池結(jié)構(gòu)以以謀求最最大效率率等工藝藝措施；綜述了了近5年年來多晶晶Si薄薄膜電池池在材料料生長

4、、結(jié)結(jié)構(gòu)制備備和性能能參數(shù)方方面取得得的最新新進展，并并對其發(fā)發(fā)展前景景做了預預測。關(guān)鍵詞：多多晶Sii薄膜；大晶粒粒；氫鈍鈍化；pp-I-n結(jié)構(gòu)構(gòu)；太陽陽電池；轉(zhuǎn)換效效率納米器件與與技術(shù)193-小小尺寸超超高頻雙雙極晶體體管工藝藝及特性性模擬趙守磊，李李惠軍，吳吳勝龍，劉劉巖（山東大學學 孟堯堯微電子子研發(fā)中中心，濟濟南22501100）摘要：基于于通信系系統(tǒng)中射射頻電路路設計的的特殊要要求，對對小尺寸寸（基區(qū)區(qū)寬度低低于1000 nm）、超超高頻（特特征頻率率高于115 GGHz）雙雙極晶體體管工藝藝制程和和器件的的物理特特性進行行了模擬擬，為工工藝線流流片進行行可行性性研究。該該器件采采

5、用BiiCMOOS制程程結(jié)構(gòu)實實現(xiàn)，在在對小尺尺寸、超超高頻雙雙極性器器件物理理模型進進行詳盡盡分析的的基礎(chǔ)上上，實現(xiàn)現(xiàn)了該器器件工藝藝級（SSenttaurrus Proocesss）及及器件物物理特性性級（SSenttaurrus Devvicee）的仿仿真，提提出TCCAD工工藝及器器件的一一體化設設計方案案。模擬擬結(jié)果表表明，在高頻頻指標參參數(shù) 117GHHz下，所所得值值接近于于80，滿滿足設計計要求。關(guān)鍵詞：小小尺寸；雙極器器件；頻頻率特性性；工藝藝仿真；特性模模擬198-單單電子晶晶體管的的蒙特卡卡羅模擬擬及宏觀觀建模孫海定，江江建軍（華中科技技大學 電子科科學與技技術(shù)系，武武漢

6、43300774）摘要：以單單電子晶晶體管為為研究對對象，系系統(tǒng)闡述述了庫侖侖阻塞、庫庫侖臺階階、單電電子隧穿穿等物理理現(xiàn)象的的產(chǎn)生機機理。微微觀模擬擬與宏觀觀建模相相結(jié)合,著重介介紹了如如何用蒙蒙特卡羅羅方法和和Mattlabb相結(jié)合合對上述述各種物物理現(xiàn)象象進行數(shù)數(shù)值模擬擬,同時時對單電電子晶體體管進行行宏觀電電路等效效,用一一些常用用元器件件進行宏宏觀建模模。采用用強大的的模擬集集成電路路軟件HHspiice進進行分析析模擬,大大減減少了計計算及仿仿真時間間。通過過分析比比較,兩兩者曲線線得到了了較好的的吻合,直觀地地反映了了單電子子晶體管管的電學學特性,為進一一步研究究復雜系系統(tǒng)提供供

7、了理論論依據(jù)。關(guān)鍵詞：單單電子晶晶體管；單電子子隧穿；庫侖阻阻塞；庫庫侖臺階階；蒙特特卡羅；Hsppicee納米材料與與結(jié)構(gòu)205-腐腐蝕法制制備絨面面ZnOO透明導導電薄膜膜劉佳宇，朱朱開宇，王王文轅（河北理工工大學 信息學學院，河河北唐唐山00630000）摘要：利用用中頻脈脈沖磁控控濺射系系統(tǒng)制備備高透過過率、高高電導率率的平面面ZnOO薄膜。對對平面ZZnO薄薄膜進行行短時間間弱酸腐腐蝕，可可以獲得得絨面效效果的ZZnO透透明導電電薄膜。分分析了工工作氣壓壓和襯底底溫度對對薄膜絨絨面結(jié)構(gòu)構(gòu)的影響響，獲得得了適合合薄膜太太陽能電電池的絨絨面ZnnO透明明導電薄薄膜。當當壓力控控制在11.

8、922 Paa左右，襯襯底溫度度15001770 范圍內(nèi)內(nèi)沉積的的薄膜具具有最佳佳的絨面面和較低低的電阻阻率，電電阻率可可達5.5710-4 cmm，載流流子濃度度2.2210020 cm-3，霍霍爾遷移移率400.1 cm22/Vs,在在可見光光范圍平平均透過過率超過過85。關(guān)鍵詞：中中頻脈沖沖濺射；絨面ZZnO；透明導導電膜；腐蝕；結(jié)構(gòu)209-BBi2O3/TiiO2納米復復合物的的微波合合成及光光催化性性質(zhì)廖學紅，王王小佳（黃岡師范范學院 化學系系，湖北北黃岡岡43380000）摘要：以硝硝酸鉍和和硫酸鈦鈦為原料料，通過過直接投投料微波波輻射水水解合成成法制備備了摻鉍鉍TiOO2納米復復

9、合物，并并用XRRD、TTEM進進行了表表征。結(jié)結(jié)果表明明，直接接投料摩摩爾比為為1110摻鉍鉍TiOO2納米復復合物，經(jīng)經(jīng)5000 熱熱處理后后晶型為為銳鈦礦礦型，粒粒徑為66100 nmm。以催催化降解解甲基橙橙來考察察其光催催化活性性，結(jié)果果表明所所制備的的納米復復合物是是一個好好的催化化劑。研研究了BBi3+的摻雜雜量、熱熱處理溫溫度、催催化劑用用量對摻摻鉍TiiO2納米復復合物光光催化性性能的影影響。當當催化劑劑用量為為1 gg/L時時，2 mg/L的甲甲基橙溶溶液在紫紫外光輻輻射300 miin后，降降解率達達到977%。該該復合物物對甲基基橙溶液液的光催催化降解解符合一一級動力力

10、學方程程。關(guān)鍵詞：BBi3+摻雜；二氧化化鈦；納納米復合合物；微微波合成成；光催催化MEMS器器件與技技術(shù)214-基基于MEEMS技技術(shù)的微微波濾波波器研究究進展歐陽煒霞，張張永華，王王超，郭郭興龍，賴賴宗聲(華東師范范大學 微電子子電路與與系統(tǒng)研研究所，上上海22002241)摘要：基于于MEMMS技術(shù)術(shù)的濾波波器是現(xiàn)現(xiàn)行RFF結(jié)構(gòu)中中一個關(guān)關(guān)鍵的MMEMSS器件。與與傳統(tǒng)的的采用金金屬矩形形或圓柱柱波導以以及半導導體元件件制作的的濾波器器相比，MMEMSS濾波器器具有低低損耗、高高隔離度度、線性性好、體體積小、易易于集成成等優(yōu)點點。對利利用MEEMS技技術(shù)制作作的濾波波器做了了分類總總結(jié)，

11、綜綜述了近近幾年MMEMSS濾波器器的研究究進展，包包括硅體體微加工工濾波器器、LIIGA傳傳輸線型型濾波器器和基于于MEMMS開關(guān)關(guān)/電容容實現(xiàn)的的可調(diào)濾濾波器。指指出可調(diào)調(diào)濾波器器的開發(fā)發(fā)適應微微波、毫毫米波波波段的多多頻段、寬寬帶無線線通信系系統(tǒng)的迫迫切需要要，具有有重要的的現(xiàn)實意意義。關(guān)鍵詞：MMEMSS技術(shù)；硅體微微加工；LIGGA技術(shù)術(shù)；微波波濾波器器；可調(diào)調(diào)濾波器器219-新新型三軸軸MEMMS熱對對流加速速度傳感感器的研研究呂樹海，楊楊擁軍，徐徐淑靜，徐徐愛東，徐徐永青(中國電子子科技集集團公司司 第十十三研究究所，石石家莊05000511)摘要：介紹紹了一種種基于熱熱流原理理

12、的新型型三軸MMEMSS熱對流流加速度度傳感器器，它沒沒有活動動質(zhì)量，無無需多個個器件組組合就可可以進行行任意方方向的加加速度信信號測量量。分析析了該器器件的工工作原理理，設計計了器件件結(jié)構(gòu)，進進行了工工藝開發(fā)發(fā)，加工工出了原原理樣機機。測試試表明：該器件件實現(xiàn)了了三個軸軸向的加加速度信信號的檢檢測性能能，驗證證了新原原理的可可行性；測量量量程達到到2 g，分分辨率達達到1 mg，抗抗沖擊能能力達到到10 0000 g，具具備了良良好的性性能。關(guān)鍵詞：微微電子機機械系統(tǒng)統(tǒng)；三軸軸；對流流場；加加速度；傳感器器顯微、測量量、微細細加工技技術(shù)與設設備222-納納米光刻刻對準方方法及其其原理周紹林1

13、，22，唐小小萍1，胡松1，馬平1，陳旺旺富1，22 ，楊楊勇11，2，嚴嚴偉11(1. 中中國科學學院 光光電技術(shù)術(shù)研究所所，成都都61102009 ；2. 中國國科學院院 研究究生院，北北京11000039)摘要：對準準技術(shù)對對光刻分分辨力的的提高有有著重要要作用。445 nnm節(jié)點點以下的的光刻技技術(shù)如納納米壓印印等，對對相應的的對準技技術(shù)提出出了更高高的要求求。對光光刻技術(shù)術(shù)發(fā)展以以來主要要用于接接近接觸觸式和納納米壓印印光刻的的對準技技術(shù)做總總結(jié)分類類，為高高精度的的納米級級光刻對對準技術(shù)術(shù)提供理理論研究究基礎(chǔ)和和方向。經(jīng)經(jīng)過分析析，從原原理上將將對準技技術(shù)分為為幾何成成像對準準、波

14、帶帶片對準準、干涉涉光強度度對準、外外差干涉涉對準及及莫爾條條紋等五五種對準準方法。最最后結(jié)論論得出基基于條紋紋空間相相位的對對準方法法具有最最好的抗抗干擾能能力且理理論上能能達到最最高的對對準精度度，而其其他基于于光強的的對準方方法的精精度更易易受到工工藝涂層層的影響響。因此此，基于于干涉條條紋空間間相位對對準的方方法在納納米級光光刻對準準中具有有很好的的理論前前景。關(guān)鍵詞：納納米光刻刻；對準準技術(shù)；掩模與與硅片；標記；對準精精度231-變變溫腐蝕蝕法制備備納米光光纖探針針楊修文1，祝祝生祥22，胡毅1（1. 鄖鄖陽師范范高等專專科學校校 物理理系，湖湖北丹丹江口44227000；2. 同濟

15、濟大學 Pohhl 固固體物理理研究所所，上海海20000992）摘要：通過過改變溫溫度，用用腐蝕的的方法制制備出用用于近場場光學顯顯微鏡的的光纖探探針。通通過控制制光纖在在不同溫溫度的腐腐蝕液中中腐蝕的的時間，制制備出多多種形貌貌的光纖纖探針，所所制作探探針的錐錐形過渡渡區(qū)短而而錐角大大。該法法具有重重復性高高、探針針形貌可可控、操操作方便便、實驗驗費用低低廉、制制備的探探針表面面光滑等等優(yōu)點，利利用該方方法成功功地制備備出針尖尖尺寸5503300 nm、針針尖錐角角在400774可可調(diào)的光光纖探針針。將制制備的探探針用于于掃描全全息光柵柵（5000線/mm），結(jié)結(jié)果在440 mmm范圍圍內(nèi)

16、掃描描有200個周期期，與全全息光柵柵的標定定結(jié)果相相符。關(guān)鍵詞：納納米光纖纖探針；近場光光學；顯顯微鏡；腐蝕法法；溫度度235-一一維納米米結(jié)構(gòu)的的拉伸力力學測試試金欽華1，22，王躍躍林1，22，李鐵鐵2（1.上海海交通大大學 微微納科學學技術(shù)研研究院，上上海22000030；2.中國科科學院 微系統(tǒng)統(tǒng)與信息息技術(shù)研研究所，上上海22000050）摘要：對一一維納米米結(jié)構(gòu)開開展軸向向拉伸測測試時，面面臨著樣樣品制備備、裝載載、拉伸伸、樣品品的軸向向應力與與應變的的高精度度測量等等難點，解解決途徑徑包括改改造現(xiàn)代代顯微儀儀器、研研制MEEMS力力學測試試芯片及及發(fā)展一一維納米米樣品的的制備與

17、與裝載技技術(shù)。從從實驗使使用的測測試儀器器及拉伸伸方式出出發(fā)，將將目前發(fā)發(fā)表的一一維納米米拉伸實實驗分為為基于探探針、MMEMSS和電子子束輻照照開展的的拉伸實實驗，并并對各種種實驗方方法進行行了比較較。發(fā)現(xiàn)現(xiàn)基于MMEMSS的拉伸伸實驗由由于其對對測試儀儀器的改改造小、花花費少、且且通過設設計制作作不同測測試功能能的芯片片可實現(xiàn)現(xiàn)多樣測測試，是是更有發(fā)發(fā)展前景景的測試試技術(shù)。關(guān)鍵詞：一一維納米米結(jié)構(gòu)；軸向拉拉伸實驗驗；納米米力學；微機電電系統(tǒng)力力學測試試芯片；原位測測試240-SSi 基基GaNN薄膜的的制備方方法及結(jié)結(jié)構(gòu)表征征張敬堯，李李玉國，崔崔傳文，張張月甫，卓卓博世(山東師范范大學 物理與與電子科科學學院院，濟南南25500114)摘要：分別別采用射射頻磁控控濺射、熱熱壁化學學氣相沉沉積（CCVD）、電電泳沉積積法制備備GaNN薄膜。利利用掃描描電鏡（SSEM）、熒熒光光譜譜儀對樣樣品進行行結(jié)構(gòu)、形形貌和發(fā)發(fā)光特性性的分析析比較。射射頻磁控控濺射方方法中, 把SSiC中中間層沉沉淀到SS