輻射檢測(cè)技術(shù)

輻射檢測(cè)技術(shù)輻射檢測(cè)技術(shù)輻射檢測(cè)技術(shù)xxx公司輻射檢測(cè)技術(shù)文件編號(hào)：文件日期：修訂次數(shù)：第1.0次更改批準(zhǔn)審核制定方案設(shè)計(jì)，管理制度一、單選題23.重帶電粒子與物質(zhì)相互作用時(shí)的電離損失率與以下哪個(gè)參數(shù)值的平方成正比。（A）---26A.重帶電粒子的電荷z B.重帶電粒子速度VC.重帶電粒子質(zhì)量m D.靶物質(zhì)的原子序數(shù)Z24.重帶電粒子與物質(zhì)相互作用時(shí)的電離損失率與以下哪個(gè)參數(shù)值無關(guān)。（C）---26A.重帶電粒子的電荷z B.重帶電粒子速度VC.重帶電粒子質(zhì)量m D.靶物質(zhì)的原子序數(shù)Z25.粒子在物質(zhì)中運(yùn)行沿著入射方向（A），叫做入射粒子在該物質(zhì)中的射程。---27A.所能達(dá)到的最大直線距離 B.經(jīng)過的最小直線距離C.經(jīng)過的路程 D.平均路程26．在實(shí)際測(cè)量工作中，為了減少軔致輻射對(duì)測(cè)量的干擾，往往在屏蔽材料內(nèi)層襯一層輕元素物質(zhì)(如鋁、有機(jī)玻璃等)，這是因?yàn)椋海–）---30A.β射線在重元素物質(zhì)中不會(huì)產(chǎn)生軔致輻射B.β射線在輕元素物質(zhì)中不會(huì)產(chǎn)生軔致輻射C.在重元素物質(zhì)中比在輕元素物質(zhì)中的韌致輻射作用大得多D.在重元素物質(zhì)中比在輕元素物質(zhì)中的韌致輻射作用小得多27.所有的粒子流本質(zhì)上都是電磁輻射，它們因波長(zhǎng)(或相應(yīng)的頻率、能量)范圍不同而各具其專門名稱。以下說法正確的是（C）。---34A.波長(zhǎng)長(zhǎng)者能量高，貫穿本領(lǐng)強(qiáng) B.波長(zhǎng)長(zhǎng)者能量低，貫穿本領(lǐng)強(qiáng)C.波長(zhǎng)短者能量高，貫穿本領(lǐng)強(qiáng) D.波長(zhǎng)短者能量低，貫穿本領(lǐng)弱28.電磁輻射可與物質(zhì)發(fā)生多種形式的相互作用，以下關(guān)于相互作用的幾率描述正確的是（A）。---35A.相互作用的幾率與入射光子的能量以及介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)B.相互作用的幾率與入射光子的能量以及介質(zhì)的性質(zhì)無關(guān)C.相互作用的幾率與入射光子的能量有關(guān)，與介質(zhì)的性質(zhì)無關(guān)D.相互作用的幾率與入射光子的能量無關(guān)，與介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)29.以下描述的是X、γ光子與物質(zhì)作用失去動(dòng)能的過程和帶電粒子在物質(zhì)中失去動(dòng)能的過程。正確的是（D）。---35A.帶電粒子一次可失去其能量的全部或大部份，失去的能量轉(zhuǎn)移給原子核 B.帶電粒子一次可失去其能量的全部或大部份，失去的能量轉(zhuǎn)移給電子 C.光子需許多次碰撞后，才能失去其全部動(dòng)能 D.光子一次可失去其能量的全部或大部份，失去的能量轉(zhuǎn)移給電子30.以下是關(guān)于射線與物質(zhì)作用的截面δ這個(gè)概念的敘述，正確的是（B）。---35A.截面就是靶體的幾何截面 B.截面就是相互作用的幾率C.截面既不是靶體的幾何截面，也不是相互作用的幾率D.截面既是靶體的幾何截面，也是相互作用的幾率31.下列哪一個(gè)過程不會(huì)產(chǎn)生俄歇電子（B）。---41A.內(nèi)轉(zhuǎn)換 B.電子對(duì)效應(yīng) C.軌道電子俘獲 D.光電效應(yīng)32.X、γ光子與物質(zhì)作用發(fā)生光電效應(yīng)和康普頓效應(yīng)的幾率與入射光子的能量和靶物質(zhì)的原子序數(shù)有關(guān)，下列說法正確的是（C）。---43A.光子能量越高，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越小，光電效應(yīng)發(fā)生幾率大B.光子能量越高，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大，康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率大C.光子能量較低，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大，光電效應(yīng)發(fā)生幾率大 D.光子能量較低，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大，康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率大33.X、γ光子與物質(zhì)作用發(fā)生光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的幾率與入射光子的能量和靶物質(zhì)的原子序數(shù)有關(guān)，下列說法錯(cuò)誤的是（A）。---43A.光子能量越高，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越小，光電效應(yīng)發(fā)生幾率大B.光子能量越高，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大，電子對(duì)效應(yīng)發(fā)生幾率大C.光子能量較低，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大，光電效應(yīng)發(fā)生幾率大 D.光子能量較低，且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越小，光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)發(fā)生幾率小34.下列是一些有關(guān)X、γ射線束的敘述，其中錯(cuò)誤的是：（D）---45A.所謂單色射線束，是指一束光子的能量單一B.所謂窄束射線是指不包含散射成份的射線束C.所謂寬束射線是指在原始能量射線中還包含散射射線的γ(X)射線束D.寬束射線通常是通過準(zhǔn)直器后射線束35.平面源60Co產(chǎn)生的γ射線分別在以寬束和窄束條件通過平面鋼板，測(cè)得的衰減曲線最明顯的特點(diǎn)是：（D）。---45A.窄束和寬束的衰減曲線都是直線 B.窄束和寬束的衰減曲線都是曲線C.窄束衰減比寬束慢 D.窄束衰減比寬束快36.用于γ射線能譜儀的探測(cè)器基本上分為兩大類型：（A）。---46A.閃爍探測(cè)器、半導(dǎo)體探測(cè)器 B.閃爍探測(cè)器、電離室探測(cè)器C.電離室探測(cè)器、半導(dǎo)體探測(cè)器 D.半導(dǎo)體探測(cè)器、計(jì)數(shù)管探測(cè)器37.常用的NaI(Tl)晶體和Ge(Li)半導(dǎo)體探測(cè)器，對(duì)同一γ源的探測(cè)結(jié)果不同，主要是因?yàn)樗鼈兊模˙）不同。---50A.靈敏度 B.分辨能力 C.計(jì)數(shù)率 D.探測(cè)效率38.同一類型探測(cè)元件如NaI(Tl)，尺寸、形狀不同時(shí)，γ射線儀器譜也有差異，用大晶體測(cè)量時(shí)，γ光子在晶體中能量損耗多，即（C）。---50A.穿透晶體的光子多，累計(jì)效應(yīng)大 B.穿透晶體的光子多，累計(jì)效應(yīng)大C.穿透晶體的光子少，累計(jì)效應(yīng)大 D.穿透晶體的光子少，累計(jì)效應(yīng)少39.儀器的工作狀態(tài)影響到γ射線儀器譜，其中道寬大小影響能量分辨率，即（A）。---51A.道寬愈大，能量分辨率愈差 B.道寬愈大，計(jì)數(shù)率愈低C.道寬愈小，能量分辨率愈差 D.道寬愈小，計(jì)數(shù)率愈高40.中子與原子核作用主要有兩種形式，它們分別是：（D）---55A.光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng) B.電離、激發(fā)C.散射、彈性碰撞 D.散射、吸收41.中子與原子核相互作用后，中子不消失但改變運(yùn)動(dòng)方向和動(dòng)能，該作用過程稱為散射。散射包括（A）兩大類。---55A.彈性散射、非彈性散射 B.勢(shì)散射、復(fù)合散射C.正散射、反散射 D.電子散射、光子散射42.當(dāng)中子與原子核發(fā)生彈性散射作用時(shí)，其作用規(guī)律是：（D）---56A.核的質(zhì)量愈小，在彈性散射過程原子核獲得的動(dòng)能愈少，即中子動(dòng)能損失愈小B.核的質(zhì)量愈大，在彈性散射過程原子核獲得的動(dòng)能愈多，即中子動(dòng)能損失愈大C.核的質(zhì)量愈大，在彈性散射過程原子核獲得的動(dòng)能愈少，即中子動(dòng)能損失愈大D.核的質(zhì)量愈小，在彈性散射過程原子核獲得的動(dòng)能愈多，即中子動(dòng)能損失愈大。93.下列哪一個(gè)過程不是帶電粒子與物質(zhì)相互作用的過程。（B）---24A.電離 B.光電效應(yīng) C.激發(fā) D.軔致輻射102.下列哪一個(gè)過程不是X、γ射線與物質(zhì)的相互作用的過程。（A）---36A.電離 B.光電效應(yīng) C.康普頓效應(yīng) D.電子對(duì)效應(yīng)103.微觀截面是表示中子與單個(gè)靶核發(fā)生相互作用的概率大小的一種度量。它的量綱是面積。通常采用“靶”作為微觀截面的單位，1靶＝（B）cm2。A.10-20 B.10-24 C.10-28 D.10125.某種材料的宏觀吸收截面Σa＝／cm，那么中子在其中穿過1cm，被該材料的原子核吸收的機(jī)會(huì)就是(C)。---156A. B. C. D.二、填空13.比電離描述了電離能力的強(qiáng)弱，它是指帶電粒子在單位路徑上所產(chǎn)生的。離子對(duì)總數(shù)14.入射帶電粒子當(dāng)其到達(dá)行程的末端時(shí)，因動(dòng)能很小，速度很低，比電離值達(dá)到。最大值15.中子與電子間的相互作用在中子能量損失和慢化方面的貢獻(xiàn)，比起中子與原子核之間的作用來可認(rèn)為。忽略不計(jì)16.中子受核力場(chǎng)作用而發(fā)生散射，中子不進(jìn)入核內(nèi)，只發(fā)生在核的外表面。這種散射稱為：。勢(shì)散射17.中子與核作用時(shí)，進(jìn)入核內(nèi)形成復(fù)合核，復(fù)合核處于激發(fā)態(tài)，發(fā)射一個(gè)中子而回到基態(tài)。這種散射稱為：。復(fù)合核彈性散射18.在過程中，中子將部分動(dòng)能交給原子核，使其不僅獲得反沖動(dòng)能，而且獲得激發(fā)能，因而改變了內(nèi)能，核從激發(fā)態(tài)退激時(shí)放出一個(gè)或幾個(gè)γ光子回到基態(tài)。非彈性散射19.中子與原子核發(fā)生作用時(shí)形成復(fù)合核，復(fù)合核不穩(wěn)定放出γ光子或ρ、α等帶電粒子的反應(yīng)稱為。吸收反應(yīng)是20.氣體探測(cè)器以氣體為工作介質(zhì)，由入射粒子在其中產(chǎn)生的引起輸出信號(hào)的探測(cè)器。電離效應(yīng)三.判斷題11.帶電粒子與核外電子的彈性碰撞導(dǎo)致原子的電離或激發(fā)，是使帶電粒子損失動(dòng)能的主要方式?！?、“彈性碰撞”改成“非彈性碰撞”12.重帶電粒子在其行程的各個(gè)段落的比電離值并不相同?！?3.重帶電粒子與物質(zhì)相互作用時(shí)的電離損失率與靶物質(zhì)的電子密度有關(guān)，即在原子序數(shù)高的靶物質(zhì)中電離損失率小?！?、“小”改成“大”14.入射帶粒子當(dāng)其到達(dá)行程的末端時(shí)，因動(dòng)能很小，速度很低，比電離值達(dá)到最小值。?！痢ⅰ白钚≈怠备某伞白畲笾怠?5.因?yàn)橹貛щ娏Ｗ拥馁|(zhì)量大，軌跡基本上是直線，只是在末端稍有彎曲，所以重帶電粒子的平均射程與它的軌跡平均值是一致的?！?6.在能量相同的情況下，β粒子或電子比α粒子速度大得多，因而β粒子比α粒子的電離損失率大得多。?！痢ⅰ半婋x損失率大得多”改成“電離損失率小得多”17.射線與物質(zhì)作用時(shí)，β粒子的散射作用比重帶電粒子的散射作用小得多?！痢ⅰ靶〉枚唷备某伞按蟮枚唷?8.與β射線最大能量相等的單能電子束，在相同介質(zhì)中，有相同的射程?！?9.射線粒子流實(shí)質(zhì)上是電磁輻射，電磁輻射的波長(zhǎng)長(zhǎng)者能量高，貫穿本領(lǐng)強(qiáng)?！?、“長(zhǎng)者”改成“短者”20.寬束射線和窄束射線的關(guān)鍵性區(qū)別就在于射線束中是否包含反射射線。×、“反射”改成“散射”四.名詞解釋23.射線泛指核衰變、核反應(yīng)或核裂變放出的粒子、光子，以及加速器加速的各種粒子。24.散射入射的帶電粒子靠近靶物質(zhì)的原子核時(shí)，因庫(kù)侖場(chǎng)相互作用，使帶電粒子偏離原來的運(yùn)動(dòng)方向――即散射。25.電離當(dāng)軌道電子獲得的動(dòng)能足以克服原子核的束縛成為自由電子，該過程即為電離。26.激發(fā)當(dāng)軌道電子獲得的動(dòng)能不足以克服原子核的束縛，而是從低能級(jí)躍遷到高能級(jí)，使原子處干激發(fā)，該過程即為電離。27.電離能損失率帶電粒子通過介質(zhì)時(shí)在每單位長(zhǎng)度路徑上因電離、激發(fā)而損失的平均動(dòng)能。28.傳能線密度當(dāng)重帶電粒子通過介質(zhì)時(shí)在每單位長(zhǎng)度路徑上因電離、激發(fā)而損失的平均動(dòng)能。29.比電離指帶電粒子在單位路徑上所產(chǎn)生的離子對(duì)總數(shù)。30.射程粒子在物質(zhì)中運(yùn)行沿著入射方向所能達(dá)到的最大直線距離，叫做入射粒子在該物質(zhì)中的射程。31.輻射損失率帶電粒子在物質(zhì)中通過單位路徑時(shí)因產(chǎn)生軔致輻射而損失的能量稱為輻射損失率。32.半吸收厚度當(dāng)β射線能注量率衰減到起始能注量率的一半時(shí)的介質(zhì)厚度稱半吸收厚度，也稱半值層，記作HVL。33.β放射源的自吸收 放射源放出β射線在穿過自身源體時(shí)也會(huì)因各種相互作用損失動(dòng)能，改變方向或被吸收，這種現(xiàn)象稱為β放射源的自吸收。34.β射線自吸收放射源放出β射線在穿過自身源體時(shí)也會(huì)因各種相互作用損失動(dòng)能，改變方向或被吸收，這種現(xiàn)象稱為β放射源的自吸收。35.截面靶體與特定類型和能量的入射粒子(光子)發(fā)生特定反應(yīng)或過程的幾率P除以入射粒子的注量率。37.粒子注量率 在空間－給定點(diǎn)處射入以該點(diǎn)為中心的小球體的粒子數(shù)dN除以該球體的截面積da,即φ＝dN/da，即粒子注量就是進(jìn)入單位截面積小球體的粒子數(shù)。37.宏觀截面Σ 在給定的體積內(nèi)，所有原子發(fā)生某種特定類型的反應(yīng)或過程的截面總和除以該體積。即某種特定能量的入射之線在單位體積的靶物質(zhì)中發(fā)生某種類型的相互作用的總幾率。37.線衰減系數(shù)單位注量的入射射線通過單位距離厚度的靶物質(zhì)時(shí)，因某種形式的相互作用衰減的幾率。39.輻射探測(cè)器的定義：利用輻射在氣體、液體或固體中引起的電離、激發(fā)效應(yīng)及或其它物理、化學(xué)變化進(jìn)行核輻射探測(cè)的器件稱為輻射探測(cè)器。43.γ射線儀器譜---46γ射線原始能譜是線狀譜，而γ譜儀測(cè)得的能譜曲線是連續(xù)的復(fù)雜譜。這種由儀器測(cè)量而變得復(fù)雜化了的γ譜稱為γ射線儀器譜。44.輻射探測(cè)器---58利用輻射在氣體、液體或固體中引起的電離、激發(fā)效應(yīng)及或其它物理、化學(xué)變化進(jìn)行核輻射探測(cè)的器件稱為輻射探測(cè)器。五.簡(jiǎn)答題11.帶電粒子與物質(zhì)的主要相互作用有哪些？答：帶電粒子與物質(zhì)的四種主要相互作用：(1)與原子核的彈性碰撞；(2)與原子核的非彈性碰撞；(3)與核外電子的彈性碰撞；(4)與核外電子的非彈性碰撞。12.何謂初級(jí)電離和次級(jí)電離？并簡(jiǎn)要說明它們產(chǎn)生的過程。答：帶電粒子與軌道電子發(fā)生非彈性碰撞時(shí)，當(dāng)軌道電子獲得的能量大于該電子的結(jié)合能時(shí)，就會(huì)脫離原子核的束縛成為自由電子。最外層電子受核束縛最弱，最易被擊出。內(nèi)層電子也會(huì)被擊出，當(dāng)外層電子填補(bǔ)內(nèi)層電子留下的空穴時(shí)會(huì)發(fā)射特征X射線或俄歇電子。被擊出的電子稱為次級(jí)電子，一般仍具有足夠能量使其原子電離，這種次級(jí)電子又稱δ電子(或稱δ射線)。由原入射帶電粒子直接與靶原子相互作用產(chǎn)生的電離稱直接電離或初級(jí)電離，由δ電子與靶原子作用產(chǎn)生的電離稱次級(jí)電離。13.α射線與物質(zhì)相互作用的電離損失率的大小與什么因素有關(guān)？

答：與以下因素有關(guān)：(1)與重帶電粒子的電荷Z2成正比，因?yàn)閆大，庫(kù)侖作用力大，轉(zhuǎn)移給電子的能量也更多。(2)與入射帶電粒速度V有關(guān)，而與它的質(zhì)量無關(guān)。(3)與靶物質(zhì)的電子密度正比，即在原子序數(shù)高的靶物質(zhì)中電離損失率大。14.輕帶電粒子與物質(zhì)相互作用的主要形式有哪些，各有什么特點(diǎn)?

答：輕帶電粒子與物質(zhì)相互作用形式主要有：(1)電離、激發(fā)(與靶原子軌道電子非彈性碰撞)是一般能量的輕帶電粒子損耗動(dòng)能的主要形式。(2)韌致輻射(與靶原子核非彈性碰撞)，是高能輕帶電粒子損耗動(dòng)能的重要形式之一。(3)彈性散射(與靶原子核或核外電子彈性碰撞)，入射粒子改變方向，是很低能的輕帶電粒子的主要作用形式。15.β射線與物質(zhì)相互作用的電離損失率的大小與什么因素有關(guān)？與α射線相比有何特點(diǎn)。 答：(1)β粒子的電離損失率與靶物質(zhì)的電子密度NZ有關(guān)，重元素密度大的物質(zhì)，碰撞阻止本領(lǐng)大。(2)β粒子的電離損失率與入射β粒子的速度平方成反比。在能量相同的情況下，β粒子或電子比α粒子速度大得多，因而β粒子比α粒子的電離損失率小得多。16.β射線與物質(zhì)相互作用的輻射損失率的大小與什么因素有關(guān)？與α射線相比有何特點(diǎn)。答：輻射損失率與入射帶電粒子質(zhì)量的平方成反比，因此重帶電粒子引起的輻射損失比電子引起的輻射損失小得多，可以忽略不計(jì)。輻射損失率與介質(zhì)的原子序數(shù)的平方成正比。17.為什么說目前還不能由理論推算β粒子的射程？

答：由于β粒子它們質(zhì)量輕，在與物質(zhì)作用時(shí)散射程度大，在物質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)路徑成折線形式，實(shí)際軌道長(zhǎng)度一般是該軌道在入射方向上投影長(zhǎng)度的～倍。又因輕帶電粒子與物質(zhì)作用時(shí)，單次碰撞可作大的能量轉(zhuǎn)移，輕帶電粒子的能量和射程漲落都比較嚴(yán)重。射程漲落可達(dá)射程值的10～15％。18.單能量電子束和β射線通過相同介質(zhì)時(shí)的衰減規(guī)律有什么差異，為什么?

答：在β射線最大能量與單能電子束能量相同時(shí)，單能電子束衰減曲線近似于直線，其斜率與電子束的能量有關(guān)。對(duì)于β射線，總體上看，大致按指數(shù)規(guī)律衰減。因?yàn)棣律渚€能量是0～Emax連續(xù)分布，各種能量成份的β粒子按自己的規(guī)律衰減，對(duì)應(yīng)于各種斜率的近似直線，疊加的結(jié)果，大致符合指數(shù)規(guī)律衰減。19.為什么X、γ射線與物質(zhì)相互作用程度采用幾率來描述作用幾率的大小與什么有關(guān) 答：因?yàn)閄、γ射線具有作用次數(shù)少，單次作用中能量損失大的特點(diǎn)，以及各種相互作用具有隨機(jī)性，因而每個(gè)入射光子與特定靶體只是以某一幾率發(fā)生相互作用，所以X、γ射線與物質(zhì)相互作用程度采用幾率來描述。作用幾率的大小取決于入射光子的能量和靶體性質(zhì)。20.什么是宏觀總截面它與質(zhì)量衰減系數(shù)有什么關(guān)系答：宏觀總截面是一束特定能量的射線在靶物質(zhì)中的線衰減系數(shù)，記作μ，它表明單位注量的入射射線通過一單位距離厚度的靶物質(zhì)時(shí)，因發(fā)生各種相互作用而被衰減的幾率。質(zhì)量衰減系數(shù)的定義是：μm＝μ/ρ。即單位注量的入射射線，通過一單位質(zhì)量厚度(1g/cm2)21.γ射線與物質(zhì)相互作用的三種效應(yīng)是什么，作用的對(duì)象和次級(jí)粒子各是什么?

答：γ射線與物質(zhì)相互作用的三種效應(yīng)是：光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)。光電效應(yīng)作用的對(duì)象是靶物質(zhì)的核外電子，生成的次級(jí)粒子是自由電子；康普頓效應(yīng)作用的對(duì)象也是靶物質(zhì)的核外電子，生成的次級(jí)粒子是自由電子和散射光子；電子對(duì)效應(yīng)作用的對(duì)象是靶物質(zhì)的原子核，生成的次級(jí)粒子是一對(duì)符號(hào)相反的自由電子。22.什么是光電效應(yīng)什么是康普頓效應(yīng)答：能量為hυ的光子通過物質(zhì)時(shí)，與原子中的一個(gè)軌道電子相互作用，光子將全部能量轉(zhuǎn)移給這個(gè)軌道電子，使之脫離原子核的束縛成為自由電子，而光子本身消失，這種過程叫做光電效應(yīng)。能量為hυ的光子，與靶物質(zhì)的一個(gè)軌道電子相互作用，交部份能量傳遞給軌道電子使其發(fā)射出去，而失去部份能量的光子，波長(zhǎng)變大，向θ角方向散射。這種效應(yīng)稱康普頓效應(yīng)。23.光電效應(yīng)有什么特點(diǎn)？

答：光電效應(yīng)特點(diǎn)：①參與光電效應(yīng)過程的是入射光子、原子核、內(nèi)層軌道電子。②相互作用后，光子能量全部轉(zhuǎn)移給光電子，因而光子消失。③光電效應(yīng)可發(fā)生在原子各個(gè)殼層的電子上，但光子能量必須大于該層電子的結(jié)合能。④內(nèi)層電子發(fā)生光電效應(yīng)的幾率總要大于外層電子的幾率。24.什么是X、γ射線的平均自由程？什么是X、γ射線的半吸收厚度？它們之間是什么關(guān)系。答：平均自由程L是一束光子通過物質(zhì)時(shí)，各光子從進(jìn)入物質(zhì)到與原子核發(fā)生第一次任何相互作用所通過的路程的平均值。半吸收厚度D1/2是使γ(X)射線注量減弱一半的物質(zhì)厚度。它們之間的關(guān)系為D1/2=。25.什么是單逃逸峰什么是雙逃逸峰 答：當(dāng)光子進(jìn)入晶體發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)時(shí)，當(dāng)正、負(fù)電子失去全部動(dòng)能，負(fù)電子作為自由電子存在，而正電子則與晶體內(nèi)的自由電子結(jié)合發(fā)生湮沒輻射，轉(zhuǎn)化為兩個(gè)能量為的湮沒光子。當(dāng)有一個(gè)湮滅光子逃逸出閃爍晶體，只有一個(gè)湮滅光子被記錄，此時(shí)形成的脈沖幅度較小，在相應(yīng)能量位置上的譜峰稱為單逃逸峰。兩個(gè)湮滅光子皆逃出閃爍晶體，只有正、負(fù)電子對(duì)被記錄，此時(shí)形成的脈沖幅度更小，對(duì)應(yīng)能量為處形成的峰為雙逃逸峰。26.能量相同的電子束和β射線通過相同介質(zhì)時(shí)的衰減規(guī)律有什么差異，為什么?

答：在β射線最大能量與單能電子束能量相同時(shí)，β射線和單能子束的衰減曲線形態(tài)顯著不同。單能電子束衰減曲線近似于直線，其斜率與電子束的能量有關(guān)。對(duì)于β射線，因?yàn)槟芰渴?～Emax連續(xù)分布，所以在即使很薄的吸收層中也會(huì)有相當(dāng)數(shù)量的低能粒子被散射或因喪失動(dòng)能而被吸收。各種能量成分的β粒子按自己的規(guī)律衰減，疊加的結(jié)果從總體上看，大致按指數(shù)規(guī)律衰減，且β射線衰減比單能電子快。27.何謂窄束γ射線和寬束γ射線?

答：所謂窄束(X、γ)射線是指不包含散射成份的(X、γ)射線束，通常采用準(zhǔn)直器獲得這種不含散射射線的細(xì)小射線束而得名。所謂寬束γ(X)射線是指在原始能量射線中還包含散射射線的γ(X)射線束。28.簡(jiǎn)述中子與物質(zhì)相互作用的主要形式。 答：中子與物質(zhì)作用的主要形式是中子與物質(zhì)的原子核發(fā)生相互作用，它包括：散射和吸收。散射是中子與原子核相互作用后，中子不消失但改變運(yùn)動(dòng)方向和動(dòng)能，散射分彈性散射和非彈性散射。吸收是中子與原子核發(fā)生作用形成復(fù)合核，復(fù)合核不穩(wěn)定放出γ光子或ρ、α等帶電粒子的反應(yīng)，這種現(xiàn)象的特點(diǎn)是：作用后，中子消失，而原子核也發(fā)生質(zhì)變化。29.簡(jiǎn)述氣體探測(cè)器、閃爍探測(cè)器、半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理。答：氣體探測(cè)器以氣體為工作介質(zhì)，由入射粒子在其中產(chǎn)生的電離效應(yīng)引起輸出信號(hào)的探測(cè)器。閃爍探測(cè)器一般由閃爍體和光電倍增管組成，當(dāng)入射帶電粒子使探測(cè)介質(zhì)的原子電離、激發(fā)而退激時(shí)，可發(fā)出可見光光子，稱為熒光光子，這樣光的強(qiáng)度通過高靈敏的光電倍增管(PMT)在輸出回路上形成輸出信號(hào)。半導(dǎo)體探測(cè)器是探測(cè)介質(zhì)是半導(dǎo)體材料，入射帶電粒子在探測(cè)介質(zhì)內(nèi)在通過電離損失能量的同時(shí)，在探測(cè)介質(zhì)內(nèi)形成電子一空穴對(duì)，電子一空穴對(duì)在相電極的定向漂移過程中，在輸出回路上形成輸出信號(hào)。30.輻射探測(cè)的基本過程是什么?

答：1)．輻射粒子射入探測(cè)器的靈敏體積；2)．入射粒子通過電離、激發(fā)等效應(yīng)而在探測(cè)器中沉積能量；3)．探測(cè)器通過各種機(jī)制將沉積能量轉(zhuǎn)換成某種形式的輸出信號(hào)。31.比較理想的閃爍體應(yīng)具有哪些性質(zhì)？

答：(1)將帶電粒子動(dòng)能轉(zhuǎn)變成熒光光子的效率高，即高的發(fā)光效率。(2)入射帶電粒子損耗的能量與產(chǎn)生的熒光光子數(shù)具有良好的線性關(guān)系。(3)閃爍體介質(zhì)對(duì)自身發(fā)射的光是透明的。(4)入射粒子產(chǎn)生的閃光持續(xù)時(shí)間，即閃爍體的發(fā)光衰減時(shí)間要盡量短，以便能產(chǎn)生快的輸出信號(hào)，獲得好的時(shí)間響應(yīng)。(5)合適的折射率和良好的加工性能。32.光電倍增管是由什么組成？使用時(shí)應(yīng)考慮哪些性能指標(biāo)。答：光電倍增管(PMT)是一種光電器件，主要由光陰極、聚焦極、打拿極(聯(lián)極)和陽極組成，封于玻璃殼內(nèi)并帶有各電極引出。光電信增管的產(chǎn)品很多，但主要要注意它的光陰極的光譜響應(yīng)與閃爍體的發(fā)射光譜相匹配；具有較高的陰極靈敏度和陽極靈敏度；較低的暗電流或噪聲脈沖；良好的工藝和穩(wěn)定性。六.論述題4.什么是放射層的β射線自吸收現(xiàn)象，從理論上推導(dǎo)β射線凈計(jì)數(shù)率I與層狀放射源厚度h的關(guān)系。答：放射源放出β射線在穿過自身源體時(shí)也會(huì)因各種相互作用損失動(dòng)能，改變方向或被吸收，這種現(xiàn)象稱為β放射源的自吸收。設(shè)：I0—沒有自吸收時(shí)單位厚度放射層的β射線計(jì)數(shù)率；μ—β放射層自吸收系數(shù)；h—β放射層總厚度；dx—放射層中任一薄層；x—dx薄層到源層面距離。（3分）當(dāng)沒有自吸收時(shí)，dX薄層的β射線在源層面產(chǎn)生的β射線計(jì)數(shù)應(yīng)為I0dx。當(dāng)經(jīng)過源體的X厚度后，在源層面產(chǎn)生的β射線計(jì)數(shù)率應(yīng)為dI=I0dx·e-μx。整個(gè)層狀源在層面的總β射線計(jì)數(shù)率應(yīng)為：5.試推導(dǎo)單色窄束光子在物質(zhì)中的衰減規(guī)律。答：設(shè)：I0單色窄束光子未通過介質(zhì)時(shí)光子注量率。I―該束光子進(jìn)入介質(zhì)深度為X處尚存的光子注量率。dX―介質(zhì)的薄層厚度(㎝)。dI—光子束通過dX時(shí)，減弱的光子注量率。μ―該能量光子在介質(zhì)中的線衰減系數(shù)(㎝－1)。通過dX薄層被減弱的光子注量率dI正比于I和dX。即磁-dI=μ·I·dx，-dI/I=μdx。初始條件：X＝0時(shí)，I＝I0對(duì)式積分，得X＝d時(shí)I＝I0e-μd。此為單色，窄束(X、γ)射線通過物質(zhì)時(shí)的衰減規(guī)律。6.何謂γ射線儀器譜?試分析采用NaI(T1)探測(cè)器測(cè)得的137Cs的γ射線能譜的全能峰、康普頓散射坪臺(tái)。答：射線原始能譜是線狀譜，而γ譜儀測(cè)得的能譜曲