中航重慶微電子產(chǎn)品培訓(xùn)

中航重慶微電子產(chǎn)品培訓(xùn)第一頁(yè)，共16頁(yè)。目錄一、同步整流應(yīng)用方案簡(jiǎn)介 1、同步整流的定義 2、同步整流的由來(lái)及優(yōu)缺點(diǎn) 3、應(yīng)用系統(tǒng)原理介紹 4、時(shí)機(jī)產(chǎn)品及重點(diǎn)關(guān)注參數(shù) 5、市場(chǎng)及競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析二、xxxx方案簡(jiǎn)介三、xxxx方案簡(jiǎn)介四、xxxx方案簡(jiǎn)介第二頁(yè)，共16頁(yè)。同步整流應(yīng)用方案簡(jiǎn)介一、同步整流應(yīng)用方案簡(jiǎn)介第三頁(yè)，共16頁(yè)。1、同步整流的定義 同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高開(kāi)關(guān)電源變換器的效率且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。MOSFET做整流器時(shí)，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之同步整流。第四頁(yè)，共16頁(yè)。2、同步整流的由來(lái)優(yōu)缺點(diǎn)①、同步整流的由來(lái) 隨著電子技術(shù)的開(kāi)展，使得電路的工作電壓越來(lái)越低、電流越來(lái)越大。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD)，也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。同步整流技術(shù)的應(yīng)用，可以徹底的解決這個(gè)問(wèn)題。第五頁(yè)，共16頁(yè)。舉例說(shuō)明：，所消耗的電流可達(dá)20A。此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過(guò)電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會(huì)到達(dá)〔18%～40%〕PO，占電源總損耗的60%以上。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無(wú)法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開(kāi)關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約開(kāi)關(guān)電源變換器提高效率的瓶頸。2、同步整流的由來(lái)優(yōu)缺點(diǎn)第六頁(yè)，共16頁(yè)。2、同步整流的由來(lái)優(yōu)缺點(diǎn)②、同步整流的優(yōu)缺點(diǎn) 同步整流與傳統(tǒng)的肖特基整流技術(shù)可以這樣理解： 整流管可以看成一扇門，傳統(tǒng)的整流技術(shù)類似于一扇必須要通過(guò)有人大力推才能推開(kāi)的門，故電流通過(guò)這扇門時(shí)每次都需要巨大努力，出了一身汗，損耗自然也就不少了； 而同步整流技術(shù)有點(diǎn)類似我們通過(guò)的較高檔場(chǎng)所的感應(yīng)門：看起來(lái)是關(guān)著的，但你走到它跟前需要通過(guò)的時(shí)候，它就自己開(kāi)了，根本不用你自己費(fèi)大力去推，所以自然就沒(méi)有損耗。 通過(guò)上面這個(gè)類比，我們可以知道，同步整流技術(shù)大大減少了開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流損耗，轉(zhuǎn)換效率顯著提高，能有效降低電源本身發(fā)熱，對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的溫升和系統(tǒng)穩(wěn)定性改善明顯。 缺點(diǎn)：相比于傳統(tǒng)整流方案，本錢較高。第七頁(yè)，共16頁(yè)。3、應(yīng)用系統(tǒng)原理介紹系統(tǒng)應(yīng)用方案框架圖：第八頁(yè)，共16頁(yè)。系統(tǒng)應(yīng)用方案例如：①PWM控制IC②高壓MOSFET③同步整流MOS3、應(yīng)用系統(tǒng)原理介紹第九頁(yè)，共16頁(yè)。4、時(shí)機(jī)產(chǎn)品及重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)時(shí)機(jī)點(diǎn)：①、PWM控制器 開(kāi)關(guān)電源芯片，目前我們有成熟的YS253X系列原邊反響、YS235X系列次邊反響及較大功率的YS2263三類IC； 最新研發(fā)的能效六的產(chǎn)品即將release；重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)： IC的工作頻率；能效等級(jí)；保護(hù)功能等

第十頁(yè)，共16頁(yè)。時(shí)機(jī)點(diǎn)：②、高壓MOS 高壓MOS開(kāi)關(guān)管，在任何開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中必不可少的器件。根據(jù)功率等級(jí)和散熱的需求，有外掛MOS和dualdie 兩種。 重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)： MOS的耐壓、Id、Rdson、結(jié)電容、封裝形式等。4、時(shí)機(jī)產(chǎn)品及重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)第十一頁(yè)，共16頁(yè)。時(shí)機(jī)點(diǎn)：③、同步整流MOS 次級(jí)側(cè)整流開(kāi)關(guān)，取代傳統(tǒng)的肖特基。 目前我們的P1E、P7A、PFC都具有良好的性價(jià)比，成品管是一個(gè)潛在的時(shí)機(jī)。 市面上現(xiàn)在的50V60A，100V60A較常見(jiàn)。 重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)： Rdson、結(jié)電容、耐壓值等4、時(shí)機(jī)產(chǎn)品及重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)第十二頁(yè)，共16頁(yè)。應(yīng)用市場(chǎng)： 手機(jī)快充、通信電源模塊、計(jì)算機(jī)及高效率消費(fèi)電子產(chǎn)品、大功率LED路燈電源等

PWM控制器國(guó)內(nèi)月需求量：300KK左右； 高壓開(kāi)關(guān)MOS國(guó)內(nèi)月需求量：400KK左右； 同步整流MOS國(guó)內(nèi)月需求量：100KK左右。5、市場(chǎng)及競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析第十三頁(yè)，共16頁(yè)。5、市場(chǎng)及競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析：

PWM控制器方面：

昂寶、安森美、PI、TI、NXP、仙童、士蘭微、晶豐明源等 高壓MOS開(kāi)關(guān)管方面：

IR、Fairchild、ST、Infineon、Vishay、士蘭微、東芝、華微、華晶等