硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)資料僅供參考文件編號：2022年4月硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)版本號：A修改號：1頁次：1.0審核：批準(zhǔn):發(fā)布日期：單晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍本要求規(guī)定了單晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗規(guī)范等本要求適用于單晶硅片的采購及其檢驗。2規(guī)范性引用文件ASTMF42-02

半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法ASTMF26

半導(dǎo)體材料晶向測試方法

ASTMF84

直線四探針法測量硅片電阻率的試驗方法ASTMF1391-93

太陽能硅晶體碳含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法ASTMF121-83

太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法ASTMF1535

用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實驗方法

3術(shù)語和定義TV：硅片中心點的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點厚度：邊緣上下左右6mm處4點和中心點）；位錯：晶體中由于原子錯配引起的具有伯格斯矢量的一種線缺陷；位錯密度：單位體積內(nèi)位錯線的總長度(cm/cm3)，通常以晶體某晶面單位面積上位錯蝕坑的數(shù)目來表示；崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：單晶硅片四個角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較的差值。密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4分類單晶硅片的等級有A級品和B級品，規(guī)格為：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156

′156(mm)。5技術(shù)要求外觀

見附錄表格中檢驗要求。外形尺寸

方片TV為200±20um,測試點為中心點；

方片TTV小于30um，測試點為邊緣6mm處4點、中心1點；

硅片TTV以五點測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%；

相鄰C段的垂直度：90

o±；

其他尺寸要求見表1。表1

單晶硅片尺寸要求規(guī)格

（mm）尺寸（mm）A（邊長）B（直徑）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.

125′125Ⅰ

125′125Ⅱ

156′156

注1：A、B、C、D分別參見圖1。

圖1

硅單晶片尺寸示意圖材料性質(zhì)導(dǎo)電類型：

序號硅片類型摻雜劑1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Boron)硅片電阻率：見下表；硅片少子壽命：見下表（此壽命為2mm樣片鈍化后的少子壽命）；晶向：表面晶向<100>+/°；

位錯密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。

6檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度≥1000Lux）。檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺（）、厚度測試儀/千分表（）、水平測試臺面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。檢測項目：導(dǎo)電類型、氧碳含量、單晶晶向、單晶位錯密度、電阻率、少子壽命、外形尺寸。檢測方案：外觀和尺寸進行全檢，材料的性能和性質(zhì)以單晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個批次硅片的檢測報告。檢驗結(jié)果的判定檢驗項目的合格質(zhì)量水平詳見附錄表A《檢驗項目、檢驗方法及檢驗規(guī)則對照表》。

7包裝、儲存和運輸要求

每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號，清單和實物一一對應(yīng)，每個小包裝要有晶體編號，不同晶體編號放在同一包裝要能明確區(qū)分開。

產(chǎn)品應(yīng)儲存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：10℃～40℃；濕度：≤60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。產(chǎn)品運輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。檢驗項目檢驗要求檢測工具抽樣計劃驗收標(biāo)準(zhǔn)硅片等級A級品B級品外

觀崩邊/硅落崩邊硅落長寬≦*不穿透。崩邊長寬≦1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚≦**100um。目

測粗糙度測試儀日光燈(≥1000Lux)全

檢數(shù)量≤2數(shù)量≤4切割線痕線痕深度≦15um，但無密集線痕。線痕深度≦30um。缺角/缺口缺口長寬≦*。無V型缺口、缺角長寬≦1mm*，無可見有棱角的缺角，數(shù)量≤2。毛邊/亮點長度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面。長不限,深度不能延伸到硅片表面。表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。輕微可清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及≦2個針尖狀的無凹凸的印跡。無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他無孿晶、slip、應(yīng)力、裂紋、凹坑、氣孔及明顯劃傷。無孿晶、slip、應(yīng)力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷。尺

寸規(guī)格（㎜）寸尺電子卡尺萬能角規(guī)切片前全檢晶錠尺寸邊長（㎜）直徑（㎜）其它尺寸（㎜）垂直度（O）MaxMinMaxMin具體見上表1和圖190±125′125Ⅰ125′125Ⅱ156′156TV200±20μm（中心點）200±30μm測厚儀/

千分表

抽檢TTV≤30μm

（中心1點和邊緣6mm位置4點）≤50μm翹曲度≤70μm≤100μm性

能位錯密度≤3000/cm2≤3000/cm2顯微鏡截取晶錠頭尾部2mm樣片進行測試.。退火后測電阻率。鈍化后測試少子壽命。導(dǎo)電型號N型/P型N型/P型型號儀電阻率Ω.cm—Ω.cm

/

Ω.cm—Ω.cm電阻率測試儀氧含量≤20ppmaFTIR氧碳含量測試儀碳含量≤少子壽命≥100μs

/

≥15μs壽命測試儀多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍本要求規(guī)定了多晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗規(guī)范等本要求適用于多晶硅片的采購及其檢驗。2規(guī)范性引用文件ASTMF42-02

半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法

ASTMF84

直線四探針法測量硅片電阻率的試驗方法ASTMF1391-93

太陽能硅晶體碳含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法ASTMF121-83

太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法ASTMF1535

用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實驗方法

3術(shù)語和定義TV：硅片中心點的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點厚度：邊緣上下左右4點和中心點）；崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：多晶硅片四個角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較的差值。密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4分類多晶硅片的等級有A級品和B級品，規(guī)格為：156mm

′156mm。5技術(shù)要求外觀

見附錄表格中檢驗要求。外形尺寸

方片TV為200±20um,測試點為中心點；

方片TTV小于30um，測試點為邊緣6mm處4點、中心1點；

硅片TTV以五點測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%；

相鄰C段的垂直度：90

o±。

其他尺寸要求見表1。表1

多晶硅片尺寸要求規(guī)格

（mm）尺寸（mm）A（邊長）B（對角線）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.

156′156

注1：A、B、C、D分別參見圖1。

圖1

硅多晶片尺寸示意圖

材料性質(zhì)導(dǎo)電類型：P型，摻雜劑：B，硼(Boron)；硅片電阻率：摻硼多晶片：電阻率為1Ω·cm～3Ω·cm；多晶硅少子壽命≥2us；氧碳含量：氧含量≤12ppma，碳含量≤12ppma。

6檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度≥1000Lux）。檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺（）、厚度測試儀/千分表（）、水平測試臺面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。檢測項目：導(dǎo)電類型、氧碳含量、電阻率、少子壽命、外形尺寸。檢測方案：外觀和尺寸進行全檢，材料的性能和性質(zhì)以多晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個批次硅片的檢測報告。檢驗結(jié)果的判定7包裝、儲存和運輸要求每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號，清單和實物一一對應(yīng)，每個小包裝要有晶體編號，不同晶體編號放在同一包裝要能明確區(qū)分開。產(chǎn)品應(yīng)儲存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：10℃～40℃；濕度：≤60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。產(chǎn)品運輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。

8．附錄A

《多晶硅片檢驗項目、檢驗方法及檢驗規(guī)則對照表》。

注：本《多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》中未明示事項或?qū)Ξa(chǎn)品檢驗標(biāo)準(zhǔn)存在異議，均以附件《太陽能級多晶硅片國家標(biāo)準(zhǔn)》為準(zhǔn)。外觀可以見FTS限度樣本。檢驗項目檢驗要求檢測工具抽樣計劃驗收標(biāo)準(zhǔn)硅片等級A級品B級品外

觀崩邊/

硅落崩邊硅落長寬≦*不穿透。崩邊長寬≦1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚≦**100um目

測粗糙度測試儀日光燈(≥1000Lux)全

檢數(shù)量≤2數(shù)量≤4切割線痕線痕深度≦15um，但無密集線痕。線痕深度≦30um。缺角/缺口缺口長寬≦*。無V型缺口、缺角長寬≦1mm*，無可見有棱角的缺角，數(shù)量≤2毛邊/亮點長度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面。長不限,深度不能延伸到硅片表面。表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。輕微可清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及≦2個針尖狀的無凹凸的印跡無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他無應(yīng)力、裂紋、凹坑、氣孔及明顯劃傷，微晶數(shù)目≦10pcs/cm無應(yīng)力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷，微晶數(shù)目≦10pcs/cm尺寸規(guī)格（㎜）尺寸電子卡尺萬能角規(guī)全檢晶錠尺寸邊長(mm)直徑