中科院研究生院碩士研究生入學考試

華北電力大學2023年博士生入學考試初試科目考試大綱考試命名名稱：半導體物理一、考試總體要求本門課程主要考察學生對半導體物理的基本概念、基本理論和基本方法的全面認識，正確理解和運用能力。要求考生對其基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握書中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。掌握《半導體物理學》中半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài);雜質(zhì)和缺陷能級;載流子的統(tǒng)計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律;半導體的表面和界面:包括p-n結(jié)、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié);半導體的光學性質(zhì)、光電與發(fā)光等物理現(xiàn)象和非晶半導體部分。

二、考試內(nèi)容1．半導體中的電子狀態(tài)：（1）半導體的晶體結(jié)構(gòu)；（2）半導體中的電子狀態(tài)和能帶；（3）半導體的電子、空穴及有效質(zhì)量；（4）硅、鍺等常見半導體的能帶結(jié)構(gòu)2.半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級：（1）硅、鍺中的雜質(zhì)能級、淺能級雜質(zhì)電離能；（2）常見的雜質(zhì)種類；（3）施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)及對應的能級；3.半導體中的載流子統(tǒng)計分布：（1）狀態(tài)密度；（2）費米能級和載流子的統(tǒng)計分布；（3）本征半導體的載流子濃度、雜質(zhì)半導體的載流子濃度；（4）一般情況下的載流子統(tǒng)計分布、簡并半導體4.半導體的導電特性（1）漂移、擴散運動；（2）電導率、遷移率；（3）載流子的散射、平均壽命、平均擴散長度、擴散/漂移電流5.非平衡載流子：（1）非平衡載流子的注入與復合；（2）非平衡載流子的壽命、復合理論、陷阱效應；（3）連續(xù)性方程、愛因斯坦關系、載流子的漂移擴散6.pn結(jié)：（1）pn結(jié)及能帶圖、雜質(zhì)分布、空間電荷區(qū)、接觸電勢差、載流子分布等；（2）pn結(jié)電流電壓特性、影響該特性偏離理想方程的各種因素；（3）pn結(jié)電容；（4）pn結(jié)的擊穿；（5）pn結(jié)隧道效應7.金屬和半導體接觸：（1）金屬半導體接觸及其能帶圖；（2）金屬半導體接觸的整流理論；（3）少數(shù)載流子的注入與歐姆接觸8.半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)：（1）表面態(tài)、表面電場效應；（2）MIS結(jié)構(gòu)的CV特性；（3）表面電導及遷移率；9．半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、光學性質(zhì)、光電、發(fā)光、熱電、磁和壓阻效應、非晶態(tài)半導體：對這些概念的一般性了解。三、考試的題型名詞解釋、簡答題、作圖題、計算題四、參考書目《半導體物理學》，劉恩科著，

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