晶盛機(jī)電：長晶爐龍頭地位持續(xù)強(qiáng)化材料布局打造新增長點(diǎn)

晶盛機(jī)電：長晶爐龍頭地位持續(xù)強(qiáng)化，材料布局打造新增長點(diǎn)1.投資邏輯首先，我們認(rèn)為目前硅片廠搶地盤式的競爭性擴(kuò)張態(tài)勢將弱化供需的周期性，而上游長晶設(shè)備的景氣度有望延續(xù)，公司作為上游長晶設(shè)備龍頭廠商，將長期受益。公司目前產(chǎn)銷兩旺，充沛而持續(xù)遞增的訂單對公司未來2-3年高速成長起到支撐。目前訂單的主要增長邏輯，主要來自于硅片廠商類似于搶地盤式的產(chǎn)能競爭擴(kuò)張策略，背后有三方面因素推動(dòng)：其一基于在硅料漲價(jià)背景下對供應(yīng)安全的應(yīng)對性需求；其二是出于“先搶地，再耕田”的戰(zhàn)略性行為；其三是大尺寸硅片呈確定性趨勢，硅片產(chǎn)能仍面臨結(jié)構(gòu)性供應(yīng)不足。后兩點(diǎn)決定了硅片廠擴(kuò)產(chǎn)并非短期行為，并加快長晶設(shè)備技術(shù)升級(jí)速度，有助于熨平上游設(shè)備的出貨周期性波動(dòng)。同時(shí)，公司緊密綁定中環(huán)等大客戶，一方面通過“先進(jìn)拉晶技術(shù)+維保服務(wù)”賦能長晶設(shè)備的售賣；另一方面，公司從主體長晶設(shè)備、配套設(shè)備，到配套耗材的全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)體系也在不斷完善。充分圍繞大客戶需求進(jìn)行配套，是公司保持行業(yè)龍頭地位并進(jìn)一步增強(qiáng)的主要原因。在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司通過前期與包括TCL中環(huán)在內(nèi)的大客戶深度合作，在半導(dǎo)體大硅片的晶體生長及加工設(shè)備領(lǐng)域樹立了品牌，已打入了多家國內(nèi)頭部硅片大廠的供應(yīng)鏈體系，首次實(shí)現(xiàn)這個(gè)領(lǐng)域設(shè)備的大規(guī)模國產(chǎn)替代，并受益于這一輪國產(chǎn)大硅片擴(kuò)產(chǎn)周期。除了大硅片的長晶設(shè)備外，公司持續(xù)在半導(dǎo)體硅外延，化合物半導(dǎo)體外延，以及化學(xué)氣相沉積CVD等核心設(shè)備的研發(fā)，并有望在未來半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代中脫穎而出，建立繼光伏之后，新的設(shè)備領(lǐng)域增長曲線。在新材料業(yè)務(wù)拓展上，石英材料上成效顯著，碳化硅蓄勢待發(fā)。公司通過提前把綁定進(jìn)口石英砂產(chǎn)能，以及寧夏鑫晶年產(chǎn)4.8萬只石英坩堝的投產(chǎn)，公司在石英耗材上已形成大批量供應(yīng)的能力；在碳化硅材料上，公司在碳化硅長晶核心技術(shù)上研發(fā)積累已久，目前6英寸量產(chǎn)線良率爬坡在即，并成功生長出8英寸碳化硅晶體，公司在碳化硅長晶爐上能夠?qū)崿F(xiàn)自供，隨著長晶良率的進(jìn)一步提升，2023年6寸碳化硅襯底有望實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N售能力。從商業(yè)模式上看，公司已經(jīng)形成了設(shè)備+材料的雙軌經(jīng)營模式。設(shè)備上，光伏長晶業(yè)務(wù)的龍頭地位繼續(xù)得到夯實(shí)，同時(shí)在半導(dǎo)體長晶領(lǐng)域得到了突破性的發(fā)展。在材料上，公司通過設(shè)備業(yè)務(wù)積累了深厚的客戶群體和信任基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了在核心材料，如石英等上的規(guī)?；N售，后期將進(jìn)一步導(dǎo)入包括金剛絲線材料銷售，從材料端上強(qiáng)化同客戶的粘性。在核心材料推動(dòng)和保證客戶量產(chǎn)進(jìn)度，轉(zhuǎn)而進(jìn)一步提升公司長晶設(shè)備的銷售，形成正反饋。而新的業(yè)務(wù)拓展上，公司在半導(dǎo)體其他沉積設(shè)備如CVD，ALD以及碳化硅襯底材料上的研發(fā)和業(yè)務(wù)拓展，正在看到實(shí)現(xiàn)收入的潛力。設(shè)備和材料兩條成長曲線也日益清晰。2.光伏：下游競爭性擴(kuò)產(chǎn)趨勢強(qiáng)化公司長晶爐龍頭地位在下游客戶競爭性擴(kuò)產(chǎn)趨勢下，公司訂單持續(xù)保持快速增長態(tài)勢，公司目前在手訂單量已可支撐公司未來2-3年的收入增速。2017年以來，公司新增訂單和設(shè)備銷售收入均保持快速增長，根據(jù)公司公告，截至2022H1，待完成設(shè)備合同約230億元，公司庫存量自2020年以來也大幅提升（2022H1合同負(fù)債70億元），公司目前待完成訂單及庫存設(shè)備收入確認(rèn)后可釋放的收入總量可觀。訂單持續(xù)增長對未來幾年持續(xù)高成長形成支撐和保證。目前公司產(chǎn)能均處于滿負(fù)荷運(yùn)行狀態(tài)，新增產(chǎn)能也在持續(xù)建設(shè)并開出中，快速增長的產(chǎn)能輸出以及訂單收入確認(rèn)在推動(dòng)公司業(yè)績高增長同時(shí)也強(qiáng)化了公司在光伏長晶爐領(lǐng)域的龍頭地位。公司作為國內(nèi)長晶設(shè)備龍頭，主打210尺寸長晶設(shè)備，下游以大尺寸產(chǎn)能需求的硅片客戶為主，包括光伏硅片雙寡頭之一的中環(huán)，一體化布局的晶科、晶澳，以及光伏新勢力高景、雙良等。公司目前最大訂單量來自于中環(huán)，根據(jù)公告，2021年公司共獲得中環(huán)82億元的長晶爐訂單，接近占當(dāng)年新增訂單近一半份額。在全球新能源需求刺激下，國內(nèi)下游的硅片行業(yè)正進(jìn)入競爭性擴(kuò)張階段。經(jīng)過2020-2021年光伏行業(yè)的兩輪大幅擴(kuò)產(chǎn)，從2022年看擴(kuò)產(chǎn)趨勢仍在持續(xù)。硅片作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模最大的環(huán)節(jié)，2020年至今累計(jì)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模已超過1000GW，其中2022年1-8月硅片領(lǐng)域擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模達(dá)418GW，已超過2021全年擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模。通過對擴(kuò)產(chǎn)數(shù)據(jù)的整理，公司下游主要客戶繼續(xù)處于積極擴(kuò)產(chǎn)狀態(tài)中：2022年中環(huán)、高景、雙良硅片產(chǎn)能規(guī)劃分別達(dá)140GW/30GW/50GW，三者合計(jì)規(guī)劃產(chǎn)能相較于2021年翻倍；除硅片環(huán)節(jié)，中環(huán)、上機(jī)、雙良也積極向組件及電池環(huán)節(jié)縱向布局，晶科和晶澳也在加速其一體化戰(zhàn)略，在硅片、電池、組件多環(huán)節(jié)同步擴(kuò)產(chǎn)。硅片廠競爭性擴(kuò)產(chǎn)趨勢持續(xù)發(fā)酵，弱化行業(yè)供需周期性，利好硅片長晶設(shè)備硅片廠商類似于搶地盤式的產(chǎn)能擴(kuò)張策略，背后有三方面因素推動(dòng)：其一基于在硅料漲價(jià)背景下對供應(yīng)安全的應(yīng)對性需求；其二是出于“先搶地，再耕田”的戰(zhàn)略性行為；其三是大尺寸硅片呈確定性趨勢，硅片產(chǎn)能仍面臨結(jié)構(gòu)性供應(yīng)不足。后兩點(diǎn)決定了硅片廠擴(kuò)產(chǎn)并非短期行為，并加快長晶設(shè)備技術(shù)升級(jí)速度，下游客戶的競爭性擴(kuò)張態(tài)勢，并不完全受到市場供需影響，弱化了行業(yè)周期，并對上游長晶設(shè)備形成長期支撐。一，硅料供應(yīng)和價(jià)格的波動(dòng)推動(dòng)硅片廠加大產(chǎn)能裕量硅料環(huán)節(jié)的供應(yīng)緊缺和價(jià)格不穩(wěn)定影響下游供應(yīng)安全，組件廠商紛紛與硅片廠簽訂長單，以保證上游供應(yīng)的穩(wěn)定性，而硅片廠需要建立更大的產(chǎn)能裕量以保證在供應(yīng)上的穩(wěn)定性，防止市場份額的丟失。截至2022年9月，硅料價(jià)格攀升至44美元/千克，相較于2020年初上漲近3倍。硅料作為光伏電池的核心原料，具有投資大、技術(shù)工藝復(fù)雜、投資周期長的特征。產(chǎn)能釋放需要較長建設(shè)周期，而供需錯(cuò)配形成的硅料價(jià)格波動(dòng)勢必會(huì)影響下游的供貨穩(wěn)定性。自2020年下半年硅料漲價(jià)以來，為保障供應(yīng)安全，多家龍頭組件廠簽訂硅片長單以確保供應(yīng)：其中包括有2021年末愛旭分別與雙良和上機(jī)數(shù)控簽訂合同，鎖定未來三年近30億片的硅片供應(yīng)；2022年初，通威通過協(xié)議鎖定雙良2024年底前10.5億片的硅片供應(yīng)；2022年5月東方日升向雙良簽訂142億元合同，鎖定2024年底之前的硅片供應(yīng)等。電池及組件廠基于供應(yīng)安全考慮，對于硅片供應(yīng)的長期鎖定。需求的持續(xù)增長和客戶長單給硅片環(huán)節(jié)擴(kuò)產(chǎn)帶來動(dòng)力，同時(shí)在考慮市占率以及供應(yīng)穩(wěn)定等因素下，硅片廠傾向加大其產(chǎn)能裕量和庫存空間以應(yīng)對快速變化的市場狀況。二，“先搶地，再耕田”的競爭性擴(kuò)產(chǎn)和規(guī)?；悄壳肮杵瑥S的最重要發(fā)展策略。硅片環(huán)節(jié)相較于光伏其他環(huán)節(jié)，更重要的是在規(guī)?；＝Y(jié)合隆基對行業(yè)的判斷，硅片制造未來一定是競爭性格局，過剩將成為常態(tài)。在光伏產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛跑馬圈地的階段，硅片企業(yè)能搶奪下游更多市場份額，才有機(jī)會(huì)在未來獲取超額利潤。在這個(gè)背景下，只有通過快速規(guī)?；a(chǎn)能實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)，是硅片企業(yè)生存和發(fā)展的唯一選擇：一方面，規(guī)模效應(yīng)帶動(dòng)單位成本降低和產(chǎn)品價(jià)格回落，為下游讓出更多利潤空間，有利于吸引更多客戶合作；另一方面，大規(guī)模產(chǎn)能也可以承接得住下游客戶旺盛的需求，保障穩(wěn)定供貨的能力，因此有大產(chǎn)能及完善供應(yīng)鏈的廠商更加受到下游頭部大客戶的青睞。從國際競爭格局上看，中國的光伏硅片已在全球市場上占據(jù)了絕對主導(dǎo)地位，根據(jù)CIPA數(shù)據(jù)，2021年底全球硅片總產(chǎn)能約415GW，其中407GW的產(chǎn)能（98%）來自于中國大陸企業(yè)。如何能夠繼續(xù)保持在硅片產(chǎn)業(yè)上的全球化優(yōu)勢，變得尤為重要。應(yīng)對的主要方式，必然是在海外擴(kuò)建產(chǎn)能，利用硅片成本優(yōu)勢持續(xù)向全球進(jìn)行產(chǎn)能輸出。近幾年非友好國家和地區(qū)的光伏需求旺盛，但復(fù)雜的貿(mào)易摩擦使我國光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入這些市場的難度日漸提高，而性價(jià)比很高的硅片和海外建廠的策略是打開這些國家和地區(qū)市場的鑰匙。近幾年我國硅片廠商已采取在東南亞地區(qū)投資建廠戰(zhàn)略，并取得成效。今年上半年美國商務(wù)部對東南亞組件產(chǎn)能反規(guī)避調(diào)查中，使用中國出口的硅片、在東南亞組裝電池的企業(yè)沒有受到約束。向全球進(jìn)行大規(guī)模的產(chǎn)能輸出，使得全球市場對我國光伏產(chǎn)品的依賴度增強(qiáng)，進(jìn)而緩解海外反制政策帶來的沖擊。所以，中國硅片產(chǎn)能大躍進(jìn)的邏輯，并不僅僅是對全球供需狀況的反映，更多的是國家產(chǎn)業(yè)長期發(fā)展的必然選擇。三，大尺寸硅片產(chǎn)能仍面臨整體晶體產(chǎn)能供應(yīng)不足對于硅片制造商來說，相同單位硅料下硅棒直徑變大，可以減少拉晶次數(shù)，降低能耗；對于電池和組件制造商來說，一方面，在產(chǎn)線生產(chǎn)速率不變的情況下，硅片面積的擴(kuò)大帶動(dòng)電池產(chǎn)線產(chǎn)能提升，可以對人工、折舊及期間費(fèi)用進(jìn)一步攤薄。如M12相比M2電池可節(jié)約0.08元/W，成本降幅達(dá)25.6%；另一方面，硅片大尺寸化使得組件中電池間距縮小，電池占組件面積增加，進(jìn)而帶動(dòng)組件效率的提升。根據(jù)InfoLink數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2025年，大尺寸硅片市場占比將由2021年的42%上升至98%，大尺寸硅片需求將繼續(xù)上升，是光伏行業(yè)確定性發(fā)展趨勢。公司目前主要提供以210、182規(guī)格為主的大尺寸長晶爐，下游以中環(huán)、高景、雙良等210陣營的客戶為主。未來隨小尺寸硅片產(chǎn)能出清加速，大尺寸長晶設(shè)備將迎來新一波替換市場。基于以上幾點(diǎn)原因，目前硅片廠商在未來相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，將繼續(xù)在產(chǎn)業(yè)規(guī)?；ㄔO(shè)上持續(xù)投入，而對于上游光伏長晶設(shè)備廠而言，現(xiàn)在考慮的更多問題，是如何幫助客戶盡快的擴(kuò)充產(chǎn)能到規(guī)?；?jīng)濟(jì)上，進(jìn)而形成雙贏。到2030年，光伏長晶爐市場空間預(yù)計(jì)為1097億元。根據(jù)國際能源署（IEA）報(bào)告《全球能源行業(yè)2050凈零排放路線圖》數(shù)據(jù)，以2050年實(shí)現(xiàn)碳凈零排放為前提，到2030年全球光伏總裝機(jī)量需達(dá)到4956GW。對應(yīng)的，測算到2030年全球新增裝機(jī)量為702GW,從2022年到2030年平均年裝機(jī)量為446GW。結(jié)合新增需求和老舊產(chǎn)能替換需求，做相關(guān)假設(shè)和長晶爐市場空間測算假設(shè)條件如下：

1）組件產(chǎn)量與裝機(jī)量的容配比為1.2:1；

2）硅片到組件端的損耗率為5%；

3）晶體生長和加工設(shè)備的理論壽命為8-10年，假設(shè)每年老舊設(shè)備更換比率為10%；4）假定2030年后行業(yè)產(chǎn)能利用率可達(dá)80%（當(dāng)前約60%）；

5）1GW硅片假設(shè)需要75臺(tái)左右210型長晶爐?；跍y算，到2030年長晶爐市場空間約為1097億元。2021年公司長晶設(shè)備銷售量2556臺(tái)（包含少量半導(dǎo)體長晶設(shè)備），占全球市場份額約60%。快速的技術(shù)迭代能力和配套服務(wù)，是公司成長為行業(yè)龍頭的重要原因。公司商業(yè)模式不僅僅定位于長晶設(shè)備的供應(yīng)商，更核心的商業(yè)價(jià)值在于通過提供技術(shù)+服務(wù)的綜合解決方案，幫助客戶以最快的速度實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。背靠浙大技術(shù)支持，研發(fā)根基深厚，經(jīng)多年的研發(fā)積累，公司單晶爐設(shè)備不斷新迭代，設(shè)備拉晶速度要快于同行。公司于2023年即將推出第五代基于開放平臺(tái)架構(gòu)的單晶爐，同時(shí)擁有超300項(xiàng)的國家專利為技術(shù)運(yùn)用保駕護(hù)航，將形成更強(qiáng)的技術(shù)護(hù)城河。對技術(shù)的深耕，完整的切片設(shè)備配套能力，以及點(diǎn)對點(diǎn)的客戶服務(wù)機(jī)制，推動(dòng)客戶產(chǎn)能快速爬坡，解決客戶的剛性需求。在配套服務(wù)方面，公司基于客戶項(xiàng)目情況，在樂山、包頭、曲靖、西寧等地布局設(shè)立服務(wù)中心，在大客戶工廠周圍配套服務(wù)基地，開展“2小時(shí)響應(yīng)，24小時(shí)上門服務(wù)”的應(yīng)對策略，并設(shè)立專業(yè)的團(tuán)隊(duì)為客戶做設(shè)備維護(hù)和清理，保障設(shè)備的穩(wěn)定性并提高設(shè)備產(chǎn)能。先進(jìn)的技術(shù)和完善的維保服務(wù)使公司緊密貼近客戶需求，增強(qiáng)客戶粘性。深厚技術(shù)沉淀和服務(wù)加持使公司單臺(tái)長晶爐盈利能力高于同行業(yè)。根據(jù)公司公告，近年來公司長晶爐單臺(tái)毛利率基本穩(wěn)定在40%左右，高于行業(yè)平均。為緊密圍繞大客戶需求，公司從長晶設(shè)備向配套設(shè)備和耗材發(fā)展的供應(yīng)體系也在不斷完善。公司已建立覆蓋全自動(dòng)單晶爐、切磨復(fù)合加工一體機(jī)、晶棒單線截?cái)?開方機(jī)、切片機(jī)、疊瓦自動(dòng)化生產(chǎn)線、智慧物流車間等較為齊全的光伏設(shè)備產(chǎn)線，形成了從晶體生長設(shè)備、晶體材料加工、電池組件核心設(shè)備為一體的完整產(chǎn)業(yè)布局。同時(shí)公司積極涉入耗材領(lǐng)域，建立了石英坩堝、金剛線、半導(dǎo)體閥門、磁流體等產(chǎn)品體系。完善的供應(yīng)鏈有望降低下游客戶采購的摩擦成本，縮短硅片廠商由建設(shè)到投產(chǎn)的周期，同時(shí)提高了公司的配套價(jià)值量，進(jìn)一步鞏固了公司光伏設(shè)備龍頭的地位。公司在太陽能光伏上的配套供應(yīng)能力和服務(wù)也幫助客戶快速的形成量產(chǎn)能力和競爭能力。以高景和雙良為例。2021年Q4,雙良名義產(chǎn)能為5GW，排在國內(nèi)第11名，高景為0GW。在公司設(shè)備和服務(wù)的支持下，到2022年Q4,雙良產(chǎn)能達(dá)到20GW，排名國內(nèi)第7，而高景則達(dá)到50Gw，排名國內(nèi)第六。反過來，客戶的快速成長也對公司未來設(shè)備和耗材的銷售形成正反饋。3.半導(dǎo)體設(shè)備：大硅片長晶爐業(yè)務(wù)進(jìn)入快車道，碳化硅外延爐有望放量在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司通過前期與包括TCL中環(huán)在內(nèi)的大客戶深度合作，在半導(dǎo)體大硅片的晶體生長及加工設(shè)備領(lǐng)域樹立了品牌，已打入了多家國內(nèi)頭部硅片大廠的供應(yīng)鏈體系，首次實(shí)現(xiàn)這個(gè)領(lǐng)域設(shè)備的大規(guī)模國產(chǎn)替代，并受益于這一輪國產(chǎn)大硅片擴(kuò)產(chǎn)周期。除了大硅片的長晶設(shè)備外，公司持續(xù)在半導(dǎo)體硅外延，碳化硅外延，以及化學(xué)氣相沉積CVD等核心設(shè)備的研發(fā)，并有望在未來半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代中脫穎而出，建立繼光伏之后，新的設(shè)備領(lǐng)域增長曲線。大硅片國產(chǎn)替代的趨勢成型，帶動(dòng)上游長晶設(shè)備國產(chǎn)化的開始隨著新能源車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅速帶來大量需求，上游晶圓廠產(chǎn)能釋放提速，但伴隨著以日系廠商和德系廠商為主的大硅片廠商產(chǎn)能預(yù)計(jì)要到2024-2025年才能釋放出來，這使得大硅片出現(xiàn)了較大的供需錯(cuò)配情況，價(jià)格也隨之出現(xiàn)大幅上漲。在大硅片成本持續(xù)上升的壓力和海外供應(yīng)持續(xù)跟不上的環(huán)境下，國內(nèi)晶圓廠逐步開始導(dǎo)入國產(chǎn)大硅片的進(jìn)程加快，同時(shí)國內(nèi)大硅片廠也開始持續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。包括滬硅集團(tuán)、立昂微、中環(huán)股份、超硅半導(dǎo)體、中欣晶圓、奕斯偉、有研等均實(shí)現(xiàn)了12寸硅片的量產(chǎn)，產(chǎn)品也逐步從dummy/reclaim/monitor向primewafer導(dǎo)入。根據(jù)芯東西統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，到2021年底，國內(nèi)12寸硅片的產(chǎn)能合計(jì)已經(jīng)超過了162萬片/月，隨著中環(huán)和奕斯偉的擴(kuò)產(chǎn)，國產(chǎn)12寸大硅片的產(chǎn)能將超過265萬片/月?？梢耘袛啵瑖a(chǎn)大硅片國產(chǎn)替代開始步入了高速發(fā)展期。上述產(chǎn)能計(jì)劃以擴(kuò)產(chǎn)方式為主，整體產(chǎn)能爬坡情況應(yīng)當(dāng)快于新建綠地工廠，且擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃大多是從2021年底開始，故預(yù)計(jì)2023年左右就能實(shí)現(xiàn)大量產(chǎn)能釋放。以上述擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃數(shù)據(jù)來計(jì)算，主要硅片廠商在8英寸產(chǎn)能方面計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)60%左右，12英寸產(chǎn)能方面擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃達(dá)到133%的增幅。此部分?jǐn)?shù)據(jù)還沒有完全覆蓋所有國產(chǎn)廠商的擴(kuò)產(chǎn)情況，比如奕斯偉在西安基地的二期擴(kuò)產(chǎn)工程開始，只是暫未有明確產(chǎn)能數(shù)據(jù)披露所以沒有納入計(jì)算，實(shí)際情況國產(chǎn)硅片廠的“擴(kuò)產(chǎn)潮”要來得更加猛烈。與此同時(shí)，在隨著國產(chǎn)大硅片規(guī)?；a(chǎn)業(yè)化開始，上游長晶爐設(shè)備的國產(chǎn)化也迅速展開。這點(diǎn)表現(xiàn)為兩個(gè)推動(dòng)因素。第一，全球大硅片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了為期2-3年的擴(kuò)產(chǎn)周期，對于海外的上游長晶設(shè)備廠商整體的產(chǎn)能和配套服務(wù)能力面臨挑戰(zhàn)。第二，國產(chǎn)大硅片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；彤a(chǎn)業(yè)化后，勢必帶來對設(shè)備需求和研發(fā)服務(wù)的持續(xù)提升以及成本的要求，這給具備本土化優(yōu)勢的國內(nèi)長晶設(shè)備和相關(guān)配套設(shè)備廠商帶來了成長的機(jī)會(huì)。綜合SUMCO、Shin-Etsu、環(huán)球晶圓、滬硅產(chǎn)業(yè)、TCL中環(huán)等多家全球硅片大廠產(chǎn)能數(shù)據(jù)并預(yù)測，到2024年全球8英寸及12英寸硅片需求量將分別達(dá)到823萬片/月、999萬片/月。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，在brownfield模式下，制程做到拋光段，20萬片月的8英寸半導(dǎo)體硅片約需要35臺(tái)左右長晶爐，設(shè)備投資規(guī)模約7-8億元。月產(chǎn)20萬片12英寸半導(dǎo)體硅片需要37臺(tái)左右的長晶投資爐，設(shè)備投資規(guī)模約12-15億元，而產(chǎn)線建設(shè)中設(shè)備投資金額約占70-80%。其中設(shè)備投資除長晶爐外，還有切片、拋光等制造加工設(shè)備。不考慮設(shè)備替換和報(bào)廢，測算2022-2024年全球8英寸和12英寸長晶爐合計(jì)新增需求分別有望達(dá)到174臺(tái)/410臺(tái)，分別對應(yīng)2022E-2024E期間約4%/9%的CAGR增長，到2025年新增投資額達(dá)467億元。隨著全球新一輪硅片擴(kuò)產(chǎn)周期，長晶設(shè)備的全球主要廠商包括S-TECH，PVATePla以及Ferrotec等公司在產(chǎn)能和服務(wù)體系面臨壓力。而中國本土的防疫政策、零部件運(yùn)輸管理和維保成本的上升壓力，以及包括晶盛、北方華創(chuàng)、晶能等本地公司技術(shù)能力的提升和本土化服務(wù)優(yōu)勢，海外廠商在國內(nèi)硅片大廠的供應(yīng)份額逐漸下降，國產(chǎn)設(shè)備的占比逐步提升。目前公司在國內(nèi)主要的硅片廠商中，均進(jìn)入了供應(yīng)鏈體系并形成規(guī)?；N售能力。客戶結(jié)構(gòu)上，從原以中環(huán)為主，逐步同包括新昇、金瑞泓、合晶、神工等公司開始合作。憑借與大客戶深度合作積極拓展下游，樹立公司的行業(yè)品牌公司與中環(huán)之間的合作關(guān)系由來已久，通過長時(shí)間的上下游協(xié)作經(jīng)驗(yàn)積累，雙方建立了堅(jiān)實(shí)的商業(yè)聯(lián)系。梳理公告信息可知，公司在2012年時(shí)承擔(dān)了國家科技重大專項(xiàng)“8英寸區(qū)熔單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制”，該項(xiàng)目責(zé)任及驗(yàn)收應(yīng)用單位就是TCL中環(huán)控股子公司天津環(huán)歐半導(dǎo)體，雙方的緊密合作自此展開。雙方于2017年10月達(dá)成了戰(zhàn)略合作關(guān)系，期間還陸續(xù)合伙投資組建了內(nèi)蒙古晶環(huán)電子、內(nèi)蒙古中晶科技研究院和中環(huán)領(lǐng)先三家子公司。兩家公司之間供應(yīng)鏈合作緊密，形成了共同研發(fā)和供應(yīng)鏈合作的戰(zhàn)略型合作關(guān)系。TCL中環(huán)是國產(chǎn)硅片行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，公司通過與中環(huán)長期穩(wěn)定的合作確保了自身產(chǎn)品的主要下游需求，并同中環(huán)一起成長。相比于硬件技術(shù)的差異化，晶體生長設(shè)備的穩(wěn)定性、產(chǎn)能、配套服務(wù)等則是采購設(shè)備的客戶更加看重的因素，故晶體生長設(shè)備供應(yīng)商的導(dǎo)入是較為漫長的過程，而在導(dǎo)入之后一般也不會(huì)輕易變更?；谶@種情況，大客戶TCL中環(huán)在長久地磨合后對公司建立了充分的信任，目前已經(jīng)較大比重采購公司的產(chǎn)品。與大客戶的合作關(guān)系和供應(yīng)關(guān)系，也給公司技術(shù)的演進(jìn)、經(jīng)驗(yàn)的積累、品質(zhì)的提高和品牌口碑提供了一定背書作用，助力公司加快拓展其他下游客戶。根據(jù)公司公告披露，公司在半導(dǎo)體設(shè)備訂單達(dá)到了30億元以上，以長晶設(shè)備為主，其中包括中環(huán)8寸和12寸的長晶和部分設(shè)備訂單。其他包括有研半導(dǎo)體、鄭州合晶、上海新昇、神工等均有望成為公司主要下游客戶，公司在半導(dǎo)體大硅片長晶設(shè)備上已邁出了一大步。長晶設(shè)備參數(shù)對標(biāo)國際主流水平，差異化優(yōu)勢助力未來市占率提升半導(dǎo)體單晶生長技術(shù)繁多，其中應(yīng)用于單晶硅的主流技術(shù)是直拉法和懸浮區(qū)熔法，兩種方法各有優(yōu)劣。直拉法便于控制晶體生長，易于獲得大直徑單晶，晶向選擇也較多，但坩堝與加熱系統(tǒng)等增加了制備過程中雜質(zhì)增加的可能性；懸浮區(qū)熔法是在惰性氣體保護(hù)環(huán)境下作業(yè)，無需使用坩堝，故可以防止氧或金屬雜質(zhì)的摻入，長出的純度較高的單晶體可用于制備高電阻的半導(dǎo)體材料與器件（如IGBT）。不過區(qū)熔法由于籽晶與熔體界面難以控制，難以制備像12寸單晶硅等大直徑單晶體，此外熔體材料也需要較高純度的多晶硅棒，成本較高。公司擁有兩種長晶爐的批量產(chǎn)出能力，主要設(shè)備產(chǎn)品有：（直拉法）全自動(dòng)單晶爐TDR135A-ZJS、區(qū)熔硅單晶爐FZ100A-ZJS等，其工藝技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平，目前銷售以（直拉法）全自動(dòng)單晶爐為主。公司設(shè)備性能對標(biāo)主要競爭對手的半導(dǎo)體級(jí)單晶爐產(chǎn)品而言，在熱場、生長控制系統(tǒng)方面存在差異化優(yōu)勢，其余參數(shù)對標(biāo)國際主流水平。其中：

熱場方面，公司在熱場尺寸上具備優(yōu)勢，更容易形成規(guī)模優(yōu)勢降低成本。熱場尺寸同生產(chǎn)單晶硅棒的直徑有對應(yīng)關(guān)系，熱場越大能夠生產(chǎn)的單晶硅棒直徑尺寸也越大，未來半導(dǎo)體單晶硅的直徑尺寸將向12英寸或更大發(fā)展。公司熱場尺寸較大，兼容性較強(qiáng)，更容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)從而降低成本，也有利于公司應(yīng)用優(yōu)于其他同類廠家的熱場材料。熱場本身技術(shù)難度不高，許多設(shè)備廠、硅片廠都有在自主研發(fā)設(shè)計(jì)。其單價(jià)約15萬元/套，一半成本在于原材，且熱場本身屬于耗材，其中組成部分的壽命在0.67-2年。公司的熱場供貨商金博股份主要采用碳/碳復(fù)材，其斷裂韌性較高，耐腐蝕性、耐摩擦性、耐熱沖擊性優(yōu)秀，與石墨相比性能更優(yōu)異，壽命更長，且在尺寸增大時(shí)碳/碳復(fù)材成本僅線性增加，而石墨材料成本按直徑平方增加，目前在熱場制造中正在加速替代石墨材料。生長控制系統(tǒng)方面，僅從籽晶和坩堝的升降速率、轉(zhuǎn)速等參數(shù)看，國內(nèi)外主流廠商看似幾乎沒有差距，但其實(shí)公司的差異化優(yōu)勢體現(xiàn)在生長控制系統(tǒng)的軟件平臺(tái)上?；陂_放平臺(tái)架構(gòu)的第五代單晶爐最大的亮點(diǎn)在于改變了傳統(tǒng)的封閉控制系統(tǒng)模式，配置了基于開放架構(gòu)的用戶可編程的軟件定義工藝（SoftwareDefinedProcess,SDP）平臺(tái)，將控制層與數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)層分離開來，提供可自行構(gòu)建工藝時(shí)序、控制邏輯、晶體生長核心算法的自主創(chuàng)新條件，用戶只需按模型接口即可實(shí)現(xiàn)定制開發(fā)。通過此平臺(tái)技術(shù)，客戶可以將自己的特殊制程工藝制作成特定的模塊，完美解決客戶在產(chǎn)能建設(shè)中希望將自身成熟工藝固化、保密，及對工藝過程的深度差異化等需求。目前國內(nèi)設(shè)備廠均采購海外公司磁場產(chǎn)品，性能方面差距不大。磁場是單晶爐中高價(jià)值量的部分，普通的電磁場售價(jià)就要100-200萬元，而目前給12寸硅單晶爐使用的超導(dǎo)磁場單價(jià)超過500萬元。技術(shù)層面上海外企業(yè)較為領(lǐng)先，國內(nèi)廠商的產(chǎn)品穩(wěn)定性或者驗(yàn)證時(shí)間不夠，暫時(shí)很難獲取到客戶的信任。比如公司主要從日本廠商處采購，南京晶能主要從TESLAENGINEERINGLTD.和TOSHIBAENERGYSystem&solutions采購。不過，由于磁場方面國外擴(kuò)產(chǎn)緩慢，各家設(shè)備廠也都有在培養(yǎng)國內(nèi)替代供應(yīng)商，未來有望貢獻(xiàn)產(chǎn)能。對比來看，公司的設(shè)備在晶棒產(chǎn)能方面不輸于國內(nèi)外主流水平。其中，裝料量、爐室直徑?jīng)Q定了單晶爐單次可以容納多少原材料，單次投入的原材料越多，相應(yīng)的生產(chǎn)成本就越低，同時(shí)產(chǎn)能效率也在提高；喉口直徑則影響了拉出晶棒的直徑大小。不僅如此，公司布局了硅片制造環(huán)節(jié)（主要是晶體生長設(shè)備以及“切、磨、拋”設(shè)備）的各種配套設(shè)備，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于完善，全套式供貨能更好地響應(yīng)客戶。國內(nèi)硅片廠商如中環(huán)股份、滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微等，抓住供需不平衡的市場機(jī)會(huì)，持續(xù)推出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將最重要的硅片產(chǎn)能握在手中，提升自身的市場占有率。本輪國產(chǎn)硅片擴(kuò)產(chǎn)周期，作為本土長晶設(shè)備龍頭公司，將有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)在這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域內(nèi)的國產(chǎn)化進(jìn)口替代。根據(jù)歷史訂單情況預(yù)測，公司作為上述硅片廠的設(shè)備供應(yīng)商，將給客戶供貨晶體生長設(shè)備以及“切、磨、拋”等配套加工設(shè)備。我們預(yù)測中環(huán)2022年-2023年上半年，8寸產(chǎn)能有望達(dá)到120萬片/月，12寸從22萬片提升到30萬片/月，中期規(guī)劃在60萬片/月，總體投資接近70億元，公司相關(guān)占比有望達(dá)到80%以上。考慮新昇、立昂微、神工、合晶等擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，公司在半導(dǎo)體設(shè)備總訂單量有望突破百億，并在未來幾年實(shí)現(xiàn)銷售確認(rèn)。提前布局碳化硅外延設(shè)備，助力國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈廠商縱向發(fā)展碳化硅外延層處于產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長高質(zhì)量碳化硅外延層，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用在新能源汽車、軌道交通、光伏風(fēng)電、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等場景?，F(xiàn)階段光伏和充電基礎(chǔ)設(shè)施是碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域，新能源汽車市場的蓬勃發(fā)展也保證了未來碳化硅市場需求的快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅器件市場規(guī)模約10億美元，預(yù)計(jì)到2027年，碳化硅器件的市場規(guī)模將超過70億美元。公司在碳化硅領(lǐng)域主要布局長晶、拋光、外延設(shè)備及6英寸導(dǎo)電性襯底片，目前6英寸碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售。由于現(xiàn)有器件基本都是在外延層上實(shí)現(xiàn)的，對于外延層的要求日益增高，其質(zhì)量優(yōu)劣對于下游器件性能起著至關(guān)重要的作用。一般來說，隨著耐壓性能的不斷提高，要求的外延層厚度就越厚。600V左右的電壓所需要的外延層厚度約在6微米，到1200-1700V時(shí)則需要厚度達(dá)到10-15微米，特高壓環(huán)境下要求會(huì)更高。而隨著外延層厚度不斷增加，對于厚度均勻性、摻雜均勻性及缺陷密度的控制難度也逐漸增高。最初碳化硅外延是在無偏角襯底上生長，但受多型體混合影響難以用來制備器件。之后發(fā)展出在8°左右偏角的襯底上的斜切臺(tái)階流技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫生長且穩(wěn)定控制晶型，但該方法缺陷在于無法阻斷基平面位錯(cuò)和對襯底材料造成浪費(fèi)。接下來TCS法應(yīng)運(yùn)而生，該方法能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)生長速率大幅提升及對質(zhì)量的有效控制，2014年由意大利LPE公司實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，2017年Aixtron公司對設(shè)備進(jìn)行了升級(jí)改造，將這個(gè)技術(shù)移植到了商業(yè)的設(shè)備中。目前，碳化硅外延技術(shù)已與碳化硅外延設(shè)備高度融合，而外延設(shè)備則主要由意大利的LPE公司、德國Aixtron公司以及日本的Nuflare公司所壟斷。德國Aixtron：其設(shè)備產(chǎn)能較大，在反應(yīng)腔體上擁有自主創(chuàng)新的近耦合噴淋頭式（CCS,CloseCoupledShowerhead）及行星式（Planetary）。產(chǎn)品AIXG5WWC橫流行星式批量反應(yīng)爐（BatchReactor），一次性可以進(jìn)行8片6寸外延反應(yīng)，且能夠做到單晶片控制。產(chǎn)品G10-SiC行星式最大容量為9片6寸&6片8寸，生長質(zhì)量和速度接近單晶片反應(yīng)爐（SingleWaferReactor）。目前公司的產(chǎn)品為Wolfspeed開始采購并使用。其爐特點(diǎn)是多片合一爐的設(shè)計(jì)，類似以前MOCVD的技術(shù)實(shí)現(xiàn)途徑，優(yōu)點(diǎn)是有利于快速釋放產(chǎn)能，但外延的一致性和可靠性問題仍需要時(shí)間得到提升。日本Nuflare：設(shè)備主打全自動(dòng)，最高能夠做到8寸的外延生長。產(chǎn)品EPIREVOS6為單晶片碳化硅外延爐，生長速率50μm/h，厚度均勻度＜2%(E.E.=3Mmm），摻雜均勻度＜4%(E.E.=6Mmm），缺陷密度低，單套設(shè)備價(jià)格較昂貴，但雙腔體可以做到更大的產(chǎn)量所以單片成本相對低。Nuflare本身主營光掩模制造，碳化硅外延設(shè)備產(chǎn)能相對不高，設(shè)備產(chǎn)能釋放較慢，一個(gè)月的產(chǎn)出僅為1-2臺(tái)左右，且基本僅供應(yīng)給showadenko，On-semi等少數(shù)幾家海外大廠。意大利LPE：設(shè)備屬于單片機(jī)，控制能力強(qiáng)，單套價(jià)格較低，生長速率很快，且其研發(fā)的Bubbler設(shè)備可以有效改善批量控制的厚度均勻性。產(chǎn)品PE1O6/1O6A屬于6寸單晶片反應(yīng)爐，可以實(shí)現(xiàn)薄、厚和超厚外延層生長，多層（P和N）一次運(yùn)行。LPE公司目前已被荷蘭ASM公司收購，主要供貨給Wolfspeed以及瀚天天成、東莞天域、三安等國內(nèi)廠商。國內(nèi)市場下游新能源需求十分旺盛，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正在快速追趕中。目前國內(nèi)在碳化硅襯底環(huán)節(jié)已經(jīng)逐步形成了數(shù)家規(guī)?；髽I(yè)，但在外延環(huán)節(jié)目前還是相對只有瀚天天成和東莞天域整體規(guī)模較大，而外延設(shè)備對進(jìn)口的依賴，以及配套設(shè)備的高成本耗材影響了這個(gè)環(huán)節(jié)的盈利水平，國內(nèi)碳化硅外延廠商如需進(jìn)入更快的發(fā)展軌道，在外延的國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)口替代是關(guān)鍵的突破口。公司在這個(gè)領(lǐng)域上已經(jīng)形成了相關(guān)的產(chǎn)品，并逐步開始投向市場，未來這個(gè)部分有望實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。另一方面，通過在外延設(shè)備上同客戶綁定，公司能更有效的打通自身在著力發(fā)展的碳化硅襯底片銷售，將耗材業(yè)務(wù)延展到外延環(huán)節(jié)。布局半導(dǎo)體鍍膜環(huán)節(jié)，切入CVD/ALD，打造新的設(shè)備產(chǎn)品線晶圓制造環(huán)節(jié)涉及設(shè)備價(jià)值占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備總投資近八成，而其中薄膜沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)占比前三。除去光刻機(jī)，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備是價(jià)值量很大的兩塊，也是國內(nèi)設(shè)備廠的兵家必爭之地。而CVD、ALD產(chǎn)品均屬于薄膜沉積設(shè)備，市場空間廣闊，增速也很快。在公司的戰(zhàn)略中，除了長晶和外延兩個(gè)方向外，薄膜沉積也是公司重點(diǎn)布局的方向。2020年度，CVD設(shè)備全球市場規(guī)模達(dá)89億美元，其中美國應(yīng)用材料（AMAT）、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）的市場占有率分別為28%、25%和17%，CR3達(dá)70%。隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的快速增長，對于薄膜沉積設(shè)備的需求也在增加。MaximizeMarketResearch預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模在2025年將達(dá)到340億美元，考慮到CVD設(shè)備通常在薄膜沉積設(shè)備中占七成左右，2025年全球CVD市場將超過230億美元。國內(nèi)市場的先入局者主要有北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等，但目前整體市場仍集中于海外廠商。常用CVD設(shè)備包括APCVD、LPCVD、PECVD、SACVD等，適用于不同工藝節(jié)點(diǎn)對膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。其中，LPCVD是APCVD在低壓環(huán)境下的改進(jìn)版本，在CVD設(shè)備中占比約15%（參考前文數(shù)據(jù)2025年市場規(guī)模約為36億美元），其薄膜的均勻性和溝槽覆蓋填充能力有所改善，但沉積速率較低，反應(yīng)溫度較高，多用于高溫氧化硅、氮化硅、多晶硅等。在國內(nèi)LPCVD市場中，僅有北方華創(chuàng)布局較完備，其在LPCVD領(lǐng)域可以做到28nm部分量產(chǎn)供貨，中微公司尚處于客戶端驗(yàn)證階段。公司早在2018年就成立了全資子公司求是半導(dǎo)體作為CVD設(shè)備項(xiàng)目基地，目前已經(jīng)基于先進(jìn)制程開發(fā)了8/12英寸LPCVD設(shè)備并形成銷售。在先進(jìn)MPCVD設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)及市場化方面，日本、美國及德國等團(tuán)隊(duì)處于領(lǐng)跑地位，日本已成功研發(fā)超高純2英寸金剛石晶圓量產(chǎn)方法，而國內(nèi)比較少有企業(yè)或機(jī)構(gòu)突破實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)量產(chǎn)的技術(shù)難點(diǎn)，如中兵紅箭子公司中南鉆石實(shí)現(xiàn)鉆石毛胚批量制備技術(shù)的突破，國機(jī)精工有一些儲(chǔ)備等。2022年8月12日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）對氧化鎵、金剛石兩類超寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)實(shí)施出口管制。2022年上半年，公司成功研發(fā)全自動(dòng)MPCVD法生長金剛石設(shè)備（型號(hào)XJL200A）成功生長出高品質(zhì)寶石級(jí)的金剛石晶體。公司在國內(nèi)金剛石制備設(shè)備領(lǐng)域處于競爭優(yōu)勢，同業(yè)對手稀少，考慮到金剛石晶體尚為藍(lán)海市場，遠(yuǎn)景市場空間巨大，疊加美國在超寬禁帶材料方面對我國實(shí)施出口管制的影響，MPCVD產(chǎn)品有望拉動(dòng)公司遠(yuǎn)期成長。ALD設(shè)備是一種可以將反應(yīng)材料以單原子膜形式通過循環(huán)反應(yīng)逐層沉積在基片表面，形成對復(fù)雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專用設(shè)備。該設(shè)備制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺(tái)階覆蓋率高，特別適合深槽結(jié)構(gòu)中的薄膜生長，在先進(jìn)邏輯芯片、DRAM和3DNAND制造中必不可少。ALD設(shè)備在CVD設(shè)備中比例約為18%，對應(yīng)2020年的市場規(guī)模約16億美元。根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Acumenresearchandconsulting預(yù)測，由于半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線數(shù)量增加，2026年全球ALD設(shè)備市場規(guī)模約為32億美元。市場由海外龍頭主導(dǎo)，日本TEL和荷蘭ASMI各占據(jù)約三成份額，國內(nèi)拓荊科技較為領(lǐng)先，其適配55-14nm工藝需求的PEALD設(shè)備已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著“摩爾定律”的持續(xù)實(shí)現(xiàn)，芯片制造工藝制程在不斷進(jìn)步，對于薄膜沉積的需求量和性能都在快速提高。目前，28nm以下先進(jìn)制程的FinFET制造工藝中，難點(diǎn)在于形成Fin的形狀，F(xiàn)in的有源區(qū)并不是通過光刻直接形成的，而是通過自對準(zhǔn)雙重成像技術(shù)（SADP）工藝形成。ALD所沉積的Spacer材料的寬度決定了Fin的寬度，是制約邏輯芯片制程先進(jìn)程度的核心因素之一。公司目前已開始布局ALD設(shè)備，未來也有望將其應(yīng)用于化合物外延、鍍膜方向?，F(xiàn)階段，公司在CVD和ALD等方向上的技術(shù)研發(fā)在快速推進(jìn)中，陸續(xù)的產(chǎn)品也預(yù)期陸續(xù)進(jìn)入商業(yè)化階段，形成公司在除了半導(dǎo)體長晶、半導(dǎo)體外延之后，新的發(fā)展賽道。4.核心耗材：石英坩堝、金剛石線積極配套，靜待碳化硅材料良率爬坡公司前瞻性儲(chǔ)備進(jìn)口石英砂，保證石英坩堝以更具優(yōu)勢的成本順利擴(kuò)產(chǎn)。石英坩堝是光伏單晶爐的關(guān)鍵部件，由高純二氧化硅石英砂通過模具定型，使用電弧法高溫制作而成。石英坩堝基本呈透明狀，分為外層和中內(nèi)層，中內(nèi)層石英砂影響單晶生長品質(zhì)，因此一般采用進(jìn)口石英砂，而外層石英砂一般對石英砂品質(zhì)要求稍低，目前由國內(nèi)企業(yè)供貨。當(dāng)前石英砂供給緊缺，價(jià)格大幅增長。一方面，全球礦產(chǎn)資源有限，在石英砂領(lǐng)域“得礦者，得天下”，目前海外能夠大批量穩(wěn)定供應(yīng)高純度石英砂企業(yè)僅包括美國西比科公司、挪威天闊石等。我國石英礦流體雜質(zhì)多、規(guī)模小，提純難度更高，環(huán)保限產(chǎn)疊加資源緊張,導(dǎo)致石英砂原料相對不足，目前僅石英股份、江蘇陽山等可以實(shí)現(xiàn)高純度石英砂的規(guī)?；?yīng)。從需求來看，近年來下游應(yīng)用領(lǐng)域逐步起量，石英砂出現(xiàn)了供需關(guān)系錯(cuò)配的局面；另一方面，廠商更傾向于投產(chǎn)價(jià)值量更高的半導(dǎo)體坩堝，因此光伏石英砂的供給緊張度進(jìn)一步加劇。在硅片大尺寸+N型電池趨勢下，拉晶過程對石英坩堝的尺寸及硅料純度都會(huì)有更高的要求，將導(dǎo)致單位耗量的增加，預(yù)計(jì)未來石英坩堝需求將有更加快速的增長。在石英坩堝整體供不應(yīng)求的行業(yè)背景下，公司提前儲(chǔ)備進(jìn)口石英砂，有利于保障石英坩堝擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度和成本優(yōu)勢。晶盛于2017年開始布局石英坩堝，使用的高純石英砂以海外進(jìn)口為主，同時(shí)采購國內(nèi)部分高質(zhì)量石英砂，目前在浙江、內(nèi)蒙、寧夏建立生產(chǎn)基地，已產(chǎn)出28-40英寸大尺寸石英坩堝，并在半導(dǎo)體級(jí)和光伏級(jí)石英坩堝都有布局，可滿足客戶對不同型號(hào)規(guī)格產(chǎn)品的需求。2021年，公司以戰(zhàn)略性的眼光，于行業(yè)價(jià)格低點(diǎn)儲(chǔ)備大量進(jìn)口石英砂，預(yù)計(jì)對未來2-3年的石英坩堝產(chǎn)能起到有力支撐作用。2022年5月，下屬公司寧夏鑫晶新材料一期年產(chǎn)4.8萬只大尺寸石英坩堝項(xiàng)目正式投產(chǎn)（規(guī)劃三期共16萬只），二期即將投產(chǎn)。據(jù)測算，1GW大尺寸硅片年產(chǎn)能大概需要2940-3360個(gè)坩堝，公司寧夏鑫晶大尺寸坩堝項(xiàng)目一期的全面落地預(yù)計(jì)將支撐14-17GW的硅片年產(chǎn)能。根據(jù)歐晶公告，石英坩堝單價(jià)不足3000元（光伏級(jí)），占下游硅片廠采購成本的比例低，但對單晶硅棒和硅片的成品質(zhì)量影響卻很大，因此經(jīng)過了可靠性、穩(wěn)定性驗(yàn)證的廠商，一般與下游客戶的合作黏性較強(qiáng)。2021年晶盛子公司美晶新材開始給中環(huán)供應(yīng)半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝，有望對中環(huán)保持穩(wěn)定供貨。我們預(yù)計(jì)，2022/2023年石英坩堝有望為公司貢獻(xiàn)約4.5億/12億元的收入。除石英坩堝，公司在金剛線等關(guān)鍵耗材上也在積極配套布局。金剛石線主要用于晶體硅、藍(lán)寶石、精密陶瓷等硬脆材料的切割，可用于硅棒截?cái)?、硅錠開方、硅片切割，其切割性能直接影響硅片的質(zhì)量及光伏組件的光電轉(zhuǎn)換性能。金剛石線技術(shù)最早源于日本，2013年開始國內(nèi)部分光伏企業(yè)采用金剛石線切割工藝，如今已基本實(shí)現(xiàn)全面國產(chǎn)化。金剛石線切割工藝相較于之前的切割工藝原材料利用率和切割效率不斷提升，硅片單位切割成本也不斷降低，已成為晶硅切片的主流工藝。目前光伏晶硅切片的金剛石線用量占當(dāng)前金剛石線總需求量的比例超過90%。近幾年金剛石線行業(yè)供給快速增加，在產(chǎn)能過剩的背景下，快速降本能力成為行業(yè)核心競爭力。美暢股份憑借一體化布局持續(xù)降本，實(shí)現(xiàn)了壟斷的行業(yè)地位，2021年市占率約61%。硅片薄片化進(jìn)程推動(dòng)了金剛石線細(xì)化?？捎糜诠夥杵懈畹某Ｒ?guī)高碳鋼絲極限線徑約35μm，目前行業(yè)主流產(chǎn)品直徑在38μm~42μm，已經(jīng)逐步接近高碳鋼絲的自身物理極限。當(dāng)前具有較高的破斷力、更高抗拉強(qiáng)度的鎢絲成為最有前景的母線材料替代者，但成本較高是影響鎢絲暫未大規(guī)模使用的關(guān)鍵因素。晶盛目前的金剛絲線布局仍以高碳鋼絲為主，鎢絲方向也在籌備當(dāng)中。公司在金剛線上的配套布局，將有助于提高向下游客戶進(jìn)行一體化供應(yīng)的能力，進(jìn)一步增強(qiáng)客戶粘性。碳化硅襯底：成熟工藝遷移+下游客戶關(guān)系良好，有望推動(dòng)良率爬坡及量產(chǎn)公司在碳化硅的策略上，更多的是考慮是自制長晶爐，對外銷售襯底，而不是類似于光伏，以賣長晶爐為主，在這個(gè)業(yè)務(wù)模式上，公司類似于美國的II-VI公司。從種類來看，碳化硅襯底經(jīng)外延生長后再做成器件，根據(jù)下游應(yīng)用分別在功率器件和射頻器件方面，對應(yīng)的可劃分成導(dǎo)電型（N-type）和半絕緣型（semi-insulation）。按照下游需求增長上來看，目前最大的需求來自導(dǎo)電型碳化硅襯底。而射頻器件所需的半絕緣型襯底，全球格局已相對比較穩(wěn)定，國內(nèi)則以山東天岳為最大。在導(dǎo)電型碳化硅襯底上，2021年全球在碳化硅襯底上的主要玩家包括Wolfspeed、Rohm和II-VI等，2022年隨著安森美、Wolfspeed、Rohm（si-crystal）以及國內(nèi)廠商的產(chǎn)能釋放，格局將發(fā)生變化?？傮w上，國外的廠商把碳化硅襯底的主要需求放到電動(dòng)汽車方向，這樣在持續(xù)增長的工業(yè)和新能源等領(lǐng)域，則空出了一定的市場空間，有利于國內(nèi)碳化硅企業(yè)去發(fā)展。國內(nèi)包括天科合達(dá)、山東天岳等公司在襯底上的整體占比不高，整體直通良率，大概在4成-5成左右，略低于國際整體水平，且處于快速的發(fā)展階段。公司充分評(píng)估了長期在長晶設(shè)備上耕耘而形成的對長晶技術(shù)的獨(dú)特理解和技術(shù)優(yōu)勢，以及多年在碳化硅長晶投入產(chǎn)生的know-how，以及整個(gè)產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈變化發(fā)展的趨勢，初步形成了以碳化硅襯底+