晶盛機(jī)電：長(zhǎng)晶爐龍頭地位持續(xù)強(qiáng)化材料布局打造新增長(zhǎng)點(diǎn)

晶盛機(jī)電：長(zhǎng)晶爐龍頭地位持續(xù)強(qiáng)化，材料布局打造新增長(zhǎng)點(diǎn)1.投資邏輯首先，我們認(rèn)為目前硅片廠(chǎng)搶地盤(pán)式的競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)張態(tài)勢(shì)將弱化供需的周期性，而上游長(zhǎng)晶設(shè)備的景氣度有望延續(xù)，公司作為上游長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭廠(chǎng)商，將長(zhǎng)期受益。公司目前產(chǎn)銷(xiāo)兩旺，充沛而持續(xù)遞增的訂單對(duì)公司未來(lái)2-3年高速成長(zhǎng)起到支撐。目前訂單的主要增長(zhǎng)邏輯，主要來(lái)自于硅片廠(chǎng)商類(lèi)似于搶地盤(pán)式的產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)擴(kuò)張策略，背后有三方面因素推動(dòng)：其一基于在硅料漲價(jià)背景下對(duì)供應(yīng)安全的應(yīng)對(duì)性需求；其二是出于“先搶地，再耕田”的戰(zhàn)略性行為；其三是大尺寸硅片呈確定性趨勢(shì)，硅片產(chǎn)能仍面臨結(jié)構(gòu)性供應(yīng)不足。后兩點(diǎn)決定了硅片廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)并非短期行為，并加快長(zhǎng)晶設(shè)備技術(shù)升級(jí)速度，有助于熨平上游設(shè)備的出貨周期性波動(dòng)。同時(shí)，公司緊密綁定中環(huán)等大客戶(hù)，一方面通過(guò)“先進(jìn)拉晶技術(shù)+維保服務(wù)”賦能長(zhǎng)晶設(shè)備的售賣(mài)；另一方面，公司從主體長(zhǎng)晶設(shè)備、配套設(shè)備，到配套耗材的全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)體系也在不斷完善。充分圍繞大客戶(hù)需求進(jìn)行配套，是公司保持行業(yè)龍頭地位并進(jìn)一步增強(qiáng)的主要原因。在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司通過(guò)前期與包括TCL中環(huán)在內(nèi)的大客戶(hù)深度合作，在半導(dǎo)體大硅片的晶體生長(zhǎng)及加工設(shè)備領(lǐng)域樹(shù)立了品牌，已打入了多家國(guó)內(nèi)頭部硅片大廠(chǎng)的供應(yīng)鏈體系，首次實(shí)現(xiàn)這個(gè)領(lǐng)域設(shè)備的大規(guī)模國(guó)產(chǎn)替代，并受益于這一輪國(guó)產(chǎn)大硅片擴(kuò)產(chǎn)周期。除了大硅片的長(zhǎng)晶設(shè)備外，公司持續(xù)在半導(dǎo)體硅外延，化合物半導(dǎo)體外延，以及化學(xué)氣相沉積CVD等核心設(shè)備的研發(fā)，并有望在未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代中脫穎而出，建立繼光伏之后，新的設(shè)備領(lǐng)域增長(zhǎng)曲線(xiàn)。在新材料業(yè)務(wù)拓展上，石英材料上成效顯著，碳化硅蓄勢(shì)待發(fā)。公司通過(guò)提前把綁定進(jìn)口石英砂產(chǎn)能，以及寧夏鑫晶年產(chǎn)4.8萬(wàn)只石英坩堝的投產(chǎn)，公司在石英耗材上已形成大批量供應(yīng)的能力；在碳化硅材料上，公司在碳化硅長(zhǎng)晶核心技術(shù)上研發(fā)積累已久，目前6英寸量產(chǎn)線(xiàn)良率爬坡在即，并成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，公司在碳化硅長(zhǎng)晶爐上能夠?qū)崿F(xiàn)自供，隨著長(zhǎng)晶良率的進(jìn)一步提升，2023年6寸碳化硅襯底有望實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售能力。從商業(yè)模式上看，公司已經(jīng)形成了設(shè)備+材料的雙軌經(jīng)營(yíng)模式。設(shè)備上，光伏長(zhǎng)晶業(yè)務(wù)的龍頭地位繼續(xù)得到夯實(shí)，同時(shí)在半導(dǎo)體長(zhǎng)晶領(lǐng)域得到了突破性的發(fā)展。在材料上，公司通過(guò)設(shè)備業(yè)務(wù)積累了深厚的客戶(hù)群體和信任基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了在核心材料，如石英等上的規(guī)?；N(xiāo)售，后期將進(jìn)一步導(dǎo)入包括金剛絲線(xiàn)材料銷(xiāo)售，從材料端上強(qiáng)化同客戶(hù)的粘性。在核心材料推動(dòng)和保證客戶(hù)量產(chǎn)進(jìn)度，轉(zhuǎn)而進(jìn)一步提升公司長(zhǎng)晶設(shè)備的銷(xiāo)售，形成正反饋。而新的業(yè)務(wù)拓展上，公司在半導(dǎo)體其他沉積設(shè)備如CVD，ALD以及碳化硅襯底材料上的研發(fā)和業(yè)務(wù)拓展，正在看到實(shí)現(xiàn)收入的潛力。設(shè)備和材料兩條成長(zhǎng)曲線(xiàn)也日益清晰。2.光伏：下游競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)強(qiáng)化公司長(zhǎng)晶爐龍頭地位在下游客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)下，公司訂單持續(xù)保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，公司目前在手訂單量已可支撐公司未來(lái)2-3年的收入增速。2017年以來(lái)，公司新增訂單和設(shè)備銷(xiāo)售收入均保持快速增長(zhǎng)，根據(jù)公司公告，截至2022H1，待完成設(shè)備合同約230億元，公司庫(kù)存量自2020年以來(lái)也大幅提升（2022H1合同負(fù)債70億元），公司目前待完成訂單及庫(kù)存設(shè)備收入確認(rèn)后可釋放的收入總量可觀。訂單持續(xù)增長(zhǎng)對(duì)未來(lái)幾年持續(xù)高成長(zhǎng)形成支撐和保證。目前公司產(chǎn)能均處于滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行狀態(tài)，新增產(chǎn)能也在持續(xù)建設(shè)并開(kāi)出中，快速增長(zhǎng)的產(chǎn)能輸出以及訂單收入確認(rèn)在推動(dòng)公司業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)同時(shí)也強(qiáng)化了公司在光伏長(zhǎng)晶爐領(lǐng)域的龍頭地位。公司作為國(guó)內(nèi)長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭，主打210尺寸長(zhǎng)晶設(shè)備，下游以大尺寸產(chǎn)能需求的硅片客戶(hù)為主，包括光伏硅片雙寡頭之一的中環(huán)，一體化布局的晶科、晶澳，以及光伏新勢(shì)力高景、雙良等。公司目前最大訂單量來(lái)自于中環(huán)，根據(jù)公告，2021年公司共獲得中環(huán)82億元的長(zhǎng)晶爐訂單，接近占當(dāng)年新增訂單近一半份額。在全球新能源需求刺激下，國(guó)內(nèi)下游的硅片行業(yè)正進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)張階段。經(jīng)過(guò)2020-2021年光伏行業(yè)的兩輪大幅擴(kuò)產(chǎn)，從2022年看擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)仍在持續(xù)。硅片作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模最大的環(huán)節(jié)，2020年至今累計(jì)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模已超過(guò)1000GW，其中2022年1-8月硅片領(lǐng)域擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模達(dá)418GW，已超過(guò)2021全年擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模。通過(guò)對(duì)擴(kuò)產(chǎn)數(shù)據(jù)的整理，公司下游主要客戶(hù)繼續(xù)處于積極擴(kuò)產(chǎn)狀態(tài)中：2022年中環(huán)、高景、雙良硅片產(chǎn)能規(guī)劃分別達(dá)140GW/30GW/50GW，三者合計(jì)規(guī)劃產(chǎn)能相較于2021年翻倍；除硅片環(huán)節(jié)，中環(huán)、上機(jī)、雙良也積極向組件及電池環(huán)節(jié)縱向布局，晶科和晶澳也在加速其一體化戰(zhàn)略，在硅片、電池、組件多環(huán)節(jié)同步擴(kuò)產(chǎn)。硅片廠(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)持續(xù)發(fā)酵，弱化行業(yè)供需周期性，利好硅片長(zhǎng)晶設(shè)備硅片廠(chǎng)商類(lèi)似于搶地盤(pán)式的產(chǎn)能擴(kuò)張策略，背后有三方面因素推動(dòng)：其一基于在硅料漲價(jià)背景下對(duì)供應(yīng)安全的應(yīng)對(duì)性需求；其二是出于“先搶地，再耕田”的戰(zhàn)略性行為；其三是大尺寸硅片呈確定性趨勢(shì)，硅片產(chǎn)能仍面臨結(jié)構(gòu)性供應(yīng)不足。后兩點(diǎn)決定了硅片廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)并非短期行為，并加快長(zhǎng)晶設(shè)備技術(shù)升級(jí)速度，下游客戶(hù)的競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)張態(tài)勢(shì)，并不完全受到市場(chǎng)供需影響，弱化了行業(yè)周期，并對(duì)上游長(zhǎng)晶設(shè)備形成長(zhǎng)期支撐。一，硅料供應(yīng)和價(jià)格的波動(dòng)推動(dòng)硅片廠(chǎng)加大產(chǎn)能裕量硅料環(huán)節(jié)的供應(yīng)緊缺和價(jià)格不穩(wěn)定影響下游供應(yīng)安全，組件廠(chǎng)商紛紛與硅片廠(chǎng)簽訂長(zhǎng)單，以保證上游供應(yīng)的穩(wěn)定性，而硅片廠(chǎng)需要建立更大的產(chǎn)能裕量以保證在供應(yīng)上的穩(wěn)定性，防止市場(chǎng)份額的丟失。截至2022年9月，硅料價(jià)格攀升至44美元/千克，相較于2020年初上漲近3倍。硅料作為光伏電池的核心原料，具有投資大、技術(shù)工藝復(fù)雜、投資周期長(zhǎng)的特征。產(chǎn)能釋放需要較長(zhǎng)建設(shè)周期，而供需錯(cuò)配形成的硅料價(jià)格波動(dòng)勢(shì)必會(huì)影響下游的供貨穩(wěn)定性。自2020年下半年硅料漲價(jià)以來(lái)，為保障供應(yīng)安全，多家龍頭組件廠(chǎng)簽訂硅片長(zhǎng)單以確保供應(yīng)：其中包括有2021年末愛(ài)旭分別與雙良和上機(jī)數(shù)控簽訂合同，鎖定未來(lái)三年近30億片的硅片供應(yīng)；2022年初，通威通過(guò)協(xié)議鎖定雙良2024年底前10.5億片的硅片供應(yīng)；2022年5月東方日升向雙良簽訂142億元合同，鎖定2024年底之前的硅片供應(yīng)等。電池及組件廠(chǎng)基于供應(yīng)安全考慮，對(duì)于硅片供應(yīng)的長(zhǎng)期鎖定。需求的持續(xù)增長(zhǎng)和客戶(hù)長(zhǎng)單給硅片環(huán)節(jié)擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)動(dòng)力，同時(shí)在考慮市占率以及供應(yīng)穩(wěn)定等因素下，硅片廠(chǎng)傾向加大其產(chǎn)能裕量和庫(kù)存空間以應(yīng)對(duì)快速變化的市場(chǎng)狀況。二，“先搶地，再耕田”的競(jìng)爭(zhēng)性擴(kuò)產(chǎn)和規(guī)?；悄壳肮杵瑥S(chǎng)的最重要發(fā)展策略。硅片環(huán)節(jié)相較于光伏其他環(huán)節(jié)，更重要的是在規(guī)?；＝Y(jié)合隆基對(duì)行業(yè)的判斷，硅片制造未來(lái)一定是競(jìng)爭(zhēng)性格局，過(guò)剩將成為常態(tài)。在光伏產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛跑馬圈地的階段，硅片企業(yè)能搶奪下游更多市場(chǎng)份額，才有機(jī)會(huì)在未來(lái)獲取超額利潤(rùn)。在這個(gè)背景下，只有通過(guò)快速規(guī)?；a(chǎn)能實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)，是硅片企業(yè)生存和發(fā)展的唯一選擇：一方面，規(guī)模效應(yīng)帶動(dòng)單位成本降低和產(chǎn)品價(jià)格回落，為下游讓出更多利潤(rùn)空間，有利于吸引更多客戶(hù)合作；另一方面，大規(guī)模產(chǎn)能也可以承接得住下游客戶(hù)旺盛的需求，保障穩(wěn)定供貨的能力，因此有大產(chǎn)能及完善供應(yīng)鏈的廠(chǎng)商更加受到下游頭部大客戶(hù)的青睞。從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局上看，中國(guó)的光伏硅片已在全球市場(chǎng)上占據(jù)了絕對(duì)主導(dǎo)地位，根據(jù)CIPA數(shù)據(jù)，2021年底全球硅片總產(chǎn)能約415GW，其中407GW的產(chǎn)能（98%）來(lái)自于中國(guó)大陸企業(yè)。如何能夠繼續(xù)保持在硅片產(chǎn)業(yè)上的全球化優(yōu)勢(shì)，變得尤為重要。應(yīng)對(duì)的主要方式，必然是在海外擴(kuò)建產(chǎn)能，利用硅片成本優(yōu)勢(shì)持續(xù)向全球進(jìn)行產(chǎn)能輸出。近幾年非友好國(guó)家和地區(qū)的光伏需求旺盛，但復(fù)雜的貿(mào)易摩擦使我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入這些市場(chǎng)的難度日漸提高，而性?xún)r(jià)比很高的硅片和海外建廠(chǎng)的策略是打開(kāi)這些國(guó)家和地區(qū)市場(chǎng)的鑰匙。近幾年我國(guó)硅片廠(chǎng)商已采取在東南亞地區(qū)投資建廠(chǎng)戰(zhàn)略，并取得成效。今年上半年美國(guó)商務(wù)部對(duì)東南亞組件產(chǎn)能反規(guī)避調(diào)查中，使用中國(guó)出口的硅片、在東南亞組裝電池的企業(yè)沒(méi)有受到約束。向全球進(jìn)行大規(guī)模的產(chǎn)能輸出，使得全球市場(chǎng)對(duì)我國(guó)光伏產(chǎn)品的依賴(lài)度增強(qiáng)，進(jìn)而緩解海外反制政策帶來(lái)的沖擊。所以，中國(guó)硅片產(chǎn)能大躍進(jìn)的邏輯，并不僅僅是對(duì)全球供需狀況的反映，更多的是國(guó)家產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展的必然選擇。三，大尺寸硅片產(chǎn)能仍面臨整體晶體產(chǎn)能供應(yīng)不足對(duì)于硅片制造商來(lái)說(shuō)，相同單位硅料下硅棒直徑變大，可以減少拉晶次數(shù)，降低能耗；對(duì)于電池和組件制造商來(lái)說(shuō)，一方面，在產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)速率不變的情況下，硅片面積的擴(kuò)大帶動(dòng)電池產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能提升，可以對(duì)人工、折舊及期間費(fèi)用進(jìn)一步攤薄。如M12相比M2電池可節(jié)約0.08元/W，成本降幅達(dá)25.6%；另一方面，硅片大尺寸化使得組件中電池間距縮小，電池占組件面積增加，進(jìn)而帶動(dòng)組件效率的提升。根據(jù)InfoLink數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2025年，大尺寸硅片市場(chǎng)占比將由2021年的42%上升至98%，大尺寸硅片需求將繼續(xù)上升，是光伏行業(yè)確定性發(fā)展趨勢(shì)。公司目前主要提供以210、182規(guī)格為主的大尺寸長(zhǎng)晶爐，下游以中環(huán)、高景、雙良等210陣營(yíng)的客戶(hù)為主。未來(lái)隨小尺寸硅片產(chǎn)能出清加速，大尺寸長(zhǎng)晶設(shè)備將迎來(lái)新一波替換市場(chǎng)?；谝陨蠋c(diǎn)原因，目前硅片廠(chǎng)商在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，將繼續(xù)在產(chǎn)業(yè)規(guī)?；ㄔO(shè)上持續(xù)投入，而對(duì)于上游光伏長(zhǎng)晶設(shè)備廠(chǎng)而言，現(xiàn)在考慮的更多問(wèn)題，是如何幫助客戶(hù)盡快的擴(kuò)充產(chǎn)能到規(guī)?；?jīng)濟(jì)上，進(jìn)而形成雙贏。到2030年，光伏長(zhǎng)晶爐市場(chǎng)空間預(yù)計(jì)為1097億元。根據(jù)國(guó)際能源署（IEA）報(bào)告《全球能源行業(yè)2050凈零排放路線(xiàn)圖》數(shù)據(jù)，以2050年實(shí)現(xiàn)碳凈零排放為前提，到2030年全球光伏總裝機(jī)量需達(dá)到4956GW。對(duì)應(yīng)的，測(cè)算到2030年全球新增裝機(jī)量為702GW,從2022年到2030年平均年裝機(jī)量為446GW。結(jié)合新增需求和老舊產(chǎn)能替換需求，做相關(guān)假設(shè)和長(zhǎng)晶爐市場(chǎng)空間測(cè)算假設(shè)條件如下：

1）組件產(chǎn)量與裝機(jī)量的容配比為1.2:1；

2）硅片到組件端的損耗率為5%；

3）晶體生長(zhǎng)和加工設(shè)備的理論壽命為8-10年，假設(shè)每年老舊設(shè)備更換比率為10%；4）假定2030年后行業(yè)產(chǎn)能利用率可達(dá)80%（當(dāng)前約60%）；

5）1GW硅片假設(shè)需要75臺(tái)左右210型長(zhǎng)晶爐?；跍y(cè)算，到2030年長(zhǎng)晶爐市場(chǎng)空間約為1097億元。2021年公司長(zhǎng)晶設(shè)備銷(xiāo)售量2556臺(tái)（包含少量半導(dǎo)體長(zhǎng)晶設(shè)備），占全球市場(chǎng)份額約60%?？焖俚募夹g(shù)迭代能力和配套服務(wù)，是公司成長(zhǎng)為行業(yè)龍頭的重要原因。公司商業(yè)模式不僅僅定位于長(zhǎng)晶設(shè)備的供應(yīng)商，更核心的商業(yè)價(jià)值在于通過(guò)提供技術(shù)+服務(wù)的綜合解決方案，幫助客戶(hù)以最快的速度實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。背靠浙大技術(shù)支持，研發(fā)根基深厚，經(jīng)多年的研發(fā)積累，公司單晶爐設(shè)備不斷新迭代，設(shè)備拉晶速度要快于同行。公司于2023年即將推出第五代基于開(kāi)放平臺(tái)架構(gòu)的單晶爐，同時(shí)擁有超300項(xiàng)的國(guó)家專(zhuān)利為技術(shù)運(yùn)用保駕護(hù)航，將形成更強(qiáng)的技術(shù)護(hù)城河。對(duì)技術(shù)的深耕，完整的切片設(shè)備配套能力，以及點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的客戶(hù)服務(wù)機(jī)制，推動(dòng)客戶(hù)產(chǎn)能快速爬坡，解決客戶(hù)的剛性需求。在配套服務(wù)方面，公司基于客戶(hù)項(xiàng)目情況，在樂(lè)山、包頭、曲靖、西寧等地布局設(shè)立服務(wù)中心，在大客戶(hù)工廠(chǎng)周?chē)涮追?wù)基地，開(kāi)展“2小時(shí)響應(yīng)，24小時(shí)上門(mén)服務(wù)”的應(yīng)對(duì)策略，并設(shè)立專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)為客戶(hù)做設(shè)備維護(hù)和清理，保障設(shè)備的穩(wěn)定性并提高設(shè)備產(chǎn)能。先進(jìn)的技術(shù)和完善的維保服務(wù)使公司緊密貼近客戶(hù)需求，增強(qiáng)客戶(hù)粘性。深厚技術(shù)沉淀和服務(wù)加持使公司單臺(tái)長(zhǎng)晶爐盈利能力高于同行業(yè)。根據(jù)公司公告，近年來(lái)公司長(zhǎng)晶爐單臺(tái)毛利率基本穩(wěn)定在40%左右，高于行業(yè)平均。為緊密?chē)@大客戶(hù)需求，公司從長(zhǎng)晶設(shè)備向配套設(shè)備和耗材發(fā)展的供應(yīng)體系也在不斷完善。公司已建立覆蓋全自動(dòng)單晶爐、切磨復(fù)合加工一體機(jī)、晶棒單線(xiàn)截?cái)?開(kāi)方機(jī)、切片機(jī)、疊瓦自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)、智慧物流車(chē)間等較為齊全的光伏設(shè)備產(chǎn)線(xiàn)，形成了從晶體生長(zhǎng)設(shè)備、晶體材料加工、電池組件核心設(shè)備為一體的完整產(chǎn)業(yè)布局。同時(shí)公司積極涉入耗材領(lǐng)域，建立了石英坩堝、金剛線(xiàn)、半導(dǎo)體閥門(mén)、磁流體等產(chǎn)品體系。完善的供應(yīng)鏈有望降低下游客戶(hù)采購(gòu)的摩擦成本，縮短硅片廠(chǎng)商由建設(shè)到投產(chǎn)的周期，同時(shí)提高了公司的配套價(jià)值量，進(jìn)一步鞏固了公司光伏設(shè)備龍頭的地位。公司在太陽(yáng)能光伏上的配套供應(yīng)能力和服務(wù)也幫助客戶(hù)快速的形成量產(chǎn)能力和競(jìng)爭(zhēng)能力。以高景和雙良為例。2021年Q4,雙良名義產(chǎn)能為5GW，排在國(guó)內(nèi)第11名，高景為0GW。在公司設(shè)備和服務(wù)的支持下，到2022年Q4,雙良產(chǎn)能達(dá)到20GW，排名國(guó)內(nèi)第7，而高景則達(dá)到50Gw，排名國(guó)內(nèi)第六。反過(guò)來(lái)，客戶(hù)的快速成長(zhǎng)也對(duì)公司未來(lái)設(shè)備和耗材的銷(xiāo)售形成正反饋。3.半導(dǎo)體設(shè)備：大硅片長(zhǎng)晶爐業(yè)務(wù)進(jìn)入快車(chē)道，碳化硅外延爐有望放量在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司通過(guò)前期與包括TCL中環(huán)在內(nèi)的大客戶(hù)深度合作，在半導(dǎo)體大硅片的晶體生長(zhǎng)及加工設(shè)備領(lǐng)域樹(shù)立了品牌，已打入了多家國(guó)內(nèi)頭部硅片大廠(chǎng)的供應(yīng)鏈體系，首次實(shí)現(xiàn)這個(gè)領(lǐng)域設(shè)備的大規(guī)模國(guó)產(chǎn)替代，并受益于這一輪國(guó)產(chǎn)大硅片擴(kuò)產(chǎn)周期。除了大硅片的長(zhǎng)晶設(shè)備外，公司持續(xù)在半導(dǎo)體硅外延，碳化硅外延，以及化學(xué)氣相沉積CVD等核心設(shè)備的研發(fā)，并有望在未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代中脫穎而出，建立繼光伏之后，新的設(shè)備領(lǐng)域增長(zhǎng)曲線(xiàn)。大硅片國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)成型，帶動(dòng)上游長(zhǎng)晶設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的開(kāi)始隨著新能源車(chē)、5G通信、數(shù)據(jù)中心等下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅速帶來(lái)大量需求，上游晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能釋放提速，但伴隨著以日系廠(chǎng)商和德系廠(chǎng)商為主的大硅片廠(chǎng)商產(chǎn)能預(yù)計(jì)要到2024-2025年才能釋放出來(lái)，這使得大硅片出現(xiàn)了較大的供需錯(cuò)配情況，價(jià)格也隨之出現(xiàn)大幅上漲。在大硅片成本持續(xù)上升的壓力和海外供應(yīng)持續(xù)跟不上的環(huán)境下，國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)逐步開(kāi)始導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)大硅片的進(jìn)程加快，同時(shí)國(guó)內(nèi)大硅片廠(chǎng)也開(kāi)始持續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。包括滬硅集團(tuán)、立昂微、中環(huán)股份、超硅半導(dǎo)體、中欣晶圓、奕斯偉、有研等均實(shí)現(xiàn)了12寸硅片的量產(chǎn)，產(chǎn)品也逐步從dummy/reclaim/monitor向primewafer導(dǎo)入。根據(jù)芯東西統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，到2021年底，國(guó)內(nèi)12寸硅片的產(chǎn)能合計(jì)已經(jīng)超過(guò)了162萬(wàn)片/月，隨著中環(huán)和奕斯偉的擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)12寸大硅片的產(chǎn)能將超過(guò)265萬(wàn)片/月?？梢耘袛?，國(guó)產(chǎn)大硅片國(guó)產(chǎn)替代開(kāi)始步入了高速發(fā)展期。上述產(chǎn)能計(jì)劃以擴(kuò)產(chǎn)方式為主，整體產(chǎn)能爬坡情況應(yīng)當(dāng)快于新建綠地工廠(chǎng)，且擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃大多是從2021年底開(kāi)始，故預(yù)計(jì)2023年左右就能實(shí)現(xiàn)大量產(chǎn)能釋放。以上述擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算，主要硅片廠(chǎng)商在8英寸產(chǎn)能方面計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)60%左右，12英寸產(chǎn)能方面擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃達(dá)到133%的增幅。此部分?jǐn)?shù)據(jù)還沒(méi)有完全覆蓋所有國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商的擴(kuò)產(chǎn)情況，比如奕斯偉在西安基地的二期擴(kuò)產(chǎn)工程開(kāi)始，只是暫未有明確產(chǎn)能數(shù)據(jù)披露所以沒(méi)有納入計(jì)算，實(shí)際情況國(guó)產(chǎn)硅片廠(chǎng)的“擴(kuò)產(chǎn)潮”要來(lái)得更加猛烈。與此同時(shí)，在隨著國(guó)產(chǎn)大硅片規(guī)模化、產(chǎn)業(yè)化開(kāi)始，上游長(zhǎng)晶爐設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化也迅速展開(kāi)。這點(diǎn)表現(xiàn)為兩個(gè)推動(dòng)因素。第一，全球大硅片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了為期2-3年的擴(kuò)產(chǎn)周期，對(duì)于海外的上游長(zhǎng)晶設(shè)備廠(chǎng)商整體的產(chǎn)能和配套服務(wù)能力面臨挑戰(zhàn)。第二，國(guó)產(chǎn)大硅片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；彤a(chǎn)業(yè)化后，勢(shì)必帶來(lái)對(duì)設(shè)備需求和研發(fā)服務(wù)的持續(xù)提升以及成本的要求，這給具備本土化優(yōu)勢(shì)的國(guó)內(nèi)長(zhǎng)晶設(shè)備和相關(guān)配套設(shè)備廠(chǎng)商帶來(lái)了成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。綜合SUMCO、Shin-Etsu、環(huán)球晶圓、滬硅產(chǎn)業(yè)、TCL中環(huán)等多家全球硅片大廠(chǎng)產(chǎn)能數(shù)據(jù)并預(yù)測(cè)，到2024年全球8英寸及12英寸硅片需求量將分別達(dá)到823萬(wàn)片/月、999萬(wàn)片/月。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，在brownfield模式下，制程做到拋光段，20萬(wàn)片月的8英寸半導(dǎo)體硅片約需要35臺(tái)左右長(zhǎng)晶爐，設(shè)備投資規(guī)模約7-8億元。月產(chǎn)20萬(wàn)片12英寸半導(dǎo)體硅片需要37臺(tái)左右的長(zhǎng)晶投資爐，設(shè)備投資規(guī)模約12-15億元，而產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)中設(shè)備投資金額約占70-80%。其中設(shè)備投資除長(zhǎng)晶爐外，還有切片、拋光等制造加工設(shè)備。不考慮設(shè)備替換和報(bào)廢，測(cè)算2022-2024年全球8英寸和12英寸長(zhǎng)晶爐合計(jì)新增需求分別有望達(dá)到174臺(tái)/410臺(tái)，分別對(duì)應(yīng)2022E-2024E期間約4%/9%的CAGR增長(zhǎng)，到2025年新增投資額達(dá)467億元。隨著全球新一輪硅片擴(kuò)產(chǎn)周期，長(zhǎng)晶設(shè)備的全球主要廠(chǎng)商包括S-TECH，PVATePla以及Ferrotec等公司在產(chǎn)能和服務(wù)體系面臨壓力。而中國(guó)本土的防疫政策、零部件運(yùn)輸管理和維保成本的上升壓力，以及包括晶盛、北方華創(chuàng)、晶能等本地公司技術(shù)能力的提升和本土化服務(wù)優(yōu)勢(shì)，海外廠(chǎng)商在國(guó)內(nèi)硅片大廠(chǎng)的供應(yīng)份額逐漸下降，國(guó)產(chǎn)設(shè)備的占比逐步提升。目前公司在國(guó)內(nèi)主要的硅片廠(chǎng)商中，均進(jìn)入了供應(yīng)鏈體系并形成規(guī)?；N(xiāo)售能力?？蛻?hù)結(jié)構(gòu)上，從原以中環(huán)為主，逐步同包括新昇、金瑞泓、合晶、神工等公司開(kāi)始合作。憑借與大客戶(hù)深度合作積極拓展下游，樹(shù)立公司的行業(yè)品牌公司與中環(huán)之間的合作關(guān)系由來(lái)已久，通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的上下游協(xié)作經(jīng)驗(yàn)積累，雙方建立了堅(jiān)實(shí)的商業(yè)聯(lián)系。梳理公告信息可知，公司在2012年時(shí)承擔(dān)了國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)“8英寸區(qū)熔單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”，該項(xiàng)目責(zé)任及驗(yàn)收應(yīng)用單位就是TCL中環(huán)控股子公司天津環(huán)歐半導(dǎo)體，雙方的緊密合作自此展開(kāi)。雙方于2017年10月達(dá)成了戰(zhàn)略合作關(guān)系，期間還陸續(xù)合伙投資組建了內(nèi)蒙古晶環(huán)電子、內(nèi)蒙古中晶科技研究院和中環(huán)領(lǐng)先三家子公司。兩家公司之間供應(yīng)鏈合作緊密，形成了共同研發(fā)和供應(yīng)鏈合作的戰(zhàn)略型合作關(guān)系。TCL中環(huán)是國(guó)產(chǎn)硅片行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，公司通過(guò)與中環(huán)長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作確保了自身產(chǎn)品的主要下游需求，并同中環(huán)一起成長(zhǎng)。相比于硬件技術(shù)的差異化，晶體生長(zhǎng)設(shè)備的穩(wěn)定性、產(chǎn)能、配套服務(wù)等則是采購(gòu)設(shè)備的客戶(hù)更加看重的因素，故晶體生長(zhǎng)設(shè)備供應(yīng)商的導(dǎo)入是較為漫長(zhǎng)的過(guò)程，而在導(dǎo)入之后一般也不會(huì)輕易變更?；谶@種情況，大客戶(hù)TCL中環(huán)在長(zhǎng)久地磨合后對(duì)公司建立了充分的信任，目前已經(jīng)較大比重采購(gòu)公司的產(chǎn)品。與大客戶(hù)的合作關(guān)系和供應(yīng)關(guān)系，也給公司技術(shù)的演進(jìn)、經(jīng)驗(yàn)的積累、品質(zhì)的提高和品牌口碑提供了一定背書(shū)作用，助力公司加快拓展其他下游客戶(hù)。根據(jù)公司公告披露，公司在半導(dǎo)體設(shè)備訂單達(dá)到了30億元以上，以長(zhǎng)晶設(shè)備為主，其中包括中環(huán)8寸和12寸的長(zhǎng)晶和部分設(shè)備訂單。其他包括有研半導(dǎo)體、鄭州合晶、上海新昇、神工等均有望成為公司主要下游客戶(hù)，公司在半導(dǎo)體大硅片長(zhǎng)晶設(shè)備上已邁出了一大步。長(zhǎng)晶設(shè)備參數(shù)對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平，差異化優(yōu)勢(shì)助力未來(lái)市占率提升半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)技術(shù)繁多，其中應(yīng)用于單晶硅的主流技術(shù)是直拉法和懸浮區(qū)熔法，兩種方法各有優(yōu)劣。直拉法便于控制晶體生長(zhǎng)，易于獲得大直徑單晶，晶向選擇也較多，但坩堝與加熱系統(tǒng)等增加了制備過(guò)程中雜質(zhì)增加的可能性；懸浮區(qū)熔法是在惰性氣體保護(hù)環(huán)境下作業(yè)，無(wú)需使用坩堝，故可以防止氧或金屬雜質(zhì)的摻入，長(zhǎng)出的純度較高的單晶體可用于制備高電阻的半導(dǎo)體材料與器件（如IGBT）。不過(guò)區(qū)熔法由于籽晶與熔體界面難以控制，難以制備像12寸單晶硅等大直徑單晶體，此外熔體材料也需要較高純度的多晶硅棒，成本較高。公司擁有兩種長(zhǎng)晶爐的批量產(chǎn)出能力，主要設(shè)備產(chǎn)品有：（直拉法）全自動(dòng)單晶爐TDR135A-ZJS、區(qū)熔硅單晶爐FZ100A-ZJS等，其工藝技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，目前銷(xiāo)售以（直拉法）全自動(dòng)單晶爐為主。公司設(shè)備性能對(duì)標(biāo)主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體級(jí)單晶爐產(chǎn)品而言，在熱場(chǎng)、生長(zhǎng)控制系統(tǒng)方面存在差異化優(yōu)勢(shì)，其余參數(shù)對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平。其中：

熱場(chǎng)方面，公司在熱場(chǎng)尺寸上具備優(yōu)勢(shì)，更容易形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)降低成本。熱場(chǎng)尺寸同生產(chǎn)單晶硅棒的直徑有對(duì)應(yīng)關(guān)系，熱場(chǎng)越大能夠生產(chǎn)的單晶硅棒直徑尺寸也越大，未來(lái)半導(dǎo)體單晶硅的直徑尺寸將向12英寸或更大發(fā)展。公司熱場(chǎng)尺寸較大，兼容性較強(qiáng)，更容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)從而降低成本，也有利于公司應(yīng)用優(yōu)于其他同類(lèi)廠(chǎng)家的熱場(chǎng)材料。熱場(chǎng)本身技術(shù)難度不高，許多設(shè)備廠(chǎng)、硅片廠(chǎng)都有在自主研發(fā)設(shè)計(jì)。其單價(jià)約15萬(wàn)元/套，一半成本在于原材，且熱場(chǎng)本身屬于耗材，其中組成部分的壽命在0.67-2年。公司的熱場(chǎng)供貨商金博股份主要采用碳/碳復(fù)材，其斷裂韌性較高，耐腐蝕性、耐摩擦性、耐熱沖擊性?xún)?yōu)秀，與石墨相比性能更優(yōu)異，壽命更長(zhǎng)，且在尺寸增大時(shí)碳/碳復(fù)材成本僅線(xiàn)性增加，而石墨材料成本按直徑平方增加，目前在熱場(chǎng)制造中正在加速替代石墨材料。生長(zhǎng)控制系統(tǒng)方面，僅從籽晶和坩堝的升降速率、轉(zhuǎn)速等參數(shù)看，國(guó)內(nèi)外主流廠(chǎng)商看似幾乎沒(méi)有差距，但其實(shí)公司的差異化優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在生長(zhǎng)控制系統(tǒng)的軟件平臺(tái)上。基于開(kāi)放平臺(tái)架構(gòu)的第五代單晶爐最大的亮點(diǎn)在于改變了傳統(tǒng)的封閉控制系統(tǒng)模式，配置了基于開(kāi)放架構(gòu)的用戶(hù)可編程的軟件定義工藝（SoftwareDefinedProcess,SDP）平臺(tái)，將控制層與數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)層分離開(kāi)來(lái)，提供可自行構(gòu)建工藝時(shí)序、控制邏輯、晶體生長(zhǎng)核心算法的自主創(chuàng)新條件，用戶(hù)只需按模型接口即可實(shí)現(xiàn)定制開(kāi)發(fā)。通過(guò)此平臺(tái)技術(shù)，客戶(hù)可以將自己的特殊制程工藝制作成特定的模塊，完美解決客戶(hù)在產(chǎn)能建設(shè)中希望將自身成熟工藝固化、保密，及對(duì)工藝過(guò)程的深度差異化等需求。目前國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)均采購(gòu)海外公司磁場(chǎng)產(chǎn)品，性能方面差距不大。磁場(chǎng)是單晶爐中高價(jià)值量的部分，普通的電磁場(chǎng)售價(jià)就要100-200萬(wàn)元，而目前給12寸硅單晶爐使用的超導(dǎo)磁場(chǎng)單價(jià)超過(guò)500萬(wàn)元。技術(shù)層面上海外企業(yè)較為領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商的產(chǎn)品穩(wěn)定性或者驗(yàn)證時(shí)間不夠，暫時(shí)很難獲取到客戶(hù)的信任。比如公司主要從日本廠(chǎng)商處采購(gòu)，南京晶能主要從TESLAENGINEERINGLTD.和TOSHIBAENERGYSystem&solutions采購(gòu)。不過(guò)，由于磁場(chǎng)方面國(guó)外擴(kuò)產(chǎn)緩慢，各家設(shè)備廠(chǎng)也都有在培養(yǎng)國(guó)內(nèi)替代供應(yīng)商，未來(lái)有望貢獻(xiàn)產(chǎn)能。對(duì)比來(lái)看，公司的設(shè)備在晶棒產(chǎn)能方面不輸于國(guó)內(nèi)外主流水平。其中，裝料量、爐室直徑?jīng)Q定了單晶爐單次可以容納多少原材料，單次投入的原材料越多，相應(yīng)的生產(chǎn)成本就越低，同時(shí)產(chǎn)能效率也在提高；喉口直徑則影響了拉出晶棒的直徑大小。不僅如此，公司布局了硅片制造環(huán)節(jié)（主要是晶體生長(zhǎng)設(shè)備以及“切、磨、拋”設(shè)備）的各種配套設(shè)備，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于完善，全套式供貨能更好地響應(yīng)客戶(hù)。國(guó)內(nèi)硅片廠(chǎng)商如中環(huán)股份、滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微等，抓住供需不平衡的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，持續(xù)推出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將最重要的硅片產(chǎn)能握在手中，提升自身的市場(chǎng)占有率。本輪國(guó)產(chǎn)硅片擴(kuò)產(chǎn)周期，作為本土長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭公司，將有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)在這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域內(nèi)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)口替代。根據(jù)歷史訂單情況預(yù)測(cè)，公司作為上述硅片廠(chǎng)的設(shè)備供應(yīng)商，將給客戶(hù)供貨晶體生長(zhǎng)設(shè)備以及“切、磨、拋”等配套加工設(shè)備。我們預(yù)測(cè)中環(huán)2022年-2023年上半年，8寸產(chǎn)能有望達(dá)到120萬(wàn)片/月，12寸從22萬(wàn)片提升到30萬(wàn)片/月，中期規(guī)劃在60萬(wàn)片/月，總體投資接近70億元，公司相關(guān)占比有望達(dá)到80%以上?？紤]新昇、立昂微、神工、合晶等擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，公司在半導(dǎo)體設(shè)備總訂單量有望突破百億，并在未來(lái)幾年實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售確認(rèn)。提前布局碳化硅外延設(shè)備，助力國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈廠(chǎng)商縱向發(fā)展碳化硅外延層處于產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量碳化硅外延層，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用在新能源汽車(chē)、軌道交通、光伏風(fēng)電、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景。現(xiàn)階段光伏和充電基礎(chǔ)設(shè)施是碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域，新能源汽車(chē)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展也保證了未來(lái)碳化硅市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模約10億美元，預(yù)計(jì)到2027年，碳化硅器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)70億美元。公司在碳化硅領(lǐng)域主要布局長(zhǎng)晶、拋光、外延設(shè)備及6英寸導(dǎo)電性襯底片，目前6英寸碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)售。由于現(xiàn)有器件基本都是在外延層上實(shí)現(xiàn)的，對(duì)于外延層的要求日益增高，其質(zhì)量?jī)?yōu)劣對(duì)于下游器件性能起著至關(guān)重要的作用。一般來(lái)說(shuō)，隨著耐壓性能的不斷提高，要求的外延層厚度就越厚。600V左右的電壓所需要的外延層厚度約在6微米，到1200-1700V時(shí)則需要厚度達(dá)到10-15微米，特高壓環(huán)境下要求會(huì)更高。而隨著外延層厚度不斷增加，對(duì)于厚度均勻性、摻雜均勻性及缺陷密度的控制難度也逐漸增高。最初碳化硅外延是在無(wú)偏角襯底上生長(zhǎng)，但受多型體混合影響難以用來(lái)制備器件。之后發(fā)展出在8°左右偏角的襯底上的斜切臺(tái)階流技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫生長(zhǎng)且穩(wěn)定控制晶型，但該方法缺陷在于無(wú)法阻斷基平面位錯(cuò)和對(duì)襯底材料造成浪費(fèi)。接下來(lái)TCS法應(yīng)運(yùn)而生，該方法能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)速率大幅提升及對(duì)質(zhì)量的有效控制，2014年由意大利LPE公司實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，2017年Aixtron公司對(duì)設(shè)備進(jìn)行了升級(jí)改造，將這個(gè)技術(shù)移植到了商業(yè)的設(shè)備中。目前，碳化硅外延技術(shù)已與碳化硅外延設(shè)備高度融合，而外延設(shè)備則主要由意大利的LPE公司、德國(guó)Aixtron公司以及日本的Nuflare公司所壟斷。德國(guó)Aixtron：其設(shè)備產(chǎn)能較大，在反應(yīng)腔體上擁有自主創(chuàng)新的近耦合噴淋頭式（CCS,CloseCoupledShowerhead）及行星式（Planetary）。產(chǎn)品AIXG5WWC橫流行星式批量反應(yīng)爐（BatchReactor），一次性可以進(jìn)行8片6寸外延反應(yīng)，且能夠做到單晶片控制。產(chǎn)品G10-SiC行星式最大容量為9片6寸&6片8寸，生長(zhǎng)質(zhì)量和速度接近單晶片反應(yīng)爐（SingleWaferReactor）。目前公司的產(chǎn)品為Wolfspeed開(kāi)始采購(gòu)并使用。其爐特點(diǎn)是多片合一爐的設(shè)計(jì)，類(lèi)似以前MOCVD的技術(shù)實(shí)現(xiàn)途徑，優(yōu)點(diǎn)是有利于快速釋放產(chǎn)能，但外延的一致性和可靠性問(wèn)題仍需要時(shí)間得到提升。日本Nuflare：設(shè)備主打全自動(dòng)，最高能夠做到8寸的外延生長(zhǎng)。產(chǎn)品EPIREVOS6為單晶片碳化硅外延爐，生長(zhǎng)速率50μm/h，厚度均勻度＜2%(E.E.=3Mmm），摻雜均勻度＜4%(E.E.=6Mmm），缺陷密度低，單套設(shè)備價(jià)格較昂貴，但雙腔體可以做到更大的產(chǎn)量所以單片成本相對(duì)低。Nuflare本身主營(yíng)光掩模制造，碳化硅外延設(shè)備產(chǎn)能相對(duì)不高，設(shè)備產(chǎn)能釋放較慢，一個(gè)月的產(chǎn)出僅為1-2臺(tái)左右，且基本僅供應(yīng)給showadenko，On-semi等少數(shù)幾家海外大廠(chǎng)。意大利LPE：設(shè)備屬于單片機(jī)，控制能力強(qiáng)，單套價(jià)格較低，生長(zhǎng)速率很快，且其研發(fā)的Bubbler設(shè)備可以有效改善批量控制的厚度均勻性。產(chǎn)品PE1O6/1O6A屬于6寸單晶片反應(yīng)爐，可以實(shí)現(xiàn)薄、厚和超厚外延層生長(zhǎng)，多層（P和N）一次運(yùn)行。LPE公司目前已被荷蘭ASM公司收購(gòu)，主要供貨給Wolfspeed以及瀚天天成、東莞天域、三安等國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)下游新能源需求十分旺盛，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正在快速追趕中。目前國(guó)內(nèi)在碳化硅襯底環(huán)節(jié)已經(jīng)逐步形成了數(shù)家規(guī)?；髽I(yè)，但在外延環(huán)節(jié)目前還是相對(duì)只有瀚天天成和東莞天域整體規(guī)模較大，而外延設(shè)備對(duì)進(jìn)口的依賴(lài)，以及配套設(shè)備的高成本耗材影響了這個(gè)環(huán)節(jié)的盈利水平，國(guó)內(nèi)碳化硅外延廠(chǎng)商如需進(jìn)入更快的發(fā)展軌道，在外延的國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)口替代是關(guān)鍵的突破口。公司在這個(gè)領(lǐng)域上已經(jīng)形成了相關(guān)的產(chǎn)品，并逐步開(kāi)始投向市場(chǎng)，未來(lái)這個(gè)部分有望實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。另一方面，通過(guò)在外延設(shè)備上同客戶(hù)綁定，公司能更有效的打通自身在著力發(fā)展的碳化硅襯底片銷(xiāo)售，將耗材業(yè)務(wù)延展到外延環(huán)節(jié)。布局半導(dǎo)體鍍膜環(huán)節(jié)，切入CVD/ALD，打造新的設(shè)備產(chǎn)品線(xiàn)晶圓制造環(huán)節(jié)涉及設(shè)備價(jià)值占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備總投資近八成，而其中薄膜沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)占比前三。除去光刻機(jī)，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備是價(jià)值量很大的兩塊，也是國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)的兵家必爭(zhēng)之地。而CVD、ALD產(chǎn)品均屬于薄膜沉積設(shè)備，市場(chǎng)空間廣闊，增速也很快。在公司的戰(zhàn)略中，除了長(zhǎng)晶和外延兩個(gè)方向外，薄膜沉積也是公司重點(diǎn)布局的方向。2020年度，CVD設(shè)備全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)89億美元，其中美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）的市場(chǎng)占有率分別為28%、25%和17%，CR3達(dá)70%。隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求也在增加。MaximizeMarketResearch預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2025年將達(dá)到340億美元，考慮到CVD設(shè)備通常在薄膜沉積設(shè)備中占七成左右，2025年全球CVD市場(chǎng)將超過(guò)230億美元。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的先入局者主要有北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等，但目前整體市場(chǎng)仍集中于海外廠(chǎng)商。常用CVD設(shè)備包括APCVD、LPCVD、PECVD、SACVD等，適用于不同工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。其中，LPCVD是APCVD在低壓環(huán)境下的改進(jìn)版本，在CVD設(shè)備中占比約15%（參考前文數(shù)據(jù)2025年市場(chǎng)規(guī)模約為36億美元），其薄膜的均勻性和溝槽覆蓋填充能力有所改善，但沉積速率較低，反應(yīng)溫度較高，多用于高溫氧化硅、氮化硅、多晶硅等。在國(guó)內(nèi)LPCVD市場(chǎng)中，僅有北方華創(chuàng)布局較完備，其在LPCVD領(lǐng)域可以做到28nm部分量產(chǎn)供貨，中微公司尚處于客戶(hù)端驗(yàn)證階段。公司早在2018年就成立了全資子公司求是半導(dǎo)體作為CVD設(shè)備項(xiàng)目基地，目前已經(jīng)基于先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)了8/12英寸LPCVD設(shè)備并形成銷(xiāo)售。在先進(jìn)MPCVD設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)及市場(chǎng)化方面，日本、美國(guó)及德國(guó)等團(tuán)隊(duì)處于領(lǐng)跑地位，日本已成功研發(fā)超高純2英寸金剛石晶圓量產(chǎn)方法，而國(guó)內(nèi)比較少有企業(yè)或機(jī)構(gòu)突破實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)量產(chǎn)的技術(shù)難點(diǎn)，如中兵紅箭子公司中南鉆石實(shí)現(xiàn)鉆石毛胚批量制備技術(shù)的突破，國(guó)機(jī)精工有一些儲(chǔ)備等。2022年8月12日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）對(duì)氧化鎵、金剛石兩類(lèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)實(shí)施出口管制。2022年上半年，公司成功研發(fā)全自動(dòng)MPCVD法生長(zhǎng)金剛石設(shè)備（型號(hào)XJL200A）成功生長(zhǎng)出高品質(zhì)寶石級(jí)的金剛石晶體。公司在國(guó)內(nèi)金剛石制備設(shè)備領(lǐng)域處于競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同業(yè)對(duì)手稀少，考慮到金剛石晶體尚為藍(lán)海市場(chǎng)，遠(yuǎn)景市場(chǎng)空間巨大，疊加美國(guó)在超寬禁帶材料方面對(duì)我國(guó)實(shí)施出口管制的影響，MPCVD產(chǎn)品有望拉動(dòng)公司遠(yuǎn)期成長(zhǎng)。ALD設(shè)備是一種可以將反應(yīng)材料以單原子膜形式通過(guò)循環(huán)反應(yīng)逐層沉積在基片表面，形成對(duì)復(fù)雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專(zhuān)用設(shè)備。該設(shè)備制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺(tái)階覆蓋率高，特別適合深槽結(jié)構(gòu)中的薄膜生長(zhǎng)，在先進(jìn)邏輯芯片、DRAM和3DNAND制造中必不可少。ALD設(shè)備在CVD設(shè)備中比例約為18%，對(duì)應(yīng)2020年的市場(chǎng)規(guī)模約16億美元。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Acumenresearchandconsulting預(yù)測(cè)，由于半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線(xiàn)數(shù)量增加，2026年全球ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為32億美元。市場(chǎng)由海外龍頭主導(dǎo)，日本TEL和荷蘭ASMI各占據(jù)約三成份額，國(guó)內(nèi)拓荊科技較為領(lǐng)先，其適配55-14nm工藝需求的PEALD設(shè)備已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著“摩爾定律”的持續(xù)實(shí)現(xiàn)，芯片制造工藝制程在不斷進(jìn)步，對(duì)于薄膜沉積的需求量和性能都在快速提高。目前，28nm以下先進(jìn)制程的FinFET制造工藝中，難點(diǎn)在于形成Fin的形狀，F(xiàn)in的有源區(qū)并不是通過(guò)光刻直接形成的，而是通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)雙重成像技術(shù)（SADP）工藝形成。ALD所沉積的Spacer材料的寬度決定了Fin的寬度，是制約邏輯芯片制程先進(jìn)程度的核心因素之一。公司目前已開(kāi)始布局ALD設(shè)備，未來(lái)也有望將其應(yīng)用于化合物外延、鍍膜方向。現(xiàn)階段，公司在CVD和ALD等方向上的技術(shù)研發(fā)在快速推進(jìn)中，陸續(xù)的產(chǎn)品也預(yù)期陸續(xù)進(jìn)入商業(yè)化階段，形成公司在除了半導(dǎo)體長(zhǎng)晶、半導(dǎo)體外延之后，新的發(fā)展賽道。4.核心耗材：石英坩堝、金剛石線(xiàn)積極配套，靜待碳化硅材料良率爬坡公司前瞻性?xún)?chǔ)備進(jìn)口石英砂，保證石英坩堝以更具優(yōu)勢(shì)的成本順利擴(kuò)產(chǎn)。石英坩堝是光伏單晶爐的關(guān)鍵部件，由高純二氧化硅石英砂通過(guò)模具定型，使用電弧法高溫制作而成。石英坩堝基本呈透明狀，分為外層和中內(nèi)層，中內(nèi)層石英砂影響單晶生長(zhǎng)品質(zhì)，因此一般采用進(jìn)口石英砂，而外層石英砂一般對(duì)石英砂品質(zhì)要求稍低，目前由國(guó)內(nèi)企業(yè)供貨。當(dāng)前石英砂供給緊缺，價(jià)格大幅增長(zhǎng)。一方面，全球礦產(chǎn)資源有限，在石英砂領(lǐng)域“得礦者，得天下”，目前海外能夠大批量穩(wěn)定供應(yīng)高純度石英砂企業(yè)僅包括美國(guó)西比科公司、挪威天闊石等。我國(guó)石英礦流體雜質(zhì)多、規(guī)模小，提純難度更高，環(huán)保限產(chǎn)疊加資源緊張,導(dǎo)致石英砂原料相對(duì)不足，目前僅石英股份、江蘇陽(yáng)山等可以實(shí)現(xiàn)高純度石英砂的規(guī)模化供應(yīng)。從需求來(lái)看，近年來(lái)下游應(yīng)用領(lǐng)域逐步起量，石英砂出現(xiàn)了供需關(guān)系錯(cuò)配的局面；另一方面，廠(chǎng)商更傾向于投產(chǎn)價(jià)值量更高的半導(dǎo)體坩堝，因此光伏石英砂的供給緊張度進(jìn)一步加劇。在硅片大尺寸+N型電池趨勢(shì)下，拉晶過(guò)程對(duì)石英坩堝的尺寸及硅料純度都會(huì)有更高的要求，將導(dǎo)致單位耗量的增加，預(yù)計(jì)未來(lái)石英坩堝需求將有更加快速的增長(zhǎng)。在石英坩堝整體供不應(yīng)求的行業(yè)背景下，公司提前儲(chǔ)備進(jìn)口石英砂，有利于保障石英坩堝擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度和成本優(yōu)勢(shì)。晶盛于2017年開(kāi)始布局石英坩堝，使用的高純石英砂以海外進(jìn)口為主，同時(shí)采購(gòu)國(guó)內(nèi)部分高質(zhì)量石英砂，目前在浙江、內(nèi)蒙、寧夏建立生產(chǎn)基地，已產(chǎn)出28-40英寸大尺寸石英坩堝，并在半導(dǎo)體級(jí)和光伏級(jí)石英坩堝都有布局，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)不同型號(hào)規(guī)格產(chǎn)品的需求。2021年，公司以戰(zhàn)略性的眼光，于行業(yè)價(jià)格低點(diǎn)儲(chǔ)備大量進(jìn)口石英砂，預(yù)計(jì)對(duì)未來(lái)2-3年的石英坩堝產(chǎn)能起到有力支撐作用。2022年5月，下屬公司寧夏鑫晶新材料一期年產(chǎn)4.8萬(wàn)只大尺寸石英坩堝項(xiàng)目正式投產(chǎn)（規(guī)劃三期共16萬(wàn)只），二期即將投產(chǎn)。據(jù)測(cè)算，1GW大尺寸硅片年產(chǎn)能大概需要2940-3360個(gè)坩堝，公司寧夏鑫晶大尺寸坩堝項(xiàng)目一期的全面落地預(yù)計(jì)將支撐14-17GW的硅片年產(chǎn)能。根據(jù)歐晶公告，石英坩堝單價(jià)不足3000元（光伏級(jí)），占下游硅片廠(chǎng)采購(gòu)成本的比例低，但對(duì)單晶硅棒和硅片的成品質(zhì)量影響卻很大，因此經(jīng)過(guò)了可靠性、穩(wěn)定性驗(yàn)證的廠(chǎng)商，一般與下游客戶(hù)的合作黏性較強(qiáng)。2021年晶盛子公司美晶新材開(kāi)始給中環(huán)供應(yīng)半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝，有望對(duì)中環(huán)保持穩(wěn)定供貨。我們預(yù)計(jì)，2022/2023年石英坩堝有望為公司貢獻(xiàn)約4.5億/12億元的收入。除石英坩堝，公司在金剛線(xiàn)等關(guān)鍵耗材上也在積極配套布局。金剛石線(xiàn)主要用于晶體硅、藍(lán)寶石、精密陶瓷等硬脆材料的切割，可用于硅棒截?cái)?、硅錠開(kāi)方、硅片切割，其切割性能直接影響硅片的質(zhì)量及光伏組件的光電轉(zhuǎn)換性能。金剛石線(xiàn)技術(shù)最早源于日本，2013年開(kāi)始國(guó)內(nèi)部分光伏企業(yè)采用金剛石線(xiàn)切割工藝，如今已基本實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化。金剛石線(xiàn)切割工藝相較于之前的切割工藝原材料利用率和切割效率不斷提升，硅片單位切割成本也不斷降低，已成為晶硅切片的主流工藝。目前光伏晶硅切片的金剛石線(xiàn)用量占當(dāng)前金剛石線(xiàn)總需求量的比例超過(guò)90%。近幾年金剛石線(xiàn)行業(yè)供給快速增加，在產(chǎn)能過(guò)剩的背景下，快速降本能力成為行業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。美暢股份憑借一體化布局持續(xù)降本，實(shí)現(xiàn)了壟斷的行業(yè)地位，2021年市占率約61%。硅片薄片化進(jìn)程推動(dòng)了金剛石線(xiàn)細(xì)化。可用于光伏硅片切割的常規(guī)高碳鋼絲極限線(xiàn)徑約35μm，目前行業(yè)主流產(chǎn)品直徑在38μm~42μm，已經(jīng)逐步接近高碳鋼絲的自身物理極限。當(dāng)前具有較高的破斷力、更高抗拉強(qiáng)度的鎢絲成為最有前景的母線(xiàn)材料替代者，但成本較高是影響鎢絲暫未大規(guī)模使用的關(guān)鍵因素。晶盛目前的金剛絲線(xiàn)布局仍以高碳鋼絲為主，鎢絲方向也在籌備當(dāng)中。公司在金剛線(xiàn)上的配套布局，將有助于提高向下游客戶(hù)進(jìn)行一體化供應(yīng)的能力，進(jìn)一步增強(qiáng)客戶(hù)粘性。碳化硅襯底：成熟工藝遷移+下游客戶(hù)關(guān)系良好，有望推動(dòng)良率爬坡及量產(chǎn)公司在碳化硅的策略上，更多的是考慮是自制長(zhǎng)晶爐，對(duì)外銷(xiāo)售襯底，而不是類(lèi)似于光伏，以賣(mài)長(zhǎng)晶爐為主，在這個(gè)業(yè)務(wù)模式上，公司類(lèi)似于美國(guó)的II-VI公司。從種類(lèi)來(lái)看，碳化硅襯底經(jīng)外延生長(zhǎng)后再做成器件，根據(jù)下游應(yīng)用分別在功率器件和射頻器件方面，對(duì)應(yīng)的可劃分成導(dǎo)電型（N-type）和半絕緣型（semi-insulation）。按照下游需求增長(zhǎng)上來(lái)看，目前最大的需求來(lái)自導(dǎo)電型碳化硅襯底。而射頻器件所需的半絕緣型襯底，全球格局已相對(duì)比較穩(wěn)定，國(guó)內(nèi)則以山東天岳為最大。在導(dǎo)電型碳化硅襯底上，2021年全球在碳化硅襯底上的主要玩家包括Wolfspeed、Rohm和II-VI等，2022年隨著安森美、Wolfspeed、Rohm（si-crystal）以及國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商的產(chǎn)能釋放，格局將發(fā)生變化?？傮w上，國(guó)外的廠(chǎng)商把碳化硅襯底的主要需求放到電動(dòng)汽車(chē)方向，這樣在持續(xù)增長(zhǎng)的工業(yè)和新能源等領(lǐng)域，則空出了一定的市場(chǎng)空間，有利于國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)去發(fā)展。國(guó)內(nèi)包括天科合達(dá)、山東天岳等公司在襯底上的整體占比不高，整體直通良率，大概在4成-5成左右，略低于國(guó)際整體水平，且處于快速的發(fā)展階段。公司充分評(píng)估了長(zhǎng)期在長(zhǎng)晶設(shè)備上耕耘而形成的對(duì)長(zhǎng)晶技術(shù)的獨(dú)特理解和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及多年在碳化硅長(zhǎng)晶投入產(chǎn)生的know-how，以及整個(gè)產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈變化發(fā)展的趨勢(shì)，初步形成了以碳化硅襯底+