多級放大電路試題x

第二章多級放大電路自測題一、判斷下列說法是否正確，凡對的在括號內(nèi)打“J”，否則打“X”。（1）現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為一100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為lOOOOo（X）（2）阻容耦合多級放大電路各級的。點(diǎn)相互獨(dú)立，（V）它只能放大交流信號。（V）（3）直接耦合多級放大電路各級的。點(diǎn)相互影響，（V）它只能放大直流信號。（X）（4）只有直接耦合放大電路中晶休管的參數(shù)才隨溫度而變化。（X）（5）互補(bǔ)輸出級應(yīng)采用共集或共漏接法。（V）二、現(xiàn)有基本放大電路：共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級放大電路。（1）要求輸入電阻為IkQ至2kQ,電壓放大倍數(shù)大于3000,第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用。（2）要求輸入電阻大于10MQ，電壓放大倍數(shù)大于300，第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用o（3）要求輸入電阻為100kQ200kQ,電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100,第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用o（4）要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10,輸入電阻大于10MQ,輸出電阻小于100Q,第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用o（5）設(shè)信號源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓，且閔=時。/七|>1000，輸出電阻氏。<100，第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用。解：（1）A,A（2）D,A（3）B,A（4）D,B（5）C,B三、選擇合適答案填入空內(nèi)。（1）直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是0A.電阻阻值有誤差B.晶體管參數(shù)的分散性C.晶體管參數(shù)受溫度影響D.電源電壓不穩(wěn)定集成放大電路采用直接耦合方式的原因是oA.便于設(shè)計B.放大交流信號C.不易制作大容量電容選用差分放大電路的原因是。A.克服溫漂B.提高輸入電阻C.穩(wěn)定放入倍數(shù)差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的，共模信號是兩個輸入端信號的。A.差B.和C.平均值用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re將使電路的。差模放大倍數(shù)數(shù)值增大抑制共模信號能力增強(qiáng)C.差模輸入電阻增大互補(bǔ)輸出級采用共集形式是為了使oA.電壓放大倍數(shù)大B.不失真輸出電壓大帶負(fù)載能力強(qiáng)解：(1)C,D(2)C⑶A⑷A,C(5)B(6)C3.1判斷圖P3.1所示各兩級放大電路中，Ti和T2管分別組成哪種基本接法的放大電路。設(shè)圖中所有電容對于交流信號均可視為短路。(a)(b)(a)(b)解：(a)共射，共基(b)共射，共射(c)共射，共射(d)共集，共基(e)共源，共集⑴共基，共集3.2設(shè)圖P3.2所示各電路的靜態(tài)工作點(diǎn)均合適，分別畫出它們的交流等效電路，并寫出九、昭和R。的表達(dá)式。九、昭和R。的表達(dá)式。{c）（d）圖P3.2解：⑴圖示各電路的交流等效電路如解圖P3.2所不。（2）各電路&、R和Ro的表達(dá)式分別為圖（a）=7?!+r圖（b）圖（c）-侃〃［星+婦&+,bel)&]｝I+”2)&rbe2+(1+”2)&3bel(1+印(&〃火〃血2)“rbel+=7?!+r圖（b）圖（c）-侃〃［星+婦&+,bel)&]｝I+”2)&rbe2+(1+”2)&3bel(1+印(&〃火〃血2)“rbel+(1+"1)(&〃我3&=&〃[晶+(1+，，])(&〃，〃聚)]R=Rrbe)2(60)知2；腐｛&〃蝠+(1+"2)4]｝「A=RL七bel"2凡[福+(l+"2)「d&=［一編&〃凡〃我7〃腿2)］，(rbe2Rj=%+&〃R?R°=&(ci解圖P3.23.3基本放大電路如圖P3.3（a）（b）所示，圖（a）虛線框內(nèi)為電路I,圖（b）虛線框內(nèi)為電路11。山電路I、II組成的多級放大電路如圖（c）、（d）、（e）所示，它們均正常工作。試說明圖（c）、（d）、（e）所示電路中（1）哪些電路的輸入電阻比較大;（2）哪些電路的輸出電阻比較小;（3）哪個電路的&=|以si最大。(e)圖P3.3解：（1）圖（d）、（e）所示電路的輸入電阻較大。（2）圖（c）、（e）所示電路的輸出電阻較小。（3）圖（e）所示電路的|瓦si最大。3.4電路如圖P3.1（a）（b）所示，晶體管的Q均為50,落均為1.2kQ，。點(diǎn)合適。求解瓦、&和R。。解：在圖（a）所不電路中A一1+dfl—rbel〃=冬=125u2rbe24=Am1-4a-125&=&〃&〃膈《0.93kQRo=R3=3kQ在圖(b)所小電路中礦=——50rbel些一42A/2rbe24=A(rA(2?2100R,=(R5+R2//R3)//rbel?1.2kQRo=R4=IkQ3.5電路如圖P3.1(c)(e)所示，晶體管的石均為80,落均為1.5kQ,場效應(yīng)管的gm為3mA/V；Q點(diǎn)合適。求解&、&和R。。解：在圖(c)所示電路中A!=―0',(%〃膈)~62〃rbel九,=一莊M—107—1一-rbe24=瓦1.&2幻66347?i=&〃rbelr1.5kQR]=