第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識共資料課件

第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識信息工程學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)課程組第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識信息工程學(xué)院半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.1電子技術(shù)發(fā)展簡史§1.2電子技術(shù)的應(yīng)用§1.3電子電路及其工作信號計算機技術(shù)通信技術(shù)廣播電視產(chǎn)業(yè)汽車全時數(shù)字化電力電子技術(shù)。。。作業(yè)：課后進一步閱讀§1.1、§1.2熟悉Multisim10.0仿真環(huán)境§1.4半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.5PN結(jié)3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.1電子技術(shù)發(fā)展簡史§1.2電子技術(shù)的1.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)各種形式的物理量傳感器各種伺服機構(gòu)信號信號信號源電壓源：戴維寧(南)等效電路電流源：諾頓等效電路3/7/20198/30/201912/21/20221.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)各種形式的物理量傳感器1.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)與信號電子系統(tǒng)信號信號的頻譜模擬信號和數(shù)字信號對信號的處理放大電路的基本知識放大的本質(zhì)四種基本模型主要性能指標3/7/20198/30/201912/21/20221.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)與信號放大電路的基本知識電子系統(tǒng)系統(tǒng)：實現(xiàn)某種功能（行使某種職能）的相對獨立的事物整體。多個系統(tǒng)能夠構(gòu)成更大、更復(fù)雜的系統(tǒng)。電子系統(tǒng)：完成信號的檢測、處理變換、傳輸以及產(chǎn)生對伺服機構(gòu)的控制信號。分類：數(shù)字電子系統(tǒng)、模擬電子系統(tǒng)模擬電路的工作對象：模擬信號，在時間和數(shù)值上均連續(xù)的信號（電壓或電流）。3/7/20198/30/201912/21/2022電子系統(tǒng)系統(tǒng)：實現(xiàn)某種功能（行使某種職能）的相對獨電子系統(tǒng)：信號本質(zhì)：各種信息的載體；電子系統(tǒng)中專指電信號理想的信號源：電壓源或電流源，不受負載變化的影響表達方式和特性：時域表達方式、頻域表達方式（頻譜圖）3/7/20198/30/201912/21/2022信號本質(zhì)：各種信息的載體；電子系統(tǒng)中專指電信號信號的頻譜周期信號的傅里葉級數(shù)表達式(直流分量、基波分量、高次諧波分量)幅度頻譜相位頻譜非周期信號的頻譜（連續(xù)頻率函數(shù)形式）所有周期信號…；所有非周期信號…Nyquist-shannonsamplingtheorem:…AliasingNyquistcriterion

anti-aliasingfilter

3/7/20198/30/201912/21/2022信號的頻譜周期信號的傅里葉級數(shù)表達式(直流分量、基波放大電路的原理框圖實際輸入信號決定信號源：電壓源、電流源所需輸出信號決定放大電路等效為：受控電流源、受控電壓源電路中的每一部分對前級而言相當(dāng)于負載；對后級而言相當(dāng)于信號源3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路的原理框圖實際輸入信號決定信號源：電壓源、電流源所需放大電路基本知識四種基本類型及模型：

電壓放大電路、電流放大電路、互阻放大電路、互導(dǎo)放大電路。放大的本質(zhì)：對能量的控制和轉(zhuǎn)換；是最基本的模擬信號處理功能，放大電路是構(gòu)成其它模擬電路的基本組成單元。放大電路的原理框圖主要性能指標3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路基本知識四種基本類型及模型：放大的本質(zhì)：放大電路的原電壓放大電路+-·VsIi·Rs??+-RiAVoVi··Ro??+-?Io·+-RL·VoRoRi電壓放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…；實驗的方法獲得Ro的值。Vi·3、增益：適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022電壓放大電路+-·VsIi·Rs??+-RiAVoVi··R電流放大電路·IsIi·Rs??+-RiAisIi··???Io·+-RL·VoRoRi電流放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源開路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…Vi·3、增益：????Ro適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022電流放大電路·IsIi·Rs??+-RiAisIi··???互阻放大電路RiAroIi··Ro??+-?Io·+-RL·VoRo互阻放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…3、增益：·IsRs??+-RiVi·??Ii·適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022互阻放大電路RiAroIi··Ro??+-?Io·+-RL·互導(dǎo)放大電路+-·VsIi·Rs??+-Ri???Io·+-RL·VoRoRiVi·互導(dǎo)放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…3、增益：AgsVi··??Ro適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022互導(dǎo)放大電路+-·VsIi·Rs??+-Ri???Io·+-放大電路的主要性能指標衡量品質(zhì)優(yōu)劣的標準；決定其使用范圍的依據(jù)。輸入電阻（對前級電路的等效負載）輸出電阻（對后級電路的等效信號源內(nèi)阻）增益（放大倍數(shù)，表明放大電路的放大能力）頻率響應(yīng)和帶寬以及信號的線性失真非線性失真3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路的主要性能指標衡量品質(zhì)優(yōu)劣的標準；決定其使用半導(dǎo)體基本知識1一、半導(dǎo)體材料種類元素半導(dǎo)體：硅（Si）、鍺（Ge）化合物半導(dǎo)體：砷化鎵（GaAs）本征激發(fā)摻雜特性二、半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)四價元素晶體結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4+4+4+4+4價電子共價鍵導(dǎo)電性能：介于導(dǎo)體和絕緣體之間共價鍵束縛電子3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識1一、半導(dǎo)體材料種類元素半導(dǎo)體：硅（Si）、鍺半導(dǎo)體的基本知識2三、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征半導(dǎo)體：完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體本征激發(fā)：本征半導(dǎo)體共價鍵中的束縛電子在外界能量（光、熱）的激發(fā)下,掙脫共價鍵的束縛成為自由電子，同時在原來的位置留下空穴.+4+4+4+4+4+4+4+4+4復(fù)合：與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時進行，達到動態(tài)平衡。所以本征半導(dǎo)體中電子空穴對的濃度一定，與材料本身的特性以及環(huán)境有關(guān)。自由電子在運動過程中失去能量,與空穴相遇，使電子空穴成對消失，該現(xiàn)象稱為復(fù)合。3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體的基本知識2三、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體基本知識3+4+4+4+4+4+4+4+4+4載流子：在外加電場作用下自由移動的自由電子和空穴（束縛電子）空穴導(dǎo)電導(dǎo)電機制小結(jié)：本征半導(dǎo)體在本征激發(fā)的作用下，自由電子、空穴成對出現(xiàn)；其導(dǎo)電性取決于外加能量：溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識3+4+4+4+4+4+4+4+4+4載流子：導(dǎo)電機制+4+4+4+4+4+4+4+4+4E自由電子空穴3/7/20198/30/201912/21/2022導(dǎo)電機制+4+4+4+4+4+4+4+4+4E自由電子空穴半導(dǎo)體基本知識4四、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素。用摻雜的方法來增加載流子的濃度。分類－－－－－－－－－－－－++++++++++++N（電子）型半導(dǎo)體P（空穴）型半導(dǎo)體少子濃度——與溫度有關(guān)多子濃度——與溫度無關(guān)3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識4四、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)多數(shù)載流子——空穴P（空穴）型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等?？昭ㄅ鹪庸柙邮苤麟x子空穴電子空穴對P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－少數(shù)載流子——自由電子3/7/20198/30/201912/21/2022多數(shù)載流子——空穴P（空穴）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻N（電子）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，、銻砷等多余電子磷原子硅原子++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流子——空穴3/7/20198/30/201912/21/2022N（電子）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，、PN結(jié)的形成及特性一、載流子的擴散和漂移三、PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕ㄍ饧与妶龃蚱苿討B(tài)平衡）四、PN結(jié)的伏安特性和電容效應(yīng)(自學(xué)P17~18)二、PN結(jié)的形成（動態(tài)平衡）外加電場作用下載流子的定向（順/逆電場方向）移動——漂移運動/漂移電流載流子基于濃度差異和隨機熱運動速度的移動——擴散/擴散電流擴散電容勢壘電容載流子基于濃度差異和隨機熱運動速度的移動——擴散/擴散電流3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的形成及特性一、載流子的擴散和漂移三、PN結(jié)的單向?qū)щ奝N結(jié)的形成1內(nèi)電場E因多子濃度差形成內(nèi)電場多子的擴散空間電荷區(qū)

阻止多子擴散，促使少子漂移PN結(jié)合空間電荷區(qū)多子擴散電流少子漂移電流耗盡層P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體－－－－－－－++++－+++－+－－+++－+3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的形成1內(nèi)電場E因多子濃度差形成內(nèi)電場多子的擴散少子飄移補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子擴散

又失去多子，耗盡層寬，E動態(tài)平衡：擴散電流＝漂移電流總電流＝0勢壘VO硅0.5V鍺0.1V對稱結(jié)與不對稱結(jié)；對于不對稱結(jié)，耗盡區(qū)主要伸向輕摻雜區(qū)一邊PN結(jié)的形成23/7/20198/30/201912/21/2022少子飄移補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子擴散PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1)加正向電壓（正偏）——電源正極接P區(qū)，負極接N區(qū)

外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。

外電場削弱內(nèi)電場→耗盡層變窄→擴散運動＞漂移運動→多子擴散形成正向電流IF正向電流forwardbiased

3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1)加正向電壓（正偏）——電源正極(2)外加反向電壓

外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。

外電場加強內(nèi)電場→耗盡層變寬→漂移運動＞擴散運動→少子漂移形成反向電流IRPNreversebiased

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?3/7/20198/30/201912/21/2022(2)外加反向電壓外電場的方向與內(nèi)電場方向相同?！谋MPN結(jié)的單向?qū)щ娦裕偨Y(jié)）3無外加電壓時，因PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流與自建內(nèi)電場引起的漂移電流相等，處于動態(tài)的電平衡；PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通；PN結(jié)加一定范圍內(nèi)的反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但IR與溫度有關(guān)。

3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕偨Y(jié)）3無外加電壓時，因PN結(jié)兩邊載流PN結(jié)的伏-安特性曲線

根據(jù)理論推導(dǎo)，PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏IF（多子擴散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿——燒壞PN結(jié)電擊穿——可逆n為發(fā)射系數(shù)；k為玻耳茲曼常數(shù)；q為電子電荷3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的伏-安特性曲線根據(jù)理論推導(dǎo)，PN結(jié)的伏安特謝謝！謝謝！29第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識信息工程學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)課程組第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識信息工程學(xué)院半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.1電子技術(shù)發(fā)展簡史§1.2電子技術(shù)的應(yīng)用§1.3電子電路及其工作信號計算機技術(shù)通信技術(shù)廣播電視產(chǎn)業(yè)汽車全時數(shù)字化電力電子技術(shù)。。。作業(yè)：課后進一步閱讀§1.1、§1.2熟悉Multisim10.0仿真環(huán)境§1.4半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.5PN結(jié)3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.1電子技術(shù)發(fā)展簡史§1.2電子技術(shù)的1.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)各種形式的物理量傳感器各種伺服機構(gòu)信號信號信號源電壓源：戴維寧(南)等效電路電流源：諾頓等效電路3/7/20198/30/201912/21/20221.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)各種形式的物理量傳感器1.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)與信號電子系統(tǒng)信號信號的頻譜模擬信號和數(shù)字信號對信號的處理放大電路的基本知識放大的本質(zhì)四種基本模型主要性能指標3/7/20198/30/201912/21/20221.3電子電路及其工作信號電子系統(tǒng)與信號放大電路的基本知識電子系統(tǒng)系統(tǒng)：實現(xiàn)某種功能（行使某種職能）的相對獨立的事物整體。多個系統(tǒng)能夠構(gòu)成更大、更復(fù)雜的系統(tǒng)。電子系統(tǒng)：完成信號的檢測、處理變換、傳輸以及產(chǎn)生對伺服機構(gòu)的控制信號。分類：數(shù)字電子系統(tǒng)、模擬電子系統(tǒng)模擬電路的工作對象：模擬信號，在時間和數(shù)值上均連續(xù)的信號（電壓或電流）。3/7/20198/30/201912/21/2022電子系統(tǒng)系統(tǒng)：實現(xiàn)某種功能（行使某種職能）的相對獨電子系統(tǒng)：信號本質(zhì)：各種信息的載體；電子系統(tǒng)中專指電信號理想的信號源：電壓源或電流源，不受負載變化的影響表達方式和特性：時域表達方式、頻域表達方式（頻譜圖）3/7/20198/30/201912/21/2022信號本質(zhì)：各種信息的載體；電子系統(tǒng)中專指電信號信號的頻譜周期信號的傅里葉級數(shù)表達式(直流分量、基波分量、高次諧波分量)幅度頻譜相位頻譜非周期信號的頻譜（連續(xù)頻率函數(shù)形式）所有周期信號…；所有非周期信號…Nyquist-shannonsamplingtheorem:…AliasingNyquistcriterion

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3/7/20198/30/201912/21/2022信號的頻譜周期信號的傅里葉級數(shù)表達式(直流分量、基波放大電路的原理框圖實際輸入信號決定信號源：電壓源、電流源所需輸出信號決定放大電路等效為：受控電流源、受控電壓源電路中的每一部分對前級而言相當(dāng)于負載；對后級而言相當(dāng)于信號源3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路的原理框圖實際輸入信號決定信號源：電壓源、電流源所需放大電路基本知識四種基本類型及模型：

電壓放大電路、電流放大電路、互阻放大電路、互導(dǎo)放大電路。放大的本質(zhì)：對能量的控制和轉(zhuǎn)換；是最基本的模擬信號處理功能，放大電路是構(gòu)成其它模擬電路的基本組成單元。放大電路的原理框圖主要性能指標3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路基本知識四種基本類型及模型：放大的本質(zhì)：放大電路的原電壓放大電路+-·VsIi·Rs??+-RiAVoVi··Ro??+-?Io·+-RL·VoRoRi電壓放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…；實驗的方法獲得Ro的值。Vi·3、增益：適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022電壓放大電路+-·VsIi·Rs??+-RiAVoVi··R電流放大電路·IsIi·Rs??+-RiAisIi··???Io·+-RL·VoRoRi電流放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源開路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…Vi·3、增益：????Ro適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022電流放大電路·IsIi·Rs??+-RiAisIi··???互阻放大電路RiAroIi··Ro??+-?Io·+-RL·VoRo互阻放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…3、增益：·IsRs??+-RiVi·??Ii·適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022互阻放大電路RiAroIi··Ro??+-?Io·+-RL·互導(dǎo)放大電路+-·VsIi·Rs??+-Ri???Io·+-RL·VoRoRiVi·互導(dǎo)放大電路的基本模型1、輸入電阻Ri：2、輸出電阻Ro：信號源短路（保留內(nèi)阻）、負載開路的情況下，在輸出端加測試電壓vt…3、增益：AgsVi··??Ro適用于：……3/7/20198/30/201912/21/2022互導(dǎo)放大電路+-·VsIi·Rs??+-Ri???Io·+-放大電路的主要性能指標衡量品質(zhì)優(yōu)劣的標準；決定其使用范圍的依據(jù)。輸入電阻（對前級電路的等效負載）輸出電阻（對后級電路的等效信號源內(nèi)阻）增益（放大倍數(shù)，表明放大電路的放大能力）頻率響應(yīng)和帶寬以及信號的線性失真非線性失真3/7/20198/30/201912/21/2022放大電路的主要性能指標衡量品質(zhì)優(yōu)劣的標準；決定其使用半導(dǎo)體基本知識1一、半導(dǎo)體材料種類元素半導(dǎo)體：硅（Si）、鍺（Ge）化合物半導(dǎo)體：砷化鎵（GaAs）本征激發(fā)摻雜特性二、半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)四價元素晶體結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4+4+4+4+4價電子共價鍵導(dǎo)電性能：介于導(dǎo)體和絕緣體之間共價鍵束縛電子3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識1一、半導(dǎo)體材料種類元素半導(dǎo)體：硅（Si）、鍺半導(dǎo)體的基本知識2三、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征半導(dǎo)體：完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體本征激發(fā)：本征半導(dǎo)體共價鍵中的束縛電子在外界能量（光、熱）的激發(fā)下,掙脫共價鍵的束縛成為自由電子，同時在原來的位置留下空穴.+4+4+4+4+4+4+4+4+4復(fù)合：與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時進行，達到動態(tài)平衡。所以本征半導(dǎo)體中電子空穴對的濃度一定，與材料本身的特性以及環(huán)境有關(guān)。自由電子在運動過程中失去能量,與空穴相遇，使電子空穴成對消失，該現(xiàn)象稱為復(fù)合。3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體的基本知識2三、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體基本知識3+4+4+4+4+4+4+4+4+4載流子：在外加電場作用下自由移動的自由電子和空穴（束縛電子）空穴導(dǎo)電導(dǎo)電機制小結(jié)：本征半導(dǎo)體在本征激發(fā)的作用下，自由電子、空穴成對出現(xiàn)；其導(dǎo)電性取決于外加能量：溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識3+4+4+4+4+4+4+4+4+4載流子：導(dǎo)電機制+4+4+4+4+4+4+4+4+4E自由電子空穴3/7/20198/30/201912/21/2022導(dǎo)電機制+4+4+4+4+4+4+4+4+4E自由電子空穴半導(dǎo)體基本知識4四、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素。用摻雜的方法來增加載流子的濃度。分類－－－－－－－－－－－－++++++++++++N（電子）型半導(dǎo)體P（空穴）型半導(dǎo)體少子濃度——與溫度有關(guān)多子濃度——與溫度無關(guān)3/7/20198/30/201912/21/2022半導(dǎo)體基本知識4四、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)多數(shù)載流子——空穴P（空穴）型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等。空穴硼原子硅原子受主離子空穴電子空穴對P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－少數(shù)載流子——自由電子3/7/20198/30/201912/21/2022多數(shù)載流子——空穴P（空穴）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻N（電子）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，、銻砷等多余電子磷原子硅原子++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流子——空穴3/7/20198/30/201912/21/2022N（電子）型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，、PN結(jié)的形成及特性一、載流子的擴散和漂移三、PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕ㄍ饧与妶龃蚱苿討B(tài)平衡）四、PN結(jié)的伏安特性和電容效應(yīng)(自學(xué)P17~18)二、PN結(jié)的形成（動態(tài)平衡）外加電場作用下載流子的定向（順/逆電場方向）移動——漂移運動/漂移電流載流子基于濃度差異和隨機熱運動速度的移動——擴散/擴散電流擴散電容勢壘電容載流子基于濃度差異和隨機熱運動速度的移動——擴散/擴散電流3/7/20198/30/201912/21/2022PN結(jié)的形成及特性一、載流子的擴散和漂移三、PN結(jié)的單向?qū)щ奝N結(jié)的形成1內(nèi)電場E因多子濃度差形成內(nèi)電場多子的擴散空間電荷區(qū)

阻止多子擴散，促使少子漂移PN結(jié)合空間電荷區(qū)多子擴散電流少子漂移電流耗盡層P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體－－－－－－－++++－+++－+－－+++－+