《存儲(chǔ)設(shè)備》教學(xué)課件

《存儲(chǔ)設(shè)備》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！《存儲(chǔ)設(shè)備》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用第四講存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)器的分類及工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器光存儲(chǔ)器第四講存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM/SRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM/SRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM“硬盤〞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM“硬盤〞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)，如BIOS等通常由生產(chǎn)廠商在出廠前通過專用設(shè)備寫入半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器SSD(SolidStateDisk)沒有盤片，讀寫頭、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，實(shí)際上是一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。起工作原理與內(nèi)存有相似性。速度快：是普通磁盤的千倍以上本錢問題：書上關(guān)于其本錢高已經(jīng)解決。三大體系：NOR、EEPROM、NAND-EEPROM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁泡存儲(chǔ)器主要用于某些特殊領(lǐng)域如航空航天信息處理系統(tǒng)中的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，要求體積小、功耗低、高可靠，抗惡劣環(huán)境。主要有兩種材料：鐵氧體單晶片或石榴單晶片；鐵、鈷等與稀土金屬Gd的合金非結(jié)晶膜半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁泡存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器CCD〔Charge-CoupledDevice〕半導(dǎo)體器件利用大規(guī)模集成電路的工藝制造集成度高、功耗低、工作速度快數(shù)碼攝影、攝像半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)非易失性，可長(zhǎng)期存儲(chǔ)存儲(chǔ)密度高，容量大R/W速度快缺點(diǎn)機(jī)械部件易磨損存取速度較內(nèi)存還是有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的差異功耗大，體積大磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器的特點(diǎn)磁存儲(chǔ)磁存儲(chǔ)原理屬于磁外表存儲(chǔ)器，以剩磁的狀態(tài)表示信息。磁外表：在帶狀或圓片狀的載體上涂敷一層薄磁性材料而成，其厚度一般在0.2~0.5微米之間。利用線圈制造磁場(chǎng)，讓磁場(chǎng)在次外表上通過，然后在磁外表上留下磁籌〔剩磁〕。讀出來的時(shí)候就讓線圈在磁籌上通過，通過切割磁力線，產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而把數(shù)據(jù)從磁外表上讀出來。磁存儲(chǔ)磁存儲(chǔ)原理硬磁盤存儲(chǔ)器概述工作原理構(gòu)造組成及工作原理接口硬磁盤適配器磁道格式硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤存儲(chǔ)器概述1概述硬磁盤存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要外存儲(chǔ)器。世界第一臺(tái)硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)是1956年問世的IBM350，它由五十片直徑為24英寸的盤片組成，面密度為每平方英寸2KB，存儲(chǔ)容量?jī)H5MB。轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)／min。磁頭是靜壓式，工作時(shí)需要向盤組壓人壓縮空氣。平均定位時(shí)間長(zhǎng)達(dá)600毫秒。自那以后，硬盤驅(qū)動(dòng)器經(jīng)歷了近40年的開展，技術(shù)取得了驚人的進(jìn)步。硬盤從它誕生的第一天開場(chǎng)就作為計(jì)算機(jī)的外存儲(chǔ)設(shè)備。目前盡管受到來自光盤和半導(dǎo)體盤的劇烈競(jìng)爭(zhēng)和挑戰(zhàn)，但從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速度和產(chǎn)品價(jià)格兩方面比較，要把光盤從現(xiàn)在的70～80ms平均存取時(shí)間降到HDD現(xiàn)在已經(jīng)到達(dá)的20ms左右的水平，要把現(xiàn)在幾十倍于HDD價(jià)格的半導(dǎo)體盤降到現(xiàn)在HDD的價(jià)格水平，不是一件輕而易舉的事。同時(shí)HDD的性能／價(jià)格比還在飛速提高。因此，HDD在計(jì)算機(jī)各類外存儲(chǔ)設(shè)備的統(tǒng)治地位，至少短時(shí)期內(nèi)不會(huì)改變。1概述硬磁盤存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要外存儲(chǔ)器。世界第一臺(tái)特點(diǎn)存儲(chǔ)容量大隨機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)速率高可靠性好分類按磁頭的工作方式分類按磁盤的可換性分類按磁盤尺寸分類按磁層分類按盤片數(shù)目分類特點(diǎn)硬盤內(nèi)部構(gòu)造硬盤內(nèi)部構(gòu)造2工作原理磁盤存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀／寫是靠磁頭和盤片來實(shí)現(xiàn)的，盤片是在圓形盤基外表上涂有一層磁介質(zhì)而制成的，工作時(shí)盤片在主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)下勻速旋轉(zhuǎn)，讀／寫磁頭浮動(dòng)在盤片上。數(shù)據(jù)是按磁道分布的。盤片上的磁道從外緣向圓心，按0～N順序編號(hào)。磁頭通過磁頭臂安裝在滑動(dòng)小車上，在驅(qū)動(dòng)和定位機(jī)構(gòu)控制下，磁頭沿盤片徑向作進(jìn)、退運(yùn)動(dòng)，訪問相應(yīng)磁道。一般盤片的兩面都有讀／寫磁頭。多片盤的情況，各片盤上一樣編號(hào)的磁道組成一個(gè)柱面，柱面的編號(hào)與磁道號(hào)一樣。2工作原理磁盤存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀／寫是靠磁頭和盤片來實(shí)現(xiàn)的，3構(gòu)造組成及工作原理磁盤驅(qū)動(dòng)動(dòng)器主要有盤片(或盤組)、主軸驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁頭、磁頭驅(qū)動(dòng)和定位機(jī)構(gòu)、讀／寫電路接口及控制電路等組成。3構(gòu)造組成及工作原理磁盤驅(qū)動(dòng)動(dòng)器主要有盤片(或盤組)、主溫式盤的主要特點(diǎn)1〕．把磁頭、小車、導(dǎo)軌、主軸和盤片等封裝在一個(gè)腔體內(nèi)，制成一個(gè)整體組件，稱之為HDA(headdiskassembly)。2〕．采用了質(zhì)量輕、浮力小的磁頭。采取了接觸起停方式，又稱CSS方式(contactstartstop)。3〕．由于采用了接觸起停的方式，磁頭與盤面有磨擦，為了延長(zhǎng)使用壽命，除了在主軸電機(jī)上裝有制動(dòng)機(jī)構(gòu)，縮短停機(jī)摩擦過程外，盤面上還涂有一層潤(rùn)滑劑，使CSS的次數(shù)由原來的1000次提高到10000次以上。溫式盤的主要特點(diǎn)1〕．把磁頭、小車、導(dǎo)軌、主軸和盤片等封裝4接口常用的控制器有4種：ST-506/ST-412接口ESDISCSIIDEEIDE〔對(duì)IDE的擴(kuò)展〕4接口常用的控制器有4種：5硬磁盤適配器連接主板和硬盤的接口電路5硬磁盤適配器連接主板和硬盤的接口電路6磁道格式記錄在盤面上的信息是串行排列在磁道上的，以字節(jié)為單位，一群相關(guān)的字節(jié)組成字節(jié)組，一系列字節(jié)組稱為記錄，一批相關(guān)的記錄組成文件。盤面上的信息是遵循一定的規(guī)律安排的，并加上了尋址信息。不同類型的磁盤驅(qū)動(dòng)器，由于根本構(gòu)造上的區(qū)別，其尋址方式、磁道格式等都可能不同。就一般移動(dòng)式磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器而言，當(dāng)要訪問某一個(gè)記錄時(shí)，磁頭須從當(dāng)前所處的磁道運(yùn)動(dòng)到指定的目標(biāo)磁道，再等待被訪問的記錄塊旋轉(zhuǎn)到磁頭下。所有盤面上的磁頭是裝在同一個(gè)小車上作同步運(yùn)動(dòng)的，也就是說，每一瞬間各盤面上的磁頭均處于各自同一序號(hào)的磁道上，這些序號(hào)一樣的磁道組成了一個(gè)柱面，與磁道編號(hào)一樣，零磁道所在的柱面為零柱面，1號(hào)磁道所在的柱面為1號(hào)柱面，依次類推。6磁道格式記錄在盤面上的信息是串行排列在磁道上的，以字節(jié)7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。(一)降低浮動(dòng)磁頭的高度60年代后，成功地研制了動(dòng)壓浮動(dòng)磁頭，這種磁頭是利用盤片旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的氣流而浮起的，浮動(dòng)高度從20pm不斷地降低到lOOnm。(二)采用伺服定位，提高磁道密度最初的硬盤驅(qū)動(dòng)器用油壓機(jī)構(gòu)來驅(qū)動(dòng)和機(jī)械方法定位磁頭，精度差，磁道密度僅為每英寸20道。后來磁頭驅(qū)動(dòng)改進(jìn)為步進(jìn)電機(jī)、直流伺服電機(jī)、音圈電機(jī)，磁頭定位從簡(jiǎn)單的開環(huán)控制到閉環(huán)伺服盤控制、數(shù)據(jù)道的嵌入伺服、光伺服。技術(shù)的進(jìn)步，使磁道密度不斷提高，到達(dá)了每英寸5000道，甚至17000道。7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)在以下7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展(三)采用接觸起停方式(CSS方式)和溫徹斯特技術(shù)1973年開場(chǎng)采用CSS技術(shù)，1976年出現(xiàn)了用溫徹斯特技術(shù)制成的硬盤驅(qū)動(dòng)器，由于它的系列優(yōu)點(diǎn)，把磁盤技術(shù)推進(jìn)到一個(gè)新的階段。(四)采用磁阻磁頭(MR磁頭)，提高面密度

7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展(三)采用接觸起停方式(CSS方式)為了提高磁記錄密度，磁頭技術(shù)是關(guān)鍵，傳統(tǒng)的感應(yīng)式磁頭經(jīng)歷了從鐵氧體磁頭到MIG整體型磁頭，到薄膜磁頭，到MR感應(yīng)薄膜磁頭的開展過程。1990～1991年，IBM公司首次將MR磁頭應(yīng)用在磁盤驅(qū)動(dòng)器上，MR磁頭是利用磁致電阻效應(yīng)的磁頭，記錄密度到達(dá)每平方英寸2000MB。目前，容量大于1GB的磁盤驅(qū)動(dòng)器中普遍應(yīng)用了MR磁頭。IBM的擴(kuò)大式磁組(MRX)磁頭等技術(shù)使2．5英寸硬盤到達(dá)每盤面1．8GB的容量。1994年，又開發(fā)了利用旋閥效應(yīng)(Spin—Valve)的改進(jìn)型巨磁阻效應(yīng)磁頭(GMR磁頭)，進(jìn)一步提高了面密度，到達(dá)前所未有的每片3．38GB的容量?！洞鎯?chǔ)設(shè)備》教學(xué)課件(五)采用先進(jìn)的通道信號(hào)處理技術(shù)從通信的觀點(diǎn)看，磁記錄通道相當(dāng)于通信系統(tǒng)的信道，由于脈沖擁擠效應(yīng)而使磁記錄通道中的信號(hào)產(chǎn)生干擾，把通信技術(shù)中的PRML(PartialResponseMaximumLikelihood)信號(hào)處理方法應(yīng)用到數(shù)字磁記錄產(chǎn)品中來是1984年開場(chǎng)的，理論和實(shí)踐證明，PRML技術(shù)很適合于磁記錄通道，與傳統(tǒng)的、建立在RLLC碼和峰值檢測(cè)根底上的磁記錄通道處理方法相比，記錄密度有明顯提高。1990年，PRMI。技術(shù)用到了硬盤驅(qū)動(dòng)器上，與采用MR磁頭同時(shí)，PRML信號(hào)處理方法，可以確保讀出信號(hào)幅度，降低噪聲，使硬盤驅(qū)動(dòng)器的面密度和存儲(chǔ)容量提高了30％～50％，數(shù)據(jù)傳輸率提高了30％～40％。PRML通道技術(shù)和MR磁頭一起代表了當(dāng)前大容量計(jì)算機(jī)磁存儲(chǔ)讀通道領(lǐng)域的主要技術(shù)。(五)采用先進(jìn)的通道信號(hào)處理技術(shù)(六)媒體和盤基的改進(jìn)媒體的改進(jìn)經(jīng)歷了涂布媒體、電鍍媒體、濺射媒體的過程，盤基從鋁合金、玻璃、陶瓷、塑料到碳的開展過程。隨著計(jì)算機(jī)的微小型化，促使磁盤驅(qū)動(dòng)器的微小型化，經(jīng)歷了盤徑從14英寸、8英寸、5．25英寸、3．5英寸、2．5英寸、1．8英寸、1．3英寸，驅(qū)動(dòng)器厚度從82mm、41mm、25．4mm、17mm的演變過程。(六)媒體和盤基的改進(jìn)(七)驅(qū)動(dòng)器速度的提高主要包括縮短磁頭行程，提高主軸轉(zhuǎn)速，擴(kuò)大讀／寫控制電路的高速緩沖存儲(chǔ)器的容量，改進(jìn)接口技術(shù)，采用冗余磁盤陣列(RAID)等。平均存取時(shí)間從最早的600毫秒提高到目前的7．9毫秒。主軸轉(zhuǎn)速?gòu)拿糠昼?200轉(zhuǎn)提高到7200轉(zhuǎn)，甚至12000轉(zhuǎn)以上。數(shù)據(jù)傳輸率從每秒8．8KB提高到111MB。

(七)驅(qū)動(dòng)器速度的提高磁盤陣列技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，主機(jī)半導(dǎo)體器件和CPU性能提高得很快，但是I／O速度和CPU速度的不匹配一直是高性能計(jì)算機(jī)長(zhǎng)期面臨的、日益嚴(yán)重的I／O瓶頸問題。作為外存主要設(shè)備的磁盤驅(qū)動(dòng)器，盡管在容量上和每Mb(兆位)價(jià)格上都有了明顯的進(jìn)步，但磁盤驅(qū)動(dòng)器的平均訪問時(shí)間、數(shù)據(jù)傳輸率等性能均受到盤片轉(zhuǎn)動(dòng)和磁頭臂移動(dòng)等機(jī)械動(dòng)作的限制，單靠磁盤驅(qū)動(dòng)器本身性能的改進(jìn)，很難追綜主機(jī)速度的提高。因此，主機(jī)與磁盤子系統(tǒng)之間的瓶頸問題必須要從構(gòu)造上解決。磁盤陣列技術(shù)改變了構(gòu)成大容量磁盤子系統(tǒng)的傳統(tǒng)方法，用多臺(tái)廉價(jià)的小溫式磁盤驅(qū)動(dòng)器組成磁盤陣列，將并行處理的控制技術(shù)應(yīng)用到磁盤驅(qū)動(dòng)器一級(jí)，改變了以往驅(qū)動(dòng)器級(jí)的串行控制方式。一個(gè)磁盤陣列相當(dāng)于一個(gè)大容量邏輯磁盤，用戶數(shù)據(jù)按一定的方式分散在陣列中的各個(gè)物理磁盤驅(qū)動(dòng)器上。磁盤陣列技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，主機(jī)半導(dǎo)體器件和CPU性能提高得磁盤陣列技術(shù)磁盤陣列技術(shù)磁盤陣列技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)1．海量存儲(chǔ)能力2．高可靠性3．并行處理能力4．便于維護(hù)磁盤陣列技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)1．海量存儲(chǔ)能力RAID容錯(cuò)技術(shù)磁盤陣列是用多臺(tái)廉價(jià)小型磁盤驅(qū)動(dòng)器連接起來組成—個(gè)邏輯空間，陣列中的磁盤驅(qū)動(dòng)器越多，故障的概率也越高，喪失數(shù)據(jù)的可能性就越大。所以沒有磁盤冗余構(gòu)造的陣列是不可靠的。為了提高磁盤陣列工作的可靠性，不得不犧牲陣列的局部容量和I／O帶寬。通常的作法是采用ECC錯(cuò)誤檢測(cè)和校正、額外增加奇偶校驗(yàn)盤、增加鏡像盤，三者結(jié)合解決可靠性問題。RAID容錯(cuò)技術(shù)磁盤陣列是用多臺(tái)廉價(jià)小型磁盤驅(qū)動(dòng)器連接起來六種容錯(cuò)構(gòu)造(1)RAID—0級(jí)RAID—0級(jí)支持不帶任何容錯(cuò)能力的數(shù)據(jù)分塊，它具有最高的I／O性能，但可靠性最差。(2)RAID—1級(jí)RAID—1級(jí)使用數(shù)據(jù)分塊，校驗(yàn)是用鏡像方式，但采用扇區(qū)一級(jí)的鏡像。它比單純使用鏡像盤的系統(tǒng)性能要好。它的缺點(diǎn)是對(duì)鏡像的讀寫降低了由數(shù)據(jù)分塊改善的I／O性能。(3)RAID—2級(jí)RAID—2級(jí)的校驗(yàn)方式是海明碼方式，即采用海明碼錯(cuò)誤校驗(yàn)和位穿插技術(shù)。把數(shù)據(jù)按位穿插寫到假設(shè)干個(gè)磁盤上，海明碼被編到每一個(gè)字符的位中，按位進(jìn)展檢查。需要有多個(gè)校驗(yàn)盤來檢測(cè)和校正錯(cuò)誤。不像鏡像盤構(gòu)造那樣100％的冗余度，其系統(tǒng)冗余度為40％。也就是說，對(duì)于一個(gè)有10個(gè)盤的小型陣列，至少需要4個(gè)校驗(yàn)盤。RAID—2級(jí)可以很好地滿足具有大量順序I／O請(qǐng)求的計(jì)算以及超級(jí)計(jì)算，至于微機(jī)或效勞器那么并不適宜。六種容錯(cuò)構(gòu)造(1)RAID—0級(jí)(4)RAID—3級(jí)RAID—3級(jí)采用位穿插，數(shù)據(jù)校驗(yàn)方式是奇偶校驗(yàn)方式，只用一個(gè)奇偶校驗(yàn)盤。同樣，數(shù)據(jù)按位穿插寫到幾個(gè)磁盤上，用一個(gè)校驗(yàn)盤來識(shí)別一個(gè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，由控制器重構(gòu)數(shù)據(jù)。如果校驗(yàn)盤損壞，可以重新計(jì)算校驗(yàn)位將其恢復(fù)到一個(gè)新盤上去。因?yàn)橹恍枰粋€(gè)校驗(yàn)盤，對(duì)于有10個(gè)盤的陣列，其系統(tǒng)冗余讀為1／10，因此實(shí)際存儲(chǔ)利用率比RAID—1和RAID—2高，本錢也較低，但是有奇偶校驗(yàn)盤讀寫的瓶頸問題。(4)RAID—3級(jí)(5)RAID—6級(jí)RAID—6級(jí)是一種采用分塊穿插技術(shù)和兩個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器容錯(cuò)的磁盤陣列。由于它用兩個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器存放檢錯(cuò)、糾錯(cuò)冗余碼，即使發(fā)生雙盤出錯(cuò)的情況，仍能保證數(shù)據(jù)的完整性和有效性。所以，RAID—6有很高的數(shù)據(jù)可靠性。另外，RAID—6中數(shù)據(jù)和校驗(yàn)信息分塊穿插存儲(chǔ)在陣列中的各磁盤上，多個(gè)磁盤同時(shí)讀寫，I／O傳輸率較高。但是，寫性能比RAID—5差，因?yàn)槊看螌懭霐?shù)據(jù)時(shí)，要對(duì)三個(gè)驅(qū)動(dòng)器訪問兩次(一個(gè)數(shù)據(jù)盤驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)校驗(yàn)盤驅(qū)動(dòng)器)。(5)RAID—6級(jí)(6)RAID—7級(jí)RAID—7用一個(gè)奇偶校驗(yàn)盤驅(qū)動(dòng)器。陣列中的所有磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括奇偶校驗(yàn)盤驅(qū)動(dòng)器同每一個(gè)主機(jī)接口(可能為多主機(jī)接口)間有獨(dú)立的控制和數(shù)據(jù)通道，因此可以對(duì)每一個(gè)驅(qū)動(dòng)器完全獨(dú)立地進(jìn)展訪問。RAID—7的主要優(yōu)點(diǎn)是速度快，它通過最小化訪問次數(shù)、優(yōu)化讀／寫請(qǐng)求，并用空間和時(shí)間局部性原那么平滑集成單個(gè)用戶的隨機(jī)請(qǐng)求等，可獲得近似主存的I／O性能。數(shù)據(jù)傳輸能力隨陣列中數(shù)據(jù)盤數(shù)量的增加而直線增加。(6)RAID—7級(jí)(7)RAID—10級(jí)RAID—10級(jí)采用分塊技術(shù)和鏡像存儲(chǔ)。分塊技術(shù)，使多個(gè)磁盤可并行讀寫，I／()性能很高；鏡像存儲(chǔ)技術(shù)使得它的可靠性在所有磁盤陣列中是最高的。RAID—10實(shí)際上是RAID—1加上RAID—0，因此綜合了RAID—1和RAID—0的優(yōu)點(diǎn)，它的性能是所有RAID構(gòu)造中最好的。缺點(diǎn)是每次寫入數(shù)據(jù)時(shí)，要對(duì)兩個(gè)互為鏡像的磁盤進(jìn)展寫入操作，因此寫代價(jià)比較高。(7)RAID—10級(jí)(4)EVENODD構(gòu)造EVENODD構(gòu)造是用兩個(gè)冗余盤存放檢錯(cuò)、糾錯(cuò)信息，是一種容雙磁盤錯(cuò)的陣列構(gòu)造，所以為最優(yōu)冗余方案。(4)EVENODD構(gòu)造光存儲(chǔ)器CD:CompactDisk優(yōu)點(diǎn)：存儲(chǔ)密度高、數(shù)據(jù)傳輸率高、數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)、信息位價(jià)格低光盤及光盤驅(qū)動(dòng)器的分類光盤存儲(chǔ)原理光盤及光盤驅(qū)動(dòng)器的主要參數(shù)光盤驅(qū)動(dòng)器構(gòu)造光盤的預(yù)格式化光存儲(chǔ)器CD:CompactDisk1.光盤及光盤驅(qū)動(dòng)器的分類光盤的分類技術(shù)規(guī)格：CD-ROM、CD-DA、CD-I、VCD、PCD、CD-R…….按存儲(chǔ)內(nèi)容分類：工具、CAI和GAME、數(shù)據(jù)庫(kù)和軟件光盤驅(qū)動(dòng)器的分類只讀型〔CD-ROM〕一次寫入型〔WORM和CD-R〕可擦重寫型〔REWRITE〕直接重寫型〔OVERWRITE〕多功能的光盤驅(qū)動(dòng)器1.光盤及光盤驅(qū)動(dòng)器的分類光盤的分類2.光盤存儲(chǔ)原理寫入操作：被記錄信息調(diào)制的激光束聚焦〔或其他手段〕到存儲(chǔ)介質(zhì)上，使被照射局部的反射率發(fā)生變化，出現(xiàn)兩種狀態(tài)：0、1。讀出操作：用低功率的激光束掃描信息軌道，由光電檢測(cè)器檢測(cè)其反射率的變化，從而解調(diào)出信息。只讀存儲(chǔ)光盤〔CD-ROM〕一次寫入光盤〔WORM和CD-R〕可擦重寫光盤〔REWRITE〕直接重寫像變光盤〔OVERWRITE〕2.光盤存儲(chǔ)原理寫入操作：被記錄信息調(diào)制的激光束聚焦〔或2.光盤存儲(chǔ)原理2.光盤存儲(chǔ)原理《存儲(chǔ)設(shè)備》教學(xué)課件壓制光盤模具VD包壓制光盤模具VD包3.主要參數(shù)盤片功能：只讀、一次寫入、可擦寫、直接寫存儲(chǔ)密度和容量：線密度、道密度、總?cè)萘繑?shù)據(jù)傳輸率：bps/Bps平均存取時(shí)間：平均尋址時(shí)間、寫入光盤時(shí)間和從光盤讀出時(shí)間信噪比：信號(hào)幅度/噪音幅度S/N原始誤碼率：原始讀出數(shù)據(jù)中錯(cuò)誤位/總位數(shù)盤片大小：盤片轉(zhuǎn)速：等角速CAV和等線速CLV盤片信道：同心圓/螺旋線3.主要參數(shù)盤片功能：只讀、一次寫入、可擦寫、直接寫同心圓軌道螺旋線軌道同心圓軌道螺旋線軌道4光盤驅(qū)動(dòng)器構(gòu)造組成和工作原理組成：光盤托架、升降機(jī)構(gòu)、光盤旋轉(zhuǎn)主軸、主軸電機(jī)、光學(xué)頭、光學(xué)頭驅(qū)動(dòng)/定位系統(tǒng)、讀寫電路等工作原理4光盤驅(qū)動(dòng)器構(gòu)造組成和工作原理《存儲(chǔ)設(shè)備》教學(xué)課件5光盤的預(yù)格式化扇區(qū)預(yù)格式碼軌道飼服方式5光盤的預(yù)格式化扇區(qū)預(yù)格式碼《存儲(chǔ)設(shè)備》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！《存儲(chǔ)設(shè)備》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用第四講存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)器的分類及工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器光存儲(chǔ)器第四講存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理存儲(chǔ)器的分類及工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM/SRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM/SRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM“硬盤〞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM“硬盤〞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)，如BIOS等通常由生產(chǎn)廠商在出廠前通過專用設(shè)備寫入半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器SSD(SolidStateDisk)沒有盤片，讀寫頭、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，實(shí)際上是一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。起工作原理與內(nèi)存有相似性。速度快：是普通磁盤的千倍以上本錢問題：書上關(guān)于其本錢高已經(jīng)解決。三大體系：NOR、EEPROM、NAND-EEPROM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器固態(tài)盤存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁泡存儲(chǔ)器主要用于某些特殊領(lǐng)域如航空航天信息處理系統(tǒng)中的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，要求體積小、功耗低、高可靠，抗惡劣環(huán)境。主要有兩種材料：鐵氧體單晶片或石榴單晶片；鐵、鈷等與稀土金屬Gd的合金非結(jié)晶膜半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁泡存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器CCD〔Charge-CoupledDevice〕半導(dǎo)體器件利用大規(guī)模集成電路的工藝制造集成度高、功耗低、工作速度快數(shù)碼攝影、攝像半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電荷耦合器件存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)非易失性，可長(zhǎng)期存儲(chǔ)存儲(chǔ)密度高，容量大R/W速度快缺點(diǎn)機(jī)械部件易磨損存取速度較內(nèi)存還是有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的差異功耗大，體積大磁存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器的特點(diǎn)磁存儲(chǔ)磁存儲(chǔ)原理屬于磁外表存儲(chǔ)器，以剩磁的狀態(tài)表示信息。磁外表：在帶狀或圓片狀的載體上涂敷一層薄磁性材料而成，其厚度一般在0.2~0.5微米之間。利用線圈制造磁場(chǎng)，讓磁場(chǎng)在次外表上通過，然后在磁外表上留下磁籌〔剩磁〕。讀出來的時(shí)候就讓線圈在磁籌上通過，通過切割磁力線，產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而把數(shù)據(jù)從磁外表上讀出來。磁存儲(chǔ)磁存儲(chǔ)原理硬磁盤存儲(chǔ)器概述工作原理構(gòu)造組成及工作原理接口硬磁盤適配器磁道格式硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤存儲(chǔ)器概述1概述硬磁盤存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要外存儲(chǔ)器。世界第一臺(tái)硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)是1956年問世的IBM350，它由五十片直徑為24英寸的盤片組成，面密度為每平方英寸2KB，存儲(chǔ)容量?jī)H5MB。轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)／min。磁頭是靜壓式，工作時(shí)需要向盤組壓人壓縮空氣。平均定位時(shí)間長(zhǎng)達(dá)600毫秒。自那以后，硬盤驅(qū)動(dòng)器經(jīng)歷了近40年的開展，技術(shù)取得了驚人的進(jìn)步。硬盤從它誕生的第一天開場(chǎng)就作為計(jì)算機(jī)的外存儲(chǔ)設(shè)備。目前盡管受到來自光盤和半導(dǎo)體盤的劇烈競(jìng)爭(zhēng)和挑戰(zhàn)，但從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速度和產(chǎn)品價(jià)格兩方面比較，要把光盤從現(xiàn)在的70～80ms平均存取時(shí)間降到HDD現(xiàn)在已經(jīng)到達(dá)的20ms左右的水平，要把現(xiàn)在幾十倍于HDD價(jià)格的半導(dǎo)體盤降到現(xiàn)在HDD的價(jià)格水平，不是一件輕而易舉的事。同時(shí)HDD的性能／價(jià)格比還在飛速提高。因此，HDD在計(jì)算機(jī)各類外存儲(chǔ)設(shè)備的統(tǒng)治地位，至少短時(shí)期內(nèi)不會(huì)改變。1概述硬磁盤存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要外存儲(chǔ)器。世界第一臺(tái)特點(diǎn)存儲(chǔ)容量大隨機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)速率高可靠性好分類按磁頭的工作方式分類按磁盤的可換性分類按磁盤尺寸分類按磁層分類按盤片數(shù)目分類特點(diǎn)硬盤內(nèi)部構(gòu)造硬盤內(nèi)部構(gòu)造2工作原理磁盤存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀／寫是靠磁頭和盤片來實(shí)現(xiàn)的，盤片是在圓形盤基外表上涂有一層磁介質(zhì)而制成的，工作時(shí)盤片在主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)下勻速旋轉(zhuǎn)，讀／寫磁頭浮動(dòng)在盤片上。數(shù)據(jù)是按磁道分布的。盤片上的磁道從外緣向圓心，按0～N順序編號(hào)。磁頭通過磁頭臂安裝在滑動(dòng)小車上，在驅(qū)動(dòng)和定位機(jī)構(gòu)控制下，磁頭沿盤片徑向作進(jìn)、退運(yùn)動(dòng)，訪問相應(yīng)磁道。一般盤片的兩面都有讀／寫磁頭。多片盤的情況，各片盤上一樣編號(hào)的磁道組成一個(gè)柱面，柱面的編號(hào)與磁道號(hào)一樣。2工作原理磁盤存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀／寫是靠磁頭和盤片來實(shí)現(xiàn)的，3構(gòu)造組成及工作原理磁盤驅(qū)動(dòng)動(dòng)器主要有盤片(或盤組)、主軸驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、磁頭、磁頭驅(qū)動(dòng)和定位機(jī)構(gòu)、讀／寫電路接口及控制電路等組成。3構(gòu)造組成及工作原理磁盤驅(qū)動(dòng)動(dòng)器主要有盤片(或盤組)、主溫式盤的主要特點(diǎn)1〕．把磁頭、小車、導(dǎo)軌、主軸和盤片等封裝在一個(gè)腔體內(nèi)，制成一個(gè)整體組件，稱之為HDA(headdiskassembly)。2〕．采用了質(zhì)量輕、浮力小的磁頭。采取了接觸起停方式，又稱CSS方式(contactstartstop)。3〕．由于采用了接觸起停的方式，磁頭與盤面有磨擦，為了延長(zhǎng)使用壽命，除了在主軸電機(jī)上裝有制動(dòng)機(jī)構(gòu)，縮短停機(jī)摩擦過程外，盤面上還涂有一層潤(rùn)滑劑，使CSS的次數(shù)由原來的1000次提高到10000次以上。溫式盤的主要特點(diǎn)1〕．把磁頭、小車、導(dǎo)軌、主軸和盤片等封裝4接口常用的控制器有4種：ST-506/ST-412接口ESDISCSIIDEEIDE〔對(duì)IDE的擴(kuò)展〕4接口常用的控制器有4種：5硬磁盤適配器連接主板和硬盤的接口電路5硬磁盤適配器連接主板和硬盤的接口電路6磁道格式記錄在盤面上的信息是串行排列在磁道上的，以字節(jié)為單位，一群相關(guān)的字節(jié)組成字節(jié)組，一系列字節(jié)組稱為記錄，一批相關(guān)的記錄組成文件。盤面上的信息是遵循一定的規(guī)律安排的，并加上了尋址信息。不同類型的磁盤驅(qū)動(dòng)器，由于根本構(gòu)造上的區(qū)別，其尋址方式、磁道格式等都可能不同。就一般移動(dòng)式磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器而言，當(dāng)要訪問某一個(gè)記錄時(shí)，磁頭須從當(dāng)前所處的磁道運(yùn)動(dòng)到指定的目標(biāo)磁道，再等待被訪問的記錄塊旋轉(zhuǎn)到磁頭下。所有盤面上的磁頭是裝在同一個(gè)小車上作同步運(yùn)動(dòng)的，也就是說，每一瞬間各盤面上的磁頭均處于各自同一序號(hào)的磁道上，這些序號(hào)一樣的磁道組成了一個(gè)柱面，與磁道編號(hào)一樣，零磁道所在的柱面為零柱面，1號(hào)磁道所在的柱面為1號(hào)柱面，依次類推。6磁道格式記錄在盤面上的信息是串行排列在磁道上的，以字節(jié)7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。(一)降低浮動(dòng)磁頭的高度60年代后，成功地研制了動(dòng)壓浮動(dòng)磁頭，這種磁頭是利用盤片旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的氣流而浮起的，浮動(dòng)高度從20pm不斷地降低到lOOnm。(二)采用伺服定位，提高磁道密度最初的硬盤驅(qū)動(dòng)器用油壓機(jī)構(gòu)來驅(qū)動(dòng)和機(jī)械方法定位磁頭，精度差，磁道密度僅為每英寸20道。后來磁頭驅(qū)動(dòng)改進(jìn)為步進(jìn)電機(jī)、直流伺服電機(jī)、音圈電機(jī)，磁頭定位從簡(jiǎn)單的開環(huán)控制到閉環(huán)伺服盤控制、數(shù)據(jù)道的嵌入伺服、光伺服。技術(shù)的進(jìn)步，使磁道密度不斷提高，到達(dá)了每英寸5000道，甚至17000道。7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展硬磁盤驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)在以下7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展(三)采用接觸起停方式(CSS方式)和溫徹斯特技術(shù)1973年開場(chǎng)采用CSS技術(shù)，1976年出現(xiàn)了用溫徹斯特技術(shù)制成的硬盤驅(qū)動(dòng)器，由于它的系列優(yōu)點(diǎn)，把磁盤技術(shù)推進(jìn)到一個(gè)新的階段。(四)采用磁阻磁頭(MR磁頭)，提高面密度

7硬磁盤存儲(chǔ)器的開展(三)采用接觸起停方式(CSS方式)為了提高磁記錄密度，磁頭技術(shù)是關(guān)鍵，傳統(tǒng)的感應(yīng)式磁頭經(jīng)歷了從鐵氧體磁頭到MIG整體型磁頭，到薄膜磁頭，到MR感應(yīng)薄膜磁頭的開展過程。1990～1991年，IBM公司首次將MR磁頭應(yīng)用在磁盤驅(qū)動(dòng)器上，MR磁頭是利用磁致電阻效應(yīng)的磁頭，記錄密度到達(dá)每平方英寸2000MB。目前，容量大于1GB的磁盤驅(qū)動(dòng)器中普遍應(yīng)用了MR磁頭。IBM的擴(kuò)大式磁組(MRX)磁頭等技術(shù)使2．5英寸硬盤到達(dá)每盤面1．8GB的容量。1994年，又開發(fā)了利用旋閥效應(yīng)(Spin—Valve)的改進(jìn)型巨磁阻效應(yīng)磁頭(GMR磁頭)，進(jìn)一步提高了面密度，到達(dá)前所未有的每片3．38GB的容量?！洞鎯?chǔ)設(shè)備》教學(xué)課件(五)采用先進(jìn)的通道信號(hào)處理技術(shù)從通信的觀點(diǎn)看，磁記錄通道相當(dāng)于通信系統(tǒng)的信道，由于脈沖擁擠效應(yīng)而使磁記錄通道中的信號(hào)產(chǎn)生干擾，把通信技術(shù)中的PRML(PartialResponseMaximumLikelihood)信號(hào)處理方法應(yīng)用到數(shù)字磁記錄產(chǎn)品中來是1984年開場(chǎng)的，理論和實(shí)踐證明，PRML技術(shù)很適合于磁記錄通道，與傳統(tǒng)的、建立在RLLC碼和峰值檢測(cè)根底上的磁記錄通道處理方法相比，記錄密度有明顯提高。1990年，PRMI。技術(shù)用到了硬盤驅(qū)動(dòng)器上，與采用MR磁頭同時(shí)，PRML信號(hào)處理方法，可以確保讀出信號(hào)幅度，降低噪聲，使硬盤驅(qū)動(dòng)器的面密度和存儲(chǔ)容量提高了30％～50％，數(shù)據(jù)傳輸率提高了30％～40％。PRML通道技術(shù)和MR磁頭一起代表了當(dāng)前大容量計(jì)算機(jī)磁存儲(chǔ)讀通道領(lǐng)域的主要技術(shù)。(五)采用先進(jìn)的通道信號(hào)處理技術(shù)(六)媒體和盤基的改進(jìn)媒體的改進(jìn)經(jīng)歷了涂布媒體、電鍍媒體、濺射媒體的過程，盤基從鋁合金、玻璃、陶瓷、塑料到碳的開展過程。隨著計(jì)算機(jī)的微小型化，促使磁盤驅(qū)動(dòng)器的微小型化，經(jīng)歷了盤徑從14英寸、8英寸、5．25英寸、3．5英寸、2．5英寸、1．8英寸、1．3英寸，驅(qū)動(dòng)器厚度從82mm、41mm、25．4mm、17mm的演變過程。(六)媒體和盤基的改進(jìn)(七)驅(qū)動(dòng)器速度的提高主要包括縮短磁頭行程，提高主軸轉(zhuǎn)速，擴(kuò)大讀／寫控制電路的高速緩沖存儲(chǔ)器的容量，改進(jìn)接口技術(shù)，采用冗余磁盤陣列(RAID)等。平均存取時(shí)間從最早的600毫秒提高到目前的7．9毫秒。主軸轉(zhuǎn)速?gòu)拿糠昼?200轉(zhuǎn)提高到7200轉(zhuǎn)，甚至12000轉(zhuǎn)以上。數(shù)據(jù)傳輸率從每秒8．8KB提高到111MB。

(七)驅(qū)動(dòng)器速度的提高磁盤陣列技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，主機(jī)半導(dǎo)體器件和CPU性能提高得很快，但是I／O速度和CPU速度的不匹配一直是高性能計(jì)算機(jī)長(zhǎng)期面臨的、日益嚴(yán)重的I／O瓶頸問題。作為外存主要設(shè)備的磁盤驅(qū)動(dòng)器，盡管在容量上和每Mb(兆位)價(jià)格上都有了明顯的進(jìn)步，但磁盤驅(qū)動(dòng)器的平均訪問時(shí)間、數(shù)據(jù)傳輸率等性能均受到盤片轉(zhuǎn)動(dòng)和磁頭臂移動(dòng)等機(jī)械動(dòng)作的限制，單靠磁盤驅(qū)動(dòng)器本身性能的改進(jìn)，很難追綜主機(jī)速度的提高。因此，主機(jī)與磁盤子系統(tǒng)之間的瓶頸問題必須要從構(gòu)造上解決。磁盤陣列技術(shù)改變了構(gòu)成大容量磁盤子系統(tǒng)的傳統(tǒng)方法，用多臺(tái)廉價(jià)的小溫式磁盤驅(qū)動(dòng)器組成磁盤陣列，將并行處理的控制技術(shù)應(yīng)用到磁盤驅(qū)動(dòng)器一級(jí)，改變了以往驅(qū)動(dòng)器級(jí)的串行控制方式。一個(gè)磁盤陣列相當(dāng)于一個(gè)大容量邏輯磁盤，用戶數(shù)據(jù)按一定的方式分散在陣列中的各個(gè)物理磁盤驅(qū)動(dòng)器上。磁盤陣列技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，主機(jī)半導(dǎo)體器件和CPU性能提高得磁盤陣列技術(shù)磁盤陣列技術(shù)磁盤陣列技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)1．海量存儲(chǔ)能力2．高可靠性3．并行處理能力4．便于維護(hù)磁盤陣列技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)1．海量存儲(chǔ)能力RAID容錯(cuò)技術(shù)磁盤陣列是用多臺(tái)廉價(jià)小型磁盤驅(qū)動(dòng)器連接起來組成—個(gè)邏輯空間，陣列中的磁盤驅(qū)動(dòng)器越多，故障的概率也越高，喪失數(shù)據(jù)的可能性就越大。所以沒有磁盤冗余構(gòu)造的陣列是不可靠的。為了提高磁盤陣列工作的可靠性，不得不犧牲陣列的局部容量和I／O帶寬。通常的作法是采用ECC錯(cuò)誤檢測(cè)和校正、額外增加奇偶校驗(yàn)盤、增加鏡像盤，三者結(jié)合解決可靠性問題。RAID容錯(cuò)技術(shù)磁盤陣列是用多臺(tái)廉價(jià)小型磁盤驅(qū)動(dòng)器連接起來六種容錯(cuò)構(gòu)造(1)RAID—0級(jí)RAID—0級(jí)支持不帶任何容錯(cuò)能力的數(shù)據(jù)分塊，它具有最高的I／O性能，但可靠性最差。(2)RAID—1級(jí)RAID—1級(jí)使用數(shù)據(jù)分塊，校驗(yàn)是用鏡像方式，但采用扇區(qū)一級(jí)的鏡像。它比單純使用鏡像盤的系統(tǒng)性能要好。它的缺點(diǎn)是對(duì)鏡像的讀寫降低了由數(shù)據(jù)分塊改善的I／O性能。(3)RAID—2級(jí)RAID—2級(jí)的校驗(yàn)方式是海明碼方式，即采用海明碼錯(cuò)誤校驗(yàn)和位穿插技術(shù)。把數(shù)據(jù)按位穿插寫到假設(shè)干個(gè)磁盤上，海明碼被編到每一個(gè)字符的位中，按位進(jìn)展檢查。需要有多個(gè)校驗(yàn)盤來檢測(cè)和校正錯(cuò)誤。不像鏡像盤構(gòu)造那樣100％的冗余度，其系統(tǒng)冗余度為40％。也就是說，對(duì)于一個(gè)有10個(gè)盤的小型陣列，至少需要4個(gè)校驗(yàn)盤。RAID—2級(jí)可以很好地滿足具有大量順序I／O請(qǐng)求的計(jì)算以及超級(jí)計(jì)算，至于微機(jī)或效勞器那么并不適宜。六種容錯(cuò)構(gòu)造(1)RAID—0級(jí)(4)RAID—3級(jí)RAID—3級(jí)采用位穿插，數(shù)據(jù)校驗(yàn)方式是奇偶校驗(yàn)方式，只用一個(gè)奇偶校驗(yàn)盤。同樣，數(shù)據(jù)按位穿插寫到幾個(gè)磁盤上，用一個(gè)校驗(yàn)盤來識(shí)別一個(gè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，由控制器重構(gòu)數(shù)據(jù)。如果校驗(yàn)盤損壞，可以重新計(jì)算校驗(yàn)位將其恢復(fù)到一個(gè)新盤上去。因?yàn)橹恍枰粋€(gè)校驗(yàn)盤，對(duì)于有10個(gè)盤的陣列，其系統(tǒng)冗余讀為1／10，因此實(shí)際存儲(chǔ)利用率比RAID—1和RAID—2高，本錢也較低，但是有奇偶校驗(yàn)盤讀寫的瓶頸問題。(4)RAID—3級(jí)(5)RAID—6級(jí)RAID—6級(jí)是一種采用分塊穿插技術(shù)和兩個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器容錯(cuò)的磁盤陣列。由于它用兩個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器存放檢錯(cuò)、糾錯(cuò)冗余碼，即使發(fā)生雙盤出錯(cuò)的情況，仍能保證數(shù)據(jù)的完整性和有效性。所以，RAID—6有很高的數(shù)據(jù)可靠性。另外，RAID—6中數(shù)據(jù)和校驗(yàn)信息分塊穿插存儲(chǔ)在陣列中的各磁盤上，多個(gè)磁盤同時(shí)讀寫，I／O傳輸率較高。但是，寫性能比RAID—5差，因?yàn)槊看螌懭霐?shù)據(jù)時(shí)，要對(duì)三個(gè)驅(qū)動(dòng)器訪問兩次(一個(gè)數(shù)據(jù)盤驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)校驗(yàn)盤驅(qū)動(dòng)器)。