電子行業(yè)2023年度國(guó)產(chǎn)化及產(chǎn)品創(chuàng)新并舉

一、市場(chǎng)回顧：電子行業(yè)跑贏滬深300指數(shù)156pct回顧：2022年行情概述2年申萬(wàn)電子輸滬深0指數(shù).t2年A股電子數(shù)整呈現(xiàn)跌趨至2月2日申電子下跌.期上證指下跌.深指數(shù)跌.%，萬(wàn)電跑輸深0指數(shù).t。期美費(fèi)城導(dǎo)體跌.%跑輸斯達(dá)指數(shù).t；中國(guó)臺(tái)灣電子板下跌.，輸臺(tái)灣0指數(shù).t可見(jiàn)球電板塊勢(shì)均跑于市水平。圖表 2年申萬(wàn)電子跑滬深0指數(shù).pt 圖表 2年年初至今申電子板排名數(shù)第一， 圖表 費(fèi)城半導(dǎo)體數(shù)跑輸斯達(dá)指數(shù).t 圖表 中國(guó)臺(tái)灣電指數(shù)跑臺(tái)灣0指數(shù)pt 電子板表現(xiàn)較，子塊均呈不同程的下跌子板塊均現(xiàn)不同度的：截至2月2，其電子電子學(xué)品元件光學(xué)電子半導(dǎo)、消電子幅分別為.%、.%.%.、.、.，板塊呈現(xiàn)同程的下。截止到2月2日，申萬(wàn)電板塊E（M）為0倍，處于過(guò)去5年中%左的分（最值為，最值為主要是市場(chǎng)風(fēng)格切換，炭、能源更受市場(chǎng)。圖表 SW電子子塊行情勢(shì) 圖表 申萬(wàn)電子PE為0倍（過(guò)一年值8倍）滬深0在軸其余左軸） 電子行業(yè)業(yè)績(jī)回顧及2023年投資概述3業(yè)績(jī)回顧：游需疲軟，收增速落下游需求軟，營(yíng)增速落著手、電等下游端需疲軟電子業(yè)營(yíng)增速落2第三度電行業(yè)營(yíng)收達(dá)到7億元同比增長(zhǎng).%分領(lǐng)域看費(fèi)電半體顯器件被動(dòng)器件PB安防和E2第三季營(yíng)收別為3億3元9億5億9億5億和9元總比速分為.%、.%、.%、.%.、.和.。圖表SW電子行板塊營(yíng)及增速單季） 圖表SW電子行板塊凈及增速單季） 圖表SW電子行板塊營(yíng)占比（季度） 圖表SW電子行板塊歸凈利占（單度） 毛利率和利率同波動(dòng)費(fèi)用端體比穩(wěn)定在SW電子塊中除極數(shù)企具有BC的商模式，絕部分企業(yè)的商模式對(duì)穩(wěn)于制加工的中環(huán)C行中設(shè)公司外此售費(fèi)率和理費(fèi)率相穩(wěn)定，行業(yè)整的銷費(fèi)用和管費(fèi)用分別為%和%左右毛利和凈率呈比較顯的向波（4和4異動(dòng)分別部分司減值失和示行的拖3電子塊受消費(fèi)電需求軟，顯面板格下跌影平均毛利率和凈利回落至和左。利潤(rùn)端承2第三季電子業(yè)利達(dá)到1億元同比下降%分子域來(lái)看消費(fèi)子、導(dǎo)體顯示件、被動(dòng)元件PB安防和E2第季度潤(rùn)分別為9元、4億元5億3億元5元、3億元和3億元，總比增速分別為.、.、.、%.%.和.%展望3年業(yè)，預(yù)計(jì)導(dǎo)體備維持增消費(fèi)電和顯行業(yè)增回：半體設(shè)受益國(guó)產(chǎn)圓廠產(chǎn)廠商營(yíng)收有望持高態(tài)勢(shì)手機(jī)存下疊加3手機(jī)貨量速回有望動(dòng)消電子塊營(yíng)增速升，示板伴隨著面板價(jià)格回預(yù)計(jì)盈利所改。圖表SW電子行板塊歸凈利及速（季度） 圖表SW電子行板塊單度毛利和凈率 3年投資策略國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品新并舉展望3年我們認(rèn)為一方面半導(dǎo)行業(yè)作信息術(shù)產(chǎn)業(yè)基石，于國(guó)安全和濟(jì)發(fā)具有舉輕重的義，國(guó)產(chǎn)成為我半導(dǎo)市場(chǎng)長(zhǎng)的主律；另方面，能手進(jìn)入存博弈段，折屏產(chǎn)及V//R等產(chǎn)品正在興起，望給產(chǎn)鏈帶新的發(fā)機(jī)遇因此，持電子業(yè)“于大市的評(píng)。制造強(qiáng)自主可控背景下，注設(shè)備和料替代機(jī)：）政策植力度碼：中貿(mào)易摩后供應(yīng)安全逐被重視，同時(shí)在家政和資扶持導(dǎo)下內(nèi)企自主新能會(huì)進(jìn)步提另制強(qiáng)國(guó)是國(guó)建設(shè)要半體制造值得期；國(guó)產(chǎn)心芯自給不足，造環(huán)是重短板國(guó)內(nèi)導(dǎo)體求供嚴(yán)重平，高依賴口，國(guó)產(chǎn)核心片自率不足%相比內(nèi)半體銷售%的額占，生制造節(jié)晶圓工市場(chǎng)額占不到%）是制約國(guó)內(nèi)成電產(chǎn)業(yè)發(fā)的最短板國(guó)產(chǎn)備、材等驗(yàn)及導(dǎo)全面提：長(zhǎng)來(lái)看半體等心技術(shù)國(guó)產(chǎn)化需求凸，國(guó)產(chǎn)業(yè)企業(yè)意提國(guó)產(chǎn)率，國(guó)內(nèi)導(dǎo)體企更多會(huì)，議關(guān)國(guó)產(chǎn)設(shè)備材料入帶的機(jī)會(huì)。新品頻，顯升級(jí)）品頻：）折屏手機(jī)發(fā)目前蘋果其他牌已成折屏手布，預(yù)計(jì)5年全球折屏手出貨達(dá)到0萬(wàn)臺(tái)，注產(chǎn)鏈機(jī)）蘋果MR有望動(dòng)虛擬示產(chǎn)邁入高度隨著術(shù)的不斷發(fā)VAMR產(chǎn)品用戶驗(yàn)將續(xù)進(jìn)品將步走成蘋果MR望帶產(chǎn)業(yè)崛顯示域）MiiED導(dǎo)入場(chǎng)：相傳統(tǒng)D屏幕MiiED具高對(duì)度、亮度及超等諸明顯勢(shì)；）果帶下有望逐步起：iPdPo及Mc搭載iiED背光MiiED在電/板/電車載市將成塑造階產(chǎn)的標(biāo)，國(guó)內(nèi)廠商有望快速跟進(jìn)迎來(lái)局良。圖表電子行業(yè)203年投資框架資料來(lái)源：二、半導(dǎo)體：制造強(qiáng)自主可控，關(guān)注設(shè)備和材料國(guó)產(chǎn)化背景：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體需求旺盛，國(guó)內(nèi)供給能力不足以半導(dǎo)體代表的技產(chǎn)領(lǐng)域是美角關(guān)鍵焦8年4，遇美“禁令9年5月5日，美國(guó)商部表，將華為及0家關(guān)企業(yè)列“實(shí)清；0年0月4日晚中芯際在交所告，部分供應(yīng)商收到美國(guó)出口管制定的一步制。目前國(guó)內(nèi)導(dǎo)體需旺國(guó)內(nèi)給能力足產(chǎn)造環(huán)是重短板國(guó)內(nèi)給能不足國(guó)內(nèi)導(dǎo)體業(yè)市規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，需求供嚴(yán)重平衡，度依進(jìn)口，產(chǎn)核心片自率不足。在集電路域，進(jìn)替代間廣闊。相比國(guó)半導(dǎo)銷售的份占生制造晶圓工占不到是制約內(nèi)集電路業(yè)發(fā)的最短板。圖表我國(guó)集成電進(jìn)口及口金（億美）圖表大陸半導(dǎo)體售與晶代工有率對(duì)比 W政策：市場(chǎng)引導(dǎo)稅收優(yōu)基金資金支人才培養(yǎng)體系化我國(guó)半體產(chǎn)相對(duì)后的面受國(guó)家導(dǎo)層高度注近來(lái)國(guó)密集臺(tái)一列政提振導(dǎo)體業(yè)發(fā)展但振興之路道且。從0年開(kāi)國(guó)務(wù)持續(xù)臺(tái)扶政策支持件和成電產(chǎn)業(yè)展當(dāng)年6月發(fā)布《鼓軟件產(chǎn)業(yè)和集電路業(yè)發(fā)若干策（稱國(guó)發(fā)8號(hào)。4年國(guó)家成電產(chǎn)業(yè)展推綱》提出到0集成電路全行銷售入年增速超過(guò)%0年8月4日國(guó)院印《新期促進(jìn)成電產(chǎn)業(yè)軟件業(yè)高量發(fā)展的若干策國(guó)〔8號(hào)稱國(guó)發(fā)8文旨在化產(chǎn)業(yè)展環(huán)境深化業(yè)國(guó)合作升產(chǎn)創(chuàng)新力和發(fā)展質(zhì)量。圖表集成電路產(chǎn)政策匯總 頒布時(shí)間頒布機(jī)構(gòu)名稱內(nèi)容0國(guó)務(wù)院國(guó)務(wù)院電子計(jì)算機(jī)和大模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組確定了中國(guó)發(fā)展大中型算機(jī)小型系列的選依據(jù)。各個(gè)部委8工程8工程意為中國(guó)發(fā)展集電路第八五年劃。各個(gè)部委9工程9工程是0世紀(jì)0年代九個(gè)年計(jì)之中。4國(guó)務(wù)院《關(guān)于鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)發(fā)的若干政策》將軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路業(yè)作信息業(yè)的心和民經(jīng)信息的基礎(chǔ)，通過(guò)政策引導(dǎo)，鼓資金人才資源向軟產(chǎn)業(yè)集成路產(chǎn)業(yè)。9國(guó)務(wù)院《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技發(fā)展規(guī)劃綱要（-0年》確定了核心電子器件、端通芯片基礎(chǔ)件，大規(guī)集成路制造技術(shù)及成套工藝等為6個(gè)重大專項(xiàng)。8國(guó)家發(fā)改委《關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展干政策的通知》對(duì)集成路線小于8微（）的成電生產(chǎn)業(yè)，一年第二年免企業(yè)得稅第三至第年按照的法稅率半征企業(yè)所得稅。6國(guó)務(wù)院國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)綱要加速發(fā)展集成電路制造，提先進(jìn)裝測(cè)業(yè)發(fā)水平突破成電路關(guān)鍵裝備和材料。8國(guó)務(wù)院《中國(guó)制造》（國(guó)8號(hào)）把集成電路及專用裝備為重發(fā)展象，求著提升成電設(shè)計(jì)水平，不斷豐富知識(shí)產(chǎn)（）核和設(shè)計(jì)工具，破關(guān)國(guó)家息與絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)展的心通芯片提升產(chǎn)芯的應(yīng)適配能力。7國(guó)家發(fā)改委《國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展十三個(gè)五年規(guī)劃綱要》大力推先進(jìn)導(dǎo)體新興沿領(lǐng)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)化形成批新長(zhǎng)。推廣半導(dǎo)體照明等成熟用技。9國(guó)家發(fā)改委《關(guān)于軟件和集成電路業(yè)業(yè)所得稅優(yōu)惠政策有關(guān)題通知》享受財(cái)稅（）7號(hào)文件規(guī)定的稅收優(yōu)惠策的件、成電企業(yè)年匯清繳應(yīng)按《家稅總局于發(fā)布業(yè)所稅優(yōu)政策事項(xiàng)理辦法公告規(guī)定稅務(wù)關(guān)備同提《受企所得稅優(yōu)政策軟件集成路企備案料明表規(guī)的備資。7國(guó)務(wù)院《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略要》制定國(guó)家信息領(lǐng)域核心術(shù)設(shè)發(fā)展略綱，以系化維彌單點(diǎn)弱勢(shì)，打造國(guó)際先進(jìn)、全可的核技術(shù)系，動(dòng)集電路基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄環(huán)節(jié)現(xiàn)根性突。5國(guó)務(wù)院《“十三五”國(guó)家信化規(guī)》信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系初步成，點(diǎn)領(lǐng)核心術(shù)取突破集成路實(shí)現(xiàn)m工藝規(guī)模量產(chǎn)，設(shè)計(jì)水邁向。9國(guó)務(wù)院《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)性新產(chǎn)發(fā)展規(guī)劃》明確指出做強(qiáng)信息技術(shù)心產(chǎn)，提核心礎(chǔ)硬供給力。動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代加強(qiáng)功耗性能原理基器、硅光子、混合光電子、微波電子領(lǐng)域沿技和器研發(fā)功率導(dǎo)分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新一輪速發(fā)期。4國(guó)家發(fā)改委《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)品服務(wù)指導(dǎo)目錄（6版》進(jìn)一步明確電力電子功器件地位范圍包括屬氧物半體效應(yīng)管（F）、絕緣柵極晶管芯（）及模塊快恢二極管（）、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物效應(yīng)體管）、可控硅（）5英寸以大功晶閘（）、集成門換流閘管（）、中小功率智能模塊。1財(cái)政部、務(wù)總局《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企有企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的知7年2月1日前設(shè)立但未獲利的成電線寬于8微米（含）的集成電路生產(chǎn)業(yè)，獲利度起一年第二免征業(yè)所得稅三年第五按照的法稅率半征收業(yè)所稅享受至期滿為止。7財(cái)政部、務(wù)總局《關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)和件業(yè)企業(yè)所得稅政策的公》依法成立且符合條件的成電設(shè)計(jì)業(yè)和件企，在8年月1日前自獲年度計(jì)算惠第一至第年免企業(yè)得，第三年第五按照的法稅率半征企業(yè)得稅享受期滿為止。8國(guó)務(wù)院《新時(shí)期促進(jìn)集成電路業(yè)軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的干策》國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路線小于8納米（含），且經(jīng)營(yíng)期在5年以的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或目，一年第十免征業(yè)所稅。家鼓勵(lì)的集成電路線寬小于5納米（含），且經(jīng)營(yíng)期在5年以上的集電路生企業(yè)項(xiàng)目第一至第年免企業(yè)得稅，第年至十年按照的法稅率半征企業(yè)得稅家鼓的集電路寬小于0納（含經(jīng)營(yíng)在0年以上集成路生企業(yè)項(xiàng)目第年至二年征企所得第年至第年按照%的定稅率減征收業(yè)所稅國(guó)家鼓的線小于0納（的成電路生產(chǎn)企業(yè)納稅年度生的損，向以年度轉(zhuǎn)，結(jié)轉(zhuǎn)限最長(zhǎng)不得超過(guò)0年。8國(guó)務(wù)院成為國(guó)家一級(jí)學(xué)科國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)會(huì)議票通集成路專將作一級(jí)科，從子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科獨(dú)立來(lái)的案。資料來(lái)源：政府網(wǎng)站整，減稅是主律向先進(jìn)程傾國(guó)發(fā)8文提，家鼓的集電路寬小于8米含，經(jīng)營(yíng)期在5以上的集成電生產(chǎn)業(yè)或目第年至十年征企所得稅而在國(guó)發(fā)4文中對(duì)線小于.5米或資額超過(guò)億元且營(yíng)5以上集成路生企業(yè)采取盈利日起五免減半的政策這個(gè)策對(duì)國(guó)內(nèi)端制企業(yè)來(lái)說(shuō)，優(yōu)的力明顯大。比8年減稅策明顯勵(lì)先進(jìn)程并先進(jìn)程傾。一面先制程芯片產(chǎn)化在國(guó)家戰(zhàn)略地位意義非凡另一面，成電的先制程是國(guó)家新技的集體現(xiàn)。圖表政策減稅對(duì)（0年V8年）資料來(lái)源：政府網(wǎng)站整，）0年以，主通過(guò)立國(guó)院“子計(jì)機(jī)和規(guī)模成電領(lǐng)導(dǎo)組”政策初步立國(guó)內(nèi)晶圓線）4年，國(guó)發(fā)8號(hào)文1專項(xiàng)2專和各稅收惠政，這間主要發(fā)展業(yè)鏈套環(huán)、鼓研發(fā)創(chuàng)新并給稅收惠至包國(guó)家成電產(chǎn)業(yè)發(fā)推進(jìn)要出十五國(guó)戰(zhàn)略興產(chǎn)發(fā)展劃集成電路和件所稅優(yōu)政，國(guó)大基、二等主要是市場(chǎng)稅收優(yōu)基資金持人才培體系（一級(jí)學(xué)科設(shè)立）面鼓勵(lì)支持導(dǎo)體產(chǎn)的自可控黨的二十大報(bào)告提，以國(guó)家戰(zhàn)略求為導(dǎo)向，聚力量進(jìn)行創(chuàng)性引領(lǐng)性科攻關(guān)，堅(jiān)決贏關(guān)鍵核心技攻堅(jiān)戰(zhàn)。推進(jìn)新型工業(yè)化，加建設(shè)制造強(qiáng)國(guó)質(zhì)量強(qiáng)國(guó)天強(qiáng)國(guó)、交強(qiáng)國(guó)、網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)、數(shù)字中國(guó)半導(dǎo)體作為電信息行業(yè)的基石，預(yù)計(jì)來(lái)會(huì)有多的持政策臺(tái)半導(dǎo)體之制造設(shè)：晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備受益半導(dǎo)體銷穩(wěn)步增，國(guó)占比：3每個(gè)度全半導(dǎo)銷售額在0億美元右，中國(guó)的半導(dǎo)體售額在0億美左，全占比在%%間其中聯(lián)、車聯(lián)理驅(qū)動(dòng)持續(xù)新的子產(chǎn)品銷量的長(zhǎng)起了重的推作用智能居設(shè)備便攜電子備基車聯(lián)的車電子備等外隨中國(guó)成為重要智能端銷市國(guó)半導(dǎo)銷售在全球占比在逐提4年第季度占比有%右到年3中國(guó)半導(dǎo)體銷售額在全范圍的占達(dá)到。圖表全球半導(dǎo)體售額及速 圖表全球不同地半導(dǎo)體售額場(chǎng)占比 圖表中國(guó)半導(dǎo)體售額及（陸地區(qū)） 圖表中國(guó)半導(dǎo)體售額全市場(chǎng)額占比 半導(dǎo)體行目前主商業(yè)式有兩一集成件制模式M式。以特爾三星SK力士代表從設(shè)計(jì)到制造、測(cè)直至入市全部覆；另種是垂分工模，上的芯片計(jì)公司Fls負(fù)責(zé)芯的設(shè)，設(shè)計(jì)好的芯片膜版交由游的圓Fy進(jìn)行制工完成晶圓由下的封測(cè)試司進(jìn)切割封裝測(cè)試，每一個(gè)節(jié)由門的司負(fù)責(zé)垂直工模的產(chǎn)源于導(dǎo)體業(yè)資密集和技密集的特點(diǎn)晶圓工屬重資產(chǎn)行業(yè)，前m制程藝的廠投金額達(dá)百美元級(jí)，額的本投使得絕多數(shù)導(dǎo)體司無(wú)支撐此高昂的開(kāi)支。大陸廠商場(chǎng)份額從業(yè)來(lái)1年積電以%的場(chǎng)占率處絕對(duì)先的位三星格羅德分第二、第三內(nèi)廠中芯際暫第五從制工藝看先工（+m目前占據(jù)%右的場(chǎng)份主用于P、PU等超大規(guī)模邏輯集成路的造。圖表全球主要代廠市場(chǎng)額） 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察

圖表全球主要代廠市場(chǎng)額） 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察 相比國(guó)半導(dǎo)體銷份額占比生制造環(huán)節(jié)（圓代工）是約國(guó)內(nèi)集成電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大短板，國(guó)產(chǎn)導(dǎo)體振興之路道阻且國(guó)內(nèi)C設(shè)能力十年來(lái)了較進(jìn)，華海思通信安防片領(lǐng)已經(jīng)到全領(lǐng)先平C封測(cè)領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)最為功誕了長(zhǎng)科技富微等一領(lǐng)先封測(cè)廠位列球第梯隊(duì)是材料設(shè)備制造節(jié)與國(guó)外領(lǐng)先企業(yè)仍然存在不的差。圖表半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及要工流程資料來(lái)源：先進(jìn)制程本性支會(huì)顯提以m點(diǎn)為，其資成高達(dá)+億金是m的3倍是m的5倍。為了建設(shè)m產(chǎn)線2年積電劃全資本性出高達(dá)0美元進(jìn)制不僅要巨的建設(shè)本而也提高了設(shè)計(jì)企業(yè)的門檻，根據(jù)BS的預(yù)測(cè)m設(shè)計(jì)成本將會(huì)高達(dá)5億美元。對(duì)比臺(tái)積，國(guó)內(nèi)圓廠資本開(kāi)存在顯差距1臺(tái)積資本支分為0美元和0億美，預(yù)計(jì)P0晶圓造企合計(jì)資開(kāi)支望到0億金，比增長(zhǎng)%其中積電2資本支為0美金，中芯國(guó)際2年資本開(kāi)支為6億美元前次期為0億美。圖表不同制程下圓廠的備投額（百美元）資料來(lái)源：集邦咨詢，

圖表主要半導(dǎo)體的資開(kāi)支百萬(wàn)美） 資料來(lái)源：集邦咨詢， 制程的步使集成路上單個(gè)體管積更耗更位面的硅圓上夠容更多體提了芯性能。目前半導(dǎo)體制程工藝的步已越來(lái)困難具體因有下三點(diǎn)：良品率的制每硅原直徑大約.在m制程下每個(gè)隔之只有到0顆原子個(gè)原的缺陷就會(huì)嚴(yán)重影響到產(chǎn)品的率。短溝道效應(yīng)晶體閾值壓隨晶體尺寸縮小降低導(dǎo)致道無(wú)法全關(guān)造成電，高了片功。光刻機(jī)技限制前m工用到極紫光刻需要計(jì)出雜的射光經(jīng)過(guò)次鏡反射，光強(qiáng)度大大衰減，造成光刻膠曝強(qiáng)度足。移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)的半體市，更加重功的降低動(dòng)備受電池航所，PU功耗得尤重要。1年右，隨著智手機(jī)透率迅速高消費(fèi)子的心開(kāi)始從PC端移動(dòng)傾，傳統(tǒng)PC芯片頭英爾在動(dòng)端舉步不前也導(dǎo)了其程發(fā)在近5年慢了步積電三星益于能手芯片大出量制程藝方拼命趕從1年落后英特爾一代制程到5年趕，最在7年實(shí)反超。制程演進(jìn)20112012201320142015201620172018201920202021臺(tái)積電nmnmn制程演進(jìn)20112012201320142015201620172018201920202021臺(tái)積電nmnmnmnmnmnmn+英特爾nmnmnm三星nmnmnm*nmnm格羅方德nmnmnmnm聯(lián)華電子nmnm中芯國(guó)際nmnmnmN1：英特爾m技術(shù)在晶管密方面臺(tái)積、三星m工藝當(dāng)，屬一技術(shù)：格羅方德8年8宣布置mFiFT制的研，專注m產(chǎn)品：聯(lián)華電子7年宣布暫跟進(jìn)m和m制程研發(fā)資料來(lái)源：公司公告，臺(tái)積電0年m量產(chǎn)2正在進(jìn)m制工藝此代工場(chǎng)份第三第的格方德聯(lián)華子均已宣布暫緩m以下程的發(fā)目芯片造的進(jìn)制競(jìng)爭(zhēng)只剩臺(tái)積和三兩家先廠通過(guò)前量獲取訂單分工廠舊進(jìn)繼續(xù)發(fā)下代工使后進(jìn)商在進(jìn)制工藝的投低于期回而放競(jìng)爭(zhēng)此擴(kuò)大市場(chǎng)份、形壁壘未來(lái)芯代工領(lǐng)馬太應(yīng)會(huì)愈明顯國(guó)內(nèi)廠有望在策和金的加下競(jìng)實(shí)力進(jìn)步增。另外在芯片類和求量持增加的潮，全晶圓廠量也斷擴(kuò)EMI的據(jù)顯0年間球投產(chǎn)的半導(dǎo)晶圓廠為2座其中有6座設(shè)中國(guó)陸占球總數(shù)的%并預(yù)計(jì)從0年到4至少增8個(gè)英寸晶廠。據(jù)中國(guó)際深圳產(chǎn)計(jì)，中深圳負(fù)責(zé)項(xiàng)的發(fā)和營(yíng)，重生產(chǎn)8納米以上集成路和提供技術(shù)務(wù)旨在現(xiàn)最每月約4萬(wàn)片2晶圓產(chǎn)項(xiàng)的新資額計(jì)為.5美北京區(qū)擴(kuò)方中芯控股國(guó)集成路基二期亦莊投訂立資合以共成立資企業(yè)總投額為6億元一期目計(jì)于年完工成后達(dá)成每約0萬(wàn)片2英晶圓能華虹導(dǎo)體計(jì)劃產(chǎn)無(wú)錫2寸晶廠同時(shí)慮在錫建設(shè)二期項(xiàng)。圖表全球晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)統(tǒng)計(jì) 公司擴(kuò)產(chǎn)地點(diǎn)投資金額擴(kuò)產(chǎn)情況月增能）預(yù)估產(chǎn)能放時(shí)間士蘭微廈門0億元擴(kuò)增至3萬(wàn)片2英寸5-杭州1億元擴(kuò)增至8萬(wàn)片8英寸-華潤(rùn)微重慶新建3萬(wàn)片2英寸聞泰科技上海0億元新建-4萬(wàn)片2-博世德國(guó)0億歐元新建2萬(wàn)2英寸德州儀器美國(guó)擴(kuò)建2英寸-華虹集團(tuán)無(wú)錫2億元擴(kuò)増至5萬(wàn)片2英寸5納米-中芯國(guó)際天津未知擴(kuò)增至5萬(wàn)片8-北京未知擴(kuò)增1萬(wàn)片2英寸8納米及上-深圳5億美元新建4萬(wàn)2英寸8納及以上-北京6億美元新建0萬(wàn)2英寸8納及以上-晶合集成合肥未知新増2廠4萬(wàn)片2英寸0納米-合肥未知新建3廠6萬(wàn)片2英寸未知粵芯半導(dǎo)體廣州5億元二期擴(kuò)増2萬(wàn)片2英寸-紹興中芯紹興擴(kuò)增至9萬(wàn)片英寸-寧波中芯寧波新増3萬(wàn)片8英寸-海辰半導(dǎo)體無(wú)錫4億美元釋放約5萬(wàn)片8英寸無(wú)錫軽放約5萬(wàn)片8英寸臺(tái)積電南京7億美元新建2萬(wàn)片2英寸8納米及上美國(guó)0億美元新建2萬(wàn)片2英寸5納米-中國(guó)臺(tái)灣0億美元擴(kuò)増3納米、5納米和7納米等進(jìn)工藝聯(lián)電臺(tái)南5億美元2英寸1萬(wàn)片8米及上-臺(tái)南0億美元2英寸3萬(wàn)片8納米-廈門4億美元2英寸0片8納米-力積電銅鑼0億新臺(tái)幣2英寸0萬(wàn)片-世界先進(jìn)新竹未知新建4萬(wàn)片8英寸-格芯美國(guó)未知擴(kuò)建A8-新加坡、德國(guó)、美國(guó)4億美元擴(kuò)増2納米至0納米-三星美國(guó)0億美元擴(kuò)增3萬(wàn)片2英寸-5納米-英特爾美國(guó)0億美元擴(kuò)建2英寸產(chǎn)，部代工芯思想， 設(shè)備廠商望受內(nèi)晶廠擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)設(shè)備主用于導(dǎo)體造和測(cè)環(huán)節(jié)分為圓加設(shè)備裝設(shè)和檢設(shè)備。晶圓制設(shè)備，光機(jī)、蝕機(jī)薄膜積設(shè)為核設(shè)備，別占圓制環(huán)節(jié)比例約%、%和%隨著臺(tái)積電等圓廠頭開(kāi)新一擴(kuò)產(chǎn)期術(shù)升圓產(chǎn)向大轉(zhuǎn)移及國(guó)政策大力持國(guó)半體設(shè)公司充分受益大陸晶圓廠擴(kuò)。圖表晶圓制造環(huán)節(jié)主要設(shè)備及材料使用統(tǒng)計(jì) 環(huán)節(jié)工藝設(shè)備所需材料擴(kuò)散氧化氧化爐硅片、特氣體PP設(shè)備特種氣體激光退火激光退火備特種氣體光刻涂膠涂膠顯影設(shè)備光刻膠測(cè)量DM等光刻光刻機(jī)掩模版、種氣體顯影涂膠顯影備顯影液刻蝕干刻等離子體刻蝕機(jī)特種氣體濕刻濕法刻蝕備刻蝕液去膠等離子去機(jī)特種氣體清洗清洗設(shè)備清洗液離子注入離子注入離子注入機(jī)特種氣體去膠等離子去機(jī)特種氣體清洗清洗設(shè)備清洗液薄膜生長(zhǎng)VDVD設(shè)備特種氣體VDVD設(shè)備靶材PP設(shè)備特種氣體ADAD設(shè)備特種氣體清洗清洗設(shè)備清洗液、種氣體拋光PP設(shè)備拋光液、特種氣體刷片刷片機(jī)清洗清洗設(shè)備清洗液、特種氣體測(cè)量測(cè)量設(shè)備金屬化VDVD設(shè)備靶材VDVD設(shè)備特種氣體電鍍電鍍?cè)O(shè)備電鍍液清洗清洗設(shè)備清洗液芯思想， 預(yù)計(jì)3年全球半體設(shè)市場(chǎng)規(guī)下降4年增速回芯片景氣背下全球圓廠啟擴(kuò)1全球半導(dǎo)體設(shè)銷售額達(dá)1美同激增.tr預(yù)計(jì)2年球半體設(shè)市場(chǎng)模有達(dá)到5億美其中光刻、刻蝕和沉積類備是心設(shè)。隨資本支下3年全球?qū)w備市規(guī)模降至6億美元。半導(dǎo)體備技難度高研發(fā)期長(zhǎng)資金高依高級(jí)術(shù)人和高平的發(fā)手段具備常高技術(shù)檻國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體備企雖然近年展現(xiàn)高速長(zhǎng)的展趨但畢竟展時(shí)有與日國(guó)家比還存在定的差距據(jù)各分設(shè)市場(chǎng)有率計(jì)數(shù)在光機(jī)PV蝕化/散設(shè)領(lǐng)三家設(shè)商的市占都達(dá)以上。圖表全球半導(dǎo)晶圓制環(huán)節(jié)備市場(chǎng)（萬(wàn)美元）

圖表全球半導(dǎo)體圓制造節(jié)不類型設(shè)占比 、Gr， 、Gr 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)設(shè)備商極推進(jìn)市進(jìn)程設(shè)備國(guó)化率提可：創(chuàng)板來(lái)已多家半體設(shè)公司市，括中微司、芯碁微、盛上海華?？坪颓G科等。司預(yù)使用PO所資金強(qiáng)研發(fā)擴(kuò)張能，動(dòng)國(guó)產(chǎn)速。半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)潮下備賽業(yè)績(jī)期建議注龍公司方華創(chuàng)中微司盛上海荊科技分領(lǐng)專業(yè)型公司華峰測(cè)控、精測(cè)電、芯微等零部企業(yè)創(chuàng)精等。圖表半導(dǎo)體制造節(jié)及所設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率 圖表半導(dǎo)體設(shè)備要上市司 ， ， 半導(dǎo)體之材料：自主可控，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體料可分為圓制需要材料封裝要的料晶圓造所的材是核心大體以分硅片材MP拋光材（要是光墊拋光光膠濕電化學(xué)（要是純?cè)噭┕饪膛涮讋┳犹貧夤猓ü庋谀ぃ┮约捌渌?guó)內(nèi)大分材自給較低在半導(dǎo)材料域端產(chǎn)市場(chǎng)術(shù)壁較高國(guó)內(nèi)業(yè)長(zhǎng)研發(fā)入和累不足在國(guó)際分工中處于低端域高產(chǎn)品場(chǎng)主要美日歐韓等數(shù)國(guó)大公壟斷內(nèi)大分產(chǎn)品給率低基本不足%，主要依賴于進(jìn)。圖表半導(dǎo)體材料產(chǎn)化率 圖表半導(dǎo)體制造料各領(lǐng)規(guī)模比 ， ， 作為晶制造原材硅質(zhì)量直決定晶圓造環(huán)的穩(wěn)性片產(chǎn)按照工工可分拋光退火外延片節(jié)隔片和緣體硅片大類品其中光片應(yīng)用圍最泛用最大基礎(chǔ)產(chǎn)品其的硅產(chǎn)品是在拋光片的基礎(chǔ)上二次工產(chǎn)的。隨著提單晶術(shù)的高硅的尺隨著間的展逐提升從2（m到4（m5（m6英m8英m到0年的2英（m2英寸片的一站是8（mm硅片，半導(dǎo)體片尺越大半導(dǎo)硅片生產(chǎn)技術(shù)設(shè)備料工的要越高由于備研難度較高目前造廠對(duì)于8寸的推動(dòng)力不大，主流工以2英寸和8英寸硅為主。圖表硅片的分類 圖表半導(dǎo)體硅片寸與制的變化 ， ， 8英寸2英寸硅片占據(jù)了的市場(chǎng)份2英寸硅片市不斷提合成優(yōu)勢(shì)使8寸和6英寸片仍有接近/3的場(chǎng)。8寸和6英寸圓制產(chǎn)線部分設(shè)時(shí)較早設(shè)備舊已完畢，片制成本低，然硅的利用率相對(duì)于2寸晶有一定距但綜成本一些需要進(jìn)制的產(chǎn)并不高于2英寸片如高度模電路、射頻前端芯片、嵌入式儲(chǔ)器S、高壓S特殊品方。根據(jù)SMO布的全球2寸晶需求測(cè)數(shù)，1全球2英寸圓需將達(dá)到0萬(wàn)/月6年，由于G手機(jī)據(jù)中等的勃發(fā)展2硅片復(fù)合長(zhǎng)率為%其需求比最的終應(yīng)用智能機(jī)其次為數(shù)據(jù)中心P/平板電、汽，數(shù)中心汽車對(duì)2英寸晶的需增長(zhǎng)為快。圖表全球2英寸硅片廠能及求統(tǒng)計(jì)單位千 圖表2英寸硅片下游同應(yīng)用域情況 片/月） CO、， CO、， 硅晶圓應(yīng)商從0多家逐漸并為在的5家，成寡市場(chǎng)硅晶企業(yè)兼并收購(gòu)其必原因?qū)τ谄瑥S商而言其對(duì)巨的資開(kāi)支規(guī)優(yōu)勢(shì)得尤重要商只通過(guò)規(guī)模產(chǎn)才降低定成本升盈能力其次，通過(guò)兼并收購(gòu)，廠可以高市集中，提產(chǎn)業(yè)的議價(jià)力，維持對(duì)穩(wěn)的盈能力。我國(guó)硅產(chǎn)業(yè)步較產(chǎn)化續(xù)進(jìn)目產(chǎn)硅供應(yīng)主要集中供應(yīng)8英及以硅片無(wú)法足主需求。國(guó)內(nèi)大片牢掌控海外家手中這對(duì)內(nèi)半體產(chǎn)國(guó)產(chǎn)而言終是大隱因推半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)上游材料端須與配套快國(guó)化進(jìn)程目前導(dǎo)體片的空間大來(lái)國(guó)內(nèi)商有充分益半體硅的國(guó)產(chǎn)化。圖表半導(dǎo)體硅片場(chǎng)份） 圖表國(guó)內(nèi)主要硅企業(yè)一半 ， 、百度， 三、折疊屏手機(jī)頻發(fā)，虛擬顯示產(chǎn)品逐步興起智能機(jī)出貨趨緩集中度提升2年，能機(jī)向智能機(jī)變，智能機(jī)滲透率逐步升帶動(dòng)了手機(jī)體的銷量；6年，智能機(jī)外及硬件級(jí)手機(jī)創(chuàng)新級(jí)引新一增6年至，智手機(jī)長(zhǎng)乏，牌集中度持續(xù)升果、為、PP、VV、小等前5品牌廠市場(chǎng)額持提升，從8年的%提升至1年的%。華為市占滑明顯榮耀離后市提升為在到美禁令面臨芯的境內(nèi)市市占從巔時(shí)（）的%降至2的左右榮耀華為離后整供鏈，內(nèi)市份額步升至2的，出主要其中在大陸場(chǎng)，我預(yù)計(jì)來(lái)全球場(chǎng)份有望逐升至%縱觀個(gè)消費(fèi)子上下產(chǎn)業(yè)，包括片在的重要零部件廠商具有較強(qiáng)的議能力建議注渠完備面對(duì)C端用的品企業(yè)及G帶來(lái)細(xì)分域成機(jī)會(huì)。圖表全球智能手出貨量況 DC、

圖表全球智能手出貨份占比 DC、 圖表國(guó)內(nèi)智能手出貨量況 DC、

圖表國(guó)內(nèi)智能手出貨份占比 DC、 各大廠商紛紛入局，折疊屏新品頻發(fā)頭部廠商折疊屏品的視上升全新度9年為星的繼入正式啟折疊年隨各大商開(kāi)始發(fā)力，快折屏手產(chǎn)品代和機(jī)上速度，而2年4月VVOXFD的發(fā)標(biāo)志國(guó)內(nèi)流廠均已成折疊屏產(chǎn)品的布。圖表2020年之后折疊屏手機(jī)新機(jī)發(fā)布頻率明顯加快百度，折疊屏手“可玩”更：當(dāng)前場(chǎng)上的要折屏手機(jī)戶可分為兩）技嘗者，對(duì)格相不敏，更加注重技術(shù)創(chuàng)新帶來(lái)的新感有真需求的費(fèi)者核心用場(chǎng)包括屏觀、文閱讀及商辦公。折疊屏手的大尺屏幕來(lái)更多用場(chǎng)更的屏尺寸觀看視電玩戲較板機(jī)更好視覺(jué)果更大的內(nèi)容顯示空間使得戶擁更好閱讀驗(yàn)，屏交則可以足不場(chǎng)景的應(yīng)操作求。圖表折疊屏手機(jī)比直板機(jī)更具可操作空間百度，產(chǎn)品價(jià)格步回應(yīng)場(chǎng)期讓費(fèi)者續(xù)觀的另個(gè)核原因就產(chǎn)品格。期的疊屏品如為MteX和三星lyFld發(fā)價(jià)分定在9元和9元隨頭部商的繼入場(chǎng)規(guī)模應(yīng)帶成本降折屏新價(jià)格開(kāi)始下探近期款新價(jià)格下探萬(wàn)元內(nèi)價(jià)段，量表現(xiàn)好的型如PPOFidN和三星ZFlip3起售均低于0元。圖表初代折疊屏機(jī)起售均遠(yuǎn)超Pone DCr、

圖表1年代表性折屏手價(jià)格分情況DC、r、 全球折疊手機(jī)市規(guī)?，F(xiàn)快速長(zhǎng)趨勢(shì)產(chǎn)品質(zhì)化來(lái)越重的景下性屏關(guān)技的愈成熟給疊屏手機(jī)面市定了件基1年全折疊手機(jī)出貨量約0萬(wàn)預(yù)計(jì)5年全折疊手機(jī)貨量達(dá)到0萬(wàn)臺(tái)。三星全球市場(chǎng)領(lǐng)先：從場(chǎng)份方面看1年星在全折疊市場(chǎng)額高達(dá)%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)產(chǎn)品牌據(jù)主1年國(guó)折疊手機(jī)貨量為0萬(wàn)，較0年增加%，2年內(nèi)折屏手機(jī)出貨量望增至0萬(wàn)臺(tái)預(yù)計(jì)5年出貨將達(dá)0萬(wàn)臺(tái)國(guó)內(nèi)場(chǎng)份方面，為作國(guó)內(nèi)商中期布者市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)明顯，達(dá)到%緊隨后的是P、星和耀等。圖表全球折疊屏機(jī)出貨及增速 DCr、

圖表全球折疊屏機(jī)出貨場(chǎng)份占比） DC、r、 圖表國(guó)內(nèi)折疊屏機(jī)出貨增速 DCr、

圖表國(guó)內(nèi)折疊屏機(jī)市場(chǎng)額） DC、r、 目前主流折疊屏機(jī)主分為橫和豎其橫折又為外折內(nèi)折內(nèi)折構(gòu)是目手機(jī)商主采取折疊態(tài)，合屏?xí)r常規(guī)板機(jī)似開(kāi)時(shí)尺寸屏提了更秀的覺(jué)體兩塊幕的置在量度和航等面存在更大挑戰(zhàn)折結(jié)由于采用一塊屏相于內(nèi)折重量更加盈但幕處外側(cè)對(duì)用提出高要求）豎折則犧牲了折疊屏的屏形，在攜性面更有優(yōu)。圖表頭部廠商代性折疊手機(jī)要參數(shù)比 DCr、

圖表三種折疊形態(tài) DC、r、 屏幕蓋板可折疊幕的鍵核心性用材關(guān)鍵疊屏機(jī)屏蓋板材質(zhì)求較高要具可折性的時(shí)能夠保證透光率及耐用性（透明聚亞胺和（超薄柔玻璃是當(dāng)屏幕板材的較選擇。G多項(xiàng)指標(biāo)優(yōu)勢(shì)顯，有成蓋未來(lái)選用G擁有更薄厚度折痕制更出色伴隨著G生產(chǎn)工藝和的進(jìn)步，未來(lái)G制造成本和規(guī)模量等問(wèn)有望到改，預(yù)計(jì)3年G的市場(chǎng)份額將超P。圖表TG較PI存在方面勢(shì) DC、群智GK

圖表TG市場(chǎng)份額將在3年反超PI DC、群智GK VR產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快車道，R行業(yè)整體仍處于B端市場(chǎng)虛擬（增）現(xiàn)實(shí)體可分為虛擬實(shí)Vitllt，V是指過(guò)計(jì)算生成現(xiàn)實(shí)境仿，讓戶獲得身臨其的沉式體）強(qiáng)現(xiàn)實(shí)AmtdiyA，是在現(xiàn)世界基上合計(jì)算生成圖形從而以數(shù)字方增強(qiáng)們所的內(nèi)容混現(xiàn)MixdltMAR和VR的融合是將實(shí)世和虛世界合在一起，來(lái)產(chǎn)生新的可視化境。圖表AR/VMR產(chǎn)品定義百度，VR設(shè)備有替代機(jī)成為一代移終端常生活用場(chǎng)中，前智手機(jī)和腦均于性過(guò)剩段，片先進(jìn)制程的進(jìn)在關(guān)消領(lǐng)域不再有突性價(jià)。展未來(lái)R設(shè)作為術(shù)密集產(chǎn)品集成光學(xué)傳感通信、人體工學(xué)多種術(shù)，不是在提沉浸和優(yōu)化品完度環(huán)節(jié)亦或者新技開(kāi)發(fā)應(yīng)方面都存在顯算力洞，是新一代消費(fèi)算力平臺(tái)。VR設(shè)備要分為動(dòng)式分體式一體三種形移動(dòng)式VR備（R手盒子）為VR備早形態(tài)設(shè)備身只配置有由片組的光系統(tǒng)顯示統(tǒng)以計(jì)算統(tǒng)需依靠能手為產(chǎn)過(guò)渡產(chǎn)品其使體驗(yàn)及應(yīng)場(chǎng)景都十分局。分體式R設(shè)則主連接腦和戲主等外設(shè)，在接設(shè)硬件能有夠保障，用沉感將明顯優(yōu)于動(dòng)式VR設(shè)備但是體式R設(shè)也存便捷方面問(wèn)題除了用時(shí)需同時(shí)動(dòng)外設(shè)備外，設(shè)備間的連接纜也影響用體。一式VR設(shè)備過(guò)內(nèi)獨(dú)立理器解決線纜縛的題使用由度高，管存在機(jī)身過(guò)重等方面的問(wèn)題從綜體驗(yàn)面來(lái)，一式VR備仍是C端用體驗(yàn)宇宙標(biāo)準(zhǔn)答。圖表VR設(shè)備三分類態(tài) 移動(dòng)式移動(dòng)式VR 分體式VR設(shè)備 一體式VR設(shè)備PU 無(wú)無(wú)有售價(jià)區(qū)間(美元） ~0~0~0便宜需外接PC設(shè)備內(nèi)嵌PU處理器特點(diǎn) 需搭配手機(jī)使用享受PC平臺(tái)內(nèi)容紅利交互自由發(fā)展瓶頸 內(nèi)容少，體驗(yàn)差對(duì)外接設(shè)備性能要求高厚重入門過(guò)渡性產(chǎn)品交互受連接線束縛綜合性能仍有差距典型產(chǎn)品 oogleadboad、三星

Civ、onyPR taust、Pio4資料來(lái)源：百度，VR新品嘗鮮常態(tài)化：）-5行業(yè)鮮期，2推出的MtaRft志著R設(shè)備正步民用；）-0年VR產(chǎn)業(yè)來(lái)了段性潮，R硬設(shè)備斷推，吸了大的用戶資本場(chǎng)，由于品完度低以及缺少質(zhì)內(nèi)等問(wèn)題行業(yè)展進(jìn)了瓶期直至0全球情爆發(fā)VR備需快速長(zhǎng)內(nèi)也逐豐富）1至今新布?；鬃止?jié)動(dòng)以0億購(gòu)國(guó)頭部R設(shè)廠商PI式入局VR業(yè)其次Mtast2的市場(chǎng)成功，成為第一款象級(jí)VR產(chǎn)，助全球VR設(shè)備貨量破0萬(wàn)部。2年P(guān)IO發(fā)布品PIO，后有Mta發(fā)布tP，作為VR業(yè)風(fēng)標(biāo)，家頭廠商為R硬的發(fā)及演進(jìn)奠定了調(diào)，是輕化?？钚戮钆淞薖ke光學(xué)組方，相于菲爾透方案減重%，幅度高了用戶佩戴適感有望為未來(lái)VR設(shè)備流光方案另一面，3年果將發(fā)第一代MR設(shè)，作蘋果元宇宙交付的第一份答卷，重定義VR設(shè)備為VR硬件貨注增長(zhǎng)力。圖表當(dāng)前頭部品主力消級(jí)VR體機(jī)數(shù)情況品牌e大朋愛(ài)奇藝玩出夢(mèng)想io產(chǎn)品名eaest2大朋1UlaK奇遇DeamoR2CO4 設(shè)備形態(tài)一體式一體式一體式一體式一體式上市日期2020年9月2021年8月2022年5月2022年7月2022年9月價(jià)格299美元3899元2499元2999元2499CU高通驍龍高通驍龍845高通驍龍高通驍龍高通驍龍光 光學(xué)方案菲尼爾透鏡菲涅爾透鏡雙非球面鏡片acaeacae學(xué) V101°100°93°95°105°屏幕材質(zhì)顯CDat-CDat-CDat-CDat-CD示 分辨率3664*19203840*21603664*19203200*16004320*2160刷新率120Hz90Hz90Hz90Hz90Hz交 追蹤方案6DF3Df6DF6DF6DF互 空間定位Ie-tIe-tIe-tIe-t重量503g410g348g350g295（單頭顯）電池 3640h 4000h 5500h 5300h 5300VR陀螺，司官，產(chǎn)業(yè)利好策不，行空間愈清晰自6年十三”規(guī)提出力建虛擬實(shí)產(chǎn)之后相關(guān)持政持續(xù)推出，2年1，工部、育部、旅部五部聯(lián)合布了虛擬實(shí)與業(yè)應(yīng)融合展行計(jì)劃—年，計(jì)劃出6年國(guó)虛擬實(shí)產(chǎn)總體模（括軟件以應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊^(guò)0元，擬現(xiàn)終端設(shè)備銷量過(guò)0萬(wàn)臺(tái)并培出0家具較強(qiáng)新能和行業(yè)響力骨干，造0個(gè)具區(qū)域響力引領(lǐng)虛擬現(xiàn)實(shí)生態(tài)發(fā)展的集聚，建成0產(chǎn)業(yè)公服務(wù)臺(tái)。圖表虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)發(fā)展進(jìn)程資料來(lái)源：億歐，應(yīng)用場(chǎng)景斷豐，不局限一游戲。于0年球疫爆，居時(shí)長(zhǎng)的長(zhǎng)導(dǎo)了對(duì)戲等家活需求的提升疊加Mtat2的高價(jià)比達(dá)到費(fèi)級(jí)平從而使VR行業(yè)步得到根據(jù)Mdritllge數(shù)據(jù)，0年游戲在球VR用戶用場(chǎng)景比達(dá)%以同時(shí)VR設(shè)備應(yīng)用景也不斷富不在限于樂(lè)游屬性，未來(lái)有望在辦公設(shè)計(jì)、育培等方繼續(xù)揮虛現(xiàn)實(shí)仿真技優(yōu)勢(shì)。圖表2020年VR用應(yīng)用景占比況 圖表Pico推出峰VR唱會(huì) 游視零教健rdrge Po VR產(chǎn)業(yè)進(jìn)快車道R行業(yè)整體仍處于B端市場(chǎng)據(jù)C統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)1年全球VR設(shè)出貨量達(dá)5臺(tái)同比增加主得益于Mtat2在海市場(chǎng)成2年在球經(jīng)下行消費(fèi)求疲的背下球VR設(shè)備出貨量舊實(shí)逆勢(shì)長(zhǎng)有望比增加%至0萬(wàn)臺(tái)著VR硬件協(xié)發(fā)展及生建設(shè)斷完善計(jì)未來(lái)VR設(shè)備貨量保持穩(wěn)增長(zhǎng)勢(shì)5年增長(zhǎng)至0萬(wàn)臺(tái)6年復(fù)合長(zhǎng)率達(dá)%是前低消費(fèi)電子的細(xì)分增量市，VR行有望入規(guī)化放階段AR行整體處于B市場(chǎng)。圖表VR設(shè)備出貨及增速 DC、群智GK

圖表R設(shè)備出貨量及增速 DC、群智GK 在競(jìng)爭(zhēng)格局面，ta以斷式領(lǐng)先據(jù)全市場(chǎng)份第一據(jù)IC數(shù)統(tǒng)計(jì)1年Mta場(chǎng)份高達(dá)，大鵬和Pio均以%的市場(chǎng)份位列后。于Ma的VR品并在中大陸售，此國(guó)市場(chǎng)要以產(chǎn)品，其中1年朋以.%市場(chǎng)額位國(guó)內(nèi)場(chǎng)份首位其次為Pi以.位居二隨著字跳動(dòng)購(gòu)Pi，在產(chǎn)品力打造以及品牌進(jìn)資源斜，Po的市占有望到進(jìn)步攀。圖表2021年全球牌市場(chǎng)額 圖表2021年國(guó)內(nèi)牌市場(chǎng)額 aDRcoy其他

DRco其他DC、群智GK DC、群智GK 以補(bǔ)貼換流量流量反生態(tài)建部牌如Mta和Pco要以貼作主要廣手段其中st2在較st1有明顯性提升前提售價(jià)低于一代品0美而icoo3則推了打卡0返現(xiàn)的促活動(dòng)。宛如早智能機(jī)的態(tài)建過(guò)程現(xiàn)有VR牌的要目是不成本將硬設(shè)備行鋪只當(dāng)用數(shù)量累到一定規(guī)才吸引多的開(kāi)者來(lái)造爆軟從再次引新批用不斷試和優(yōu)中形生態(tài)統(tǒng)的性循環(huán)建設(shè)。產(chǎn)業(yè)鏈面VR設(shè)備上游要為備零件以及MM代工其上零部又可分為顯核零部件他零部件和配外設(shè)中游置為各VR終端牌，包括MtPi、朋等下游用場(chǎng)又分為B端和C端涉及樂(lè)、健身、影視、社交等領(lǐng)域其中戲?yàn)榍癡R備最要的用下。圖表VR硬件產(chǎn)鏈資料來(lái)源：頭顯核心部在R硬成本比接近。體而，R顯核零部主要分芯片顯示組、學(xué)模、傳感器、信模和聲器件根據(jù)Wlsn拆解io4告芯片消費(fèi)級(jí)R設(shè)的關(guān)成，占比約，其為顯示模組和光學(xué)模組，占比別為和。圖表Pico4BM成本比（種類） 圖表Pico4BM成本比（品類） FsCD芯片光學(xué)模組攝像頭模組RMRM其他

芯片屏幕傳感DM其他Wsn Wsn 性能與重失衡，品仍持續(xù)優(yōu)：盡管VR行業(yè)展逐有所色，是當(dāng)前VR件端存在少痛。首是性能和重量不平，尤是一式R備更明顯隨著R設(shè)朝著自由以及高浸度續(xù)演，不算力統(tǒng)被集成進(jìn)了R設(shè)備中追蹤案也漸由來(lái)的sd-in發(fā)展成Isd-t續(xù)航能和重也存這魚熊掌可兼得的情形另一面，暈感一直是VR設(shè)備受詬的痛之一由于示屏能限制虛擬現(xiàn)實(shí)感知遲等因，用戶在長(zhǎng)時(shí)間佩戴VR設(shè)時(shí)，產(chǎn)生暈、心等良反。Pke方案當(dāng)前R設(shè)實(shí)現(xiàn)輕化的主途2年年初來(lái)以MtatPo和Pio4代的VR新品，以及預(yù)明年布的果R設(shè)，均配了Pke學(xué)方。Pe光學(xué)案又為折光路案，為R短焦光學(xué)方之一Pke縮短了VR學(xué)總（）基礎(chǔ)，大幅縮減了VR備的度和量，前常的非球面透鏡菲涅透鏡的L約在-m而Pke方可以現(xiàn)L縮減厚度減到-是前VR設(shè)備實(shí)輕便的最解未Pke多透設(shè)計(jì)望疊眼動(dòng)蹤和變焦示技術(shù)將有緩解覺(jué)輻調(diào)節(jié)沖突帶來(lái)的眩暈問(wèn)題。非球面透鏡 菲涅爾透鏡 ce圖表非球面透鏡 菲涅爾透鏡 ce光學(xué)原理常規(guī)FV°-°°-°°-°常規(guī)-m-m15-20mm成像質(zhì)量邊緣成像好容易產(chǎn)生偽影和畸變邊緣成像質(zhì)量好但容易產(chǎn)生偽影優(yōu)點(diǎn)成本便宜較輕薄、便宜輕薄、成像質(zhì)量好量產(chǎn)價(jià)格-0元-0元-0元發(fā)展階段淡出市場(chǎng)主流選擇即將大規(guī)模應(yīng)用代表產(chǎn)品R盒子、PSR等taust、PioNo3等Pio、ustPo、蘋果R等Wsn從產(chǎn)業(yè)分布看，我國(guó)VR產(chǎn)相對(duì)衡發(fā)，機(jī)設(shè)、光、顯和聲等。整制造節(jié)，爾股國(guó)內(nèi)先，代工Pco系列和st系光學(xué)域上公司括歐光晶光三譜D顯環(huán)節(jié)投資0億元在北京建設(shè)采用P（低溫多晶化物技術(shù)第6代新型示器；攝頭領(lǐng)韋爾份國(guó)領(lǐng)先。圖表主要VRRMR產(chǎn)業(yè)鏈公司布局統(tǒng)計(jì)環(huán)節(jié)廠商簡(jiǎn)介進(jìn)展OEM/O歌爾股份成立于01年于28上市公司營(yíng)業(yè)包括密零組件業(yè)務(wù)、智能聲學(xué)機(jī)業(yè)和智硬件務(wù)，為全球代工龍頭具備括D學(xué)設(shè)/學(xué)原件子電路結(jié)構(gòu)/散聲線射頻軟自化等DJM服務(wù)能力目前司是eacooy等部品牌的核心供應(yīng)商光學(xué)歐菲光成立于01年于20上市為國(guó)光學(xué)電行龍頭企業(yè)公司營(yíng)業(yè)產(chǎn)品括光影像模光鏡、微電子及智能汽車相關(guān)品公司擁有VRAR學(xué)器、光模組攝像模組和系統(tǒng)模塊業(yè)務(wù)，具備VAR整機(jī)產(chǎn)能和能水晶光電成立于02年于28上市公司國(guó)內(nèi)業(yè)從精密薄膜學(xué)產(chǎn)研發(fā)生和銷的知光電器件造的企業(yè)浙江省新技企業(yè)國(guó)家炬計(jì)重點(diǎn)新技術(shù)企業(yè)公司從2010開(kāi)始局R技，目已經(jīng)備了反射光波導(dǎo)、衍射光波、折式、鏡式等種方案技術(shù)三利譜成立于07年于27上市公司要從偏光產(chǎn)品的研、產(chǎn)和售，要產(chǎn)包括T系和黑系列偏光片兩類Po學(xué)膜應(yīng)商R品公研究發(fā)已一年多時(shí)間，產(chǎn)品認(rèn)證工作基本近尾，同已購(gòu)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)備，目正在裝調(diào)，預(yù)下年可以實(shí)現(xiàn)小批量供貨顯示成立于93年于21上市全球?qū)w示領(lǐng)龍頭公司擬投資290元在京建采用LO晶氧化物）技術(shù)的第6新型導(dǎo)體示器生產(chǎn)線項(xiàng)目主要產(chǎn)元宙核器的R顯示等端顯示產(chǎn)品。瑞豐光電成立于00年于21上市公司專業(yè)事LD封裝及提相關(guān)決方的國(guó)級(jí)高技術(shù)業(yè)也是內(nèi)封裝領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)公司MiD關(guān)產(chǎn)已經(jīng)用到R域前正在配合國(guó)際知名品牌客進(jìn)行案送隆利科技成立于07年于28上市公司一家注于光顯示模組的研發(fā)、生產(chǎn)銷售家級(jí)新技企業(yè)目前公司搭載MnLD背技術(shù)的R產(chǎn)品向芬蘭高端頭顯制造商ao和北知名VR業(yè)交攝像頭韋爾股份成立于07年于7年市公構(gòu)建圖像感、觸控與顯示和模擬解決案三業(yè)務(wù)系協(xié)發(fā)展導(dǎo)體設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)體系目前公司可以適用于/R領(lǐng)的產(chǎn)包括CSIgnrmabhpLSirI、電源IC、分立件等多品的產(chǎn)聲學(xué)國(guó)光電器成立于95年于25上市公司全球名的聲制造廠商已成為全球頭部VAR臺(tái)企和國(guó)頭部VAR平臺(tái)企業(yè)的聲學(xué)模組供商i， 四、智能化縱深躍進(jìn)niLED興起MicoED技術(shù)模塊特性屏幕寸更靈活，方用戶據(jù)居或擺空間大小行定化選。考慮到McoED的商用需時(shí)對(duì)難較小的MiiED上日一面是了應(yīng)對(duì)ED帶的沖提顯示品的比度；另一方面，下游品牌廠希望對(duì)比和產(chǎn)分辨的升作為重賣點(diǎn)并提產(chǎn)品加值。相比McoEMiiED更像McoED未成之前過(guò)渡段的術(shù)兩者別主要現(xiàn)MicoED用的芯片尺寸小在0米以MiiED的芯尺寸在0微MicoED后以發(fā)光成像而現(xiàn)段MiiED主是作背光用?，F(xiàn)有ED程設(shè)極限察，固機(jī)最尺寸達(dá)到m芯，精度差mSMT打件的小尺極限為mmil芯。黃顯影間距至少，點(diǎn)最小寸約m芯片。芯片寸小于m的時(shí)候，許多的問(wèn)題將會(huì)生。此，用MiED作為MioED未成熟前的渡階的技。圖表微型顯示的同技術(shù)展路徑 Dise

圖表MiniLD與MioLD技術(shù)比 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察MicoED術(shù)將前的ED縮至度僅0微左右是原本ED的，通巨量移技，微米級(jí)的B三色的McoED移至板上可以形任意寸的icoED顯屏。相比McoE，MiiED更像McoED未成熟之前的渡階的技，兩差別要體在MicoED用的芯尺寸小，在0米左，MiiED芯片尺寸在0微米）MicoED最后以自發(fā)成像而現(xiàn)段MiED既可以背光用，作為接顯。LED小間距持續(xù)發(fā)力ni有望在P11及以下逐步滲透ED顯屏由D燈拼成ED示屏間距指枚ED燈珠心點(diǎn)間的離，ED顯屏行普遍用根據(jù)這個(gè)距的大，定產(chǎn)品格。間距ED示屏是指ED點(diǎn)間在P.5及以的室內(nèi)ED顯示，主包括P.、P.、P.P.P、.、.0等D顯示屏品。從6年小間距ED顯屏市開(kāi)始入快增長(zhǎng)以來(lái)各大業(yè)不加大間距的術(shù)研和市布局ED顯示屏的點(diǎn)距不實(shí)現(xiàn)破，素密增大分辨也隨得到大提升小距ED速向屏顯領(lǐng)域透。地區(qū)分布來(lái)看，中國(guó)市場(chǎng)遙遙先，據(jù)%市場(chǎng)額，次是美和洲等場(chǎng)。圖表LD小間距顯示同地出貨占（）資料來(lái)源：Dise

圖表LD小間距顯示用領(lǐng)出貨占）資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察 市場(chǎng)規(guī)模面據(jù)Eiie數(shù)顯9全球ED間距示屏場(chǎng)規(guī)約為6億美比8增長(zhǎng)%。預(yù)計(jì)3年復(fù)合速將達(dá)%，續(xù)保高速長(zhǎng)出貨面積面9全球ED間距示屏場(chǎng)出貨面積約為1萬(wàn)平方米，同比8年增長(zhǎng)。計(jì)3年年復(fù)合速將達(dá)，繼保持速增長(zhǎng)。MiiLD顯示屏望在P.0逐步滲透出貨積結(jié)來(lái)9全球間距示屏貨量大的是P.P.其次為P..隨小間顯示在顯領(lǐng)域續(xù)滲以及本的一步降來(lái)P.P.0和P..6將逐步為主另外隨著費(fèi)者于高化需增加預(yù)計(jì)P.1以下顯示將逐進(jìn)入場(chǎng)MiiED顯示芯片寸也對(duì)較小所對(duì)應(yīng)產(chǎn)品的尺寸規(guī)格也在.1以下場(chǎng)。圖表小間距市場(chǎng)模（百美） 圖表小間距市場(chǎng)模（千方米） Dise 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察LD小間距顯示屏的片主有兩種裝形式SD和。）SMD全（正封：游燈廠商燈杯支架晶元引線環(huán)氧脂等材封裝不同格的珠。游顯示屏廠商高速片以溫回焊將珠焊電路上成不間距顯示元B全（倒封BipnB一種裝技，即路板封裝B片，要通硅樹(shù)將晶、引直接裝在路板，省了MD封裝的燈珠封裝、貼片回流等工，大提升小間距D產(chǎn)品的定性觀看適性。圖表LD小間距顯示屏發(fā)趨勢(shì) Dise

圖表不同封裝技路線顯屏 正裝倒裝資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察B裝燈是由氧樹(shù)固在PB上，氧樹(shù)和PB板的和力強(qiáng)，具硬度、抗力強(qiáng)抗沖強(qiáng)等特性，以不靜、怕磕、怕沖、彎曲、耐、清，耐性，望成為ED小間距示屏P.1及以下市場(chǎng)的主流封裝方式。蘋果引領(lǐng)背光新升級(jí)，ni背光逐步在V顯示器興起蘋果在1年4月發(fā)新款載MiiED背光的PdP：PdPo1上所載的iiED背屏幕將一塊.9英寸:3的屏分為6個(gè)區(qū)域每個(gè)域有4顆燈用于光，控制0個(gè)像素的明，使這塊D屏擁有十分出色對(duì)比、亮、和彩表。展未來(lái)預(yù)計(jì)蘋果Mck4與6寸產(chǎn)品將搭配MiiED背光顯技術(shù)，MiiED在平板與筆電市場(chǎng)將為塑高階品桿，內(nèi)廠有望速跟。蘋果MiiED產(chǎn)業(yè)廠商前主集中中國(guó)臺(tái)包含MiiED片廠晶電測(cè)分廠商特特元打件廠商臺(tái)表科、元豐新B背廠商鼎、鼎；動(dòng)C廠商有譜、聯(lián)及聚；光模組商瑞及業(yè)成S。圖表新iPadPo搭載mniLD背光 Dise

圖表蘋果Mii背光業(yè)鏈司 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)察MiiED在賴度亮度節(jié)能耐用等方勝過(guò)E，特是在品壽方面高于E。本方，ED在面板尺放大產(chǎn)良會(huì)大下導(dǎo)大尺寸ED價(jià)居高不而MiiED透過(guò)接的式將寸任放大，無(wú)良率題。此iiED在大尺（>）示如板、電、視等品的本相較ED更有爭(zhēng)力且未來(lái)進(jìn)入大量生產(chǎn)階段的成下降力。Mii背逐步在V顯示興起iiED近來(lái)在術(shù)產(chǎn)品產(chǎn)能方面有了質(zhì)性進(jìn)步0年以前MiiED背光電主要集中天星案1年B封裝式的iiED背電視始興。括三、、小、康佳、維、虹海、飛浦、視等牌相推出iiED背電，終產(chǎn)品斷豐，相傳統(tǒng)D屏，MiiED具備高對(duì)比度、高亮度及超等諸明顯。圖表TV領(lǐng)域主要MiniLED背光產(chǎn)品統(tǒng)計(jì) 品牌機(jī)型電視尺寸寸）封裝類型芯片數(shù)量（）分區(qū)售價(jià)三星A系列5B0以上9AA系列-B1以上9起9-B0左右0左右L2B925B9海信GB9長(zhǎng)虹M康佳A6668創(chuàng)維09小米大師至尊紀(jì)念版9i， 相比傳的側(cè)式或直下的背模組搭載Mii光的V或者示器結(jié)構(gòu)異主體現(xiàn)背光組部分品的成本差異主要來(lái)自于背光組的異。V以5寸D產(chǎn)品為例比傳的直式背模搭載0區(qū)的Mii背光組成將增加5美左搭載0分區(qū)的Mii背光組成將增加5美左右。T類以.3寸品為：相傳統(tǒng)直下背光組，載分區(qū)的Mii背光模組成本增加0美左右。圖表5寸TV背光模成本分析 Dise

圖表.3寸B背光模組成本析 Dise，安證研究Mii背光模一由D芯PB、動(dòng)C和他材組成成。物料本結(jié)來(lái)看ED片大占比%，PB占比%驅(qū)動(dòng)C占比%著更的品廠商搭載Mii光的品規(guī)化量后Mii光模的成本有望下降%，有利于Mii光滲率提升。MiiED的寸為~m的ED芯一般ED寸的%以因此ED生的一致均勻要求ED燈板即PBMiiED下式用一片燈，材為類板設(shè)，須擁高度的用、耐度、整ED巨量轉(zhuǎn)移、復(fù)/試及裝為iiED核心技，MiiED采高達(dá),0上的ED粒，每個(gè)ED的間距Ptch精準(zhǔn)度要求高同時(shí)須擁壞點(diǎn)的復(fù)能力，此在打/轉(zhuǎn)移速度、率、準(zhǔn)確、修復(fù)極高的難，這一域的技術(shù)突破有帶來(lái)ED晶機(jī)場(chǎng)的速增中量產(chǎn)MiiED芯的廠主要括三和華光電背光面要以三安光電主；示屏面，安和燦均相關(guān)品。Mii背光裝方，主廠商鴻利匯、星、豐和飛光。圖表主要MiniLD產(chǎn)業(yè)鏈公司布局統(tǒng)計(jì) 環(huán)節(jié)廠商簡(jiǎn)介Mini布局進(jìn)展LD芯三安光電主要從事全色系超高亮度LD外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路、光通訊元器件等的