電磁場與電磁波(第2章 電磁場的基本規(guī)律)(14-15-1)_第1頁
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文檔簡介

第2章電磁場的基本規(guī)律電磁學(xué)有三大實驗定律:1、庫侖定律2、安培定律3、法拉第電磁感應(yīng)定律以此為基礎(chǔ),麥克斯韋進行了歸納總結(jié),建立了描述宏觀電磁現(xiàn)象的規(guī)律——麥克斯韋方程組。本章討論內(nèi)容2.1電荷守恒定律2.2真空中靜電場的基本規(guī)律2.3真空中恒定磁場的基本規(guī)律2.4媒質(zhì)的電磁特性2.5電磁感應(yīng)定律和位移電流2.6麥克斯韋方程組2.7電磁場的邊界條件2.1電荷守恒定律本節(jié)討論的內(nèi)容:電荷模型、電流模型、電荷守恒定律。電磁場物理模型中的基本物理量可分為源量和場量兩大類。源量為電荷和電流,分別用來描述產(chǎn)生電磁效應(yīng)的兩類場源。電荷是產(chǎn)生電場的源,電流是產(chǎn)生磁場的源。電荷電場運動電流磁場電場2.1.1電荷與電荷密度電荷的最小量度是單個電子的電量:e=-1.60×10-19C(庫侖)從微觀上看,電荷在空間是離散分布的。換句話說,e是最小的電荷,而任何帶電粒子所帶的電荷都是e的整數(shù)倍。宏觀分析時,電荷常是數(shù)以億計的電子電荷e的集合,故可不考慮其量子化的事實,而認為電荷量q可任意連續(xù)取值。理想化實際帶電系統(tǒng)的電荷分布形態(tài)分為四種形式:點電荷、體分布電荷、面分布電荷、線分布電荷。單位:庫侖/米3(C/m3)

根據(jù)電荷密度的定義,如果已知某空間區(qū)域V中的電荷體密度,則區(qū)域V中的總電量q為:

1、電荷體密度

電荷連續(xù)分布于體積V內(nèi),用電荷體密度來描述其分布

2、電荷面密度

電荷分布在薄層上。

當(dāng)僅考慮薄層外、距薄層的距離要比薄層的厚度大得多處的電場,而不分析和計算該薄層內(nèi)的電場時,可將該薄層的厚度忽略,認為電荷是面分布。面分布的電荷可用電荷面密度表示。

單位為:C/m2

如果已知某空間曲面S上的電荷面密度,則該曲面上的總電量q為:電荷分布在細線上的情況。當(dāng)僅考慮細線外,距細線的距離要比細線的直徑大得多處的電場,而不分析和計算線內(nèi)的電場時,可將線的直徑忽略,認為電荷是線分布。

線分布的電荷可用電荷線密度表示。單位為:C/m如果已知某空間曲線上的電荷線密度,則該曲線上的總電量q為3、電荷線密度

總電量為q的電荷集中在很小區(qū)域V的情況。當(dāng)不分析和計算該電荷所在的小區(qū)域中的電場,而僅需要分析和計算電場的區(qū)域又距離電荷區(qū)很遠,即場點距源點的距離遠大于電荷所在的源區(qū)的線度,小體積V中的電荷可看作位于該區(qū)域中心、電量為q的點電荷。

q4、點電荷2.1.3電荷守恒定律(電流連續(xù)性方程)表示單位時間從封閉面S內(nèi)流出的電荷量電流連續(xù)性方程:積分形式:微分形式:對于恒定電流,流出封閉面的電流等于體積內(nèi)單位時間所減少的電量。恒定電流是無源場散度定理2.2真空中靜電場的基本規(guī)律本節(jié)討論的內(nèi)容:庫侖定律,電場強度,靜電場的散度與旋度。2.2.2靜電場的散度與旋度1、靜電場的高斯定理和散度靜電場的高斯定理:高斯定理表明:靜電場是有源場,電力線起始于正電荷,終止于負電荷。散度定理2、靜電場的旋度靜電場環(huán)路定理:環(huán)路定理表明:(1)靜電場是無旋場,是保守場,靜電場中不存在旋渦源,電力線不構(gòu)成閉合回路,電場力做功與路徑無關(guān);(2)雖然空間中電場的旋度處處為零,但電場卻可能存在,二者沒有必然的聯(lián)系。2.3真空中恒定磁場的基本規(guī)律2.3.2恒定磁場的散度與旋度1、恒定磁場的磁通連續(xù)性原理和散度磁通連續(xù)性原理:磁通連續(xù)性原理表明:恒定磁場是無源場,磁感應(yīng)線是無起點和終點的閉合曲線。2、恒定磁場的安培環(huán)路定理和旋度安培環(huán)路定理:恒定磁場的散度和旋度表明:(1)空間任意點磁場的旋度只與該點的電流密度有關(guān);(2)恒定電流是靜磁場的旋渦源,電流激發(fā)旋渦狀的靜磁場,并決定旋渦源的強度和旋渦方向;(3)磁場旋度與磁場是不同的物理量,它們的取值沒有必然聯(lián)系。沒有電流的地方,磁場旋度為零,但磁場不一定為零。恒定磁場的性質(zhì):(1)無源(無散)場。磁力線無頭無尾且不相交。(2)有旋場。電流是磁場的旋渦源,磁力線構(gòu)成閉合回路。3、利用安培環(huán)路定理計算磁感應(yīng)強度在磁場分布具有一定對稱性的情況下,可以利用安培環(huán)路定理計算磁感應(yīng)強度。2.4媒質(zhì)的電磁特性電磁場理論中,一般將物質(zhì)稱作媒質(zhì)。媒質(zhì)對電磁場的響應(yīng)可分為:極化、磁化和傳導(dǎo)。描述媒質(zhì)電磁特性的參數(shù)為:介電常數(shù),磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率。物質(zhì)中和電場有作用的電荷有兩類:1)在物質(zhì)中可以自由移動的自由電荷。2)在物質(zhì)中不可自由移動的束縛電荷電場中的物質(zhì)也就分為兩類:1)存在有自由電荷的導(dǎo)電媒質(zhì)(導(dǎo)電體,導(dǎo)體)。2)無自由電荷,僅有束縛電荷的電介質(zhì)(介質(zhì),絕緣體)。2.4.1電介質(zhì)的極化電位移矢量1、電介質(zhì)的極化現(xiàn)象無極分子有極分子無外加電場電介質(zhì)的分子分為無極分子和有極分子。無極分子:正負電荷中心重合。有極分子:正負電荷中心不重合。沒有外電場時,無極性分子的偶極矩為0,呈電中性;

對于有極性分子,由于分子熱運動的無規(guī)則性,在物理小體積內(nèi)的平均電偶極矩為零,也呈電中性。+-+-

在外電場的作用下,無極分子中的正、負電荷的中心向相反方向作一個微小的位移,而偶極矩不再為零(其方向與外場強一致)的現(xiàn)象稱為位移極化。+-+-

在外電場的作用下,每個偶極子將由于受到力偶矩而轉(zhuǎn)向,

(這個力偶矩力圖使每個偶極子的偶極矩轉(zhuǎn)到與場強一致的方向),因此電偶極矩不再為零。

這種變化稱為取向極化。

極化:在外電場作用下,介質(zhì)的電偶極矩都將由零變?yōu)榉橇愕默F(xiàn)象。無極分子有極分子有外加電場E2、極化強度矢量E

宏觀電偶極矩分布可用電極化強度矢量來描述,它等于物理小體積ΔV內(nèi)的總電偶極矩與ΔV之比,分子密度單位體積內(nèi)分子電偶極矩的矢量和。極化強度與電場強度有關(guān),其關(guān)系一般比較復(fù)雜。在線性、各向同性的電介質(zhì)中,與電場強度矢量成正比。

3、極化電荷由于極化,正、負電荷發(fā)生位移,在電介質(zhì)內(nèi)部可能出現(xiàn)凈余的極化電荷分布,同時在電介質(zhì)的表面上有面分布的極化電荷。(1)極化電荷體密度在介質(zhì)內(nèi)取一小體元。介質(zhì)極化后,有些分子的電偶極子跨過。+-當(dāng)偶極子的負電荷處于體積內(nèi)時,同一偶極子的正電荷就穿出邊界外邊。設(shè)分子密度為n,則穿出外面的正電荷電量為則由V內(nèi)通過曲面S穿出的正電荷電量為

由于介質(zhì)是電中性的,這電量也等于V內(nèi)凈余的負電荷。(2)極化電荷面密度緊貼電介質(zhì)表面取一閉合曲面,則穿過面積元的極化電荷為:電介質(zhì)表面的極化電荷面密度為

在兩種不同介質(zhì)界面處的束縛電荷面密度為為分界面上由介質(zhì)1指向介質(zhì)2的法線單位矢量。

非均勻介質(zhì)極化后一般在整個介質(zhì)內(nèi)部都出現(xiàn)束縛電荷;

在均勻介質(zhì)內(nèi),束縛電荷只出現(xiàn)在自由電荷附近以及介質(zhì)界面。4、電位移矢量介質(zhì)中的高斯定理真空中的靜電場方程:介質(zhì)的極化過程包括兩個方面:(1)外加電場的作用使介質(zhì)極化,產(chǎn)生極化電荷;(2)極化電荷反過來激發(fā)電場,兩者相互制約,并達到平衡狀態(tài)。無論是自由電荷,還是極化電荷,它們都激發(fā)電場,服從同樣的庫侖定律和高斯定理。介質(zhì)中的電場應(yīng)該是外加電場和極化電荷產(chǎn)生的電場的疊加,應(yīng)用高斯定理得到:封閉面包含自由電荷的代數(shù)和自由電荷密度5、電介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系在線性、各向同性的電介質(zhì)中,極化強度矢量與電場強度矢量成正比。極化率稱為介質(zhì)的介電常數(shù)稱為介質(zhì)的相對介電常數(shù)例2.4.2已知半徑為a、介電常數(shù)為ε的介質(zhì)球內(nèi)的極化強度為,K為常數(shù)。求:(1)束縛體電荷密度和束縛面電荷密度,并驗證球上的總束縛電荷為零。(2)介質(zhì)球內(nèi)自由電荷體密度和自由電荷量。

(3)球內(nèi)和球外的電場強度矢量和電位。解:(1)在介質(zhì)球表面:(2)2.4.2磁介質(zhì)的磁化磁場強度1、磁介質(zhì)的磁化

介質(zhì)分子或原子內(nèi)電子的運動構(gòu)成分子電流。分子電流形成磁偶極子+-沒有外磁場時,由于分子電流取向的無規(guī)則性,磁介質(zhì)不顯磁性,磁偶極矩為零。無外加磁場

在物理小體積內(nèi)物質(zhì)不呈現(xiàn)磁性。當(dāng)物質(zhì)放入外加的磁場中,物質(zhì)中的磁偶極子受到磁場力作用發(fā)生偏轉(zhuǎn),使原來雜亂的磁偶極子的取向趨于一致,宏觀上顯示出磁性,這種現(xiàn)象稱為磁化。

外加磁場B

在物理小體積內(nèi)2、磁化強度矢量

用磁化強度矢量表示磁化的方向和程度,它定義為物理小體積ΔV內(nèi)的總磁偶極矩與ΔV之比,分子密度3、磁化電流磁介質(zhì)被磁化后,在其內(nèi)部與表面上可能出現(xiàn)宏觀的電流分布,稱為磁化電流。AL

設(shè)A為介質(zhì)內(nèi)部的一個曲面,其邊界線為L。

設(shè)從A的背面流向前面的總磁化電流為IM。

若分子電流被L套著,這分子電流就對IM有貢獻;

分子電流根本不通過A,

因此,通過A的總磁化電流IM等于邊界線L所鏈環(huán)著的分子數(shù)目乘上每個分子的電流i。

沿相反方向兩次穿過,所以對IM都沒有貢獻。所以對IM都沒有貢獻;

在邊界線L上取一個線元dl。

設(shè)分子電流圈的面積為S。此數(shù)目乘上每個分子的電流i則為穿過曲面A的總磁化電流IM

則被邊界線L鏈環(huán)著的分子電流數(shù)目為若分子中心位于體積為內(nèi),則該分子電流就被中心在該體積內(nèi)的分子數(shù)為

在兩磁介質(zhì)界面上的磁化電流面密度為界面法線方向由磁介質(zhì)2指向1。界面法線方向由磁介質(zhì)2指向1。表示分子(磁化)電流密度:4、磁場強度介質(zhì)中安培環(huán)路定理外加磁場使介質(zhì)發(fā)生磁化,磁化導(dǎo)致磁化電流。磁化電流同樣也激發(fā)磁感應(yīng)強度,兩者相互作用達到平衡。介質(zhì)中的磁場應(yīng)是所有電流源激勵的結(jié)果。

真空中的磁場方程介質(zhì)磁化后,稱為磁場強度,單位為A/m。稱為介質(zhì)中安培環(huán)路定律閉合回路所包圍的傳導(dǎo)電流代數(shù)和傳導(dǎo)電流密度恒定磁場是有旋無源場。5、磁介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系磁化強度和磁場強度之間的關(guān)系由磁介質(zhì)的物理性質(zhì)決定。對于線性各向同性介質(zhì),磁化強度與磁場強度之間存在簡單的線性關(guān)系:介質(zhì)的磁化率μ稱為介質(zhì)的磁導(dǎo)率,μr稱為介質(zhì)的相對磁導(dǎo)率。磁介質(zhì)的分類:μr>1μr<1μr>>1順磁質(zhì)抗磁質(zhì)鐵磁質(zhì)例2.4.3半徑r=a的球形磁介質(zhì)的磁化強度為如圖所示。zeOereza式中的A、B為常數(shù)。求磁化電流密度。解:(1)在球內(nèi):

(2)在球表面:

將坐標系中的單位矢量換成球坐標系中的單位矢量:zeOereza例2.4.4內(nèi)、外半徑分別為ρ1=a和ρ2=b的圓筒形磁介質(zhì)中,沿軸向有電流密度的傳導(dǎo)電流,如圖所示。bazJ設(shè)磁介質(zhì)的磁導(dǎo)率為。求磁化電流分布。解:在圓筒橫截面上作一個半徑為ρ、與圓筒軸同心的圓周。在圓周上各點磁場強度的大小相等、方向為圓周的切向,所以

(1)在ρ<a的區(qū)域:

(2)在a<ρ<b的區(qū)域:

(3)在ρ>b的區(qū)域:

(4)在介質(zhì)圓筒內(nèi)表面ρ=a上:

(5)在介質(zhì)圓筒的外表面ρ=b上:2.4.3媒質(zhì)的傳導(dǎo)特性

存在可以自由移動帶電粒子的物質(zhì)稱為導(dǎo)電媒質(zhì)。

在外場作用下,導(dǎo)電媒質(zhì)不將形成定向移動電流。

1、歐姆定律的微分形式

在導(dǎo)體中沿電場方向取一橫截面積為ΔS、長為Δl的微小柱體。

2、焦耳定律的微分形式

微小圓柱體的熱功率為

電場對單位體積提供的功率為:(熱功率密度)2.5電磁感應(yīng)定律和位移電流

電磁感應(yīng)定律——揭示時變磁場產(chǎn)生電場。

位移電流——揭示時變電場產(chǎn)生磁場。

重要結(jié)論——在時變情況下,電場與磁場相互激勵,形成統(tǒng)一的電磁場。2.5.1電磁感應(yīng)定律自從1820年奧斯特發(fā)現(xiàn)電流的磁效應(yīng)之后,人們開始研究相反的問題,即磁場能否產(chǎn)生電流。

1831年法拉第發(fā)現(xiàn),當(dāng)穿過導(dǎo)體回路的磁通量發(fā)生變化時,回路中就會出現(xiàn)感應(yīng)電流和電動勢,且感應(yīng)電動勢與磁通量的變化有密切關(guān)系,由此總結(jié)出了著名的法拉第電磁感應(yīng)定律。

1、法拉第電磁感應(yīng)定律的表述

當(dāng)通過導(dǎo)體回路C所圍面積的磁通量發(fā)生變化時,回路中就會出現(xiàn)感應(yīng)電動勢εin。

感應(yīng)電動勢的大小與穿過回路所圍面積的磁通量的時間變化率成正比。

方向是感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁通總是要阻礙原磁通的變化,即若規(guī)定回路中感應(yīng)電動勢的參考方向與穿過該回路所圍面積的磁通量符合右手螺旋關(guān)系,則

導(dǎo)體回路C中必存在感應(yīng)電場

由上式可看出:

(1)感應(yīng)電場是由變化的磁場所激發(fā)的電場;

(2)感應(yīng)電場是有旋場;

(3)感應(yīng)電場不僅存在于導(dǎo)體回路,也存在于導(dǎo)體回路之外的空間,即對空間中任意回路(不一定是導(dǎo)體回路)C,都有

(2)方法一:

若空間同時存在由電荷產(chǎn)生的電場

則總電場=0這就是推廣的法拉第電磁感應(yīng)定律。

2、引起回路中磁通量變化的幾種情況

(1)回路不變,磁場隨時間改變變化的磁場產(chǎn)生渦旋的電場。變化的磁場是電場的旋度源。

(2)導(dǎo)體回路在恒定磁場中運動設(shè)回路C以速度v運動,在時間dt內(nèi),以回路為界的面掃過一體積V。稱為動生電動勢。

(3)回路在時變磁場中運動

例2.5.1長為a、寬為b的矩形環(huán)中有均勻磁場垂直穿過,如圖所示。xbaoyx均勻磁場中的矩形環(huán)L

在以下三種情況下,求矩形環(huán)內(nèi)的感應(yīng)電動勢:

(1)矩形環(huán)靜止(可滑動導(dǎo)體L不存在)。

(2)矩形回路的寬邊b=常數(shù),但其長邊因可滑動導(dǎo)體L以勻速運動而隨時間增大。(3)且矩形回路上的可滑動導(dǎo)體L以勻速運動。

解:(1)

(2)方法一:

方法二:

(3)2.5.2位移電流

靜態(tài)時:0變化磁場中:變化的磁場可以激發(fā)電場。

問題:隨時間變化的電場是否會產(chǎn)生磁場?恒定磁場中:時變場中:

1、全電流定律

電流連續(xù)性方程:發(fā)生矛盾

在時變場情況下不適用。

解決方法:對安培環(huán)路定理進行修正。矛盾解決時變電場會激發(fā)磁場

全電流定律:微分形式

上式兩邊進行面積分:積分形式

全電流定律揭示:不僅傳導(dǎo)電流激發(fā)磁場,變化的電場也可以激發(fā)磁場。

它與變化的磁場激發(fā)電場形成自然界的一個對偶關(guān)系。

2、位移電流密度

稱為位移電流密度。

(1)電位移矢量隨時間的變化率,能像電流一樣產(chǎn)生磁場,故稱“位移電流”。

(2)位移電流只表示電場的變化率,與傳導(dǎo)電流不同,它不產(chǎn)生熱效應(yīng)。

注:在絕緣介質(zhì)中,無傳導(dǎo)電流,但有位移電流。

在理想導(dǎo)體中,無位移電流,但有傳導(dǎo)電流。

在一般媒質(zhì)中,既有傳導(dǎo)電流,又有位移電流。

例2.5.3海水的電導(dǎo)率為4S/m,相對介電常數(shù)為81,求頻率為1MHz時,位移電流振幅與傳導(dǎo)電流振幅的比值。

解:設(shè)

例2.5.4自由空間的磁場強度為k為常數(shù)。試求位移電流密度和電場強度。

解:自由空間的傳導(dǎo)電流密度為0。2.6麥克斯韋方程組全電流安培環(huán)路定律法拉第電磁感應(yīng)定律電場高斯定理磁通連續(xù)性原理變化的電場產(chǎn)生磁場,全電流是磁場的旋度源變化的磁場產(chǎn)生電場,是電場的旋度源電荷是電場的散度源磁場是無散場,磁力線總是閉合的????????微分形式積分形式電流連續(xù)性方程:媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系:(1)時變電場的激發(fā)源除了電荷以外,還有變化的磁場;而時變磁場的激發(fā)源除了傳導(dǎo)電流以外,還有變化的電場。電場和磁場互為激發(fā)源,相互激發(fā)。(2)時變電磁場的電場和磁場不再相互獨立,而是相互關(guān)聯(lián),構(gòu)成一個整體—電磁場。電場和磁場分別是電磁場的兩個分量。(3)在離開輻射源(如天線)的無源空間中,電荷密度和電流密度矢量為零,電場和磁場仍然可以相互激發(fā),從而在空間形成電磁振蕩并傳播,這就是電磁波。(4)在無源空間中,兩個旋度方程分別為:可以看出兩個方程的右邊相差一個負號,而正是這個負號使得電場和磁場構(gòu)成一個相互激勵又相互制約的關(guān)系。當(dāng)磁場減小時,電場的旋渦源為正,電場將增大;而當(dāng)電場增大時,使磁場增大,磁場增大反過來又使電場減小。例2.6.1正弦交流電壓源u=Umsinωt連接到平行板電容器的兩個極板上,如圖所示。CPricu平行板電容器與交流電壓源相接(1)證明電容器兩極板間的位移電流與連接導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流相等;(2)求導(dǎo)線附近距離連接導(dǎo)線為r處的磁場強度。解:(1)導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流為設(shè)電容器兩板距離為d、面積為S0、板間介質(zhì)的介電常數(shù)為ε,則容量C為忽略邊緣效應(yīng),間距為d的兩平行板間的電場為(2)以r為半徑作閉合曲線C,由于連接導(dǎo)線本身的軸對稱性,使得沿閉合線的磁場大小相等,故例2.6.2在無源的電介質(zhì)中,若已知矢量在什么條件下,才可能是電磁場的電場強度矢量?求出與相應(yīng)的其它場矢量。解:只有滿足麥克斯韋方程組的矢量才可能是電磁場的場矢量。因此,利用麥克斯韋方程組確定可能是電磁場的電場強度矢量的條件。以上各場量都應(yīng)滿足麥克斯韋方程。無源空間:可見,只有滿足條件矢量以及與之相應(yīng)的才可能是無源電介質(zhì)中的電磁場的場矢量。2.7電磁場的邊界條件1、什么是電磁場的邊界條件?2、為什么要研究邊界條件?3、如何討論邊界條件?答1:實際電磁場問題都是在一定的物理空間內(nèi)發(fā)生的,該空間中可能是由多種不同媒質(zhì)組成的。邊界條件就是不同媒質(zhì)分界面上的電磁場矢量滿足的關(guān)系,是在不同媒質(zhì)分界面上電磁場的基本屬性。答2:由于在分界面兩側(cè)介質(zhì)的特性參數(shù)發(fā)生突變,場在界面兩側(cè)也發(fā)生突變。麥克斯韋方程組的微分形式在分界面兩側(cè)失去意義,必須采用邊界條件。

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