光電技術(shù)第3講 (2)課件

2012.04.21光電技術(shù)第三講上節(jié)內(nèi)容回顧1、輻射體分類及其溫度表示2、輻射度參量與光度參數(shù)的關(guān)系3、半導(dǎo)體對光的吸收物質(zhì)對光吸收的一般規(guī)律半導(dǎo)體對光吸收4、光電效應(yīng)光電導(dǎo)效應(yīng)光生伏特效應(yīng)本節(jié)內(nèi)容預(yù)告1、光電發(fā)射效應(yīng)2、光電導(dǎo)器件光敏電阻的原理與結(jié)構(gòu)光敏電阻的基本特性光敏電阻的變換電路光敏電阻的應(yīng)用實(shí)例當(dāng)物質(zhì)中的電子吸收足夠高的光子能量,電子將逸出物質(zhì)表面成為真空中的自由電子,這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應(yīng)或外光電效應(yīng).只有光子能量大于光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值,才有電子飛出光電發(fā)射材料進(jìn)入真空.導(dǎo)帶禁帶價(jià)帶對于金屬材料有:對于半導(dǎo)體材料,導(dǎo)帶中的電子對于半導(dǎo)體材料,價(jià)帶中的電子對于半導(dǎo)體材料,光電發(fā)射長波限為:光電發(fā)射器件具有不同于內(nèi)光電效應(yīng)的特點(diǎn):1、光電發(fā)射器件中的導(dǎo)電電子可以在真空中運(yùn)動，因此，可以通過電場加速電子運(yùn)動的動能或通過電子的內(nèi)倍增系統(tǒng)提高光電探測靈敏度，使它能夠快速探測極其微弱的光信號，成為像增強(qiáng)器與變像器技術(shù)的基本單元。2、易制作大的面積均勻的光電發(fā)射器件，使其在光電成像器件方面有利，一般真空光電成像器件的空間分辨率要高于半導(dǎo)體光電圖像傳感器；3、光電發(fā)射器件需要高穩(wěn)定的高壓直流電源設(shè)備，使整個探測器體積龐大，功率損失大，不適于野外操作，造價(jià)高；4、光電發(fā)射器件的光譜響應(yīng)范圍一般不如半導(dǎo)體器件寬。光電導(dǎo)器件某些物質(zhì)吸收光子的能量產(chǎn)生本征吸收或雜質(zhì)吸收，從而改變物質(zhì)電導(dǎo)率的現(xiàn)象，稱為物質(zhì)的光電導(dǎo)效應(yīng)。利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的材料（本征半導(dǎo)體硅、鍺等，雜質(zhì)半導(dǎo)體、硫化鎘、硒化鎘、氧化鉛等）可以制成電導(dǎo)率隨入射光度量變化的器件，稱為光電導(dǎo)器件或光敏電阻。光敏電阻具有體積小、堅(jiān)固耐用、價(jià)格低廉、光譜響應(yīng)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于微弱輻射信號的探測領(lǐng)域。光敏電阻的原理與結(jié)構(gòu)光敏電阻的基本原理光敏電阻的原理圖和符號如圖所示。在均勻具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的兩端加上電極，便構(gòu)成光敏電阻。光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)光敏電阻在微弱輻射作用下，光電導(dǎo)靈敏度與光敏電阻兩極間的距離的平方成反比。強(qiáng)輻射作用下，靈敏度與兩電極間的二分之三次方成反比。因此靈敏度與兩電極間的距離有較大的關(guān)系。為提高靈敏度，應(yīng)盡量縮短光敏電阻兩電極間的距離。此為光敏電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。三種結(jié)構(gòu)的光敏電阻。梳狀電極蛇形光敏面的刻線式光敏材料加電極典型的光敏電阻CdS光敏電阻該電阻是最常見的光敏電阻，其光譜響應(yīng)特性接近人眼的光譜光視效率V(λ)，可見其在可見光波段范圍內(nèi)的靈敏度最高，因此被廣泛應(yīng)用于燈光自動控制，以及照相機(jī)的自動測光等方面。CdS光敏電阻制備方法：蒸發(fā)、燒結(jié)或粘接一般會將CdS與CdSe配合使用?；蛟贑dS中加入Cu或Cl，使其同時具有本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體器件的特性。使光敏電阻的探測范圍向紅外波段延伸，峰值響應(yīng)波長也延長。CdS光敏電阻的峰值響應(yīng)波長為0.52um，CdSe光敏電阻的峰值響應(yīng)波長為0.72um，通過調(diào)整S和Se的配比，使光敏電阻的峰值響應(yīng)變化，達(dá)到與人眼相近的波長。CdS光敏電阻一般制成蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。表一列出了該光敏電阻的特性參數(shù)。PbS光敏電阻是近紅外波段最靈敏的光電導(dǎo)器件。采用蒸發(fā)或化學(xué)沉積方法制備，多制成厚度為um量級的多晶或單晶膜。PbS的峰值響應(yīng)波長在2um，常用于火災(zāi)等探測。PbS的響應(yīng)范圍及比探測率等特性與工作溫度有關(guān)，隨著工作溫度的降低，其峰值響應(yīng)波長和長波限向長波方向移動，且比探測率增加。室溫下：1-3.5um,峰值波長為2.4um195K時，1-4um,峰值波長達(dá)到2.8umInSb光敏電阻波長范圍為3-5um的主要探測器件之一，單晶材料制備，工藝成熟，切片，磨片，拋光后，腐蝕減薄。大面積器件適合制作成陣列室溫下長波限可達(dá)7.5um，峰值波長在6um77K時，長波限縮短至5.5um，峰值波長也移至5um。恰為大氣窗口。光敏電阻的基本特性光敏電阻為多數(shù)電子導(dǎo)電的光電敏感器件，其特性與其他光電器件的差別表現(xiàn)在它的基本特性參數(shù)上。光敏電阻的基本特性參數(shù)包括光電特性，伏安特性，溫度特性，時間響應(yīng)，噪聲特性等。光電特性暗電導(dǎo)：光敏電阻在黑暗室溫條件下，由于熱激發(fā)產(chǎn)生載流子使其具有一定的電導(dǎo)。暗電導(dǎo)一般很小光電導(dǎo)：當(dāng)有光照射光敏面上時，電導(dǎo)將變大，稱為光電導(dǎo)光敏電阻的光電特性:電導(dǎo)隨光照量變化越大的光敏電阻，其靈敏度越高，這個特性稱為光敏電阻的光電特性除兩種極端光照條件:弱和強(qiáng)外，還有一般照射條件下，電導(dǎo)隨光照變化的情況?？捎迷诤愣妷合铝鬟^光敏電阻的電流與作用其上的光照度E的關(guān)系曲線來描述。由線性漸變?yōu)榉蔷€性。伏安特性光敏電阻的本質(zhì)是電阻，符合歐姆定律，因此具有與普通電阻相似的伏安特性，但是它電阻值是隨入射光量的變而變化的。測出不同光照條件下加在光敏電阻兩端電壓U與流過其電流I的關(guān)系曲線，稱為光敏電阻的伏安特性曲線。虛線為允許功耗線或額定功耗線，使用時，設(shè)計(jì)光敏電阻的變換電路時，使光敏電阻工作在虛線范圍內(nèi)。溫度特性光敏電阻為多數(shù)載流子導(dǎo)電的光電器件。溫度特性復(fù)雜。溫度特性與光電導(dǎo)材料有密切關(guān)系。不同材料的光敏電阻有不同的溫度特性。圖中為CdS和CdSe光敏電阻在不同照度下的溫度特性曲線。以室溫的相對光電導(dǎo)率為100%，觀測光敏電阻的相對光電導(dǎo)率隨溫度變化關(guān)系。可以看出，光敏電阻的相對光電導(dǎo)率隨溫度升高而下降，光電響應(yīng)特性隨著溫度的變化較大。因此在溫度變化較大的場合，應(yīng)采取制冷措施。降低或控制光敏電阻的工作溫度是提高光敏電阻工作穩(wěn)定性的有效辦法。對紅外波長紅外輻射探測的領(lǐng)域更為重要。時間響應(yīng)光敏電阻的時間響應(yīng)又稱為慣性，比其他光電器件要差，即慣性大些。頻率響應(yīng)低一些。當(dāng)用一個理想方波脈沖照射光敏電阻時，光生電子要有產(chǎn)生的過程，光生電導(dǎo)率要經(jīng)過一定時間才能達(dá)到穩(wěn)定，當(dāng)停止輻射時，復(fù)合光生載流子也需要時間消失，因此表現(xiàn)出較大的慣性。噪聲特性熱噪聲：光敏電阻內(nèi)載流子的熱運(yùn)動產(chǎn)生的噪聲稱為熱噪聲或稱Johson噪聲產(chǎn)生復(fù)合噪聲：光敏電阻的產(chǎn)生復(fù)合噪聲與其平均電流有關(guān)低頻噪聲：光敏電阻會在偏置電壓作用下產(chǎn)生信號光電流，由于光敏層內(nèi)微粒的不均勻性，或體內(nèi)存有雜質(zhì)，會產(chǎn)生微火花放電現(xiàn)象，從而引起電爆脈沖，是低頻噪聲的來源。光敏電阻的光譜響應(yīng)與光敏材料的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能、材料摻雜比與摻雜濃