ch電流放大作用資料實用

會計學1ch電流放大作用資料實用1.3.1BJT的結構及類型1.3雙極型晶體管（BJT）1.3.2BJT的電流分配與放大原理1.3.3BJT的共射特性曲線1.3.4BJT的主要參數(shù)第1頁/共14頁半導體三極管圖片第2頁/共14頁1.3.1BJT的結構簡介

半導體三極管的結構有兩種類型:NPN型和PNP型。兩種類型的三極管發(fā)射結(Je)

集電結(Jc)

基極，用B或b表示（Base）

發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。

發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)三極管符號第3頁/共14頁

結構特點：?發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；?集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；?基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。管芯結構剖面圖第4頁/共14頁

雙極型半導體三極管在工作時一定要加上適當?shù)闹绷髌秒妷骸Ｈ粼诜糯蠊ぷ鳡顟B(tài)：發(fā)射結加正向電壓（正偏），集電結加反向電壓（反偏）。1.3.2BJT的電流分配與放大原理

NPN型三極管基本共射放大電路：基極電流控制集電極電流第5頁/共14頁1.3.2BJT的電流分配與放大原理一.晶體管內(nèi)部載流子的運動

三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。外部條件：發(fā)射結正偏，集電結反偏。發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子

（以NPN為例）

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擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復合形成基極電流IB

基區(qū)復合電流——IBN

發(fā)射結加正偏，擴散運動形成發(fā)射極電流IE。自由電子擴散電流——IEN

空穴擴散電流——IEP

集電結(收集結加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC。基區(qū)非平衡少子漂移電流——ICN

平衡少子漂移電流——ICBO。

以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導電，故稱為雙極型三極管?；駼JT(BipolarJunctionTransistor)。第7頁/共14頁二.電流分配關系(動畫2-1)IE=IC+IB三.共射電流放大系數(shù)第8頁/共14頁

是交流電流放大系數(shù)，同樣，它也只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。一般

>>1第9頁/共14頁因≈1,所以>>1第10頁/共14頁

由以上分析可知，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)很薄，是保證三極管能夠實現(xiàn)電流放大的關鍵。若兩個PN結對接，相當于基區(qū)很厚，所以沒有電流放大作用，基區(qū)從厚變薄，兩個PN結演變?yōu)槿龢O管，這是量變引起質(zhì)變的又一個實例。第11頁/共14頁

綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達集電極而實現(xiàn)的。實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：（1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（2）外部條件：發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。1.3.2BJT的電流分配與放大原理第12頁/共