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文檔簡介
SuccessiveApproximation(SARADC)的設微微電SARADC以D/A來實現(xiàn)A/D逐次需要N次D/A和比較實現(xiàn)1次N位轉(zhuǎn)精度主要由DAC無運放,低電壓、低功深亞微米CMOS工藝下很有發(fā)力的結(jié)超低功耗
可實現(xiàn)8~16xk~x00MNo9‐b,50MS/s,65fJ/conv.9‐b,40MS/s,54fJ/conv.10‐b,10MS/s,NoSAR的功耗優(yōu)Ref:Shuo‐WeiMichaelChen.JSSC
的速度已近DAC 二進制電電壓 電壓進電流阻容混匹配好;匹配好;低功電荷型底板
特點集成T/H與輸入相連的開輸入電容較電容大是精度與功耗的權(quán)衡,可通mento‐carlo仿真 電容可采用DEM術(shù)進一步提高精電容可采用單元溫版圖關鍵點 整體頂板采典型的兩段分段
kCu CLt
1
uX uX幅度VR
L1CDAC輸出Vo
2L1CdVO2
CLtX
dC C
保持正
Ca
L確保ADC
kC 2L
分段電容結(jié)構(gòu)分段電容結(jié)構(gòu)分
CLt
2LkCa k2k2L CkuC2L1CuCkku我們的一個設計任務是,在M,L,k確定的情況下,確定Ca,Cd,CLt的值,分段結(jié)設計分段結(jié)設計Ca=Cu,Ca=22Cu, Ca=5Cu, Ca=17Cu,按照下式算CLt,直到滿CLt>=(2^L‐1)Cu,且為Cu2Lk兩段結(jié)構(gòu)的增益偏 1
O1_ dVo1dVo1_
X
C
C
o1_1
kCuCaCLt
1kC
2Mee
1
kCC d
CLt
Ca Ca k
ge
1
Cd1Ca
1
Ca k
結(jié)論:盡管Cd1不帶來非線性誤差,但會帶來增益誤差,其值可用上面ge的表達式來近似但整個A/D轉(zhuǎn)換的增益可能不受影響?見下兩段結(jié)構(gòu)的增益偏NV
2Ml N Vo l N DNl2Ml CIt
l V t
ref CIt2Mu
1ADC的增益誤差只取決于總采樣電容與接到參考的總電容之MSB段接地的Cd1或寄生不會導致ADC增益誤22通常在MSB段增加Cd1=kCu,且令Cd1對輸入采樣,這樣LSB段不參與輸入采樣,降低ADC輸入電容,且不會導致增益寄生電容分度VR的階躍,其對DAC度VR的階躍,其對DAC kCC pXRO u2L1CX XR Cpa pw kC 2LapCae2LoCak 2La2Lawpe2LC a awe Cp CpCp3aCaCa寄生電容設計寄生電容設計考串聯(lián)三段
2Lk
Lt 已知串聯(lián)二段線性條
2L
CuC
思思路:利用二段設計結(jié)論,先設計高兩段,再設計低兩 C
16 Cd2 4CLt22L2
a Cd3kCa1
CLt1Cd2 4CLt22L2
a Cd3Whichis從噪聲和匹配考慮,MSB從優(yōu)化從優(yōu)化電容面積差分結(jié)單端結(jié)構(gòu):全差分結(jié)構(gòu)
C 2NCu 2NC u
2N 對于分段結(jié) C
Ref:JAMESL.McCREARY,et,al.
2N C 0.25C
M
Charge
2M
代表
對于由對于由2N個元件組成的DAC(C‐DAC、R‐DAC、1Ref:AnneVanDenBosch,…,“AnAccurateStatisticalYieldModelforCMOS率or采用校準)Ref:StefanHaenzsche,etc.“ModellingofCapacitorMismatchand聲,則截掉MSB段LSB電容,并令Cd1double,然后設計合適的k,Ca和LSB電容取值:蒙特卡洛仿真定容值和失10u*10u:
系統(tǒng)級Mento‐CarloN
若由噪10u*10u的分析滿足12bit
Ref:Y.Kuramochi,et,al.A0.05‐mm2110‐uW10‐bSelf‐CalibratingSuccessiveApproximationADCCorein018‐umCMOSASSC2007分段結(jié)構(gòu)結(jié)合校準技術(shù)帶來電容
kuku k
2k
Ce_
Nk N
Ck
Ce_
k由上述定義,推知:Ce_kk下 操作一(對應上一頁offset操作二(對應上一頁linearityMeas.)當VresNVresosNNkNk當k=N‐1:Vres_N1Vres_osCe_N1Ce_k2Ce_N1Ce_k2Ce_N1Ce_NNk k
Vres_kVres_os2Ce_kCe_NN由“操作二”結(jié)合校準DAC和SAR邏輯可以得到Vres_的測量值當
Ve_N
Vres_NVres_2 1 當
e_N res_ e_ 1
e_
res_ e_2 根據(jù)上面公式的關系,當?shù)玫絍res_osVres_k的測量值后,即可計算得到Ve_k的Calibration ConversionRef:Y.Kuramochi,ASSCCAL
CAL
設計例
8 4 2 1 1 8 4 2 1:校準
Step1:Step2:比較器輸入端從
STEPCAL
STEP VRNCALDAC
CALDAC構(gòu)成的SARADCVos進行逐次近A/D校準SARADC
8
MAIN
8
MAIN
得到校準碼
STEP
STEP
CAL
CAL
設計例校準模
8
8
二:校準 容失
MAIN
1
MAIN VCM Step1:Step2:
STEP
STEP
CAL
VRNCALDACCALDAC構(gòu)成的SARADCVres_4進 換
8
8
校準SARADC
MAIN
1
MAIN 1/21/2
STEP
STEP
CAL
CAL
設計例
校
MAIN
1
MAIN Step1:Step2:
VCM
CALDAC構(gòu)成的SARADC
STEPCAL
STEP VRNCALDAC
VCM
校準SARADC完成轉(zhuǎn)換,
MAIN
1
MAIN
2
VCM STEP
1
STEP
設計例轉(zhuǎn)換模Step1:Step3:校準DAC接Step4:校準DACStep5:RequirementsOn HighLow
Offset不響總體線性度,但考慮到和分辨力,其前置放大器增益需Offset
放大器級數(shù)要根據(jù)延時、增益、功耗來權(quán)衡Low Ref:主要第一級放大器amp1(1/f,thermalLowkickbackLatch設計要合理(forexampleCascodecapat時序設計控制es atlatch
JSSCLow比較器是構(gòu)成SARADC功耗的主要單
預放大器增益~2,電流 輸出共 速度快:<100psfor65nmRef:ChunC.Lee,ASAR‐AssistedStagePipelineADC.JSSC動態(tài)pre‐amp+Latch,無靜態(tài)~100psfor90nmRef:17.7ISSCC2007
Ref:12.4Comparatoroffset Ref:Y.Kuramochi,ASSC冗余設計也是提高yield的辦Ref:S.Park,et,al.A4GS/s4bflashin0.18umCMOS.ISSCC通過襯偏效應來調(diào)整輸管VT,以此來校準Ref:Alpman,Erkan.A7‐BIT2.5GS/secTIME‐INTERLEAVEDC‐2CSARADCFOR60GHzMULTI‐BANDOFDM‐BASEDRECEIVERS.PHDThesisComparatoroffsetRef:MasayaMiyahara,etc.ALow‐NoiseSelf‐CalibratingDynamicComparatorforhigh‐speed調(diào)整差分
或通過調(diào)整輸出點的分負載電容來校準負調(diào)整負Ref:Chi‐HangChan,etc.ASSCC2011
Ref:13.5Comparator
靜態(tài)pre‐amp增益平方來求得輸入等效總輸出噪聲電流 di2
2
2di
w12
總輸出
di2r2
di2 假設: 3
2
13
1 w
CC則有v
4C
ds14 2
增益C2v24C2o
233
vni
A
gmiro
w13
tAtA時時間有關,在時刻t較器輸出幾乎不起作用時刻t出:CtoCo23在時刻t的等輸入噪聲v2no t2gt設到時刻t輸出共模下降的幅度為ΔV,則有tgtVAV增益和輸出噪聲與積時刻t的增益 ysisRin為高斯分布噪聲電路,其等效噪聲電阻③T=0時,vc為0均值的高斯變量,方差為
2t
022t0ndi2 n
t
ysis
RegenerativeComparatorsfor
2
2kT
nn②隨著t的增加,增加的噪聲功率、信號增益A均與t成正比,因此,輸入等效聲功率隨著t的增加而動態(tài)動態(tài)pre‐amp的增益與有效積分時間td有關由LATCH的觸發(fā)所決定,表示該時刻開始的正反饋作用超過了輸入令 入管保持飽和態(tài)的最大共模下降幅度VmaxVdd
Pre‐amp的最大有效積分時間和增益為
ILowI
b
降低輸入過驅(qū)動 在實際設計中,0<td<tmax,為優(yōu)化噪聲,應使得降低輸入共模延長有效積分時間增大輸出電容
接近tma,但taf,故的觸發(fā)方式和Lownoisedynamic了兩級動態(tài)結(jié)構(gòu):在第一級增益不夠高的情況了增加第二級增益,也能有效地降低噪噪聲Vni(σ)的對比(比對的兩者具有相同的
第二級通過M6,M7向ti+,ti‐放電Co1,td,gm1,.td;第一級差分電流通過M6,Co1,td,gm1,.Ref:Chi‐HangChan,etc.ASSCC2011Comparatornoise假設比較器的輸出為0和1
1
vn 在輸在輸入為vi時,輸出為11vineninn在輸入為vi時,比較器輸出的均值:E pvo00pvo11測量方通過測量比較器輸出均值與輸入電壓的關系,擬合出噪聲標設定測Ref:I.E.Opris,“Noiseestimationn擬推薦推薦比較器設ForhighresolutionADC靜態(tài)pre‐amplatchoffsetForlowresolutionADC動態(tài)pre‐amp非線性效非線性效 11 C V Ref:StefanHaenzsche,etc.MIXDESSAR猜調(diào)取比較器移動猜同步鎖存完整轉(zhuǎn)換思考差分結(jié)構(gòu)的SAR邏輯電路如何設AsynchronousSAR同步SAR時鐘頻率至少比較器時間:Tasync
Tasync T2T2
Ref:Shuo‐WeiMichaelChen,et,al.A6‐bit600‐MS/sAsynchronousADCin0.13‐umCMOS.JSSCAsync.SAR功能性能要 微電子 Multi‐phaseClockNPG:沿觸發(fā)負脈沖利用多個單脈沖產(chǎn)生電路合成多電路 電路脈沖產(chǎn)生電路的順序觸發(fā)
SNPG:單次沿觸發(fā)負脈
Multi‐phaseClock電原信號通過多輸入與門合成多相時鐘Multi‐phaseClockGCNPGparason. DQ.ckiioTR..QiS電原理N-RN-bGCNPGN-SinglestepconversionCKC上升沿一圈的時間
Sk的沿恰好在輸出Q有效窗口可用于觸發(fā)鎖存與D/A轉(zhuǎn)tlooptcomptxort
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