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現(xiàn)代電力電子技術(shù)張華強哈爾濱工業(yè)大學(xué)(威海)Tel(office(home)E-mail:zhq0027@126.com參考文獻(xiàn)☆陳堅、康勇,《電力電子學(xué)-電力電子變換和控制技術(shù)》
第三版,高等教育出版社,2011.6.1☆張淼,馮垛生.《現(xiàn)代電力電子技術(shù)與應(yīng)用》
中國電力出版社,2011.2☆李宏,王崇武.
《現(xiàn)代電力電子技術(shù)基礎(chǔ)》
機械工業(yè)出版社,2010.2☆楊士彥、王明彥等.《現(xiàn)代電力電子技術(shù)》教案
哈爾濱工業(yè)大學(xué),2006.3主要內(nèi)容
DC-DC(AC)變換器
AC-DC(AC)變換器
PWM整流與逆變技術(shù)緩沖電路與諧振變換器零轉(zhuǎn)換器與軟開關(guān)技術(shù)風(fēng)力發(fā)電報告第1章緒論§1.1電力電子器件發(fā)展歷程
傳統(tǒng)電力電子器件介紹
現(xiàn)代電力電子器件介紹§1.2
現(xiàn)代電力電子技術(shù)基礎(chǔ)現(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容第1章緒論電子技術(shù)模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)信息電子技術(shù)信息處理技術(shù)電力電子技術(shù)電能變換技術(shù)電力器件制造技術(shù)變流電路控制技術(shù)變換電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)AC-DC,DC-ACDC-DC,AC-AC相位控制周波控制調(diào)制控制不控型器件半控型器件全控型器件§1.1電力電子器件發(fā)展歷程20世紀(jì)初電子管20世紀(jì)90年代IGBT20世紀(jì)70年代GTO,GTR,MOS20世紀(jì)50年代SCR現(xiàn)代電力電子技術(shù)逆變技術(shù)發(fā)展電力電子技術(shù)誕生整流技術(shù)發(fā)展電子技術(shù)誕生21世紀(jì)廣泛應(yīng)用時代可控性
不可控器件,半控型器件,全控型器件控制端口信號性質(zhì)
電流驅(qū)動型,電壓驅(qū)動型內(nèi)部導(dǎo)電載流子
單極型,雙極型,混合型1傳統(tǒng)電力電子器件介紹1.功率整流管又稱為電力二極管,屬于不可控器件。AK圖1.外形結(jié)構(gòu)圖2.外形結(jié)構(gòu)與符號1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---功率整流管2.靜態(tài)特性與動態(tài)特性圖4.動態(tài)特性(關(guān)斷)動態(tài)特性(開通)圖3.靜態(tài)特性1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---功率整流管反向重復(fù)峰值電壓URRM重復(fù)施加反向峰值電壓,通常是其雪崩擊穿電壓的2/3。3.主要參數(shù)正向平均電流IF(AV)在指定殼溫和散熱條件下長期運行時,允許流過最大工頻正弦半波電流平均值,這也是標(biāo)稱額定電流參數(shù)。正向壓降UF
在指定溫度下,流過指定穩(wěn)態(tài)正向電流時對應(yīng)的正向壓降。1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---功率整流管最高工作結(jié)溫TJM指管芯PN結(jié)在不損壞前提下承受最高平均溫度,通常在125-175℃范圍內(nèi)。反向恢復(fù)時間trr
關(guān)斷時正向電流降為零到完全恢復(fù)對反向電壓阻斷能力時間。浪涌(Surge)電流IFSM指電力二極管承受最大連續(xù)一個或幾個工頻周期過電流。1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---功率整流管肖特基二極管反向恢復(fù)時間很短(10-40nS),開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗比快速二極管小,用于200V以下場合。4.主要類型普通二極管又稱整流二極管,用于開關(guān)頻率不高(1kHz以下)整流電路中。反向恢復(fù)時間較長,在5S以上,正向電流定額和反向電壓定額分別可達(dá)數(shù)千安和數(shù)千伏以上??旎謴?fù)二極管簡稱快速二極管,反向恢復(fù)過程很短,在5S以下.快恢復(fù)外延二極管反向恢復(fù)時間更短(低于50nS),正向壓降低(0.9V左右),反向耐壓400V以下。1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---功率整流管1.外型與電路符號圖5.外型與電路符號1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管2.伏安特性圖6.靜態(tài)伏安特性圖7.動態(tài)伏安特性(開關(guān)過程)1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管3.主要參數(shù)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓;反向重復(fù)峰值電壓;通態(tài)(峰值)電壓;通態(tài)峰值電流;維持電流;擎住電流;浪涌電流;開通時間;關(guān)斷時間;斷態(tài)電壓臨界上升率;通態(tài)電流臨界上升率。1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管4.主要派生器件
(1)快速晶閘管FST
包括快速晶閘管和高頻晶閘管,分別應(yīng)用于400Hz和10kHZ以上斬波或逆變電路;開關(guān)時間及du/dt和di/dt耐量明顯改善:關(guān)斷時間(普通晶閘管數(shù)百微秒,快速晶閘管數(shù)十微秒,高頻晶閘管10微秒);與普通晶閘管相比,高頻晶閘管電壓和電流定額不高;工作頻率較高,選擇快速晶閘管和高頻晶閘管通態(tài)平均電流時,不能忽略其開關(guān)損耗發(fā)熱效應(yīng)。1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管(2)雙向晶閘管TRIAC一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成;主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通。圖8.雙向晶閘管符號和伏安特性1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管(3)逆導(dǎo)晶閘管RCT
同一管芯:晶閘管反并聯(lián)一個二極管;沒有承受反向電壓能力,用于不需要阻斷反向電壓電路;正向壓降小、關(guān)斷時間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高;額定電流有兩個:晶閘管電流和反并聯(lián)的二極管的電流。圖9.逆導(dǎo)晶閘管符號和伏安特性1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管(4)光控晶閘管LTT
利用一定波長的光照信號觸發(fā)導(dǎo)通;光纜裝有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器;保證主控電路的絕緣,避免電磁干擾影響;高壓大功率場合,如HVDC輸電和HV核聚變裝置占重要地位。圖10.光控晶閘管符號和伏安特性1.1傳統(tǒng)電力電子器件介紹---普通晶閘管圖11.發(fā)展趨勢(高電壓、大電流、低損耗、高開關(guān)頻率)1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹1.GTR基本結(jié)構(gòu)和特性三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié);PNP和NPN型,常用NPN型;三重擴散結(jié)構(gòu);可靠性高,改善器件的二次擊穿特性,易于提高耐壓能力,并且易于耗散內(nèi)部熱量。圖12.GTR結(jié)構(gòu)和符號1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR2.達(dá)林頓GTR電流增益低給驅(qū)動電路造成負(fù)擔(dān),達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的有效方式;達(dá)林頓結(jié)構(gòu)由兩個或多個晶體管復(fù)合而成,可以是PNP型或NPN型,其性質(zhì)由驅(qū)動管決定;達(dá)林頓GTR電流增益可為幾十至幾千倍;圖13.達(dá)林頓GTR符號1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR達(dá)林頓GTR開關(guān)速度慢,因為無論是開通或關(guān)斷,總是先要驅(qū)動管動作,而后輸出管才動作,開關(guān)時間長;為加快V2管開關(guān)速度,必須使V2與V1同時動作。加入二極管VD1,當(dāng)輸入信號反向關(guān)斷晶體管時,輸入反向驅(qū)動信號經(jīng)VD1加到V2基極,VD1提供反向IB2通路,加速V2關(guān)斷過程。1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR達(dá)林頓連接提高了電流增益,增加了飽和壓降;3.GTR模塊將GTR管芯、穩(wěn)定電阻、加速二極管及續(xù)流二極管等組裝成一個單元,根據(jù)不同用途將幾個單元組裝在一個模塊上。大大提高器件集成度,使其小型輕量,性價比大大提高。目前GTR模塊可將多達(dá)6個互相絕緣單元電路做在同一模塊內(nèi),可很方便地組成三相橋。圖14.GTR模塊等效電路1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR4.靜態(tài)特性與參數(shù) 共射極電路輸出特性是指集電結(jié)電壓一電流特性,分4個區(qū)域:阻斷區(qū)、線性區(qū)、準(zhǔn)飽和區(qū)和飽和區(qū)。圖15.GTR靜態(tài)特性1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR阻斷區(qū)又稱截止區(qū),類似開關(guān)處于斷態(tài),該區(qū)基極電流為零,GTR承受高壓而僅有極小漏電流存在。發(fā)射結(jié)和集電結(jié)處于反偏狀態(tài)。圖16.GTR靜態(tài)特性阻斷區(qū)1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR線性區(qū)又稱放大區(qū),該區(qū)域集電極電流與基極電流間呈線性關(guān)系,特性曲線近似平直。集電結(jié)處于反偏而發(fā)射結(jié)改為正偏狀態(tài),應(yīng)當(dāng)盡量避免工作于線性區(qū),否則功耗很大。圖17.GTR靜態(tài)特性線性區(qū)1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR準(zhǔn)飽和區(qū)指線性區(qū)與飽和區(qū)間區(qū)域,特性曲線明顯彎曲,該區(qū)域隨基極電流增加出現(xiàn)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng),電流增益開始下降,集電極電流與基極電流間不再呈線性關(guān)系,仍保持集電結(jié)反偏、發(fā)射結(jié)正偏。圖18.GTR靜態(tài)特性準(zhǔn)飽和區(qū)1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR飽和區(qū)特征類似開關(guān)處于接通情況,該區(qū)域基極電流變化時集電極電流不隨變化,電流增益與導(dǎo)通電壓均很小。GTR發(fā)射結(jié)和集電結(jié)處于正偏狀態(tài)。圖19.GTR靜態(tài)特性飽和區(qū)1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR2.GTR動態(tài)特性與參數(shù)GTR常工作于開關(guān)狀態(tài),用導(dǎo)通、截止、開通、關(guān)斷表示。導(dǎo)通和截止表示GTR接通和斷開兩種穩(wěn)定工作狀態(tài),開通和關(guān)斷表示GTR由斷到通或由通到斷動態(tài)工作狀況。1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTRPN結(jié)承受正偏時表現(xiàn)為兩個電容:勢壘電容和擴散電容;PN結(jié)承受反偏時只表現(xiàn)為勢壘電容;穩(wěn)態(tài)時,這些電容對GTR特性無影響;瞬態(tài)時,因電容充放電作用影響GTR開關(guān)特性。為降低導(dǎo)通時功率損耗,常采用過驅(qū)動方法,使基區(qū)積累大量過剩載流子,關(guān)斷時這些過剩載流子的消散嚴(yán)重影響關(guān)斷時間。1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR工作過程分為開通過程,導(dǎo)通狀態(tài),關(guān)斷過程和阻斷狀態(tài)4個階段。在開通與關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中,GTR工作點盡量避開或盡快通過其伏安特性線性工作區(qū),以減小功耗。開通時間ton對應(yīng)GTR由截止到飽和的開通過程,關(guān)斷時間toff對應(yīng)GTR由飽和到截止的關(guān)斷過程。圖20.GTR開通關(guān)斷過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR
開通時間ton,包括延遲時間td和上升時間tr。
關(guān)斷時間toff,包括存儲時間ts和下降時間tf。1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR
延遲時間td:從輸入基極電流正跳變瞬時開始,到集電極電流上升到最大(穩(wěn)態(tài))值10%所需時間叫延遲時間,它相應(yīng)于基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電過程,延遲時間的大小取決于發(fā)射結(jié)勢壘電容的大小、初始正向驅(qū)動電流和上升率以及跳變前反向偏置電壓大小。圖21.GTR開通關(guān)斷過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR上升時間tr:
集電極電流由穩(wěn)態(tài)值的10%上升到90%所需的時間叫做上升時間,它與過驅(qū)動系數(shù)及穩(wěn)態(tài)電流值有關(guān),過驅(qū)動系數(shù)越大,上升時間越短;穩(wěn)態(tài)值越小,上升時間越短。圖22.GTR開通關(guān)斷過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR
存儲時間tS:從撤消正向驅(qū)動信號到集電極電流下降到最大(穩(wěn)態(tài))值90%所需時間為存儲時間,它隨過驅(qū)動系數(shù)增加而增加,隨反向驅(qū)動電流增加而減小。存貯時間對應(yīng)過剩載流子從體內(nèi)抽走過程,想降低tS應(yīng)使GTR工作于準(zhǔn)飽和區(qū)。圖23.GTR開通關(guān)斷過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率晶體管GTR下降時間tf:集電極電流由其最大值90%下降到10%所需的時間稱為下降時間,它主要取決于結(jié)電容和正向集電極電流。一般開通時間為納秒級,比關(guān)斷時間小得多,手冊一般不給出該參數(shù)。關(guān)斷時間數(shù)值都在微秒數(shù)量級。為縮短關(guān)斷時間可采取以下措施:選擇電流增益小的器件,防止深飽和,增加反向驅(qū)動電流。圖24.GTR開通關(guān)斷過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率場效應(yīng)晶體管GTR1.MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路符號
D:漏極;S:源極;G:柵極圖25.MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路符號1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率場效應(yīng)晶體管MOSFET2.開關(guān)過程圖26.MOSFET開關(guān)過程1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---功率場效應(yīng)晶體管MOSFET1.結(jié)構(gòu)四層結(jié)構(gòu):PNPN;三端器件:A-陽極,G-門極,K-陰極;多元集成:多個共陽極的GTO元。圖27.GTO內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路符號1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---可關(guān)斷晶閘管GTO2.GTO開通原理正向陽極電壓+正向門極電壓-- IG↑→IC2↑→IA↑→IC1↑
↑_____________↓圖28.GTO開通原理1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---可關(guān)斷晶閘管GTO3.GTO關(guān)斷原理GTO導(dǎo)通時,電流增益1遠(yuǎn)小于2,兩者之和稍大于1,T1集電極電流占總陽極電流比例很小。設(shè)法抽走該電流,即可關(guān)斷GTO;門極負(fù)偏壓使T2基極電流減小,集電極電流隨之減小,引起T1集電極電流下降,導(dǎo)致T2基極電流進(jìn)一步下降,如此循環(huán),使GTO關(guān)斷。圖29a)GTO關(guān)斷電路及電流波形1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---可關(guān)斷晶閘管GTO4.緩沖電路結(jié)構(gòu)圖29b)GTO斬波器1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---可關(guān)斷晶閘管GTO5.理想的門極控制信號波形圖30.GTO門極控制信號及推薦波形1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---可關(guān)斷晶閘管GTO1.工作原理結(jié)構(gòu):以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動元件達(dá)林頓結(jié)構(gòu);N溝道與P溝道;G-門極,C--集電極,E--發(fā)射極。圖31.IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)和符號1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT門極電壓控制IGBT的開通和關(guān)斷;門極施以正電壓,MOSFET內(nèi)形成溝道,并為PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通;門極施以負(fù)電壓,MOSFET內(nèi)溝道消失,PNP晶體管基極電流被切斷,IGBT即為關(guān)斷。1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT圖32.IGBT封裝結(jié)構(gòu)和電路原理圖1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT2.驅(qū)動條件圖33.IGBT通態(tài)電壓與門極電壓關(guān)系曲線1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT3.應(yīng)用舉例圖34.IGBT通態(tài)電壓與門極電壓關(guān)系曲線1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT4.驅(qū)動波形圖35.IGBT驅(qū)動波形1.2現(xiàn)代電力電子器件介紹---絕緣柵雙極晶體管IGBT現(xiàn)代電力電子變換技術(shù)相控整流技術(shù)交交變頻技術(shù)斬波技術(shù)逆變技術(shù)同步整流技術(shù)多電平,SVPWM技術(shù)PWM整流技術(shù)矩陣變換技術(shù)§1.2現(xiàn)代電力電子技術(shù)基礎(chǔ)電力電子技術(shù)---利用電力電子器件對電能進(jìn)行(二次)控制與轉(zhuǎn)換的技術(shù)?!艏夹g(shù)內(nèi)容:器件、變換電路控制策略?!艏夹g(shù)定位:電力、電子和控制三大電氣工程技術(shù)領(lǐng)域之間的交叉、綜合性學(xué)科?!艏夹g(shù)目的:節(jié)能,降低損耗,提高生產(chǎn)效率。現(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---內(nèi)容、目的、定位2.1半導(dǎo)體固態(tài)電子學(xué):
1947年晶體管誕生;1956年晶閘管問世。①微電子技術(shù)----信息處理特點:集成規(guī)模、功能②電力電子技術(shù)---電能控制與轉(zhuǎn)換特點:器件,功率、性能提高兩個方向器件是改朝換代的領(lǐng)袖,是電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)展的基礎(chǔ)。現(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---兩個方向2.1兩個階段①傳統(tǒng)階段(57~80):SCR家族,應(yīng)用電路相當(dāng)成熟。
快速KK、逆導(dǎo)RCT、雙向TRIAC、不對稱ASCR等。
②現(xiàn)代階段(80~):全控家族,電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)展迅速。
可關(guān)斷晶閘管GTO、功率晶體管GTR(BJT)
功率場效應(yīng)管MOSFET、絕緣柵極晶體管IGBT(IGCT)
靜電感應(yīng)晶體管SIT、靜電感應(yīng)晶閘管SITH
場控晶閘管MCT等。全控器件→電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)展→30kHz現(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---兩個階段2.1電子技術(shù)的發(fā)展依賴于電子器件的發(fā)展;電子器件的發(fā)展方向:大容量化、高頻化、集成化、智能化?,F(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---電子器件發(fā)展方向2.1電力技術(shù)的發(fā)展依賴于發(fā)電機、變壓器、電動機和配電系統(tǒng)的電子電路;電子電路的發(fā)展方向:形式弱電化、速度高頻化、動作軟開關(guān)化?,F(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---電子電路發(fā)展方向2.1電力電子變換技術(shù)由電氣、控制和計算機學(xué)科綜合成一個交叉學(xué)科;控制技術(shù)的發(fā)展方向:控制信號數(shù)字化、控制過程智能化?,F(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---控制技術(shù)發(fā)展方向2.1相關(guān)課程1、電力電子器件的建模與仿真2、諧振變換技術(shù)3、開關(guān)電源的原理與設(shè)計課程特點1、強調(diào)基礎(chǔ)2、注重實踐應(yīng)用領(lǐng)域1、開關(guān)型電力電子變換電源2、開關(guān)型電力電子補償控制器現(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展過程---課程特點2.11、線性晶體管串聯(lián)式穩(wěn)壓電源☆電壓調(diào)節(jié)范圍小☆損耗大、效率低☆工頻變壓器大★有電磁隔離圖37.線性晶體管串聯(lián)式穩(wěn)壓電源現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.22、斬波式穩(wěn)壓電源(無濾波)★無變壓器★電壓調(diào)節(jié)范圍大★損耗小、效率高☆無電磁隔離☆輸出脈動大、電壓尖峰圖38.斬波式穩(wěn)壓電源(無濾波)現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.23、斬波式穩(wěn)壓電源(LC濾波)★無變壓器★電壓調(diào)節(jié)范圍大★損耗小、效率高☆無電磁隔離☆輸出脈動小圖39.斬波式穩(wěn)壓電源(LC濾波)現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.24、半橋斬波式穩(wěn)壓電源(高頻隔離)電力電子技術(shù):分解→重新整合U≈4.44fsNBmS圖40.半橋斬波式穩(wěn)壓電源(高頻隔離)現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.25、工業(yè)加熱電源利用渦流熱效應(yīng)進(jìn)行加熱--感應(yīng)加熱;IGBT逆變器可在幾十kHZ頻段,特別適用于中頻感應(yīng)加熱;高頻斬波使濾波器尺寸?。粶?zhǔn)諧振工作狀態(tài)。圖41.并聯(lián)諧振電源主電路現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.26、逆變弧焊電源IGBT逆變器工作頻率為30kHZ電弧燃燒時,采用恒流控制IC:電流門限電壓檢測過流保護圖42.IGBT逆變弧焊電源現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.27、不間斷電源逆變器交流側(cè)濾波由變壓器漏感和交流電容組成;采用測量參數(shù)控制濾波器輸出電壓和輸出電流。圖43.IGBT不間斷電源現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用實例2.2現(xiàn)代電力電子技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域家用電器電氣傳動特種電源交通運輸電力系統(tǒng)感應(yīng)加熱風(fēng)力發(fā)電現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究內(nèi)容---應(yīng)用領(lǐng)域2.2調(diào)速系統(tǒng)風(fēng)機、水泵、機床、軋機、機車
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