GB/T 10117-2009高純銻

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１０１１７—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８

高純銻

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１０１１７—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８《高純銻》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８相比，主要有如下變動：

———增加了“規(guī)范性引用文件”；

———化學成分增加“雜質(zhì)總量含量”一欄，并對雜質(zhì)的含量做了一些調(diào)整，主要是金、鎘、鉛的技術

參數(shù)；

———在“檢驗規(guī)則”中增加“每批產(chǎn)品的重量一般應不大于１００ｋｇ”；

———在“產(chǎn)品交付”中增加“外用塑料薄膜密封”；

———將原標準中“產(chǎn)品的化學成分的分析方法按供方現(xiàn)行方法進行；仲裁分析按供需雙方認可的方

法進行”改為“產(chǎn)品的化學成分分析按ＹＳ／Ｔ３５．１～３５．４高純銻化學分析方法進行”；

———對原標準中“在收到產(chǎn)品之日起三個月內(nèi)向供方提出”中三個月的時間做了修改；

———將原標準中“化學成分檢驗不合格時，應取雙倍數(shù)量的試樣進行復驗。如其中有一個試樣結(jié)果

仍不符合本標準的要求，則判定該批產(chǎn)品為不合格品?！备臑椤盎瘜W成分檢驗不合格時，則判定

該批產(chǎn)品為不合格品?！薄?/p>

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準負責起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：王炎、蔣蓉。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１０１１７—２００９

高純銻

１范圍

本標準規(guī)定了高純銻的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸、貯存和訂貨單（或合同）內(nèi)

容等。

本標準適用于以工業(yè)銻為原料，經(jīng)氯化、精餾、氫氣還原、蒸餾等而制得的純度不小于９９．９９９％的

以及不小于９９．９９９９％的高純銻。產(chǎn)品用于制備ⅢⅤ族半導體材料、高純合金、熱電致冷元件以及用

作硅、鍺單晶的摻雜劑等。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＹＳ／Ｔ３５（所有部分）高純銻化學分析方法

３技術要求

３．１產(chǎn)品分類

高純銻按純度分為Ｓｂ０５、Ｓｂ０６兩個牌號。

３．２化學成分

各牌號的化學成分的質(zhì)量分數(shù)應符合表１規(guī)定：

表１

牌號Ｓｂ０５Ｓｂ０６

Ｓｂ含量／％，不小于９９．９９９９９．９９９９

雜質(zhì)含量總量／（×１０－６），不大于１０１

Ａｇ０．０５０．０１

Ａｕ０．１０．０３

Ｃｄ０．５０．０１

Ｃｕ０．０５０．０１

Ｆｅ０．５０．０５

Ｍｇ０．２０．０５

Ｎｉ０．２０．０５

雜質(zhì)含量／（×１０－６），不大于

Ｐｂ０．３０．０３

Ｚｎ０．５０．０５

Ｍｎ０．０５０．０１

Ａｓ１．５０．３

Ｓ０．５