GB/T 11685-2003半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法

ICS27.120.01F80中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11685-2003代替GB/T8992--1988.GB/T11685-—1989半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法MeasurementproceduresforsemiconductorX-raydetectorsystemandsemiconductorX-rayenergyspectrometers2003-07-07發(fā)布2004-01-01實(shí)施中華人民共和國(guó)發(fā)布國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T11685-2003三前言1范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語(yǔ)和定義4符號(hào)5一般原則5.1被測(cè)對(duì)象及其性能特性5.2測(cè)量設(shè)備5.3測(cè)量系統(tǒng)5.4測(cè)量條件5.5測(cè)量要求6能量分辨率和能譜畸變6.1概述6.2電噪聲的測(cè)量6.3作為放大器時(shí)間常數(shù)函數(shù)的噪聲線寬6.46.5峰谷比和峰尾比……積分非線性……………·7二7.1脈沖幅度分析法7.2128計(jì)數(shù)率效應(yīng)……128.2能譜畸變…………8.3譜峰位偏移·……………·…·…·8.4譜的能量分辨率和譜線形狀8.5峰計(jì)數(shù)損失…9電壓變化影響、溫度效應(yīng)和長(zhǎng)時(shí)間不穩(wěn)定性9.19.2交流供電電壓變化的影響·9.3溫度效應(yīng)…………16長(zhǎng)時(shí)間不穩(wěn)定性9.41010.1概述10.2利用玻璃熒光源測(cè)量窗衰減（對(duì)能量低于5keV的X射線的推薦方法）……高能區(qū)效率測(cè)量10.311過(guò)載效應(yīng)11.1概述主放大器增益的恢復(fù)時(shí)間11.228

GB/T11685-2003附錄A（資料性附錄）從X能量分辨率計(jì)算電噪聲近似值的方法參考文獻(xiàn)2圖1被測(cè)特性的基本測(cè)量系統(tǒng)圖2典型的噪聲測(cè)量脈沖幅度譜圖3用用示波器和均方根電壓表測(cè)噪聲的測(cè)量系統(tǒng)圖4線性的測(cè)量和表示………圖5對(duì)計(jì)數(shù)率效應(yīng)造成譜畸變的測(cè)量系統(tǒng)圖6死時(shí)間為的系統(tǒng)的輸出計(jì)數(shù)率！和輸入計(jì)數(shù)率的關(guān)系圖7用單道分析器測(cè)量計(jì)數(shù)率損失的測(cè)量系統(tǒng)·…圖8作為快速放大器計(jì)數(shù)率田數(shù)所分析的錳K，和K，峰中的計(jì)數(shù)率圖9溫度效應(yīng)的測(cè)量系統(tǒng)(以能譜儀為例）圖10窗厚度測(cè)量裝置(部面)示意圖圖11環(huán)型*FeX射線放射源………圖12用8m鍍窗探測(cè)器測(cè)得的譜19圖13用132m皺窗探測(cè)器測(cè)得的譜圖14典型的扣除本底的譜線圖…圖15窗指標(biāo)W。與窗厚關(guān)系典型特征圖…21圖16uAm放射源低能？射線和X射線能譜圖22圖17高能區(qū)的相對(duì)效率曲線…………22圖18過(guò)載脈沖后增益恢復(fù)的例子23表1參考條件和標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件表2測(cè)量常用放射源·…….表3標(biāo)準(zhǔn)玻璃的組分(質(zhì)量分?jǐn)?shù))17表4“Fe放射源激發(fā)標(biāo)準(zhǔn)玻璃得到的特征X射線表524Am的衰變數(shù)據(jù)

GB/T11685-2003本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T8992一1988(硅(鋰)X射線探測(cè)器系統(tǒng)測(cè)量方法》和GB/T11685—1989《半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法》的合并和修訂。GB/T8992-1988和GB/T11685—1989均是非等效采用IEC60759:1983（見(jiàn)參考文獻(xiàn)1)編制的。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T8992-1988和GB/T11685-1989本標(biāo)準(zhǔn)包括半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法。由于探測(cè)器系統(tǒng)的輔出必須通過(guò)主放大器輸人多道分析器.然后在多道分析器上獲取X射線能譜方能觀察和確定其性能特性.所以探測(cè)器系統(tǒng)和能譜儀基本上采用相同的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)既保留了GB/T11685—1989的完整性和GB/T8992—1988的可操作性.又通過(guò)有機(jī)地捏合,將兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)合并為統(tǒng)一的新版本。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)GB/T8992—1988和GB/T11685—1989的主要修改如下；。）對(duì)半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)的測(cè)量不限于硅(鋰)X射線探測(cè)器系統(tǒng)；b對(duì)半導(dǎo)體X射線能譜儀,測(cè)量的是多道分析器上能譜(全能峰及峰位或譜線)的性能特性：）第3章的“術(shù)語(yǔ)和定義"按物理意義和邏輯關(guān)系排列，增加了"半導(dǎo)體探測(cè)器”、"半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)”和“主放大器"等術(shù)語(yǔ)，修改了“窗"、"基線"、"工作距離”等術(shù)語(yǔ).刪去了"門(mén)"、“模擬一數(shù)字變換器”等簡(jiǎn)單明了的術(shù)語(yǔ);參考IEC60759增加了第11章“過(guò)載效應(yīng)“；修改了少量符號(hào).例如.多道分析器的道數(shù)(道址)用m.而不用N或X：）擴(kuò)展和充實(shí)了第5章"一般原則”的內(nèi)容.而測(cè)量要求(原基本要求)僅是其中的一條：-規(guī)范了"被測(cè)對(duì)象"、"測(cè)量設(shè)備"和“測(cè)量系統(tǒng)”的概念；列出了主要被測(cè)的性能特性：規(guī)定了測(cè)量的條件(包括環(huán)境條件和放射源等)-指出了探測(cè)器系統(tǒng)和能譜儀采用相同的測(cè)量方法以及細(xì)節(jié)上的差異將“從X能量分瓣率計(jì)算電燥聲的近似值”的內(nèi)容由正文調(diào)整為附錄A；h）規(guī)范了章條的標(biāo)題和內(nèi)容.例如，將第7章的標(biāo)題由“脈沖幅度線性”直接改為“積分非線性”第9章的標(biāo)題由“脈沖幅度穩(wěn)定性”改為“電壓變化影響”、"溫度效應(yīng)"和“長(zhǎng)時(shí)間不穩(wěn)定性”；內(nèi)提高本標(biāo)準(zhǔn)的可操作性·適應(yīng)新技術(shù)的發(fā)展·測(cè)量中一般給出通用方法·特別具體的方法則用示例的形式給出：格式按（B/T1.1—2000等標(biāo)準(zhǔn)的要求編寫(xiě),在一些條中增加了子條標(biāo)題，將圖和表集中到正文的后面本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由核工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：核工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：熊正降。

GB/T11685-2003半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀主要特性的測(cè)量方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體入射線能譜儀主要性能的測(cè)量。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T4079—1994用于電離輻射探測(cè)器的放大器和電荷靈敏前置放大器的測(cè)試方法(GB/T4079-1994.neqlEC61151:1992.Nuclearinstrumentation-Amplifiersandpreamplifiersusedwithdetectorofionizingradiation-Testprocedures)GB/T4960.6—1996核科學(xué)技術(shù)術(shù)語(yǔ)核儀器儀表（GB/T4960.6—1996.neqIEC60050(IEV50),InternationalElectrotechnicalVocabulary,Chapter391~394)術(shù)語(yǔ)和定義GB/T4960.6確立的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體探測(cè)器semiconductordetector通常利用核輻射在半導(dǎo)體中產(chǎn)生的過(guò)剩自由電荷載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)探測(cè)入射輻射的探測(cè)器「GB/T4960.6-1996的2.4.1?。罕緲?biāo)準(zhǔn)中的術(shù)語(yǔ)“探測(cè)器“若無(wú)特別說(shuō)明均指半導(dǎo)體探測(cè)器3.2死層(半導(dǎo)體探測(cè)器的）deadlayer（ofsemiconductordetector）半導(dǎo)體探測(cè)器中的一個(gè)層.粒子在該層內(nèi)損失的能量的大部分對(duì)形成的信號(hào)無(wú)貢獻(xiàn)[GB/T4960.6-1996的2.4.2673.3窗（探測(cè)器的）window(ofdetector)探測(cè)器中便于讓被測(cè)輻射穿透過(guò)去的部分LGB/T4960.6-1996的2