標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14139-2009 硅外延片》相比于《GB/T 14139-1993 硅外延片》,主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新與調(diào)整:
-
技術(shù)指標(biāo)的提升:2009版標(biāo)準(zhǔn)對硅外延片的電學(xué)性能、表面質(zhì)量、厚度均勻性以及微缺陷控制等方面提出了更嚴(yán)格的要求,反映了隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,對外延片性能要求的提高。
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檢測方法的改進(jìn):新標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的檢測技術(shù)和方法,如使用高精度儀器進(jìn)行厚度測量、光散射技術(shù)評估表面質(zhì)量和晶體缺陷等,以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
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分類和命名規(guī)則的優(yōu)化:2009版標(biāo)準(zhǔn)對硅外延片的分類體系進(jìn)行了細(xì)化,根據(jù)不同的應(yīng)用需求,對外延片進(jìn)行了更明確的分類,并規(guī)范了命名規(guī)則,便于生產(chǎn)和使用中的識別與交流。
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增加了環(huán)保和安全要求:考慮到環(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全的重要性,新標(biāo)準(zhǔn)加入了對外延片生產(chǎn)過程中材料選擇、廢棄物處理及操作安全的相關(guān)規(guī)定,體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)制定中對可持續(xù)發(fā)展的關(guān)注。
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標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的擴(kuò)展:相較于1993版,2009版標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)大了適用的硅外延片類型和尺寸范圍,以適應(yīng)半導(dǎo)體器件多樣化和集成度不斷提高的需求。
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術(shù)語和定義的更新:為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映技術(shù)進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)對一些專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了修訂或新增,提高了標(biāo)準(zhǔn)的國際化水平和可操作性。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14139-2019
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實施



文檔簡介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜14139—2009
代替GB/T14139—1993
硅外延片
犛犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾狑犪犳犲狉狊
20091030發(fā)布20100601實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
書
犌犅/犜14139—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14139—1993《硅外延片》。
本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變動:
———刪除了引用標(biāo)準(zhǔn)YS/T23《硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法》和YS/T28《硅片包裝》;
———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T14141《硅外延層、擴(kuò)展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針
法》和GB/T14847《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》;
———修改了產(chǎn)品規(guī)格規(guī)范,去除原標(biāo)準(zhǔn)中50.8mm、80mm、90mm三個規(guī)格,增加了直徑尺寸
125mm和150mm;
———在產(chǎn)品牌號中增加襯底摻雜內(nèi)容;
———襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷(P);
———對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進(jìn)行了修訂,對其允許偏差進(jìn)行加嚴(yán);
———修改了外延層厚度測量方法,對外延片表面缺陷檢測方法進(jìn)行加嚴(yán);
———修改了合格質(zhì)量水平(AQL)規(guī)定,增加了表面質(zhì)量、位錯等檢驗項目合格質(zhì)量水平規(guī)定。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:寧波立立電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:許峰、劉培東、李慎重、諶攀。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T14139—1993。
Ⅰ
書
犌犅/犜14139—2009
硅外延片
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在N型硅拋光片襯底上生長的n型外延層(N/N+)和在p型硅拋光片襯底上生長的
P型外延層(P/P+)的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照
使用。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃
(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T6617硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法
GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
GB/T12962硅單晶
GB/T12964硅單晶拋光片
GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)程
GB/T14141硅外延層、擴(kuò)展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法
GB/T14142硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法
GB/T14145硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法
GB/T14146硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法
GB/T14246半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
YS/T24外延釘缺陷的檢驗方法
3技術(shù)要求
3.1產(chǎn)品分類
3.1.1導(dǎo)電類型
產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為
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