實(shí)驗(yàn)程序-庫(kù)函數(shù)版輸出

14DS18B20溫度差別較大，所以本章向大家介紹如何通過(guò)STM32來(lái)外部數(shù)字溫線技術(shù)，通過(guò)它來(lái)實(shí)現(xiàn)STM32和外部溫度傳感器（DS18B20）的通信，并把從溫度傳感器得到的溫度數(shù)據(jù)通過(guò)printf打印輸出在串口助手上。本章分為以下學(xué)DS18B20DS18B20DS18B20DALLAS5．5V的電壓范圍，采用多種封裝形式，從而使系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活、方便，設(shè)定分辨率及用戶 在EEPROM中，掉電后依然保存。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示：每個(gè)DS18B20的64位序列號(hào)均不相同。64位ROM的排列是：前8位是產(chǎn)品碼，接著48位是DS18B20的序列號(hào)，最后8位是前面56位的循環(huán)冗余(CRC=X8+X5DS18B206號(hào)類型：復(fù)位脈沖、應(yīng)答脈沖、寫(xiě)0、寫(xiě)101。所有這些信號(hào)，除了應(yīng)答脈沖復(fù)位脈沖和應(yīng)答脈沖若為低電平，再延時(shí)480us。寫(xiě)時(shí)序0160us21us1然后釋放總線，延時(shí)2us。讀時(shí)序獨(dú)立的讀時(shí)序之間至少需要1us的恢復(fù)時(shí)間。每個(gè)讀時(shí)序都由主機(jī)發(fā)起，至少拉低總線1us15us2us12us，然后讀50us在了解了單總線時(shí)序之后，我們來(lái)看看DS18B20的典型溫度過(guò)程，DS18B20的典型溫度過(guò)程為：復(fù)位→發(fā)SKIPROM命令（0XCC）→發(fā)開(kāi)始轉(zhuǎn)換命令（0X44）→延時(shí)→復(fù)位→發(fā)送SKIPROM命令（0XCC）→發(fā)讀器命令（0XBE）→連續(xù)讀出兩個(gè)字DS18B20DS18B20PG11DS18B20IO*函數(shù) : : :/void{GPIO_InitTypeDef}#definedq(GPIO_Pin_11//PG11#defineGPIO_ds18b20GPIOG#defineds18b20_dq_HGPIO_SetBits(GPIO_ds18b20,dq)#defineds18b20_dq_LGPIO_ResetBits(GPIO_ds18b20,dq)DS18B20主機(jī)首先發(fā)出一個(gè)480－960微秒的低電平脈沖，然后釋放總線變?yōu)楦唠娖?，并在隨480若無(wú)低電平出現(xiàn)一直都是高電平說(shuō)明總線上無(wú)器件應(yīng)答。DS18B20480－960微秒的低15－6060－240微函數(shù) : :DS18B20初始化時(shí) : :/void{}DS18B20操主機(jī)發(fā)出命令都是向DS18B20寫(xiě)0和寫(xiě)1組成令字節(jié)，接收數(shù)據(jù)160120101，則將601微秒給總線恢復(fù)。而DS18B20則在檢測(cè)到總線被拉底后等待15微秒然后從15us到45us1，若采樣期內(nèi)總線為低電平則為0函數(shù) : :DS18B20讀數(shù)據(jù)時(shí) : :/u8{u8{ delay_us(4);//延時(shí)4微妙delay_us(10);//延時(shí)10微妙 {}}}DS18B20操對(duì)于讀數(shù)據(jù)操作時(shí)序也分為讀0時(shí)序和讀1時(shí)序兩個(gè)過(guò)程。讀周期是從主機(jī)把單總線拉低1微秒之后就得釋放單總線為高電平，以讓DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。作為從機(jī)DS18B20在檢測(cè)到總線被拉低1微秒后，便開(kāi)始送出數(shù)據(jù)，若是要送出0就把1則釋放總線為高電平。主機(jī)在一開(kāi)始拉低總線1微秒后釋放總線，然后在包括前面的拉低總線電平1微秒在內(nèi)的15微秒時(shí)間內(nèi)完0。采樣期內(nèi)總線為高電平則確認(rèn)為1。完成一個(gè)讀時(shí)序過(guò)程，至少需要60微秒才能完成。函數(shù) : :DS18B20寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí) : :{u8i=0;{ {}{}}}.6DS18B20寄存器簡(jiǎn)DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成64光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B2064ROM的排列是：開(kāi)始8位（28H）是產(chǎn)品48DS18B20DS18B20的序DS18B208位則是前56（CRC=X8+X5+X4+1）DS18B20的ROMDS18B20進(jìn)行尋址，從而實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。非揮發(fā)的溫度觸發(fā)器TH和DS18B20的器由一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性、電可擦除RAMR0R1111210.06251.7DS18B201.8溫度操1.溫度操DS18B20經(jīng)轉(zhuǎn)換所得的溫度值以二字節(jié)補(bǔ)碼形式存放在高速暫存器的第0和第就可以了。一次D18B20溫度的操作步驟如下：跳過(guò)ROM操作（ROM里面可以DS18B20的地址、型號(hào)，還有配置分辨率等，我們只使用一個(gè)DS18B20，所以不用地址型號(hào)，配置直接使用默認(rèn)的12位分辨率就好了。）ROMDS18B20的溫度值是以補(bǔ)碼的形式的，所以讀出來(lái)的溫度值是實(shí)際溫度112度值=-(值減1再取反)*0.0625函數(shù) : : :double {u8a,b; //發(fā)送忽