標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)ā愤@一標(biāo)準(zhǔn)相比于之前的《GB 1552-1979》、《GB 5251-1985》以及《GB 6615-1986》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新:

  1. 適用范圍的明確與擴(kuò)展:新標(biāo)準(zhǔn)明確了其適用于硅、鍺單晶材料電阻率的測(cè)定,特別強(qiáng)調(diào)了直排四探針?lè)ǖ膽?yīng)用,這相比之前的標(biāo)準(zhǔn)可能有更具體的測(cè)量技術(shù)和對(duì)象界定。

  2. 技術(shù)方法的改進(jìn):《GB/T 1552-1995》詳細(xì)規(guī)定了直排四探針?lè)ǖ牟僮鞑襟E、儀器校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)處理等技術(shù)細(xì)節(jié),旨在提高測(cè)量精度和重復(fù)性。相比舊標(biāo)準(zhǔn),可能引入了更先進(jìn)的測(cè)量理論或?qū)嵺`指導(dǎo),以適應(yīng)科技進(jìn)步和行業(yè)需求的變化。

  3. 精度要求的提升:新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)量結(jié)果的精度和誤差范圍提出了更嚴(yán)格的要求,反映了對(duì)材料性能測(cè)試準(zhǔn)確性的更高追求,有助于確保半導(dǎo)體材料質(zhì)量控制的一致性和可靠性。

  4. 術(shù)語(yǔ)和定義的更新:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌和科技進(jìn)步相適應(yīng),標(biāo)準(zhǔn)中可能對(duì)一些專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或新增,使得標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容更加清晰、規(guī)范,便于業(yè)界理解和應(yīng)用。

  5. 試驗(yàn)條件與環(huán)境控制:標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測(cè)試環(huán)境(如溫度、濕度等)和樣品制備過(guò)程中的控制條件給出了更具體的規(guī)定,以減少外界因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

  6. 校驗(yàn)與驗(yàn)證程序:增加了對(duì)測(cè)量設(shè)備的校驗(yàn)要求和驗(yàn)證測(cè)試方法的描述,確保測(cè)量系統(tǒng)的可靠性和測(cè)量結(jié)果的有效性。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)化和兼容性:新標(biāo)準(zhǔn)可能更加注重與其他國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致,提高了標(biāo)準(zhǔn)的通用性和互操作性,方便國(guó)際交流和技術(shù)合作。


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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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UDC669.7821.783:621.317.33H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1552-1995硅、錯(cuò)單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)═estmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconandgermaniumwithacoliinearfour-probearray1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅、錯(cuò)單晶電阻率測(cè)定GB/T1552-1-1995深TestmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconGB5251-GB6615-86andgermaniumwithacollinearfour-probearray主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅、錯(cuò)單品電阻率的方法、本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、錯(cuò)單晶的體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、錯(cuò)單晶圓片(簡(jiǎn)稱(chēng)圓片)的電阻率。測(cè)量范圍為硅:1×10-~3×10°0·cm,錯(cuò):1×10-~1×10°·cm。方法提要排列成一直線(xiàn)的四根探針垂直地壓在近似為半無(wú)窮大的平坦試樣表面上,將直流電流了在兩外探針間通入試樣,測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)兩探針間所產(chǎn)生的電勢(shì)差V,根據(jù)測(cè)得的電流和電勢(shì)差值,按式(1)計(jì)算電阻率。對(duì)圓片試樣還應(yīng)根據(jù)幾何修正因子進(jìn)行計(jì)算。測(cè)量示意圖見(jiàn)圖1。···········(1)式中:--電阻率,0·cmn;測(cè)得的電勢(shì)差,mV;T-通入的電流,mA;S--探針間距,cm。TTTTTTT圖1直排四探針測(cè)量示意圖3儀器與設(shè)備3.1探針裝置由下

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