標準解讀

《GB/T 15649-1995 半導體激光二極管空白詳細規(guī)范》作為一項技術標準，規(guī)定了半導體激光二極管的性能指標、測試方法及合格判定準則等要求。不過，您提供的信息中并未直接給出另一個對比的標準或版本，這使得直接比較具體變更內(nèi)容變得不可能。但可以一般性地說明，不同時間發(fā)布或修訂的標準之間常見的變更可能涉及以下幾個方面：

  1. 技術參數(shù)更新：新標準可能會根據(jù)技術進步和市場需求調整對半導體激光二極管的性能要求，如提高輸出功率穩(wěn)定性、降低閾值電流、優(yōu)化光束質量等。

  2. 測試方法改進：隨著測量技術和儀器的發(fā)展，新標準可能會引入更精確、更高效的測試手段，確保評估結果的準確性和可重復性。

  3. 安全與環(huán)境要求：考慮到用戶安全及環(huán)境保護，新標準可能會增加對產(chǎn)品在電磁兼容性(EMC)、有害物質限制(RoHS)等方面的要求。

  4. 標準化術語和定義：為保持與國際標準的一致性，新標準可能會更新或補充術語定義，以適應行業(yè)發(fā)展的最新語言規(guī)范。

  5. 合格判定準則調整：可能根據(jù)實際應用反饋調整產(chǎn)品的合格判定標準，使其更加合理且適用。

  6. 增加或刪除部分內(nèi)容：根據(jù)技術發(fā)展或市場需求，新標準可能會增加新的章節(jié)來規(guī)范新技術或產(chǎn)品特性，同時可能也會刪去一些過時或不再適用的內(nèi)容。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1995-07-24 頒布
  • 1996-04-01 實施
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UDC621.382.2L48中華人民共和國國家標準GB/T15649—1995半導體激光二極管空白詳細規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes1995-07-24發(fā)布1996-04-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導體激光二極管空白詳細規(guī)范GB/15649-1995Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制定半導體激光二極管詳細規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細規(guī)范應與本空白詳細規(guī)范相一致。本規(guī)范是與GB4589.1一90《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12565—90《半導體器件光電子器件分規(guī)范》有關的一系列空白詳細規(guī)范中的一個。要求的資料下列所要求的各項內(nèi)容，應列入規(guī)定的相應空欄中。詳細規(guī)范的識別：(1）授權發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準機構名稱。（2）IECQ詳細規(guī)范號。（3）總規(guī)范和分規(guī)范號及其年份號。（4）詳細規(guī)范號，發(fā)布日期和國家要求的任何更多的資料。器件的識別：（5）器件型號：(6）典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足幾種應用,則應在詳細規(guī)范中指出。這些應用的特性.極限值和檢驗要求應予滿足。（7）外形圖和(或)引用有關的外形標準。(8）質量評定類別。（9）能在器件各型號之間比較的最重要特性的參考數(shù)據(jù)，「整個空白詳細規(guī)范中，在方括號內(nèi)給出的內(nèi)容僅供指導制定詳細規(guī)范時用，而不包括在詳細規(guī)范中在極限值和特性值的"數(shù)值”欄中,"X"表示在詳細規(guī)范中應給出的

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