標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15651-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第5部分：光電子器件》作為中國國家標(biāo)準(zhǔn)，詳細(xì)規(guī)定了光電子器件的分類、性能參數(shù)、測試方法及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存要求。然而，您提供的對比參照物不完整，無法直接進(jìn)行詳細(xì)的變更對比分析。為了進(jìn)行有效的對比，通常需要另一份具體的標(biāo)準(zhǔn)文檔或版本號來進(jìn)行細(xì)致的差異剖析，比如將其與該標(biāo)準(zhǔn)的前一版或后續(xù)修訂版相比，或者與其他相關(guān)國際標(biāo)準(zhǔn)如IEC（國際電工委員會）的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較。

不過，可以一般性地說明，在不同時間發(fā)布的同類技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之間，變更可能涉及以下幾個方面：

  1. 術(shù)語和定義更新：隨著技術(shù)進(jìn)步，新的光電子器件不斷涌現(xiàn)，標(biāo)準(zhǔn)可能會引入新的術(shù)語或修改原有定義以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展。
  2. 分類調(diào)整：根據(jù)器件的新類型或應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，標(biāo)準(zhǔn)可能會對光電子器件的分類進(jìn)行增補(bǔ)或重新組織。
  3. 性能參數(shù)和測試方法優(yōu)化：隨著測量技術(shù)的進(jìn)步和對器件性能要求的提高，標(biāo)準(zhǔn)會更新性能參數(shù)指標(biāo)和推薦更準(zhǔn)確、高效的測試方法。
  4. 環(huán)境與可靠性要求加強(qiáng)：考慮到環(huán)保要求提升和對器件長期穩(wěn)定性的更高期待，標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)對器件環(huán)保材料使用、能耗限制以及可靠性測試的規(guī)定。
  5. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存規(guī)范：為確保器件在流通和存儲過程中的安全與質(zhì)量，標(biāo)準(zhǔn)可能會細(xì)化相關(guān)標(biāo)識要求及包裝、運(yùn)輸規(guī)范。

沒有具體的對比對象，以上只是一般性推測，實(shí)際的變更內(nèi)容需要依據(jù)完整的兩份標(biāo)準(zhǔn)文檔進(jìn)行詳細(xì)比對才能確定。


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  • 1995-07-24 頒布
  • 1996-04-01 實(shí)施
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GB/T 15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件_第1頁
GB/T 15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件_第2頁
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GB/T 15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件_第4頁
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文檔簡介

UDC621.382L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.15651-1995IEC747-5—1992半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratedcircuitsPart5：0ptoelectronicdevices1995-07-24發(fā)布1996-04-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

次第I章總則引言1（1）范圍（1）第I章術(shù)語和文字符號物理概念21.1、（電磁)輻射(IEV845-01-01）1.22光學(xué)輻射(IEV845-01-02）21.3可見光輻射(IEV845-01-03)21.4外輻射(IEV845-01-04）1.5外輻射(IEV845-01-05）1.6光（IEV845-01-06）··….…·1.7光電效應(yīng)(根據(jù)IEV845-05-33:光電探測器)2器件類型2.1半導(dǎo)體光電子器件2.2華華導(dǎo)體光發(fā)射器件2.3半導(dǎo)體光電子顯示器件2.4半導(dǎo)體激光器2.5發(fā)光二極管(LED)2.6紅外發(fā)射二極管(IRED)2.7半半導(dǎo)體光敏器件2.8華導(dǎo)體光電探測器2.9半導(dǎo)體光敏電阻,光導(dǎo)元件(IEV845-05-37)2.10光電元件,光伏電池(IEV845-05-38)2.11光電二極管(IEV845-05-39)2.12雪崩光電二極管(IEV845-05-40)2.13光電品體管·……2.14光敏閘流管·……2.153-般術(shù)語3.1光軸3.22（半導(dǎo)體光電子器件)光學(xué)窗口3.33（光學(xué))涂層(IEV-731-02-05）4與額定值和特性有關(guān)的術(shù)語4.1一般術(shù)語4.22光發(fā)射器件

4.3光電探測器件·4.4光榴合器……（16）5文字符號………（17）第Ⅱ章基本額定值和特性第1節(jié)發(fā)光二極管（用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的器件在第7節(jié)敘述）路通···········（17）華導(dǎo)體材料…2（17)顏色···············3（17)外形與封裝細(xì)節(jié)(17）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）(18）光電特性……6（18）補(bǔ)充資料……·7（18）第2節(jié)紅外發(fā)射二極管（用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的紅外發(fā)射二極管將在第7節(jié)敘述）（18）華導(dǎo)體材料·2（19）外形與封裝細(xì)節(jié)…3(19）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）（19）光光電特性……5（19)補(bǔ)充資料………·（19）第3節(jié)光電二極管（用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外)類型……（20）華導(dǎo)體材料…22（20）外形與封裝細(xì)節(jié)…（20）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）（20）5(20）補(bǔ)充資料……6（21）第4節(jié)光電品體管（用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外)（21）半導(dǎo)體材料………（21）極極性……3(21）外形與封裝細(xì)節(jié)….4(21）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）55（21）光電特茶：·····································66（21）補(bǔ)充資料…(22）

第5節(jié)光幫合器(品體管輸出）（22)半導(dǎo)體材料·2（22）輸出晶體管的極性……(23）外形與封裝細(xì)節(jié)…（23）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）5（23)光電特性…6（24）補(bǔ)充資料……（25）第6節(jié)激光二極管類型……（25）半導(dǎo)體………·2（25）外形與封裝細(xì)節(jié)…3（25）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值》除非另有規(guī)定》…(25)光光電特性………5（26）66補(bǔ)充資料·(27）第7節(jié)用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的發(fā)光二極管和紅外發(fā)射二極管類型…·…···（27）半導(dǎo)體材料···········2外形與封裝細(xì)節(jié)·3（27）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定》…（28)光電特性……5（28）補(bǔ)充資料……6（29）第8節(jié)帶尾纖的激光器組件（30）半導(dǎo)體………2（30)3外形與封裝細(xì)節(jié)·（30）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）（30）光國帶閣：············································5（31）6補(bǔ)充資料………（33）危害性………（33)第9節(jié)用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的PIN光電二極管（33）2半導(dǎo)體材料·（33)外形與封裝細(xì)節(jié)·3（34）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定）4(345光電特性·（34）補(bǔ)充資料·…6（35）

第10節(jié)帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管（APD.)（35）半導(dǎo)體…………2（35）外形與封裝細(xì)節(jié)·(35）在整個工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對最大值）除非另有規(guī)定)(35）光電特性…536補(bǔ)充資料……………（36)第N章測試方法半導(dǎo)體發(fā)射器件測試方法….C371.1發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度（7）………（37）1.2紅紅外發(fā)射二極管的輻射強(qiáng)度（.）……(38)1.3帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管LED、紅外發(fā)射二極管(IRED)和激光二極管輻射功率或正向電流·（39）1.4峰值發(fā)射波長(a。）,光譜輻射帶寬（AA)和縱模數(shù)(u)（39)1.5帶或不帶尾纖的紅外發(fā)射二極管和發(fā)光二極管的開關(guān)時間………（42）1.6帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管(LED）、紅外發(fā)射二極管(IRED)和激光二極管的小信號截止（43）1.7帶或不帶尾纖的激光二極管的閩值電流……（44）1.8帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管（I.ED))紅外發(fā)射“極管(IREI)和激光一極臀的機(jī)對噪聲強(qiáng)皮··115)1.9不帶尾纖的激光二極管發(fā)射源的高度、寬度和像散（46)1.10帶或不帶尾纖的激光二極管的開關(guān)時間·(47）1.11光發(fā)射器件的半強(qiáng)度角和角偏差·………（49）1.12帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管、紅外發(fā)射二極管、激光二極管和激光器組件的載流子與噪聲H············(51）1.13帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管、紅外發(fā)射二極管、激光二極管和激光器組件的S，參數(shù)…(53)1.14帶尾纖、帶或不帶致冷器的激光器組件的跟蹤誤差…………(54）1.15帶或不帶尾纖激光二極管的光譜線寬·(55）2光電探測器件的測試方法……(57）2.1帶或不帶尾纖的光電二極管，光照下的反向電流（Trm,）或7k和光電晶體管光照下的集電被發(fā)新（7商M2m6kh）·oo0ooooooooooooooooo0oooooooooooooooooeoooo（57）2.2光電二極管的暗電流/mm,和光電品體管的暗電流lceo,1eoa.lew(59）光電品體管的集電極-發(fā)射極他和電壓Voe"2.3(60）2.4PIN光電二極管的噪聲………（61）2.5帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管的過剩噪聲因子……………(62）2.6帶或不帶尾纖的光電二極管的小信號截止頻率……(64)2.7帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管倍增因子…(65）2.8帶或不帶尾纖的PIN光電二極管或雪崩光電二極管(APD)的開關(guān)時間（66)3光幫合器測試方法…………….….….…·…·…·（68）3.1電流傳輸比(hrer,）（68）3.2輸入-輸出電容(Cuo）………（69）

3.3輸入和輸出之間的隔離電阻(Ro）（69)隔離試驗(yàn)……（70)光合器的局部放電……（71)光幫合器的集電極-發(fā)射極飽和電壓V。（75)3：1光幫合器的開關(guān)時間……（76)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路CB/T15651-1995第5部分:光電子器件IEC747-5-1992SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratcdcircuitsPart5：0ptoelectronicdevices分立器件和集成電路本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC747-5一1992《半導(dǎo)體器件第5部分：光電子器件》第I章總1引分立器件和集成電路通常.本標(biāo)準(zhǔn)需要與IEC747-1—1983《半導(dǎo)體器件第1部分：總則》一起使用。在IEC747-1中，可找到下列的全部基礎(chǔ)資料：一術(shù)語；文字符號；-基木額定值和特性：-測試方法；接收和可算性.2范圍本標(biāo)淮給出了下列類型和分類型器件的標(biāo)準(zhǔn)：·半導(dǎo)體光發(fā)射器件，包括：發(fā)光二極管（LEDs）：紅外發(fā)射二極管

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