標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 16524-1996 光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范》作為一項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，為光掩模制造與使用中的對準(zhǔn)標(biāo)記制定了詳細(xì)要求。不過，您提供的信息似乎期望對比該標(biāo)準(zhǔn)與其他某個(gè)特定標(biāo)準(zhǔn)的差異，但未明確指出比較的另一方。因此，直接對比變更點(diǎn)較為困難。不過，可以一般性地說明此類標(biāo)準(zhǔn)更新時(shí)可能包含的變動(dòng)方向：

  1. 精度要求調(diào)整：新版本標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，對光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記的精度提出更高要求，以適應(yīng)更小線寬和更高集成度的集成電路制造需求。

  2. 標(biāo)記設(shè)計(jì)規(guī)范更新：隨著工藝技術(shù)和材料科學(xué)的發(fā)展，可能會(huì)引入新的標(biāo)記設(shè)計(jì)規(guī)則，以提高對準(zhǔn)效率和準(zhǔn)確性，比如采用不同波長光的敏感標(biāo)記設(shè)計(jì)。

  3. 檢測與驗(yàn)證方法改進(jìn)：更新的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入新的檢測技術(shù)和驗(yàn)證流程，確保對準(zhǔn)標(biāo)記的質(zhì)量控制更加嚴(yán)格和高效。

  4. 兼容性與國際接軌：為了促進(jìn)國際交流與合作，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增強(qiáng)與國際同類標(biāo)準(zhǔn)的兼容性，采納國際上的先進(jìn)理念和技術(shù)指標(biāo)。

  5. 術(shù)語與定義的修訂：隨著行業(yè)的發(fā)展，一些術(shù)語可能有了新的含義或出現(xiàn)了新的概念，標(biāo)準(zhǔn)會(huì)進(jìn)行相應(yīng)的更新以保持其準(zhǔn)確性和現(xiàn)代性。

  6. 環(huán)保與可持續(xù)性要求：現(xiàn)代標(biāo)準(zhǔn)制定越來越注重環(huán)境保護(hù)和資源可持續(xù)利用，新版本可能會(huì)增加關(guān)于材料回收、減少有害物質(zhì)使用等方面的要求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1996-09-09 頒布
  • 1997-05-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 16524-1996光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范_第1頁
GB/T 16524-1996光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范_第2頁
GB/T 16524-1996光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范_第3頁
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文檔簡介

ICS31.200295中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16524--1996光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范Specificationforregistrationmarksforphotomasks1996-09-09發(fā)布1997-05-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T16524-1996本標(biāo)準(zhǔn)等效采用SEMI標(biāo)準(zhǔn)《微型構(gòu)圖》部分中的SEMIP6-88《光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范》Specifica-tionforregistrationmarksforphotomasks）。本標(biāo)準(zhǔn)與已經(jīng)轉(zhuǎn)化為我國標(biāo)準(zhǔn)的SEMIP1一92《硬面光掩?；濉?GB/T15871一1995)、SEMIP2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》(GB/T15870—1995)、SEMIP4-92《圓形石英玻璃光掩?；逡?guī)范》(GB/T16523-1996)、SEMIP3-90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑規(guī)范》GB/T16527-1996),以及將要轉(zhuǎn)化為我國標(biāo)準(zhǔn)的SEMIP21-92《掩模曦光系統(tǒng)精確度表示準(zhǔn)則》、SEMIP22—93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的指南》、SEMIP19-92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范》等項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成一個(gè)微型構(gòu)圖標(biāo)準(zhǔn)系列制定本標(biāo)準(zhǔn)將使我國半導(dǎo)體集成電路光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記的設(shè)計(jì)和制造規(guī)范化，有利于我國半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)和科研，便于與國際半導(dǎo)體集成電路制造業(yè)接軌，亦有利于國際間工業(yè)技術(shù)交流、本標(biāo)準(zhǔn)的格式和結(jié)構(gòu)按國標(biāo)GB/T1.1一1993的規(guī)定編制。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國科學(xué)院微電子中心，本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳寶欽、陳森錦、陳福山、馮朝斌

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)cB/T16524-1996光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范Specificationforregistrationmarksforphotomasks范臣本規(guī)范規(guī)定了所有光掩模上使用的對準(zhǔn)標(biāo)記的形狀、尺寸范圍和一般位置本規(guī)范適用于光掩模。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。SJ/T10152—91集成電路主要工藝設(shè)備術(shù)語SJ/T10584-94微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語3定義規(guī)范中所用術(shù)語的定義按SJ/T10152、SJ/T10584的規(guī)定。要求4.1一般要求4.1.1對準(zhǔn)標(biāo)記的完整規(guī)范應(yīng)由電路設(shè)計(jì)者、掩模制造者和掩模使用者協(xié)商確定。4.1.2規(guī)范規(guī)定制作在光掩模上的一種特定標(biāo)記，用以確定同-一套光掩模內(nèi)，一塊光掩模對另一塊光掩模的相對位置精度。4.1.3對準(zhǔn)標(biāo)記不是預(yù)定用于確定光刻機(jī)上光掩模在同一品片上的圖像層對任何后續(xù)圖像層的套準(zhǔn)精度。4.2對準(zhǔn)標(biāo)記的形狀及尺寸4.2.1標(biāo)記形狀應(yīng)呈十字形，見圖1。4.2.2標(biāo)記中水平線和垂直線交疊處所構(gòu)成的區(qū)域應(yīng)定為“利用區(qū)”。在該區(qū)域內(nèi)，設(shè)計(jì)者、拖模制造者和掩模使用者可以設(shè)置任何幾何圖形。但"利用區(qū)"內(nèi)所設(shè)定的幾何圖形不得超過交疊區(qū)界線，見圖2。4.2.3標(biāo)記水平線和垂直線的寬度(W)應(yīng)相等，4.2.4標(biāo)記水平線和垂直線的長度(L)應(yīng)相等。4.2.5標(biāo)記水平線、垂直線的寬度和長度可以因設(shè)計(jì)規(guī)則、倍率、工藝要求而

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