標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.1-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 固體含量測(cè)定》與《GB/T 17473.1-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 固體含量測(cè)定》相比,主要存在以下幾方面的差異:

  1. 適用范圍調(diào)整:2008版標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)大了適用范圍,從原來的“厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料”擴(kuò)展到更廣泛的“微電子技術(shù)用貴金屬漿料”,這表明新標(biāo)準(zhǔn)旨在覆蓋更多類型的貴金屬漿料應(yīng)用領(lǐng)域。

  2. 測(cè)試方法更新:新標(biāo)準(zhǔn)可能引入或修訂了固體含量的測(cè)定方法,以適應(yīng)科技進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展的需求。盡管具體的技術(shù)細(xì)節(jié)需要查閱標(biāo)準(zhǔn)原文,但通常此類更新旨在提高測(cè)試精度、簡(jiǎn)化操作流程或采用更現(xiàn)代的分析技術(shù)。

  3. 精密度和準(zhǔn)確度要求變化:2008版標(biāo)準(zhǔn)很可能對(duì)測(cè)試結(jié)果的精密度和準(zhǔn)確度提出了新的要求,反映了對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量控制更加嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),以確保不同實(shí)驗(yàn)室間測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性。

  4. 術(shù)語和定義的更新:隨著技術(shù)進(jìn)步,相關(guān)術(shù)語和定義可能有所變化。新標(biāo)準(zhǔn)會(huì)根據(jù)當(dāng)前行業(yè)共識(shí),對(duì)關(guān)鍵術(shù)語進(jìn)行明確或更新,以增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和適用性。

  5. 規(guī)范性引用文件更新:2008版標(biāo)準(zhǔn)會(huì)引用最新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或其他規(guī)范性文件,這些引用文件的更新有助于保證測(cè)試方法的先進(jìn)性和國(guó)際兼容性。

  6. 實(shí)驗(yàn)條件和步驟的優(yōu)化:為了提高測(cè)試效率和減少人為誤差,新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)實(shí)驗(yàn)條件(如溫度、時(shí)間控制)和操作步驟進(jìn)行了細(xì)化或優(yōu)化。

  7. 環(huán)保和安全要求:隨著對(duì)環(huán)境保護(hù)和操作人員安全重視程度的提高,新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了相關(guān)的環(huán)保和安全要求,指導(dǎo)用戶在測(cè)試過程中采取必要的防護(hù)措施。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定_第1頁
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定_第2頁
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定_第3頁
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛77.120.99

犎68

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜17473.1—2008

代替GB/T17473.1—1998

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

固體含量測(cè)定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉

犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狊狅犾犻犱狊犮狅狀狋犲狀狋

20080331發(fā)布20080901實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

犌犅/犜17473.1—2008

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T17473—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》(所有部分)的整合修

訂,分為7個(gè)部分:

———GB/T17473.1—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定;

———GB/T17473.2—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定;

———GB/T17473.3—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定;

———GB/T17473.4—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)試;

———GB/T17473.5—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法粘度測(cè)定;

———GB/T17473.6—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法分辨率測(cè)定;

———GB/T17473.7—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法可焊性、耐焊性測(cè)定。

本部分為GB/T17473—2008的第1部分。

本部分代替GB/T17473.1—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定》。

本部分與GB/T17473.1—1998相比,主要有如下變動(dòng):

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定;

———?jiǎng)h除了引用文件GB/T2421—1989;

———本部分增加了聚合物低溫固化型漿料的固體含量測(cè)定內(nèi)容;

———對(duì)于聚合物低溫固化漿料,根據(jù)漿料使用溫度的不同來確定檢測(cè)固體含量的溫度;

———漿料平行取樣由兩份增加為三份;

———?jiǎng)h除了中溫?zé)蓾{料的內(nèi)容,將高溫?zé)蓾{料改為燒結(jié)型漿料;

———試料相互之間測(cè)試值之差不大于平均值的1%測(cè)定結(jié)果有效。

本部分由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人:陳一、張駿、朱武勛。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T17473.1—1998。

犌犅/犜17473.1—2008

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

固體含量測(cè)定

1范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中固體含量的測(cè)試方法。

本部分適用于各種燒結(jié)型和固化型微電子技術(shù)用貴金屬漿料固體含量的測(cè)定。

2引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。

GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則

3方法原理

貴金屬漿料在一定溫度下加熱一定時(shí)間,根據(jù)加熱前后的質(zhì)量差測(cè)定其固體含量。

4儀器與設(shè)備

4.1天平:感量為0.0001g。

4.2箱式電阻爐:最高使用溫度1000℃,控溫精度為±20℃。

4.3鼓風(fēng)式恒溫烘箱:最高使用溫度300℃,控溫精度為±5℃。

4.4干燥器:變色硅膠作干燥劑。

5試樣

將樣品攪拌均勻,不得引入雜質(zhì)。

6測(cè)試步驟

實(shí)驗(yàn)環(huán)境:環(huán)境溫度15℃~35℃、相對(duì)濕度45%~75%、大氣壓強(qiáng)86kPa~106kPa。

6.1試料

6.1.1燒結(jié)型漿料:稱取三份1g的試料,準(zhǔn)確到0.0001g,分別置于已恒重的2mL瓷坩堝中。

6.1.2固化型漿料:稱取三份0.2g~0.3g的試料,準(zhǔn)確到0.0001g,分別置于聚酯PET薄膜片上,

適當(dāng)攤開。

6.2實(shí)驗(yàn)溫度與操作

6.2.1燒結(jié)型漿料:將裝有試料的坩堝置于箱式電阻爐中,微開爐門,升溫至150℃,保溫30min。關(guān)

上爐門,繼續(xù)升溫至850℃,保溫30min。燒結(jié)完成后關(guān)閉電源,打開爐門冷卻至80℃~100℃取出坩

堝,置于干燥器中,冷卻至室溫,稱量。

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