標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.3-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》與《GB/T 17473.3-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》相比，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新和調(diào)整：

  1. 適用范圍擴(kuò)展：2008版標(biāo)準(zhǔn)不僅涵蓋了厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域，還更廣泛地適用于整個微電子技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的貴金屬漿料，反映出技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。

  2. 測試方法優(yōu)化：新版標(biāo)準(zhǔn)可能對手段、設(shè)備或具體測試步驟進(jìn)行了細(xì)化或改進(jìn)，以提高測試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。例如，可能引入了更先進(jìn)的測量儀器，或?qū)Ψ阶栌嬎愎竭M(jìn)行了修訂，以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展的需求。

  3. 術(shù)語定義更新：隨著技術(shù)發(fā)展，相關(guān)術(shù)語和定義可能有所變化。2008版標(biāo)準(zhǔn)可能會對方阻、貴金屬漿料等關(guān)鍵術(shù)語給出更精確或符合當(dāng)前行業(yè)共識的定義，確保測試過程中的溝通無誤。

  4. 精度和誤差要求調(diào)整：為了適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和對產(chǎn)品質(zhì)量更高要求，新標(biāo)準(zhǔn)可能對方阻測試的精度要求進(jìn)行了調(diào)整，包括但不限于測試結(jié)果的允許誤差范圍、樣品制備的一致性要求等。

  5. 樣品處理和環(huán)境條件規(guī)定：考慮到實驗環(huán)境對方阻測試結(jié)果的影響，2008版標(biāo)準(zhǔn)可能對樣品的預(yù)處理流程、測試環(huán)境的溫濕度控制、以及測試前的穩(wěn)定時間等提出了更嚴(yán)格或具體的要求，以減少外界因素的干擾。

  6. 質(zhì)量控制和驗證程序：為了保證測試結(jié)果的可靠性，新標(biāo)準(zhǔn)可能增加了關(guān)于實驗室內(nèi)部質(zhì)量控制、數(shù)據(jù)處理方法、以及測試結(jié)果驗證的具體指導(dǎo)，幫助實驗室建立更加規(guī)范的操作流程。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實施
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GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第1頁
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GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第3頁
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文檔簡介

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—

犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲

２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字?jǐn)?shù)９千字

２００８年６月第一版２００８年６月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３１５２２

如有印裝差錯由本社發(fā)行中心調(diào)換

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法細(xì)度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法附著力測試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法粘度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動：

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———增加低溫固化型漿料方阻的測定方法；

———原標(biāo)準(zhǔn)的原理中，“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片，經(jīng)過燒結(jié)后，膜層在一定溫度及其厚度、寬

度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上，經(jīng)過燒結(jié)或

固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；

———測厚儀修改為：光切顯微測厚儀用于燒結(jié)型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

本部分的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本部分由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本部分由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人：金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測試方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本

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