標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 19248-2003 封裝引線電阻測試方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了對封裝引線電阻進(jìn)行測試的具體方法、要求及評估準(zhǔn)則。與未明確指明的前一版標(biāo)準(zhǔn)或同類標(biāo)準(zhǔn)相比，它主要在以下幾個方面進(jìn)行了調(diào)整和改進(jìn)：

  1. 測試精度提升：新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更嚴(yán)格的測量精度要求，確保測試結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠，以滿足高性能電子元件的需求。

  2. 測試程序細(xì)化：標(biāo)準(zhǔn)中對測試前的準(zhǔn)備步驟、測試環(huán)境條件（如溫度、濕度）、以及測試儀器的校準(zhǔn)要求進(jìn)行了細(xì)化說明，增強(qiáng)了測試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可重復(fù)性。

  3. 新增測試項(xiàng)目：可能根據(jù)技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需求，增加了對特定類型封裝引線電阻（如高頻性能、功率耐受性）的測試方法，以全面評估其性能。

  4. 安全規(guī)范更新：針對操作安全，新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了最新的安全操作規(guī)程和防護(hù)措施，確保測試過程中人員和設(shè)備的安全。

  5. 術(shù)語和定義完善：為了統(tǒng)一行業(yè)語言，標(biāo)準(zhǔn)中可能對相關(guān)專業(yè)術(shù)語給出了更精確的定義，便于各方準(zhǔn)確理解和執(zhí)行。

  6. 環(huán)境適應(yīng)性考量：可能新增或修訂了關(guān)于不同使用環(huán)境下（如極端溫度、高濕度）封裝引線電阻性能測試的要求，確保產(chǎn)品在各種條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

  7. 國際標(biāo)準(zhǔn)接軌：新標(biāo)準(zhǔn)在制定時可能參考了國際上先進(jìn)的測試標(biāo)準(zhǔn)和方法，使得國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)更加接軌，有利于提高產(chǎn)品的國際競爭力。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2003-07-02 頒布
  • 2003-10-01 實(shí)施
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ICS31.200L55中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19248—2003封裝引線電阻測試方法Testmethodformeasuringtheresistanceofpackageleads2003-07-02發(fā)布2003-10-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T19248一2003前本標(biāo)淮修改采用國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)標(biāo)準(zhǔn)SEMIG25:1989(試驗(yàn)方法測量封裝引線的電阻》.為我國集成電路封裝引線電阻的測量確定一個統(tǒng)一的方法.為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改：a）將英制單位轉(zhuǎn)化為我國的法定計(jì)量單位；b）將第1章目的改為范圍.并將有關(guān)內(nèi)容做了編輯性處理：c）刪除附于標(biāo)準(zhǔn)后面的“注意”。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳裕餛、王琪。

GB/T19248-2003封裝引線電阻測試方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測量封裝引線電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于針柵陣列封裝(PGA)引線電阻的測試該測試技術(shù)也適用于其他微電子封裝如無引線片式載體(LCC)、四邊引線扁平封裝（QFP)和陶瓷雙列封裝(CDIP)等引線電阻的測試。2設(shè)備和器材2.1采用四探針方法(開爾文法）.并配有4根電纜的直流歐姆表·準(zhǔn)確度應(yīng)不低于士4mn.2.2配有四個探針的探針臺。探針的錐度和錐頭直徑應(yīng)允許兩個探針能同時觸到邊長0.13mm的方形范圍內(nèi)·而在別處彼此不會接觸。推薦使用帶四個探針的微動臺。3程序3.1將歐姆表低端的兩個探針盡可能靠近地置于外部引線的臺肩上或外部引線的中央（見圖1.點(diǎn)A）。3.2將歐姆表高端的兩個探針置于靠空腔端的引線末端0.13mm內(nèi)(見圖1,點(diǎn)B)3.3將歐姆表調(diào)至盡可能低的量程，而又不致處于"超量程"狀態(tài)3.4讀取電阻值。使用本方法的總誤差為±20mQ,此誤差估計(jì)值包括了儀器基本誤差.探針位置的重復(fù)性和典型的封裝結(jié)構(gòu)（印制圖準(zhǔn)確度)。針柵陣列封裝人_0.13mn一點(diǎn)A封裝材料一最大0.20mm（內(nèi)腔引線）無引線片式載體點(diǎn)點(diǎn)A引線封裝典型例了點(diǎn)A點(diǎn)人或點(diǎn)B的探針位置圖1電阻的測量住意事項(xiàng)只要仔細(xì)旋轉(zhuǎn)探針的位暨.就可進(jìn)行100mQ以下電阻的測量。例如,在測量0.25mm寬的導(dǎo)線時,二組探針間的距離

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