GB/T 20229-2022磷化鎵單晶

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T20229—2022

代替GB/T20229—2006

磷化鎵單晶

Galliumphosphidesinglecrystal

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20229—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替磷化鎵單晶與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性

GB/T20229—2006《》,GB/T20229—2006,

改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見(jiàn)第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了術(shù)語(yǔ)和定義一章見(jiàn)第章

b)“”(3);

更改了牌號(hào)的表示方法見(jiàn)第章年版的

c)(4,20063.1);

更改了摻雜型磷化鎵單晶錠的載流子濃度電阻率要求見(jiàn)年版的

d)n、(5.1.1,20063.2.2);

增加了型半絕緣型磷化鎵單晶錠的電學(xué)性能要求見(jiàn)

e)p、(5.1.1);

刪除了磷化鎵單晶錠直徑的要求見(jiàn)年版的

f)(20063.2.4);

增加了磷化鎵單晶錠的位錯(cuò)密度要求見(jiàn)

g)(5.1.3);

刪除了磷化鎵單晶錠無(wú)孿晶線的要求見(jiàn)年版的

h)(20063.2.5);

更改了磷化鎵單晶研磨片位錯(cuò)密度的要求見(jiàn)年版的

i)(5.2.1,20063.3.2);

增加了磷化鎵單晶研磨片表面取向的要求見(jiàn)

j)(5.2.2);

更改了直徑磷化鎵單晶研磨片的厚度及允許偏差要求見(jiàn)年版的

k)50.8mm(5.2.3,20063.3.4);

增加了磷化鎵單晶研磨片幾何參數(shù)中翹曲度總厚度變化總指示讀數(shù)的要求見(jiàn)

l)、、(5.2.3);

增加了直徑磷化鎵單晶研磨片的幾何參數(shù)要求見(jiàn)

m)63.5mm、76.2mm(5.2.3);

更改了磷化鎵單晶研磨片表面質(zhì)量的要求見(jiàn)年版的

n)(5.2.4,20063.3.3);

更改了試驗(yàn)方法見(jiàn)第章年版的第章

o)(6,20064);

更改了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定見(jiàn)第章年版的第章

p)、、(7,20065);

更改了標(biāo)志的要求見(jiàn)年版的

q)(8.1,20066.1);

更改了包裝的要求見(jiàn)年版的

r)(8.2,20066.2、6.3);

更改了隨行文件的要求見(jiàn)年版的

s)(8.5,20066.5);

增加了訂貨單內(nèi)容見(jiàn)第章

t)(9);

增加了規(guī)范性附錄磷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法見(jiàn)附錄

u)“”(A)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所有研國(guó)晶輝新材料有限公司有色金屬技

:、、

術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

。

本文件主要起草人孫聶楓王陽(yáng)李曉嵐劉惠生李素青王書(shū)杰邵會(huì)民史艷磊張路許興

:、、、、、、、、、、

付莉杰張曉丹姜?jiǎng)?/p>

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

Ⅰ

GB/T20229—2022

磷化鎵單晶

1范圍

本文件規(guī)定了磷化鎵單晶的牌號(hào)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和隨行文

、、、、、、、

件及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于制作光電微電及聲光器件用的磷化鎵單晶錠及磷化鎵單晶研磨片

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624