標準解讀

GB/T 20229-2006《磷化鎵單晶》是中國關(guān)于磷化鎵（GaP）單晶材料的質(zhì)量標準。這一標準詳細規(guī)定了磷化鎵單晶的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，旨在確保該材料的質(zhì)量可控性與一致性，滿足半導體器件制造等行業(yè)的需求。以下是標準的主要內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：明確了本標準適用的磷化鎵單晶類型，包括未摻雜及特定摻雜的單晶，適用于半導體器件如LED、激光二極管等的制造。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了執(zhí)行本標準時所依據(jù)的其他標準和文件，這些文件對于理解并實施標準中的各項要求至關(guān)重要。

  3. 術(shù)語和定義：對標準中使用的專業(yè)術(shù)語進行了界定，幫助讀者準確理解各條款內(nèi)容。

  4. 分類：根據(jù)磷化鎵單晶的直徑、導電類型（如N型、P型）、摻雜濃度等指標進行分類，便于用戶根據(jù)具體應用需求選擇合適的產(chǎn)品。

  5. 技術(shù)要求：

    • 外觀質(zhì)量：規(guī)定了單晶表面應無明顯缺陷，如裂紋、夾雜等。
    • 尺寸和形狀：詳細說明了單晶直徑、長度及其允許偏差，確保尺寸一致性。
    • 晶體質(zhì)量：包括位錯密度、微缺陷等參數(shù)，要求達到一定的高標準以保證材料性能。
    • 電學性能：規(guī)定了電阻率、載流子濃度等電學參數(shù)的測試方法及合格范圍。
    • 化學純度：設(shè)定了磷化鎵單晶中雜質(zhì)元素的最大含量限制，以確保材料的高純度。

  6. 試驗方法：描述了如何進行外觀檢查、尺寸測量、晶體質(zhì)量評估、電學性能測試以及化學成分分析的具體步驟和要求。

  7. 檢驗規(guī)則：包括產(chǎn)品檢驗的類別（如出廠檢驗、型式檢驗）、抽樣方案、判定規(guī)則等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合標準要求。

  8. 標志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了產(chǎn)品標識信息、包裝材料與方式、運輸條件以及儲存環(huán)境的要求，以防產(chǎn)品在流通和儲存過程中受損或性能下降。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 20229-2022
  • 2006-04-21 頒布
  • 2006-10-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 20229-2006磷化鎵單晶_第1頁
GB/T 20229-2006磷化鎵單晶_第2頁
GB/T 20229-2006磷化鎵單晶_第3頁
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文檔簡介

ICS29.045H83中華人民共和國國家標準GB/T20229-一2006磷化家單晶Galliumphosphidesinglecrystal2006-04-21發(fā)布2006-10-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T20229—2006前本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標準由信息產(chǎn)業(yè)部(電子)歸口。本標準起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所.本標準主要起草人:孫聶楓、周曉龍、孫同年。

GB/T20229—2006磷化家單1范圍本標準規(guī)定了非摻雜、摻S、摻Te的·型磷化鏢單晶鍵及單品片的牌號、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、財存等、本標準適用于高壓液封直拉法(HP-LEC)制備的磷化鏢單品材料(以下簡稱單品)。規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1555，半導體單品品向測定方法GB/T2828(所有部分）計數(shù)抽樣檢驗程序GB/T4326非本征半導體單品霍耳遷移率和霍耳系數(shù)測量方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GJB3076磷化家單品片規(guī)范要求3.1牌號磷化家單品的牌號表示方法為：HPLEC-GaP-口()-（表示晶向表示導電類型，括號內(nèi)的元素符號表示摻雜劑表示磷化家單品表示高壓液封直拉法示例：HPLEC-GaP-N(S)-111),表示高壓液封直拉法摻硫n型(111)品向磷化鏢單品3.2磷化單晶鍵特性3.2.1磷化鏢的導電類型為n型。3.2.2磷化鏢單品鍵的摻雜劑、霍耳遷移率和電阻率應符合表1的規(guī)定.表1磷化家單晶的導電類型、摻雜劑、電學參數(shù)載流子濃度/遷移率/電阻率/導電類型摻雜劑Lcm'/（V·s門cm-（n·cm）2×101~8×10！二10010~10°

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