標準解讀
GB/T 20516-2006 是一項中國國家標準,全稱為《半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分:微波器件》。該標準主要針對半導(dǎo)體領(lǐng)域中的分立器件,特別是那些應(yīng)用于微波頻率范圍的器件,規(guī)定了此類器件的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量評定的相關(guān)準則。
標準適用范圍
本標準適用于工作在微波頻段的半導(dǎo)體分立器件,這些器件常用于雷達、通信、導(dǎo)航以及其它高頻電子系統(tǒng)中,對于器件的性能參數(shù)、可靠性及一致性提出了具體要求。
主要內(nèi)容概覽
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術(shù)語和定義:首先明確了微波器件相關(guān)的專業(yè)術(shù)語和定義,確保行業(yè)內(nèi)溝通的一致性和準確性。
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分類與命名:根據(jù)器件的工作原理、結(jié)構(gòu)特點等,對微波器件進行了分類,并規(guī)范了命名規(guī)則,便于識別和選用。
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技術(shù)要求:詳細列出了微波器件應(yīng)滿足的各項技術(shù)指標,包括但不限于工作頻率范圍、功率處理能力、增益、噪聲系數(shù)、穩(wěn)定性、以及在不同環(huán)境條件下的工作性能等。
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測試方法:規(guī)定了如何對器件進行測試以驗證其是否符合技術(shù)要求,包括測試環(huán)境、測試設(shè)備、測試步驟及數(shù)據(jù)處理方法等。確保測試結(jié)果的可重復(fù)性和準確性。
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質(zhì)量評定規(guī)則:基于測試結(jié)果,確立了器件合格與否的評判標準,以及在批量生產(chǎn)中如何進行質(zhì)量控制和抽樣檢驗的具體方法。
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標志、包裝、運輸和儲存:對產(chǎn)品的標識信息、包裝要求、以及在運輸和儲存過程中的保護措施給出了指導(dǎo),以防止器件性能因外界因素受損。
重要性
此標準為微波器件的設(shè)計、生產(chǎn)和應(yīng)用提供了統(tǒng)一的標準框架,有助于提升產(chǎn)品質(zhì)量,促進技術(shù)交流與貿(mào)易,同時也為用戶選擇合適的微波器件提供了依據(jù),保障了微波系統(tǒng)的可靠運行和性能優(yōu)化。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2006-10-10 頒布
- 2007-02-01 實施
文檔簡介
ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標準GB/T20516—2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分:微波器件Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4:Microwavedevices(IEC60747-4:2001,IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會
GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001三次前言第I篇總則引言2范圍文字符號第Ⅱ篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管概述2術(shù)語和文字符號基本額定值和特性3側(cè)試方法第2節(jié)階躍二極管和肖特基二極管221術(shù)語和文字符號……221基本額定值和特性22測試方法………4_23第加篇混頻二極管和檢波二極管第1節(jié)雷達用混頻二極管概述……………….282術(shù)語和文字符號·293基本額定值和特性·4_30第2節(jié)通信用混頻二極管概述……422術(shù)語和文字符號………42基本額定值和特性342測試方法…43第3節(jié)檢波二極管(在考患中)
GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001第V篇雪崩二極管第1節(jié)雪崩二極管放大器1概述……442術(shù)語和文字符號…44基本額定值和特性·46第2節(jié)雪崩二極管振蕩器(在考慮中)第V篇體效應(yīng)二極管概述……….1482術(shù)語和文字符號·48基本額定值和特性·348測試方法…………448第篇雙極型晶體管(在考慮中)第山篇場效應(yīng)晶體管512術(shù)語和文字符號………3基本額定值和特性…53第加篇評價和可靠性特特殊要求電試驗條件·652接收試驗的判定失效的特性和失效判據(jù)……………可靠性試驗的判定失效的特性和失效判據(jù)3試驗出現(xiàn)差錯時的程序…......65表1666表2附錄NA(資料性附錄)本標準對IEC60747-4:2001所作的編輯性修改及其原因668
GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001本標準是半導(dǎo)體器件分分立器件系列國家標準之一。下面列出本系列已出版的國家標準,以及代替的國家標準:GB/T4589.1-2004半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(IEC60747-10:1991.IDT.代替GB/T4589.1-1989)半導(dǎo)體器件GB/T12560-1999分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990)-GB/T17573-1998分分立器件和集成電路華導(dǎo)體器件第1部分:總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997華導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管(eqvIEC60747-2:1983)分立器件GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件第第3部分:信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管(idtIEC60747-3:1985)GB/T20516-2006半導(dǎo)體器件:分立器件:第4部分:微波器件(idtIEC60747-4:2001)-GB/T15291一1994半導(dǎo)體器件第6部分:晶閘管(eqvIEC60747-6:1991)GB/T4587—1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分:雙極型品體管(eqvIEC60747-7:1988.代替GB/T4587-1984和GB/T6801-1986)GB/T6217—1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管空白詳細規(guī)范(eqvIEC60747-7-1:1989.代替GB/T6217—1986)GGB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細規(guī)范(eqvIEC60747-7-2:1989.代替GB/T7577-1987)-B/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細規(guī)范(eqvIEC60747-7-3:1991,代替GB/T6216-1986)GB/T7576-1998半導(dǎo)體器件分分立器件第7部分:雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細規(guī)范(eqvIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987)-GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場效應(yīng)品體管(eqvIEC60747-8:GB/T6219—1998半導(dǎo)體器件第一篇分立器件第8部分:場效應(yīng)品體管1GH5W以下單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細規(guī)范(eavIEC60747-8-1:1987.代替GB/T6219一1986)-GB/T15449—1995管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細規(guī)范(eqvIEC60747-8-3:1995)本標準等同采用國際標準IEC60747-4:2001《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分:微波器件》1.2版(英文版)。本標準等同翻譯IEC60747-4:2001(英文版)由于IEC60747-4存在印刷錯誤和疏漏,本標準在采用該國際標準時進行了編輯性修改,并在本標準附錄NA中給出了這些編輯性修改的一覽表.以供參考。本標準的附錄NA為資料性附錄。本標準由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出本標準由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會歸口本標準起草單位:中國電子科技集團公司第五十五研究所本標準主要起草人:黃玉英、金鎮(zhèn)銓。
GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分:微波器件第I篇總則1引育本標準通常需要與GB/T17573—1998一起使用,在GB/T17573—1998中可找到關(guān)于以下各方面的基礎(chǔ)資料:術(shù)語:文字符號:基本額定值和特性;測試方法;接收和可靠性本標準各章的編排順序符合GB/T17573—1998第Ⅱ篇2.1的規(guī)定2范圍本標準給出了以下門類分立器件的標準:-變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管(用于調(diào)譜、上變頻器或譜波倍頻器、開關(guān)、限幅器、移相器、參量放大器等)混頻二極管和檢波二極管雪崩二極管(用于譜波發(fā)生器、放大器等)體效應(yīng)二極管(用于振蕩器、放大器等)雙極型品體管(用于放大器、振蕩器等)場效應(yīng)晶體管(用于放大器、振蕩器等)3文字符號通常,在術(shù)語的標題中加進了文字符號。當(dāng)一個術(shù)語有幾個不同的文字符號時,只給出最通用的第工篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管
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