標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 25074-2010 太陽能級(jí)多晶硅》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范太陽能電池用多晶硅材料的質(zhì)量要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于生產(chǎn)太陽能電池的多晶硅原料，包括但不限于塊狀、顆粒狀等形式的多晶硅。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，太陽能級(jí)多晶硅需滿足一定的物理特性和化學(xué)純度要求。其中，對(duì)于雜質(zhì)元素如硼、磷等有著嚴(yán)格的控制標(biāo)準(zhǔn)，以保證最終產(chǎn)品的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到預(yù)期水平。此外，還規(guī)定了關(guān)于表面質(zhì)量、尺寸偏差等方面的具體指標(biāo)，確保材料的一致性和可靠性。

在檢測(cè)方法上，《GB/T 25074-2010》提供了詳細(xì)的測(cè)試程序和條件，包括樣品準(zhǔn)備、分析技術(shù)選擇（如光譜法）、結(jié)果計(jì)算及表示方式等內(nèi)容。通過這些標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程，可以有效減少不同實(shí)驗(yàn)室或機(jī)構(gòu)間因操作差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)不一致問題。

同時(shí)，該標(biāo)準(zhǔn)也考慮到了環(huán)境保護(hù)方面的要求，在生產(chǎn)過程中應(yīng)采取措施減少對(duì)環(huán)境的影響，并鼓勵(lì)采用更加清潔高效的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。


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....

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  • 2010-09-02 頒布
  • 2011-04-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25074—2010

太陽能級(jí)多晶硅

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2010-09-02發(fā)布2011-04-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

太陽能級(jí)多晶硅

GB/T25074—2010

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街號(hào)

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電話

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各地新華書店經(jīng)銷

*

開本印張字?jǐn)?shù)千字

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201010201010

*

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:()

GB/T25074—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽中硅高科技有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

:、、

研究所中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)西安隆基硅材料股份有限公

、、、

司四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人楊玉安袁金滿孫世龍劉筠賀東江汪義川魯瑾曹宇梁洪

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T25074—2010

太陽能級(jí)多晶硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級(jí)多晶硅的產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和包裝標(biāo)志運(yùn)輸貯存

、、、、、、

及訂貨單或合同內(nèi)容等

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷為原料采用改良西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的棒狀多晶硅塊狀多晶

()、

硅顆粒狀多晶硅產(chǎn)品產(chǎn)品主要用于太陽能級(jí)單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)

、。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款凡是注日期的引用文件其隨后所有

。,

的修改單不包括勘誤的內(nèi)容或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)然而鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

(),,

是否可使用這些文件的最新版本凡是不注日期的引用文件其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)

。,。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T4061

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量單晶硅中族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測(cè)量硅片載流子復(fù)合壽命的測(cè)試方法

SEMIMF1535

3要求

31分類

.

產(chǎn)品按外型分為棒狀塊狀和顆粒狀根據(jù)等級(jí)的差別分為三級(jí)

、,。

32牌號(hào)

.

多晶硅牌號(hào)表示為

:

SGPSi-□-□

用阿拉伯?dāng)?shù)字表示多晶硅等級(jí)

用字母表示棒狀表示塊狀表示粒狀

I、N、G

表示太陽能級(jí)多晶硅

4技術(shù)要求

41等級(jí)

.

太陽能級(jí)多晶硅的等級(jí)及相關(guān)技術(shù)要求應(yīng)符合表的規(guī)定每

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