GB/T 25074-2010太陽能級多晶硅

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25074—2010

太陽能級多晶硅

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2010-09-02發(fā)布2011-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

太陽能級多晶硅

GB/T25074—2010

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中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街號

16

郵政編碼

:100045

網(wǎng)址

電話

:6852394668517548

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

*

開本印張字?jǐn)?shù)千字

880×12301/160.58

年月第一版年月第一次印刷

201010201010

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書號

:155066·1-40400

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舉報電話01068533533

:()

GB/T25074—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽中硅高科技有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

:、、

研究所中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所中國電子材料行業(yè)協(xié)會西安隆基硅材料股份有限公

、、、

司四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人楊玉安袁金滿孫世龍劉筠賀東江汪義川魯瑾曹宇梁洪

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T25074—2010

太陽能級多晶硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級多晶硅的產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則和包裝標(biāo)志運輸貯存

、、、、、、

及訂貨單或合同內(nèi)容等

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷為原料采用改良西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的棒狀多晶硅塊狀多晶

()、

硅顆粒狀多晶硅產(chǎn)品產(chǎn)品主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)

、。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款凡是注日期的引用文件其隨后所有

。,

的修改單不包括勘誤的內(nèi)容或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)然而鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

(),,

是否可使用這些文件的最新版本凡是不注日期的引用文件其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)

。,。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗方法

GB/T4061

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量單晶硅中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測量硅片載流子復(fù)合壽命的測試方法

SEMIMF1535

3要求

31分類

.

產(chǎn)品按外型分為棒狀塊狀和顆粒狀根據(jù)等級的差別分為三級

、,。

32牌號

.

多晶硅牌號表示為

:

SGPSi-□-□

用阿拉伯?dāng)?shù)字表示多晶硅等級

用字母表示棒狀表示塊狀表示粒狀

I、N、G

表示太陽能級多晶硅

4技術(shù)要求

41等級

.

太陽能級多晶硅的等級及相關(guān)技術(shù)要求應(yīng)符合表的規(guī)定每