GB/T 25074-2017太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25074—2017

代替

GB/T25074—2010

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T25074—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽(yáng)能級(jí)多晶硅本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變動(dòng)

GB/T25074—2010《》。GB/T25074—2010,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件

———GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、

刪除了見(jiàn)第章年版的第章

GB/T29849、GB/T31854,SEMIMF1535(2,20102);

技術(shù)指標(biāo)劃分等級(jí)中增加了特級(jí)品的指標(biāo)要求見(jiàn)

———(5.1);

將技術(shù)指標(biāo)中各等級(jí)施受主雜質(zhì)濃度少數(shù)載流子壽命基體金屬雜質(zhì)含量的要求進(jìn)行了修

———/、、

訂并增加了表面金屬雜質(zhì)含量要求見(jiàn)年版的

,(5.1,20104.1);

細(xì)化了塊狀多晶硅尺寸范圍見(jiàn)年版的

———(5.2.1,20104.2);

增加了致密料菜花料珊瑚料的表面質(zhì)量要求見(jiàn)

———、、(5.3.1);

包裝要求不再局限于固定重量不同需求依據(jù)供需雙方協(xié)商見(jiàn)年版的

———,(8.2,20107.1);

增加附錄太陽(yáng)能級(jí)多晶硅參考技術(shù)指標(biāo)將導(dǎo)電類型和電阻率作為參考項(xiàng)見(jiàn)附錄

———A“”,(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽(yáng)中硅高科技有限公司多晶硅材料制備國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)

:、、

研究院江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司內(nèi)蒙古神

、、、、

舟硅業(yè)有限責(zé)任公司亞洲硅業(yè)青海有限公司

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人嚴(yán)大洲萬(wàn)燁毋克力張園園付雷楚東旭趙雄楊素心劉曉霞賀東江

:、、、、、、、、、、

邱艷梅劉淑萍李衛(wèi)南宗冰穆彩霞

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T25074—2010。

Ⅰ

GB/T25074—2017

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的術(shù)語(yǔ)和定義牌號(hào)及分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包

、、、、、

裝運(yùn)輸貯存和質(zhì)量證明書

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷硅烷為原料生長(zhǎng)的棒狀多晶硅或經(jīng)破碎形成的塊狀多晶硅

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T29849

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T31854

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號(hào)及分類

41牌號(hào)

.

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)品牌號(hào)應(yīng)符合的規(guī)定

GB/T