標準解讀
《GB/T 25074-2017 太陽能級多晶硅》是中國國家標準之一,專門針對太陽能級多晶硅材料的質(zhì)量要求和技術規(guī)范進行了詳細規(guī)定。該標準適用于生產(chǎn)、銷售以及使用過程中對太陽能級多晶硅質(zhì)量控制的需求。根據(jù)內(nèi)容的不同,《GB/T 25074-2017》主要從以下幾個方面做出了具體說明:
首先,在定義部分明確了“太陽能級多晶硅”的概念,即指用于制造光伏電池片的高純度硅材料。
接著,標準中列出了多項技術指標,包括但不限于外觀、電阻率范圍、少數(shù)載流子壽命等關鍵參數(shù),并為這些參數(shù)設定了相應的測試方法和合格標準。例如,對于電阻率的要求,根據(jù)不同的應用需求,給出了具體的數(shù)值范圍;而關于少子壽命,則通過特定的測量手段來確定其最低限度值。
此外,《GB/T 25074-2017》還特別強調(diào)了產(chǎn)品包裝與標識的重要性,指出每批出廠的產(chǎn)品都必須附有清晰完整的信息標簽,如生產(chǎn)日期、批號、規(guī)格型號等,以便于用戶識別及后續(xù)追溯。
最后,在檢驗規(guī)則章節(jié)里,本標準詳細描述了抽樣檢查的方法、頻率以及不合格品處理流程等內(nèi)容,確保整個供應鏈條上的產(chǎn)品質(zhì)量得到有效監(jiān)控。同時,對于如何處理爭議性檢測結果也提供了指導原則。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-11-01 頒布
- 2018-05-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T25074—2017
代替
GB/T25074—2010
太陽能級多晶硅
Solar-gradepolycrystallinesilicon
2017-11-01發(fā)布2018-05-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T25074—2017
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替太陽能級多晶硅本標準與相比主要變動
GB/T25074—2010《》。GB/T25074—2010,
如下
:
增加了規(guī)范性引用文件
———GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、
刪除了見第章年版的第章
GB/T29849、GB/T31854,SEMIMF1535(2,20102);
技術指標劃分等級中增加了特級品的指標要求見
———(5.1);
將技術指標中各等級施受主雜質(zhì)濃度少數(shù)載流子壽命基體金屬雜質(zhì)含量的要求進行了修
———/、、
訂并增加了表面金屬雜質(zhì)含量要求見年版的
,(5.1,20104.1);
細化了塊狀多晶硅尺寸范圍見年版的
———(5.2.1,20104.2);
增加了致密料菜花料珊瑚料的表面質(zhì)量要求見
———、、(5.3.1);
包裝要求不再局限于固定重量不同需求依據(jù)供需雙方協(xié)商見年版的
———,(8.2,20107.1);
增加附錄太陽能級多晶硅參考技術指標將導電類型和電阻率作為參考項見附錄
———A“”,(A)。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位洛陽中硅高科技有限公司多晶硅材料制備國家工程實驗室有色金屬技術經(jīng)濟
:、、
研究院江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司內(nèi)蒙古神
、、、、
舟硅業(yè)有限責任公司亞洲硅業(yè)青海有限公司
、()。
本標準主要起草人嚴大洲萬燁毋克力張園園付雷楚東旭趙雄楊素心劉曉霞賀東江
:、、、、、、、、、、
邱艷梅劉淑萍李衛(wèi)南宗冰穆彩霞
、、、、。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T25074—2010。
Ⅰ
GB/T25074—2017
太陽能級多晶硅
1范圍
本標準規(guī)定了太陽能級多晶硅的術語和定義牌號及分類要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包
、、、、、
裝運輸貯存和質(zhì)量證明書
、、。
本標準適用于以氯硅烷硅烷為原料生長的棒狀多晶硅或經(jīng)破碎形成的塊狀多晶硅
、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T1550
硅單晶電阻率測定方法
GB/T1551
硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
GB/T1553
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T1557
硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T1558
硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法
GB/T4059
硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法
GB/T4060
摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
GB/T13389
半導體材料術語
GB/T14264
半導體材料牌號表示方法
GB/T14844
硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法
GB/T24574Ⅲ-Ⅴ
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法
GB/T24581Ⅲ、Ⅴ
酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
GB/T24582-
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程
GB/T29057
光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法
GB/T29849
光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法
GB/T31854
3術語和定義
界定的術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4牌號及分類
41牌號
.
太陽能級多晶硅產(chǎn)品牌號應符合的規(guī)定
GB/T
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