標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 26071-2010 太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片》這一標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)用于制造太陽(yáng)能電池的硅單晶切割片的質(zhì)量和技術(shù)要求進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定。該文件涵蓋了硅片的基本參數(shù)、外觀質(zhì)量、幾何尺寸及其偏差、電學(xué)性能等多個(gè)方面的要求。

對(duì)于基本參數(shù)，標(biāo)準(zhǔn)中明確了不同規(guī)格硅片的厚度范圍、直徑大小等關(guān)鍵指標(biāo)；在外觀質(zhì)量部分，則對(duì)硅片表面缺陷如劃痕、裂紋等做出了限制性描述，以確保材料的一致性和可靠性。此外，還特別指出了關(guān)于邊緣完整性的具體要求，防止因邊角損傷影響后續(xù)加工或使用效果。

幾何尺寸及其允許偏差方面，《GB/T 26071-2010》給出了精確數(shù)值，并且根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)定了相應(yīng)等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)，便于生產(chǎn)企業(yè)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的規(guī)格進(jìn)行生產(chǎn)。同時(shí)，考慮到硅片在運(yùn)輸及儲(chǔ)存過程中可能遇到的問題，也提出了包裝與標(biāo)識(shí)的相關(guān)指導(dǎo)原則，保證產(chǎn)品從出廠到最終用戶手中的全過程安全無損。

電學(xué)性能是評(píng)價(jià)太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片好壞的重要依據(jù)之一，《GB/T 26071-2010》對(duì)此也有明確規(guī)定，包括但不限于電阻率、少數(shù)載流子壽命等關(guān)鍵參數(shù)，旨在通過這些物理量來間接反映材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的純凈度以及潛在光電轉(zhuǎn)換效率。

最后，在檢驗(yàn)規(guī)則章節(jié)里，標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的抽樣方法和測(cè)試程序，確保每一批次的產(chǎn)品都能達(dá)到既定的技術(shù)規(guī)范要求。這不僅有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量控制水平，也為買賣雙方提供了公平公正的交易基礎(chǔ)。


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  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26071—2010

太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片

Mono-crystallinesiliconascutslicesforphotovoltaicsolarcells

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26071—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位萬向硅峰電子股份有限公司上海九晶電子材料股份有限公司西安隆基硅材料

:、、

股份有限公司洛陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司無錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司江西賽維太陽(yáng)能有限

、、、LDK

公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樓春蘭鄭輝蔣建國(guó)張群社孫世龍黃笑容王飛堯段育紅朱興萍方強(qiáng)

:、、、、、、、、、、

汪貴發(fā)余俊軍袁文強(qiáng)金虹

、、、。

Ⅰ

GB/T26071—2010

太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片簡(jiǎn)稱硅片的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包

()、、、

裝運(yùn)輸貯存及質(zhì)量證明書與訂貨單內(nèi)容

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法制備的地面太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片

(CZ/MCZ)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

GB/T1552、

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

太陽(yáng)電池用硅單晶

GB/T25076

硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

GB/T26068

3術(shù)語

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

線痕sawmarks

在線切割過程中產(chǎn)生于硅片表面的切割痕跡

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

硅片按導(dǎo)電類型分為型型兩種類型按外形可分為準(zhǔn)方形和圓形兩種

p、n;。

42規(guī)格

.

準(zhǔn)方形硅片按其邊長(zhǎng)分為或由供需雙方商定規(guī)格

125mm×125mm、156mm×156mm,。

圓形硅片按直徑或?qū)蔷€長(zhǎng)度尺寸分為?

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