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簡易LED可調(diào)恒流源簡析合肥華耀電子工業(yè)有限公司電源研發(fā)中心張輝利用運(yùn)放對MOSFET電流控制的可調(diào)性進(jìn)行管理3、利用電壓跟隨器實(shí)現(xiàn)小電流充電UOU2U1U-U+這個(gè)電路是利用MOSFET工作在放大狀態(tài)下的特性來實(shí)現(xiàn)電流的管控的。簡單的介紹一下MOSFET恒流區(qū)的工作原理:我們知道,根據(jù)MOSFET的輸出特性,他有三個(gè)工作區(qū),即:可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)。這里我們所要講的是恒流區(qū),也就是我們電路中所應(yīng)用的哪個(gè)工作區(qū)。至于MOSFET的溝道在夾斷和未夾斷狀態(tài)下的電流受控過程,這里不做贅述。其原理為:在恒流區(qū)內(nèi),VDS≥VGS-VT,導(dǎo)電溝道處于夾斷狀態(tài),當(dāng)VGS一定而VDS增加不影響導(dǎo)電溝道,ID趨于飽和,不再隨VDS變化而當(dāng)VGS增加時(shí),導(dǎo)電溝道電阻減小,ID迅速增加,輸出特性為一組受VGS控制的近似平行線。如上圖所示。在恒流區(qū)內(nèi),漏極電流ID與柵極電壓的關(guān)系為:ID≈K(VGS-VT)2基于上述原理,如果能夠控制MOS管柵極電壓,使其工作于恒流區(qū),那么我們就可以實(shí)現(xiàn)通過控制MOS管柵極來調(diào)節(jié)流過漏極的電流。這樣就可以利用他來實(shí)現(xiàn)流過LED的電流的可調(diào)性控制。接下來就需要找到一種方法來控制MOSFET的柵極。該電路使用的是差動放大器來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)然這個(gè)電路對于大的電流來說就不適合了。為了滿足MOS管工作于恒流區(qū),必要條件是要滿足VDS≥VGS-VT,當(dāng)電流要求很大時(shí),根據(jù)ID≈K(VGS-VT)2,則VGS也要求很大,就有可能出現(xiàn)VDS≤VGS-VT的情況,這將進(jìn)入可變電阻區(qū),那么ID隨著VDS變化,就達(dá)不到控制電流的目的。接下來再簡單的介紹一下差動運(yùn)放:如上圖所示輸入信號U1、U2經(jīng)電阻R1、R2分別加到“-”和“+”,輸出電壓經(jīng)Rf回授到“-”,四個(gè)外接電阻須滿足阻抗匹配條件,即R1=R2,R’=Rf。那么當(dāng)運(yùn)放為線性運(yùn)用時(shí),利用疊加原理有:當(dāng)U2=0,僅U1作用時(shí)的輸出電壓U’o為:
U’o=-(Rf/R1)U1當(dāng)U1=0,僅U2作用時(shí)的輸出電壓U’’o為:
U’’o=(1+Rf/R1)U+=(1+Rf/R1)R’R’+R2U2那么Uo=Uo’+Uo’’=Rf/R1(U2-U1)(∵R1=R2,Rf=R’)根據(jù)這個(gè)導(dǎo)出的函數(shù),只要控制好U2那么MOSFET的柵極便可得到控制.還有一點(diǎn),在原理圖中,我們看到0-5V調(diào)節(jié)電壓至“-”端,疊加了一個(gè)固定電壓,這個(gè)原因就是上面分析的其中一部分,我們看:當(dāng)U1=0,僅U2作用時(shí)的輸出電壓U’’o為:
U’’o=(1+Rf/R1)U+=(1+Rf/R1)R’R’+R2U2這就是說,在Vadj(U-)從0V調(diào)到U+之前,第一個(gè)運(yùn)放的輸出是不受Vadj控制的,所以必須疊加一個(gè)電壓使之度過這個(gè)不受控的過程。缺點(diǎn):MOSFET隨溫度升高,門檻電壓(VT)會降低,跨導(dǎo)也會降低,從而影響柵極對漏極的控制能力.以上所述,有些雕蟲小技只是實(shí)驗(yàn)室里個(gè)別樣品,還沒有經(jīng)過量產(chǎn)的檢驗(yàn),一定還會有問題存在,懇
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