機(jī)械和電子知識

機(jī)械和電子(diànzǐ)知識培訓(xùn)教材四連桿機(jī)構(gòu)常用(chánɡyònɡ)電子元件了解精品資料四連桿機(jī)構(gòu)動作(dòngzuò)原理在圖中各字母(zìmǔ)代表的含義:L----手柄;T----跳扣;M----鎖扣;K----觸頭;CB---上連桿;BA----下連桿;E----主彈簧;D----跳扣軸(定點(diǎn));F----杠桿支點(diǎn);O----轉(zhuǎn)軸支點(diǎn)(可理解為轉(zhuǎn)軸軸心,為定點(diǎn)).精品資料產(chǎn)品(chǎnpǐn)分閘和再扣位置時的示意圖精品資料產(chǎn)品(chǎnpǐn)合閘時操作機(jī)構(gòu)的示意圖精品資料產(chǎn)品(chǎnpǐn)脫扣狀態(tài)時的示意圖精品資料斷路器分閘,自由脫扣后再扣位置時,由OA,AB,BC,及固定點(diǎn)CO構(gòu)成一四連桿機(jī)構(gòu),此時機(jī)構(gòu)只有一個(yīɡè)自由度,即合,分的自由度.當(dāng)機(jī)構(gòu)處于自由脫扣狀態(tài)時,由OA,AB,BC,CD和DO構(gòu)成五連桿,此時機(jī)構(gòu)便有兩個自由度,即圍繞D點(diǎn)向前,向后運(yùn)動的自由度.當(dāng)產(chǎn)品完全合閘時,下連桿AB與上連桿BC幾乎是一條直線.精品資料在平時的生產(chǎn)過程中,我們經(jīng)常會談到產(chǎn)品超程和死點(diǎn)不過問題.首先,死點(diǎn)不過表現(xiàn)在操作上表現(xiàn)在分閘時比死點(diǎn)過了的產(chǎn)品分閘力會小,輕.在圖2中表現(xiàn)在∠ABC沒有達(dá)到(dádào)應(yīng)有的角度(接近180度),此時B點(diǎn)有往左運(yùn)動的余量.造成死點(diǎn)不過的原因,從結(jié)構(gòu)分析主要是合閘力矩小于動觸頭接觸后產(chǎn)生的反力矩.造成產(chǎn)品死點(diǎn)不過.其次超程問題,從圖2中可以看出,在不改變C,O點(diǎn)位置的情況下通過改變CB,AB的長度來控制超程大小.在實(shí)際中我們通常是更改上連桿的長度來調(diào)整超程的;我們也可以通過控制O點(diǎn)的高度(杠桿原理)來調(diào)整超程大小.精品資料在學(xué)習(xí)產(chǎn)品的機(jī)構(gòu)時,我們應(yīng)該分析在自由脫扣狀態(tài),分閘,合閘狀態(tài)下四連桿,五連桿結(jié)構(gòu)中各連桿的位置和運(yùn)動方向(fāngxiàng).找出結(jié)構(gòu)中可運(yùn)動部件為什么不再運(yùn)動?是怎么來定位的?當(dāng)我們熟悉了相關(guān)信息后對產(chǎn)品結(jié)構(gòu)就很清晰了.精品資料分析方法:1.先將產(chǎn)品進(jìn)行分閘,合閘狀態(tài)的分析,區(qū)分在合閘過程中的動點(diǎn),運(yùn)動件的運(yùn)動軌跡.2.分析在脫扣狀態(tài)是否在第一項中的動點(diǎn)是否由動變靜,或靜點(diǎn)變成了動點(diǎn).3.對照上面的結(jié)構(gòu)圖找出產(chǎn)品中相對應(yīng)的點(diǎn)或零件.基本上塑殼產(chǎn)品,框架產(chǎn)品都是上面的結(jié)構(gòu),只是零部件的形狀發(fā)生了改變.微斷產(chǎn)品會有所差別.4.確定產(chǎn)品的開距,超程是由什么來控制?一般情況下靠轉(zhuǎn)軸來限位,或者是B相動觸頭頂住支架前面的一根軸來限位,或者其他部位.超程出了在前面說到的那些參數(shù)外其實(shí)在合閘后還有一個限位的,防止(fángzhǐ)例如225型產(chǎn)品就是利用連桿軸碰到跳扣下部來限位,有的是利用上連桿碰到跳扣軸來限位精品資料常用(chánɡyònɡ)電子元件基本電子元件的識別(shíbié)與應(yīng)用精品資料色環(huán)電阻與貼片電阻的識別(shíbié)及應(yīng)用

電阻，用符號R表示。其最基本的作用就是阻礙電流的流動。衡量電阻器的兩個最基本的參數(shù)是阻值和功率。阻值用來表示電阻器對電流阻礙作用的大小，用歐姆表示。除基本單位(dānwèi)外，還有千歐和兆歐。功率用來表示電阻器所能承受的最大電流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多種，超過這一最大值，電阻器就會燒壞。

電阻在標(biāo)記它的值的方法是用色環(huán)標(biāo)記法。它的識別方法如右圖所示：

精品資料精品資料電阻的常用標(biāo)志法

在使用電阻器時，需要了解它的主要參數(shù)。對電阻器需知道其標(biāo)稱阻值、功率、允許(yǔnxǔ)偏差。電阻器的標(biāo)稱值和允許(yǔnxǔ)偏差一般都標(biāo)在電阻體上，而在電路圖上通常只標(biāo)出標(biāo)稱值。電阻的標(biāo)志方法分為下列四種：

1.

直標(biāo)法：直標(biāo)法是將電阻器的標(biāo)稱值用數(shù)字和文字符號直接標(biāo)在電阻體上，其允許(yǔnxǔ)偏差則用百分?jǐn)?shù)表示，末標(biāo)偏差值的即為±20%的允許(yǔnxǔ)偏差。

精品資料2.

文字符號法：文字符號法是將電阻器的標(biāo)稱值和允許偏差值用數(shù)字和文字符號法按一定的規(guī)律(guīlǜ)組合標(biāo)志在電阻體上。電阻器的標(biāo)稱值的單位標(biāo)志符號見表1，允許偏差見表2。

表1

電阻值

文字符號

單位及進(jìn)位關(guān)系

名稱

R

Ω(100)

歐姆

K

KΩ(103)

千歐

M

MΩ(106)

兆歐

G

GΩ(109)

吉?dú)W

T

TΩ(1012)

太歐

精品資料表2

允許偏差（%）

文字(wénzì)符號

允許偏差（%）

文字(wénzì)符號

±0.001

Y

±0.5

D

±0.002

X

±1

F

±0.005

E

±2

G

±0.01

L

±5

J

±0.02

P

±10

K

±0.05

W

±20

M

±0.1

B

±30

N

±0.25

C

注：大多數(shù)電阻器的允許偏差值J、K、M三類。

例如：6R2J表示該電阻標(biāo)稱值為6.2Ω，允許偏差為±5%；3K6K表示電阻值為3.6KΩ，允許偏差為±10%；1M5則表示電阻值為1.5MΩ，允許偏差為±20%。

精品資料3.

色標(biāo)法：普通的電阻器用四色環(huán)表示，精密(jīngmì)電阻用五色環(huán)表示。緊靠電阻體一端頭的色環(huán)為第一環(huán)，露著電阻體本色教多的另一端頭為末環(huán)。

帶有四個色環(huán)的其中第一、二環(huán)分別代表阻值的前兩位數(shù)；第三環(huán)代表倍率；第四環(huán)代表誤差。快速識別的關(guān)鍵在于根據(jù)第三環(huán)的顏色把阻值確定在某一數(shù)量級范圍內(nèi)，例如是幾點(diǎn)幾K、還是幾十幾K的，再將前兩環(huán)讀出的數(shù)“代”進(jìn)去，這樣就可很快讀出數(shù)來。（1）熟記第一、二環(huán)每種顏色所代表的數(shù)?？蛇@樣記憶：棕1，紅2，橙3，黃4，綠5，藍(lán)6，紫7，灰8，白9，黑0。（2）記住第四環(huán)顏色所代表的誤差，即：金色為5％；銀色為10％；無色為20％。精品資料

例1當(dāng)四個色環(huán)依次(yīcì)是黃、橙、紅、金色時，因第三環(huán)為紅色、阻值范圍是幾點(diǎn)幾kΩ的，按照黃、橙兩色分別代表的數(shù)“4”和“3”代入,，則其讀數(shù)為43kΩ。第環(huán)是金色表示誤差為5％。

例2當(dāng)四個色環(huán)依次(yīcì)是棕、黑、橙、金色時，因第三環(huán)為橙色，第二環(huán)又是黑色，阻值應(yīng)是整幾十kΩ的，按棕色代表的數(shù)"1"代入，讀數(shù)為10kΩ。精品資料4.

數(shù)碼標(biāo)志法：在產(chǎn)品和電路圖上用三為數(shù)字來表示元件的標(biāo)稱值的方法稱之為數(shù)碼標(biāo)志法。常見于貼片電阻或進(jìn)口(jìnkǒu)器件上。在三位數(shù)碼中，從左至右第一、二位數(shù)表示電阻標(biāo)稱值的第一、二位有效數(shù)字，第三位數(shù)為倍率10n的“n”（即前面兩位數(shù)后加“0”的個數(shù)）,單位為Ω。例如標(biāo)識為222的電阻器，其阻值為2200Ω既2.2KΩ；表識為105的電阻器為1MΩ；標(biāo)志為47的電阻器阻值為4.7Ω。需要注意的是要將這種標(biāo)志法與傳統(tǒng)的方法區(qū)別開來：如標(biāo)志為220的電阻器其電阻為22Ω，只有標(biāo)志為221的電阻器其阻值才為220Ω。標(biāo)志為0或000的電阻器，實(shí)際是跳線，阻值為0Ω。在一些微調(diào)電阻器阻值的標(biāo)志法除了用三位數(shù)字外還有用兩位數(shù)字的。如標(biāo)志為53表示5，14和54分別表示10和50。一些精密貼片電阻器也有用四位數(shù)字表示法，如1005表示10等。精品資料電阻(diànzǔ)的分類為了區(qū)別不同種類的電阻，常用幾個拉丁字母表示(biǎoshì)電阻類別，如圖1所示。第一個字母R表示(biǎoshì)電阻，第二個字母表示(biǎoshì)導(dǎo)體材料，第三個字母表示(biǎoshì)形狀性能。上圖是碳膜電阻，下圖是精密金屬膜電阻。表1列出電阻的類別和符號。表2是常用電阻的技術(shù)特性

精品資料精品資料電阻(diànzǔ)額定功率值在電路圖上的符號所謂電阻的額定功率值，指的是電阻所承受的最高電壓和最大電流的乘積。每個電阻都有其額定功率值，常見電阻的額定功率一般分為1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等。其中1/8W和1/4W的電阻較為常用，不過，在大電流場合，大功率的電阻也用得很普遍。下圖為各額定功率值功率的電阻在電路圖上的符號。不難看出，額定功率值在1W以上用羅馬數(shù)字(Luómǎshùzì)表示。

精品資料電容(diànróng)的基本知識電容，用字母C表示。顧名思義，電容器就是“儲存電荷的容器”。盡管電容器品種繁多，但它們的基本結(jié)構(gòu)和原理是相同的。兩片相距很近的金屬中間被某物質(zhì)（固體、氣體或液體）所隔開，就構(gòu)成了電容器。兩片金屬稱為的極板，中間的物質(zhì)叫做介質(zhì)。電容器也分為(fēnwéi)容量固定的與容量可變的。但常見的是固定容量的電容，最多見的是電解電容和瓷片電容精品資料電容的基本(jīběn)單位不同的電容器儲存(chǔcún)電荷的能力也不相同。規(guī)定把電容器外加1伏特直流電壓時所儲存(chǔcún)的電荷量稱為該電容器的電容量。電容的基本單位為法拉（F）。但實(shí)際上，法拉是一個很不常用的單位，因為電容器的容量往往比1法拉小得多，常用微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）（皮法又稱微微法）等，它們的關(guān)系是：1法拉（F）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）

精品資料一、電容器的型號(xínghào)命名方法

國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。

第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。

第二部分：材料，用字母表示。

第三(dìsān)部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。

第四部分：序號，用數(shù)字表示。

用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介精品資料電容器的分類(fēnlèi)1、按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。

2、按電解質(zhì)分類有：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。3、按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。

4、頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃(bōlí)膜電容器、滌綸電容器、玻璃(bōlí)釉電容器。

5、低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。

6、濾波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電器。

7、調(diào)諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃(bōlí)膜電容器、聚苯乙烯電容器。

8、高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。

9、低耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。

10、小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電

容器、固體鉭電容器、玻璃(bōlí)釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容精品資料電容(diànróng)的作用在電子線路中，電容用來通過(tōngguò)交流而阻隔直流，也用來存儲和釋放電荷以充當(dāng)濾波器，平滑輸出脈動信號。小容量的電容，通常在高頻電路中使用，如收音機(jī)、發(fā)射機(jī)和振蕩器中。大容量的電容往往是作濾波和存儲電荷用。而且還有一個特點(diǎn)，一般1μF以上的電容均為電解電容，而1μF以下的電容多為瓷片電容，當(dāng)然也有其他的，比如獨(dú)石電容、滌綸電容、小容量的云母電容等。電解電容有個鋁殼，里面充滿了電解質(zhì)，并引出兩個電極，作為正（+）、負(fù)（-）極，與其它電容器不同，它們在電路中的極性不能接錯，而其他電容則沒有極性。電容器的選用涉及到很多問題。首先是耐壓的問題。加在一個電容器的兩端的電壓超過了它的額定電壓，電容器就會被擊穿損壞。一般電解電容的耐壓分檔為6.3V，10V，16V，25V，50V等

精品資料電容(diànróng)識別方法電容器容量標(biāo)示

1、直標(biāo)法

用數(shù)字和單位符號直接(zhíjiē)標(biāo)出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)，如R56表示0.56微法。

2、文字符號法

用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.

3、色標(biāo)法

用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。

電容器偏差標(biāo)志符號：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

精品資料電容器主要特性(tèxìng)參數(shù)

1、標(biāo)稱電容量和允許偏差

標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。

電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。

精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據(jù)用途選取。

2、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果(rúguǒ)工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞精品資料3、絕緣電阻

直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生(chǎnshēng)漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.

當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。

電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

4、頻率特性

隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律精品資料5、損耗

電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗(xiāohào)的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。

在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。精品資料電感(diànɡǎn)電感

電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號為6的電感。

電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。

直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很?。划?dāng)交流信號通過線圈時，線圈

兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所

以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成(zǔchénɡ)振蕩

電路。

電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金表示1uH（誤差5%）

的電感。

電感的基本單位為：亨（H）換算單位有：1H=103mH=106uH精品資料一、電感(diànɡǎn)的分類

按電感形式分類：固定電感、可變電感。

按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。

按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩(zhèndàng)線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。

按繞線結(jié)構(gòu)分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。精品資料電感線圈的主要(zhǔyào)特性參數(shù)1、電感量L

電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。

2、感抗XL

電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL

3、品質(zhì)因素Q

品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。線圈的Q值愈高，回路的損耗(sǔnhào)愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗(sǔnhào)，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗(sǔnhào)，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。

4、分布電容

線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好.精品資料晶體二極管

晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字(shùzì)表示，如：D5表示編號為5的二極管。

1.作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很?。欢诜聪螂妷鹤饔孟聦?dǎo)通電阻極大或無窮大。常用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。晶體二極管按作用可分為：整流二極管（如1N4004）、隔離二極管（如1N4148）、肖特基二極管（如BAT85）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。

精品資料2.識別方法：二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負(fù)極），也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負(fù)。

3、測試注意事項：用數(shù)字式萬用表去測二極管時，紅表筆(biǎobǐ)接二極管的正極，黑表筆(biǎobǐ)接二極管的負(fù)極，此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆(biǎobǐ)接法剛好相反精品資料晶體(jīngtǐ)二極管的主要參數(shù)晶體二極管一般可用到十萬小時以上。但是如果使用不合理，他就不能充分發(fā)揮作用，甚至很快地被損壞。要合理地使用二極管，必須掌握他的主要參數(shù)，因為參數(shù)是反應(yīng)質(zhì)量和特性的。最高工作頻率fM（MC）----二極管能承受的最高頻率。通過PN結(jié)交流電頻率高于此值，二極管接不能正常工作。最高反向工作電壓VRM（V）----二極管長期正常工作時，所允許的最高反壓。若越過此值，PN結(jié)就有被擊穿的可能，對于(duìyú)交流電來說，最高反向工作電壓也就是二極管的最高工作電壓。最大整流電流IOM（mA）----二極管能長期正常工作時的最大正向電流。因為電流通過二極管時就要發(fā)熱，如果正向電流越過此值，二極管就會有燒壞的危險。所以用二極管整流時，流過二極管的正向電流（既輸出直流）不允許超過最大整流電流。精品資料穩(wěn)壓(wěnyā)二極管

穩(wěn)壓二極管在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示，如：ZD5表示編號為5的穩(wěn)壓管。

1.穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理(yuánlǐ)：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動時，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。

2.故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。常用穩(wěn)壓二極管的型號及穩(wěn)壓值如下表：型號1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761穩(wěn)壓值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V精品資料可控硅的應(yīng)用(yìngyòng)與特性可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半體元器件，廣泛應(yīng)用于電力，電子線路中。1可控硅的特性可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二(dìèr)陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

精品資料可控硅的主要參數(shù)一斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(diànyā)UDRM在額定結(jié)溫（100A以上為115度，50A以下為100度），門極開路和晶閘管正向阻斷條件下，允許重復(fù)加在陽極與陰極間的最大正向峰值電壓(diànyā)，它反映了阻斷條件下的晶閘管能承受的正向電壓(diànyā)。二反復(fù)重復(fù)峰值電壓(diànyā)URRM在額定結(jié)溫和門極開路情況下，允許重復(fù)加在陽極和陰極之間的反向峰值電壓(diànyā)，它反映了阻斷的情況下晶閘管能承受的反向電壓(diànyā)。通常UDRM和URRM數(shù)值大致相等，習(xí)慣上統(tǒng)稱為峰值電壓(diànyā)。。精品資料在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流(zhěngliú)元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。

精品資料晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型

晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。

發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭(jiàntóu)向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭(jiàntóu)向外。發(fā)射極箭頭(jiàntóu)向外。發(fā)射極箭頭(jiàntóu)指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

晶體(jīngtǐ)三極管的結(jié)構(gòu)和類型精品資料三極管的封裝形式(xíngshì)和管腳識別朝下放置，則從三極管的封裝形式和管腳識別

常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有(jùyǒu)一定的規(guī)律，如圖對于小功率金屬封裝三極管，按圖示底視圖位置放置，使三個引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點(diǎn)上，從左向右依次為ebc；對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳左到右依次為ebc。

精品資料例如(lìrú)下圖精品資料晶體(jīngtǐ)三極管的電流放大作用晶體三極管的電流放大作用

晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極(jījí)電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號“β”表示。電流放大倍數(shù)對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極(jījí)電流的變化也會有一定的改變。精品資料晶體三極管的三種(sānzhǒnɡ)工作狀態(tài)

截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，我們稱三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

放大狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)β＝ΔIc/ΔIb，這時三極管處放大狀態(tài)。

精品資料飽和導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大(fàngdà)作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。三極管的這種狀態(tài)我們稱之為飽和導(dǎo)通狀態(tài)。精品資料MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)(zēngqiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)(zēngqiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)(zēngqiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

精品資料

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別(fēnbié)引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。

精品資料精品資料

國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。

MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此(yīncǐ)了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應(yīng)短接。在測量時應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。精品資料管腳的判別(pànbié)1．準(zhǔn)備工作

測量之前，先把人體(réntǐ)對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體(réntǐ)與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。

2．判定電極

將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。

精品資料VMOS場效應(yīng)管

VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率