T-SZS 4031-2020 圖書(shū)電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范_第1頁(yè)
T-SZS 4031-2020 圖書(shū)電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范_第2頁(yè)
T-SZS 4031-2020 圖書(shū)電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范_第3頁(yè)
T-SZS 4031-2020 圖書(shū)電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范_第4頁(yè)
T-SZS 4031-2020 圖書(shū)電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范_第5頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

T/SZS

4031—2020 前言

................................................................................

II1

..............................................................................

12

規(guī)范性引用文件

....................................................................

13

術(shù)語(yǔ)和定義

........................................................................

24

縮略語(yǔ)

............................................................................

25

一般要求

..........................................................................

26

性能要求

..........................................................................

37

環(huán)境適應(yīng)性

........................................................................

38

測(cè)試方法

..........................................................................

4T/SZS

4031—20201 范圍本文件規(guī)定了圖書(shū)電子標(biāo)簽的一般要求、性能要求、環(huán)境適應(yīng)性要求,并給出相應(yīng)的測(cè)試方法。本文件適用于圖書(shū)電子標(biāo)簽的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試、評(píng)價(jià)和使用。2規(guī)范性引用文件文件。GB/T

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)

第2部分:試驗(yàn)方法

A:低溫GB/T

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)

第2部分:試驗(yàn)方法

B:高溫GB/T

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)

第2部分:試驗(yàn)方法

試驗(yàn):振動(dòng)(正弦)GB/T

識(shí)別卡

測(cè)試方法

第3部分:帶觸點(diǎn)的集成電路卡及其相關(guān)接口設(shè)備GB/T

電磁兼容

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T

信息技術(shù)

射頻識(shí)別

第3部分:13.56MHz的空中接口通信參數(shù)WH/T

圖書(shū)館

射頻識(shí)別

數(shù)據(jù)模型

第2部分:基于ISO/IEC

15962的數(shù)據(jù)元素編碼方案ISO/IEC

信息技術(shù)

項(xiàng)目管理的射頻識(shí)別

第63部分:860MHz至

C型空中接口通信參數(shù)(Information

technology

Radio

identification

management

Part63:Parameters

for

air

interface

at

to

960

MHz

Type

C)ISO/IEC

信息技術(shù)

射頻識(shí)別設(shè)備性能測(cè)試方法

第1部分:系統(tǒng)性能測(cè)試方法(Information

Radio

frequency

identification

device

performance

test

1:Test

methods

for

system

performance)ISO/IEC

信息技術(shù)

射頻識(shí)別設(shè)備性能測(cè)試方法

第3部分:標(biāo)簽性能測(cè)試方法(Information

Radio

frequency

identification

device

performance

test

Part

3:Test

methods

for

)ISO/IEC

TR

18047-3 信息技術(shù)

射頻識(shí)別設(shè)備一致性試驗(yàn)方法

第3部分:13.56MHz空中接口通信的試驗(yàn)方法(

technology

Radio

frequency

identification

testmethods

Part

3:Test

methods

communications

at

)ISO/IEC

信息技術(shù)

射頻識(shí)別設(shè)備一致性試驗(yàn)方法

第6部分:860MHz至960MHz空中接口通

technology

Radio

frequency

identification

testmethods

Part

6:Test

methods

communications

at

MHz

to

)ISO/TS

28560-4 信息和文獻(xiàn)

圖書(shū)館的射頻識(shí)別

第4部分:以來(lái)自ISO/IEC

15962規(guī)則為基礎(chǔ)的分區(qū)存儲(chǔ)射頻識(shí)別標(biāo)簽數(shù)據(jù)元的編碼(Information

documentation

in

libraries

Part4:Encoding

data

elements

based

rules

from

ISO/IEC

15962

an

RFID

tag

with

memory)T/SZS

4031—20203 術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1電子標(biāo)簽 electronic

據(jù)載體。[來(lái)源:

—3.2HF

工作頻率為13.56

的電子標(biāo)簽。3.3UHF

UHF

tag工作頻率在860

MHz~

頻段范圍的電子標(biāo)簽。4 縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。HF:高頻(High

)UHF:超高頻(Ultra

High

Frequency)AFI:應(yīng)用族標(biāo)識(shí)符(

Family

)UID:唯一標(biāo)識(shí)符(

Identifier)EAS:物品電子防盜(Electronic

Article

Surveillance)5 一般要求5.1 尺寸標(biāo)簽尺寸應(yīng)符合圖書(shū)館應(yīng)用需求。5.2 外觀標(biāo)簽外觀應(yīng)完整、無(wú)破損、無(wú)折痕、無(wú)明顯凸起。標(biāo)簽表面的文字和圖形應(yīng)完整、清晰。5.3 工作頻率求決定。5.4 空中接口HF標(biāo)簽空中接口特性應(yīng)符合GB/T

33848.3的規(guī)定;標(biāo)簽空中接口特性應(yīng)符合ISO/IEC

的規(guī)定。T/SZS

4031—20205.5 數(shù)據(jù)模型與編碼HF標(biāo)簽數(shù)據(jù)模型與編碼應(yīng)符合WH/T

的規(guī)定;UHF標(biāo)簽數(shù)據(jù)模型與編碼應(yīng)符合ISO/TS

28560-4的規(guī)定。5.6 安全可通過(guò)設(shè)置功能區(qū),或者設(shè)置、標(biāo)志位及其它存儲(chǔ)位進(jìn)行安全防盜,具體根據(jù)圖書(shū)館實(shí)際應(yīng)用情況決定。6 性能要求6.1 工作場(chǎng)強(qiáng)HF標(biāo)簽的工作場(chǎng)強(qiáng)范圍為0.15

~5

。6.2 標(biāo)簽靈敏度UHF標(biāo)簽的靈敏度應(yīng)小于

dBm。6.3 擦寫(xiě)次數(shù)標(biāo)簽可擦寫(xiě)次數(shù)應(yīng)不少于萬(wàn)次。6.4數(shù)據(jù)保持時(shí)間在如所述的氣候環(huán)境下,標(biāo)簽內(nèi)數(shù)據(jù)的保持時(shí)間應(yīng)大于106.5 使用壽命標(biāo)簽的使用壽命應(yīng)大于10年。6.6 抗沖突性HF標(biāo)簽的抗沖突能力應(yīng)達(dá)到每秒識(shí)別16標(biāo)簽的抗沖突能力應(yīng)達(dá)到每秒識(shí)別50張。6.7存儲(chǔ)容量標(biāo)簽可用存儲(chǔ)容量應(yīng)不小于512

bits。6.8 讀寫(xiě)距離HF標(biāo)簽與圖書(shū)館自助借還設(shè)備的讀寫(xiě)距離宜不小于

mm,UHF標(biāo)簽與圖書(shū)館自助借還設(shè)備的讀寫(xiě)距離宜不大于

mm。6.9 抗靜電在經(jīng)過(guò)試驗(yàn)電壓為±2

kV的空氣放電試驗(yàn)后,受試電子標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。7 環(huán)境適應(yīng)性7.1 氣候環(huán)境要求

Hz

0.15

mm0.15

mm10

Hz

0.15

mm

-10-2020%RH93%RH20%RH93%RH86kPaT/SZS

4031—2020氣候環(huán)境適應(yīng)性要求見(jiàn)表1。表1 氣候環(huán)境適應(yīng)性7.2 機(jī)械環(huán)境要求7.2.1 抗振動(dòng)應(yīng)能適應(yīng)在使用、搬運(yùn)或運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程的振動(dòng)環(huán)境。標(biāo)簽的振動(dòng)適應(yīng)性要求見(jiàn)表2。表2 振動(dòng)適應(yīng)性7.2.2 抗彎曲應(yīng)能承受在使用、搬運(yùn)、裝卸和運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中可能遭受的彎曲應(yīng)力。將標(biāo)簽進(jìn)行正、反面卷曲后,標(biāo)簽外觀應(yīng)完好,封裝不能異常,并能正常工作。7.2.3 抗折疊將標(biāo)簽進(jìn)行正、反面對(duì)折后,標(biāo)簽天線與芯片應(yīng)不會(huì)斷裂,并能正常使用。7.2.4 抗壓力在標(biāo)簽頂部表面上施加

kPa±0.13

kPa的均勻壓力后,標(biāo)簽外觀應(yīng)完好,封裝不能異常,并能正常工作。8 測(cè)試方法8.1 測(cè)試環(huán)境T/SZS

4031—2020本標(biāo)準(zhǔn)中除氣候環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試以外其他測(cè)試應(yīng)在溫度為15

℃~

℃和相對(duì)濕度為25%~75%的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行。8.2預(yù)處理除非另有規(guī)定,被測(cè)標(biāo)簽應(yīng)在測(cè)試環(huán)境中放置24

h后再進(jìn)行測(cè)試。8.3外觀檢查標(biāo)簽的外觀通過(guò)目測(cè)和觸摸進(jìn)行檢查。8.4 空中接口符合性測(cè)試HF標(biāo)簽空中接口的符合性測(cè)試應(yīng)按ISO/IEC

TR

規(guī)定進(jìn)行;UHF標(biāo)簽空中接口的符合性測(cè)試應(yīng)按

規(guī)定進(jìn)行。8.5 性能測(cè)試8.5.1 最小工作場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試HF標(biāo)簽最小工作場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試應(yīng)按

相關(guān)規(guī)定進(jìn)行。8.5.2 標(biāo)簽靈敏度測(cè)試UHF標(biāo)簽靈敏度測(cè)試裝置示意圖如圖1所示。

圖1雙天線標(biāo)簽靈敏度測(cè)試示意圖UHFPtag計(jì)算公式如下:Ptag=EIRP-PL ……(1)EIRP=P+GTx ……PL=20·+·-27.55……(3)式中:EIRP測(cè)試儀發(fā)射等效單極子輻射功率,單位為分貝毫瓦(dBm);PL——測(cè)試儀發(fā)射天線到標(biāo)簽的自由空間傳輸損耗,單位為分貝(dBP——發(fā)射天線輸入功率,單位為分貝毫瓦(T/SZS

4031—2020GTx——發(fā)射天線增益,單位為分貝(dBf——工作頻率,單位為兆赫茲(MHz);R——天線到標(biāo)簽的距離,單位為米(m8.5.3擦寫(xiě)次數(shù)測(cè)試用讀寫(xiě)設(shè)備對(duì)標(biāo)簽的所有可寫(xiě)內(nèi)存區(qū)分別進(jìn)行10萬(wàn)次擦寫(xiě)操作,試驗(yàn)后,標(biāo)簽功能和性能應(yīng)正常。8.5.4抗沖突性測(cè)試標(biāo)簽抗沖突性測(cè)試應(yīng)按

相關(guān)規(guī)定進(jìn)行。8.5.5 存儲(chǔ)容量測(cè)試對(duì)被測(cè)試標(biāo)簽發(fā)送read命令,讀取標(biāo)簽區(qū)用戶區(qū)的存儲(chǔ)內(nèi)容,計(jì)算出相應(yīng)的存儲(chǔ)容量。8.5.6 讀寫(xiě)距離測(cè)試8.5.6.1 讀寫(xiě)距離測(cè)試裝置標(biāo)簽讀寫(xiě)距離測(cè)試裝置示意圖如圖2所示。讀寫(xiě)器平放于測(cè)試臺(tái)上,將被測(cè)標(biāo)簽放置在與讀寫(xiě)器天線中心點(diǎn)平行的位置。圖2讀寫(xiě)距離測(cè)試示意圖8.5.6.2高頻電子標(biāo)簽將HF讀寫(xiě)器功率設(shè)置為30

dBm(即1

W)。移動(dòng)HF標(biāo)簽,分別在標(biāo)簽距離天線中心點(diǎn)垂直距離為100

mm、

mm、

mm處,測(cè)試讀寫(xiě)器能否正常讀取標(biāo)簽。8.5.6.3 超高頻電子標(biāo)簽T/SZS

4031—2020將UHF讀寫(xiě)器功率設(shè)置在

dBm,測(cè)試過(guò)程中,依據(jù)需要可以每次增加1

dBm,最大至24

為止。移動(dòng)標(biāo)簽,直到讀寫(xiě)器能正常讀取標(biāo)簽,測(cè)試讀取距離是否小于500

mm。8.5.7 靜電放電抗擾度按照GB/T

規(guī)定,在以下條件下進(jìn)行測(cè)試:——直接在標(biāo)簽表面采用空氣放電;——試驗(yàn)電壓:±2

kV;——每個(gè)敏感試驗(yàn)點(diǎn)放電次數(shù):正負(fù)極性各

1

s。試驗(yàn)后,標(biāo)簽的功能和性能應(yīng)正常。8.6 氣候環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試8.6.1 溫度下限測(cè)試8.6.1.1工作溫度下限測(cè)試按GB/T

2423.1中試驗(yàn)Ad行檢查讀寫(xiě)程序2

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。8.6.1.2 貯存溫度下限測(cè)試按GB/T

2423.1中試驗(yàn)Ab工作條件下存放16

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。8.6.2 溫度上限測(cè)試8.6.2.1 工作溫度上限測(cè)試按GB/T

2423.2中試驗(yàn)Bd查讀寫(xiě)程序2

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。8.6.2.2 貯存溫度上限測(cè)試按GB/T

2423.2中試驗(yàn)Bb件下存放16

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。8.6.3 恒定濕熱測(cè)試8.6.3.1 工作條件下恒定濕熱測(cè)試按GB/T

2423.3中試驗(yàn)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試條件應(yīng)符合7.1規(guī)定的工作溫度和濕度上限值要求。對(duì)標(biāo)簽連續(xù)運(yùn)行檢查讀寫(xiě)程序2

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。8.6.3.2 貯存條件下恒定濕熱測(cè)試按GB/T

2423.3中試驗(yàn)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試條件應(yīng)符合7.1規(guī)定的貯存溫度和濕度上限值要求。受試標(biāo)簽在不工作條件下存放

h,經(jīng)過(guò)2

h恢復(fù)時(shí)間,標(biāo)簽應(yīng)

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