標準解讀
《GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氫硅》是中國國家標準之一,該標準主要針對用于制造半導體材料中硅外延生長過程的三氯氫硅(TCS, Trichlorosilane)制定了技術(shù)要求和測試方法。根據(jù)這一標準文件,三氯氫硅作為重要的半導體原材料,在其純度、物理性質(zhì)等方面都有嚴格規(guī)定。
在純度方面,標準明確了不同等級三氯氫硅的具體指標,包括但不限于主成分含量、雜質(zhì)元素的最大允許濃度等。這些指標直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與質(zhì)量,因此對于生產(chǎn)者而言至關(guān)重要。同時,還詳細列出了檢測上述參數(shù)所需采用的方法和技術(shù)條件,確保了測試結(jié)果的一致性和準確性。
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....
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文檔簡介
ICS29045
H83.
中華人民共和國國家標準
GB/T30652—2014
硅外延用三氯氫硅
Trichlorosilaneforsiliconepitaxial
2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T30652—2014
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任
。。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會和全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位中鍺科技有限公司南京國盛電子有限公司南京中鍺科技股份有限公司
:、、。
本標準主要起草人柯尊斌劉新軍鄭華榮譚衛(wèi)東金龍
:、、、、。
Ⅰ
GB/T30652—2014
硅外延用三氯氫硅
1范圍
本標準規(guī)定了硅外延用三氯氫硅的要求試驗方法檢驗規(guī)則和標志包裝運輸貯存
(SiHCl3)、、、、、、
質(zhì)量證明書以及訂貨單或合同內(nèi)容
()。
本標準適用于以粗三氯氫硅為原料經(jīng)過提純而制得的硅外延用三氯氫硅以下簡稱產(chǎn)品
()。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
危險貨物包裝標志
GB190
包裝儲運圖示標志
GB/T191
化學品安全技術(shù)說明書內(nèi)容和項目順序
GB16483
工業(yè)三氯氫硅
GB28654
硅外延用三氯氫硅化學分析方法硼鋁磷釩鉻錳鐵鈷鎳銅鉬砷和銻量
GB/T29056、、、、、、、、、、、
的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法
氯硅烷中碳雜質(zhì)的測定方法甲基二氯氫硅的測定
YS/T987
國務院令第號危險化學品安全管理條例
591
3要求
31外觀
.
產(chǎn)品應為無色透明液體
。
32化學成分
.
321產(chǎn)品的化學成分應符合表的規(guī)定
..1。
表1化學成分
%
其他氯硅烷雜質(zhì)含量-7不大于
SiHCl3/(×10),
不小于不大于
FeCrNiAlMoAsSbPMnBCuCoVC
99.950.0551.51110.50.50.30.20.10.050.020.015000
注硅外延用三氯氫硅的含量為減去表中其他氯硅烷和雜質(zhì)實測總和的余量
:100%。
33其他
.
需方如對硅外延用
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