GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化鎵襯底

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化鎵襯底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30856—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所有研光電新材料有限公司云南中科鑫圓晶體材

:、、

料有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人趙有文提劉旺林泉于洪國(guó)惠峰趙堅(jiān)強(qiáng)

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化鎵襯底

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了外延芯片用砷化鎵單晶襯底片以下簡(jiǎn)稱襯底的要求檢驗(yàn)方法和規(guī)則以及標(biāo)

LED()、

志包裝運(yùn)輸儲(chǔ)存質(zhì)量證明書與訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延芯片用的砷化鎵單晶襯底

LED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法

GB/T8760

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

直徑砷化鎵單晶圓形拋光片切口規(guī)范

SEMIM9.7-0200150mm()

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

砷化鎵襯底按導(dǎo)電類型分為型和型兩種類型

np。

42牌號(hào)

.