GB/T 35005-2018集成電路倒裝焊試驗(yàn)方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35005—2018

集成電路倒裝焊試驗(yàn)方法

Testmethodsforflipchipintegratedcircuits

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35005—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

試驗(yàn)方法

4…………………2

芯片凸點(diǎn)共面性檢測(cè)

4.1………………2

凸點(diǎn)剪切力測(cè)試

4.2……………………4

倒裝芯片剪切力測(cè)試

4.3………………7

倒裝芯片拉脫力測(cè)試

4.4………………10

射線檢測(cè)

4.5X…………………………13

超聲檢測(cè)

4.6……………14

GB/T35005—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七二研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林鵬榮謝東黃穎卓姜學(xué)明文惠東呂曉瑞姚全斌練濱浩林建京何衛(wèi)

:、、、、、、、、、、

高碩張威

、。

Ⅰ

GB/T35005—2018

集成電路倒裝焊試驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了倒裝焊集成電路封裝工藝中凸點(diǎn)共面性凸點(diǎn)剪切力芯片剪切拉脫力焊點(diǎn)缺陷底

、、、、

部填充缺陷等方面相關(guān)的物理試驗(yàn)方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于陶瓷封裝或塑料封裝的倒裝焊單片集成電路

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548B—2009

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

凸點(diǎn)bump

通過印刷焊料化學(xué)涂鍍蒸鍍焊料電鍍焊料釘頭焊料或放置焊球等方法制備出具有一定尺寸的

、、、、

球形或方形的焊點(diǎn)

。

32

.

凸點(diǎn)下金屬化層underbumpmetallizationUBM

;

為了實(shí)現(xiàn)焊料與焊盤之間的有效互連在焊盤表面沉積的金屬過渡層

,。

33

.

倒裝焊flipchip

將帶凸點(diǎn)的芯片倒裝通過焊料直接與基板實(shí)現(xiàn)互連的一種工藝技術(shù)

,。

34

.

基準(zhǔn)平面seatingplane

由三個(gè)焊球頂點(diǎn)形成的平面具有到植球面最大的垂直距離并且這三個(gè)頂點(diǎn)形成的三角形應(yīng)包含

,,

器件的重心

。

35

.

共面性deviationfromcoplanarity

芯片上各凸點(diǎn)和所建立的基準(zhǔn)平面之間的距離

。

36

.

拉力pullforce

施加于芯片垂直于器件表面并離開該表面的力

。

37

.

固定