GB/T 37152-2018納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

ICS5910020

G13..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

Nanotechnology—Carbonnanotubematerials—Sheetresistance

(IEC/TS62607-2-1:2012,Nanomanufacturing—Keycontrolcharacteristics—

Part2-1:Carbonnanotubematerial—Filmresistance,IDT)

2018-12-28發(fā)布2018-12-28實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

術(shù)語和定義縮略語

2、………………………1

試樣制備方法

3……………2

碳納米管薄層電阻的測(cè)定

4………………3

數(shù)據(jù)分析結(jié)果說明

5/………………………5

附錄資料性附錄實(shí)例分析

A()…………6

參考文獻(xiàn)

………………………9

Ⅰ

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用納米制造關(guān)鍵控制特性第部分碳

IEC/TS62607-2-1:2012《2-1:

納米管材料膜電阻

》。

本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改

:

將標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

———《》。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位深圳市標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院深圳市德方納米科技股份有限公司國(guó)家納米科學(xué)中心

:、、、

深圳市計(jì)量質(zhì)量檢測(cè)研究院

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王益群金松孔令涌葛廣路王孝平高潔尚偉麗李中原

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

引言

含有碳納米管的新材料在下一代工業(yè)應(yīng)用主要有兩大趨勢(shì)

(CarbonNanotube,CNT):

應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射顯示柔性顯示和印刷類電子器件的導(dǎo)電復(fù)合

a)(field-emissiondisplays,FEDs)、

材料

;

機(jī)械應(yīng)用的納米復(fù)合材料充分利用其杰出的機(jī)械性能如高楊氏模量高彈性和高拉伸強(qiáng)度

b),,、

等優(yōu)勢(shì)

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要涉及上述中導(dǎo)電復(fù)合材料目前導(dǎo)電復(fù)合材料大量應(yīng)用于電子工業(yè)所以有必要

a)。,,

建立檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)以評(píng)估其電學(xué)性能

。

應(yīng)用于導(dǎo)電復(fù)合材料的電學(xué)性能特征對(duì)制造商和使用者都非常重要本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于導(dǎo)

CNT。

電復(fù)合材料的電學(xué)性能的簡(jiǎn)單檢測(cè)方法

CNT。

Ⅳ

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳納米管薄層電阻檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)方法以便于使用者結(jié)合其自身應(yīng)用情況作出恰當(dāng)選

,

擇本標(biāo)準(zhǔn)目的在于評(píng)估經(jīng)同一生產(chǎn)程序制造的不同批次的產(chǎn)品其最終產(chǎn)品電導(dǎo)率的一致性控制

。,。

針對(duì)每項(xiàng)應(yīng)用應(yīng)建立起根據(jù)規(guī)定方法測(cè)得的參數(shù)與相關(guān)產(chǎn)品性能參數(shù)之間的關(guān)系本標(biāo)準(zhǔn)包括下列

,。

內(nèi)容

:

本文件所用術(shù)語的定義

a);

樣品的制備建議

b);

測(cè)量碳納米管薄層電阻的實(shí)驗(yàn)程序概要

c);

結(jié)果分析與數(shù)據(jù)討論

d);

實(shí)例分析

e);

參考文獻(xiàn)

f)。

2術(shù)語和定義縮略語

、

注更為全面的納米科技術(shù)語系列標(biāo)準(zhǔn)正在由第一聯(lián)合工作組編寫

:IEC/ISO/TS80004IECTC113/ISOTC229

中并將包含在的不同部分本標(biāo)準(zhǔn)在使用中將與最新版本中術(shù)語和

,IEC/ISO/TS80004。IEC/ISO/TS80004

定義保持一致未被規(guī)定的術(shù)語引自科技文獻(xiàn)

。。

21術(shù)語和定義

.

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

211

..

單壁碳納米管single-wallcarbonnanotubeSWCNT

;

由單層石墨烯片層卷曲而成的碳納米管

。

注由單層石墨烯片卷曲而形成的無縫納米級(jí)圓柱形蜂窩結(jié)構(gòu)

:。

定義

[ISO/TS80004-3:2010,4.4]

212

..

多壁碳納米管multiwallcarbonna