GB/T 38532-2020微束分析電子背散射衍射平均晶粒尺寸的測定

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T38532—2020/ISO130672011

:

微束分析電子背散射衍射

平均晶粒尺寸的測定

Microbeamanalysis—Electronbackscatterdiffraction—

Measurementofaveragegrainsize

(ISO13067:2011,IDT)

2020-03-06發(fā)布2021-02-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T38532—2020/ISO130672011

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

與晶粒尺寸測量相關(guān)的術(shù)語

3.1EBSD………………1

測定的與晶粒和晶界有關(guān)的術(shù)語

3.2EBSD…………3

晶粒尺寸測定相關(guān)術(shù)語

3.3……………4

與數(shù)據(jù)修正和取向圖不確定度有關(guān)的術(shù)語

3.4EBSD………………5

用于晶粒尺寸測定的圖像的獲取

4EBSD………………5

硬件要求

4.1……………5

軟件要求

4.2……………5

測量晶粒尺寸的圖像采集

5EBSD………………………5

樣品制備

5.1……………5

確定樣品軸

5.2…………………………6

樣品臺定位和校準

5.3…………………6

線性校正

5.4……………6

初步檢查

5.5……………6

步長選擇

5.6……………6

所需角精度水平的確定

5.7……………6

分析區(qū)域和圖像尺寸的選擇

5.8………………………8

測量塑性變形材料時的注意事項

5.9…………………8

分析過程

6…………………9

晶界的確定

6.1…………………………9

原始數(shù)據(jù)的后處理

6.2…………………9

數(shù)據(jù)清理步驟

6.3………………………10

晶粒尺寸的測量

6.4……………………13

數(shù)據(jù)的發(fā)布

6.5…………………………13

測量不確定度

7……………13

分析結(jié)果的報告

8…………………………14

附錄資料性附錄晶粒尺寸的測量

A()…………………15

參考文獻

……………………17

GB/T38532—2020/ISO130672011

:

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用微束分析電子背散射衍射平均晶粒尺寸的測

ISO13067:2011《

定

》。

與本標準中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

微束分析電子探針顯微分析術(shù)語

———GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,IDT)

檢測和校準實驗室能力的通用要求

———GB/T27025—2008(ISO/IEC17025:2005,IDT)

微束分析掃描電鏡圖像放大倍率校準導(dǎo)則

———GB/T27788—2011(ISO16700:2004,IDT)

微束分析電子背散射衍射取向分析方法導(dǎo)則

———GB/T30703—2014(ISO24173:2009,IDT)

本標準由全國微束分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位中國寶武鋼鐵集團中央研究院上海發(fā)電設(shè)備成套設(shè)計研究院中國科學(xué)院上海

:、、

硅酸鹽研究所

。

本標準主要起草人姚雷張作貴曾毅鄭芳

:、、、。

Ⅰ

GB/T38532—2020/ISO130672011

:

引言

工程材料的晶粒尺寸和分布顯著影響其力學(xué)和電磁性能例如材料的強度韌性和硬度這些重要的

,、

力學(xué)性能塊狀材料和薄膜即使是很窄的二維結(jié)構(gòu)其性能也受晶粒尺寸的影響因此對于材料的

。,,。,

晶粒尺寸和分布測定需要有標準的方法和統(tǒng)一術(shù)語本標準規(guī)范了應(yīng)用電子背散射衍射取向分布圖測

。

定平均晶粒尺寸的程序

。

Ⅱ

GB/T38532—2020/ISO130672011

:

微束分析電子背散射衍射

平均晶粒尺寸的測定

1范圍

本標準規(guī)定了用電子背散射衍射法對拋光截面進行平均晶粒尺寸的測定方法包含與晶

(EBSD),

體試樣中的位置相關(guān)的取向取向差和花樣質(zhì)量因子的測量要求[1]

、。

注1使用光學(xué)顯微鏡測定晶粒尺寸已為大家普遍接受與其相比具有很多技術(shù)優(yōu)勢如高的空間分辨率和

:,,EBSD,

晶粒取向的定量描述等

。

注2該方法還可用于一些復(fù)雜材料如雙相材料的晶粒尺寸測量

:()。

注3對變形程度較大的試樣進行分析時需謹慎處理結(jié)果

:,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微束分析掃描電鏡圖像放大倍數(shù)校準通則

ISO16700(Microbeamanalysis—Scanningelec-

tronmicroscopy—Guidelinesforcalibratingimagemagnification)

檢測和校準實驗室能力的通用要求

ISO/IEC17025(Generalrequirementsforthecompetenceof

testingandcalibrationlaboratories)

在測量不確定度評估中可重復(fù)性再現(xiàn)性和正確性評估的使用指南

ISO21748、(Guidanceforthe

useofrepeatability,reproducibilityandtruenessestimatesinmeasurementuncertaintyestimation)

微束分析電子探針顯微分析術(shù)語

ISO23833