GB/T 41153-2021碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)定二次離子質(zhì)譜法

ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41153—2021

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質(zhì)含量的測(cè)定

、、

二次離子質(zhì)譜法

Determinationofboronaluminumandnitroenimuritcontentinsilicon

,gpy

carbidesinglecrystal—Secondaryionmassspectrometry

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質(zhì)含量的測(cè)定

、、

二次離子質(zhì)譜法

GB/T41153—2021

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

202112

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-69079

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T41153—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公

:、

司山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

、。

本文件主要起草人馬農(nóng)農(nóng)何友琴陳瀟劉立娜何烜坤李素青張紅巖

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41153—2021

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質(zhì)含量的測(cè)定

、、

二次離子質(zhì)譜法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅單晶中硼鋁氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法

、、。

本文件適用于碳化硅單晶中硼鋁氮雜質(zhì)含量的定量分析測(cè)定范圍為硼含量不小于13-3

、、,5×10cm、

鋁含量不小于13-3氮含量不小于15-3元素濃度原子個(gè)數(shù)百分比不大于

5×10cm、5×10cm,()1%。

注1碳化硅單晶中待測(cè)元素的含量以每立方厘米中的原子數(shù)計(jì)

:。

注2碳化硅單晶中釩雜質(zhì)含量的測(cè)定可參照本文件進(jìn)行測(cè)定范圍為釩含量不小于13-3

:,1×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

表面化學(xué)分析詞匯

GB/T22461

分析儀器性能測(cè)定術(shù)語(yǔ)

GB/T32267

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264、GB/T22461GB/T32267。

4原理

在高真空真空度優(yōu)于-7條件下氧或銫離子源產(chǎn)生的一次離子經(jīng)過(guò)加速純化聚焦

(5×10Pa),,、、

后轟擊碳化硅單晶樣品表面濺射出多種粒子將其中的離子即二次離子引出通過(guò)質(zhì)譜儀將不同

,,。(),

質(zhì)荷比的離子分開(kāi)記錄并計(jì)算樣品中待測(cè)元素與主元素硅的離子計(jì)數(shù)率之比利用相對(duì)靈敏度因子

,。

定量分析并計(jì)算出碳化硅單晶中的待測(cè)元素的含量

。

5干擾因素

51二次離子質(zhì)譜儀存在記憶效應(yīng)若測(cè)試過(guò)待測(cè)元素含量較高的樣品儀器樣品室內(nèi)會(huì)殘留高含量

.,,

的待測(cè)元素影響待測(cè)元素含量的測(cè)試結(jié)果

,。

52儀器型號(hào)不同或者同一儀器的狀態(tài)不同例如電子倍增器效率光圈大小一次束流大小聚焦?fàn)?/p>

.(、、、

態(tài)等會(huì)影響本方法的檢出限

),。

53樣品室的真空度會(huì)影響氮含量測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度

.。

54樣品表面吸附的待測(cè)元素離子可能影響其含量的測(cè)試結(jié)果

.