標準解讀
《GB/T 4377-2018 半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法》相較于《GB/T 4377-1996 半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法的基本原理》,在內(nèi)容上進行了多方面的更新和改進。新版本的標準更加注重與國際標準接軌,同時結(jié)合了近年來半導體技術(shù)的發(fā)展趨勢,對測試條件、測試項目以及測試方法等做了更詳細的規(guī)范。
具體來看,《GB/T 4377-2018》增加了對于不同工作模式下電壓調(diào)整器性能參數(shù)的測試要求,比如靜態(tài)電流、負載調(diào)節(jié)能力等方面的測試變得更加嚴格;此外,還引入了更多關(guān)于環(huán)境因素影響下的穩(wěn)定性測試,包括溫度變化、濕度等因素對器件性能的影響評估;另外,新版標準中還特別強調(diào)了安全性方面的考量,在原有基礎(chǔ)上增加了短路保護功能的驗證等內(nèi)容;同時,為了保證測試結(jié)果的一致性和可比性,《GB/T 4377-2018》也對測試設(shè)備的技術(shù)指標提出了更高的要求,并且給出了更為詳盡的操作指南來指導實際測試過程。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-03-15 頒布
- 2018-08-01 實施
文檔簡介
ICS31200
L56.
中華人民共和國國家標準
GB/T4377—2018
代替
GB/T4377—1996
半導體集成電路
電壓調(diào)整器測試方法
Semiconductorintegratedcircuits—
Measuringmethodofvoltageregulators
2018-03-15發(fā)布2018-08-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T4377—2018
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
術(shù)語和定義
2………………1
總則
3………………………3
測試環(huán)境要求
3.1………………………3
測試注意事項
3.2………………………3
測試儀器和設(shè)備
3.3……………………3
參數(shù)測試
4…………………3
電壓調(diào)整率S
4.1(V)……………………3
電流調(diào)整率S
4.2(I)……………………5
電源紋波抑制比S
4.3(rip)………………6
輸出電壓溫度系數(shù)S
4.4(T)……………7
輸出電壓長期穩(wěn)定性S
4.5(t)…………8
輸出噪聲電壓V
4.6(NO)…………………9
耗散電流I和耗散電流變化I
4.7(D)(ΔD)……………10
短路電流I
4.8(OS)……………………11
輸出阻抗Z
4.9(O)……………………12
基準電壓V
4.10(REF)…………………13
啟動時間t
4.11(S)……………………14
最小輸入輸出電壓差V
4.12(DROP)……………………15
輸入電壓變化瞬態(tài)響應(yīng)時間t和輸入電壓變化瞬態(tài)過沖電壓V
4.13(1)[OM(VI)]…16
負載電流變化瞬態(tài)響應(yīng)時間t和負載電流變化瞬態(tài)過沖電壓V
4.14(2)[OM(IO)]…17
輸出電流限制I
4.15(Limit)……………18
熱關(guān)斷溫度T和滯回溫度T
4.16(SHDN)(ΔSHDN)………19
輸出電壓V和輸出電壓偏差V
4.17(O)(ΔO)…………20
熱調(diào)整率S
4.18(h)……………………21
GB/T4377—2018
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理與
GB/T4377—1996《》,GB/T4377—
相比主要技術(shù)變化如下
1996,:
修改了電源紋波抑制比S輸出噪聲電壓V耗散電流I和耗散電流變化I熱調(diào)整率
———rip、NO、DΔD、
S項參數(shù)測試方法
h4;
刪除了原標準中不適用于雙端輸入口器件一句
———“()”;
刪除了原標準中啟動電壓范圍V一項改由啟動時間t來代替
———“OR”,“S”;
增加了啟動時間t輸出電流限制I熱關(guān)斷溫度T和滯回溫度T及輸出電壓V
———S、Limit、SHDNΔSHDNO
和輸出電壓偏差V項參數(shù)的測試方法
ΔO4。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任
。。
本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標準起草單位圣邦微電子北京股份有限公司中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研
:()、
究所成都振芯科技股份有限公司北京宇翔電子有限公司
、、。
本標準主要起草人王鴻儒袁瑩瑩鄒臣朱華張寶華張冰陳志培羅彬
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T4377—2018
半導體集成電路
電壓調(diào)整器測試方法
1范圍
本標準規(guī)定了電壓調(diào)整器以下稱為器件參數(shù)測試方法
()。
本標準適用于半導體集成電路領(lǐng)域中電壓調(diào)整器參數(shù)的測試
。
2術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
21
.
電壓調(diào)整率voltageregulation
輸出電壓隨輸入電壓變化而發(fā)生的變化率通常通過改變直流輸入電壓并測量相應(yīng)的輸出電壓變
,
化來確定電壓調(diào)整率
。
22
.
電流調(diào)整率currentregulation
輸出電壓隨輸出電流變化而發(fā)生的變化率通常通過改變直流輸出電流并測量相應(yīng)的直流輸出電
,
壓變化來確定電流調(diào)整率
。
23
.
電源紋波抑制比powersupplyrejectionratio
輸入電源變化量與輸出電壓變化量的比值
。
24
.
輸出電壓溫度系數(shù)outputvoltagetemperaturecoefficient
輸出電壓隨環(huán)境溫度變化而發(fā)生的變化率通常通過改變環(huán)境溫度和記錄相應(yīng)的輸出電壓變化來
,
確定輸出電壓的溫度系數(shù)
。
25
.
輸出電壓長期穩(wěn)定性outputvoltagestability
輸出電壓隨時間的變化率通過測試輸出電壓值隨時間的變化來確定
,。
26
.
輸出噪聲電壓outputvoltagenoise
器件本身在輸出電壓上產(chǎn)生的噪聲
溫馨提示
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