GB/T 4937-1995半導體器件機械和氣候試驗方法

ICS31.080L40中華人民共和國國家標準GB/T4937-1995idtIEc749:1995半導體器件機械和氣候試驗方法Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T4937-1995前言IEC前言第I篇總則……·范圍和用途1目的oooooooo3術語、定義和文字符號4標準大氣條件……外觀檢查和尺寸檢驗6電測量···················第I篇機械試驗方法·1引出端強度2錫焊3正弦振動………4恒定加速度…鍵合強度試驗…7芯片剪切強度試驗……第亞篇氣候試驗方法溫度變化····.·····.·.·….··財存(在高溫下）34循環(huán)濕熱………5穩(wěn)態(tài)濕熱…………6溫度/濕度組合循環(huán)試驗789熱間斷試驗·10質(zhì)譜法測量內(nèi)部水汽含量第W篇其他試驗方法1塑料封裝器件的易燃性試驗29標志的耐久性………

CB/T4937-1995本標準是根據(jù)電工委員會IC749:1984《半導體器件機械和氣候試驗方法》IEC749:1991-11和IEC749:1993-09修改單對GB4937一85進行修訂。修訂的標準與IC749標準等同。該標準內(nèi)容較多，因此在標準文本前面增加了目次，便于查閱。本標準中章、條、圖號和表格與IC標準等同，便于和國際標準接軌。本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本標準起草單位：上海市電子儀表標準計量測試所、中國電子技術標準化研究所.本標準主要起草人：倪月琴、王長福。

CB/T4937-1995IC前IEC749:1991修改單由IECTC47半導體器件技術委員會和TC47A集成電路分會制定本修改單的文本以下列文件為依據(jù)：二月法表決報告六月法表決報省47（C0)105447（C0)118247（C0113547（C0)121847/47A（CO）47/47A（CO）1169/2241289/20147（C0)117047（C0)128347（C0）118647（C0)1272本修改單認可的所有表決資料可在上裘所列的表決報告中找到。IEC749：1993修改單由IEC中TC47：半導體器件技術委員會制定刪除表決報告47（C0)125247（C0）133347（C0)131447（C0)134347（C0)131647（C01348本修改單認可的所有表決資料可在上表所列的表決報告中找到

中華人民共和國國家標準GB/T4937-1995半導體器件機械和氣候試驗方法idtIEC749:1984代替GB4937-86Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices第1篇總范圍和用途本標準列出了適用于半導體器件(分立器件和集成電路)的試驗方法。使用時可從中進行選擇。對于非空腔器件，可以要求補充的試驗方法。住：非空腔器件是指器件結(jié)構(gòu)中封裝材料與管芯的所有暴露表面緊密接觸且沒有任何空間的器件。本標準已盡可能考慮了IEC68《基本環(huán)境試驗規(guī)程》。2日的確定統(tǒng)一的優(yōu)選試驗方法及應力等級的優(yōu)選值，以便評價半導體器件的環(huán)境性能。如本標準與有關規(guī)范相抵觸時，應以有關規(guī)范為準。3術語、定義和文字符號引用下列標準GB2421一89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程美總則GB2423電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程！試驗方法GB2424電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程導則GB5169.5—82電工電子產(chǎn)品著火危險試驗針焰試驗方法IEC747半導體器件分立器件和集成電路IEC748半導體器件：集成電路標準大氣條件引用：GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則：除非另有規(guī)定，所有試驗和恢復應在GB2421一89中5.3和5.4規(guī)定的標準大氣條件下進行。其條件是：溫度：15℃～35℃相對濕度：45%～75%(適用時)；氣壓：86kPa～106kP