GB/T 5594.1-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法氣密性測(cè)試方法

UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB5594.1-85電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法氣密性測(cè)試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforgas-tightness1985-11-27發(fā)布1986-12-01實(shí)施標(biāo)國(guó)淮同家批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC621.315.612電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料621.307.387:620.1氣密性測(cè)試方法性能測(cè)試方法GB5594.1-85TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforgas-tightness本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷室溫下氣密性的測(cè)試。1測(cè)試原理氮?dú)饨?jīng)陶瓷片滲透到氫質(zhì)譜檢漏儀的回旋室中，電離后形成離子流。根據(jù)此離子流值，，可確定漏氨速率和判斷陶瓷的氣密性。2測(cè)試設(shè)備2.1氨質(zhì)譜檢漏儀，靈敏度6.0×10Pa.1/s2.2通用馬弗爐，0～1000℃。3測(cè)試試樣3.1將陶瓷片兩面進(jìn)行研磨，研磨尺寸按GB5593—85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶寬材料》規(guī)定，經(jīng)透液性檢驗(yàn)、燈光或十倍放大鏡觀索后無(wú)裂紋時(shí)方可使用。3.2清洗上述試樣，放人馬弗爐中加熱，以450℃/h的速度升溫到900℃，，并保溫30min3.3試樣冷至室溫后取出，放人干燥器中，待測(cè)。4測(cè)試方法《.1用鏢子將試樣從干燥器中取出，放在周定的夾具上，用真空泥將試樣和夾具密封。4.22接通電源,相繼開(kāi)動(dòng)機(jī)械泵和擴(kuò)散泵，待測(cè)試系統(tǒng)真空度至1.33×10"Pa時(shí)即可測(cè)試。4.3氮槍對(duì)準(zhǔn)密片進(jìn)行噴吹，噴吹15·后，記錄檢漏儀上檢流計(jì)讀數(shù)，并查出對(duì)應(yīng)漏氫速率值。5結(jié)果評(píng)定漏氨速率用10"Pa·1/s數(shù)量級(jí)表示，報(bào)告數(shù)據(jù)準(zhǔn)確至小數(shù)點(diǎn)后一位，，平行試樣誤差小于0.5×10Pa·1/s，最后結(jié)果是三個(gè)試樣的平均值。若漏氫速率小于或等于10.0×10Pa·1/s時(shí)，則陶瓷是氣密的，否則是不氣密的。附加說(shuō)明：本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部